「導電ピン」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

また、スピンベース１１に固定された回転軸２１を、金属またはカーボンを含む導電性材料で構成する。例文帳に追加

Also, a rotary shaft 21 fixed on the spin base 11 is made of a conductive material containing a metal or a carbon. - 特許庁

また、ターンテーブル３０およびスピンドルモータ３２を含むドライブ全体は、導電性材料の筐体５０で覆われている。例文帳に追加

The whole drive including a turntable 30 and a spindle motor 32 is covered by the casing 50 of a conductive material. - 特許庁

この機能性材料は、スピンの磁気配向状態或いは電気伝導状態を、それに与える力学的な弾性ひずみで操作する。例文帳に追加

The functional material operates the magnetic orientation state or electric conduction state of spin by the dynamic elastic strain being imparted thereto. - 特許庁

剛性導体を使用した架空送電線用ジャンパ装置が、径間のギャロッピング振動で共振するのを防止する。例文帳に追加

To prevent a jumper for overhead transmission lines using a rigid conductor, from resonating by galloping vibration in a span. - 特許庁

接続端子の溶接部４Ｂ、５Ｂにはモータプロテクタ２の導電端子ピン２Ｂが接続固定される。例文帳に追加

Conductive terminal pins 2B of a motor protector 2 are connected and fixed to welded portions 4B, 5B of the connection terminals. - 特許庁

そして、金属箔６上に導電材料製の端子８の取付座８ａを重ねた状態で固定ピン７に熱カシメによって固定した。例文帳に追加

A fitting seat 8a of a terminal 8 formed of an electrically conductive material is fixed to the fixing pin 7 through the heat caulking on the metallic foil 6 in a lapped condition. - 特許庁

バネ層１６の突出部１７Ａにおけるコンタクトピン１５の裏面と対向する面１７Ｂに、非導電性コーティング２０を施す。例文帳に追加

On a surface 17A facing the back surface of the contact pin 15 at the projection 17A of the spring layer 16, non-conductive coating 20 is applied. - 特許庁

端子ピン４と電気的に導通接続するための雌端子１は、ベース部材２と、弾性部材３と、を備える。例文帳に追加

A female terminal 1 to electrically connected to a terminal pin 4 has a base member 2 and an elastic member 3. - 特許庁

導電性ピン３１がガラス基板Ａに挿入された状態で、ガラス基板Ａが冷却され、固化される。例文帳に追加

In such a state where the conductive pins 31 are inserted into the glass substrate A, the glass substrate A is cooled and solidified. - 特許庁

支持部材１２の中央部には、被測定電流導体ピン１０ａを貫通する貫通穴１２ｃが設けられている。例文帳に追加

A through hole 12c penetrating the test current conductor pin 10a is prepared at the central part of the supporting member 12. - 特許庁

浮上体の剛性およびダンピングを調整できる機能を有する超電導磁気浮上装置及びそのシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a superconducting magnetism levitation device that has a function to adjust rigidity and damping of a floating body, to provide and its system. - 特許庁

ウエハが搭載される静電チャック１６０の中央に開口部１６２を設け、ここに３本の導通ピン１０１、１０２、１０３を内蔵する。例文帳に追加

An opening 162 is arranged at the central part of an electrostatic chuck 160 on which the wafer is mounted, and three conduction pins 101, 102 and 103 are built in there. - 特許庁

コンタクトピン１０の本体は、円筒状のケース１１に導電性のスプリング１２が内蔵されている。例文帳に追加

A body of the contact pin 10 has a conductive spring 12 built-in a cylindrical case 11. - 特許庁

（ａ）支持基板と、該支持基板上に配設された不定形耐火物と、該不定形耐火物に載置された電導性耐火物からなる電極ブロックとからなる炉底電極であって、（ｂ）前記支持基板、前記不定形耐火物及び前記電極ブロックを貫通した電導性の複数のコンタクトピンを備え、（ｃ）前記コンタクトピンと接触するように前記電極ブロックを構成する電導性定型耐火物の表面の一部を被覆する１以上の金属シートを備える。例文帳に追加

In this case, a plurality of conductive contact pins 7 are allowed to penetrate each of the composition members 6, 17, 14, and 8. - 特許庁

センサ装置１００は、導電材料よりなるインサートピン４がインサート成形された樹脂パッケージ１に、圧力検出用の半導体よりなるセンサチップ２をマウントし、センサチップ２とピン４とをボンディングワイヤ６にて電気的に接続し、これらチップ２、ピン４及びワイヤ６を電気的な絶縁性且つ柔軟性を有するフッ素ゲルよりなる保護部材７により被覆保護してなる。例文帳に追加

The sensor device 100 is constituted such that the pressure detecting semiconductor sensor chip 2 is mounted in a resin package 1 having insert-formed conductive material-made insert pins 4 and electrically connected to the pins 4 through bonding wires 6, and the pins 4 and the wires 6 are covered and protected with a protective member 7 made of-an electrically insulative and flexible fluororesin gel. - 特許庁

本発明の一実施例による２次電源用電極の製造方法は、導電性シート上に電極物質を形成する段階と、電極物質上にリチウムを蒸着してリチウム薄膜層を形成する段階と、蒸着されたリチウムを上記電極物質上にドーピングする段階と、リチウムのドーピング量をモニターしてドーピングレベルを調節する段階とを含む。例文帳に追加

A method of manufacturing an electrode for a secondary power source according to one embodiment of the present invention comprises the steps of: forming an electrode material on a conductive sheet; forming a Li thin film layer by vapor-depositing lithium (Li) on the electrode material; doping the electrode material with the deposited Li; and controlling a doping level by monitoring the doping amount of Li. - 特許庁

半導体フィンのボディ領域２０とは反対の導電型のドーピングを有する２つのソース領域６２間の半導体フィンの上面で半導体フィンのボディ領域の一部分が露出される。例文帳に追加

A portion of a body region of the semiconductor fin is exposed on a top surface of the semiconductor fin between two source regions 62 having a doping of a conductivity type opposite to a body region 20 of the semiconductor fin. - 特許庁

ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリチオフェンなどの固有導電性高分子の有機溶媒分散液と、例えば、アルキルシリケートの加水分解物などの有機ケイ素化合物からなるバインダーと、を含むことを特徴とする導電性コーティング組成物。例文帳に追加

The conductive coating composition includes organic solvent-dispersed liquid of specific conductive highpolymer such as doped polyaniline or doped polythiophene, and binder consisting of an organic silicon compound such as alkylsilicate hydrolysate. - 特許庁

光ファイバー２０と光電変換装置１７との間に、光ファイバー２０と同心にピンホール２１ｃを形成し、光ファイバー２０により導光されたレーザー光をピンホール２１ｃを介して光電変換装置１７に導く。例文帳に追加

A pin hole 21c is concentrically formed with an optical fiber between an optical fiber 20 and a photoelectric transducer 17 so that the laser beam shifted from the optical fiber 20 can be led to the photoelectric transducer 17 through the pin hole 21c. - 特許庁

半導体チップの電気的特性を検査するために半導体チップの検査用電極と接触接続されるコンタクトピンが配線基板の表面に複数植設されたプローブカードにおいて、コンタクトピンをマイクロスプリング構造とする。例文帳に追加

With the probe card with a plurality of contact pins connected on a circuit board to be connected in contact with electrodes for inspection for a semiconductor chip for inspecting electric characteristics of the semiconductor chip, contact pins are to be of micro-spring structure. - 特許庁

導電膜の形成に用いられる樹脂硬化型導電性ペーストに配合される銀粉表面に被覆される多価カルボン酸、特にアジピン酸を効率的に定量することが可能な銀粉表面のアジピン酸の定量方法を提供する。例文帳に追加

To provide an adipic acid quantitation method for efficiently quantitating a polyvalent carboxylic acid, especially adipic acid, for coating silver powder surfaces mixed in a resin curing type conductive paste used for forming a conductive film. - 特許庁

正の磁気抵抗効果素子が、ＣｒＯ_2またはＣｒＯ_2およびＮｉ_80Ｆｅ_20（正のスピン分極率を有する第１導電性磁性体）の粉状体と、ＣｒＯ_2またはＣｒＯ_2およびＮｉ_80Ｆｅ_20（負のスピン分極率を有する第２導電性磁性体）の粉状体との混合物により構成されていてもよい。例文帳に追加

The positive magnetoresistance effect element may be constituted by a mixture of CrO_2 or CrO_2 and Ni_80Fe_20 (a first conductive magnetic material having positive spin polarizability) powder, and CrO_2 or CrO_2 and Ni_80Fe_20 (a second conductive magnetic material having negative spin polarizability) powder. - 特許庁

治具２００は、プリント基板とされた基板部に信号コネクタ等が実装されたプリント回路板とされ、主回路実装基板２０との接触部２０２に信号ラインの接触ピン（導電部）とグランドラインの接触ピン（導電部）２０４ａとを少なくとも有する。例文帳に追加

A tool 200 at least has a contact pin (conductive part) of a signal line and a contact pin (conductive part) 204a of a ground line, at a contact part 202 that comes into contact with a main circuit mounting substrate 20, which is a printed circuit board in which signal connectors, etc. are mounted on the substrate part which is a printed substrate. - 特許庁

半田ペースト７５ａ、７５ｂをリフローして半田バンプ７６ａ、７６ｂを形成した後に、導電性接続ピン９６の固定部９８を半田バンプ７６ｂに当接させ、再びリフローをして導電性接続ピン９６を取り付けている。例文帳に追加

After solder bumps 76a and 76b are formed by reflow of solder paste 75a and 75b, a fixing part 98 of a conductive connection pin 96 is brought into contact with the solder bump 76b, and the conductive connection pin 96 is attached by reflow. - 特許庁

そして、スイッチ用スルーホール６の複数の凹部のうちのいずれかに導電ピン８の凸部が填るように、スイッチ用スルーホール６に導電ピン８を差し込むことにより、凸部が填められた凹部に接続された第２のパターン配線がパターン配線４に接続される。例文帳に追加

When the conductive pin 8 is inserted into the through hole 6 for switch such that the protrusion of the conductive pin 8 is fitted in any one of the plurality of recesses in the through hole 6, the second wiring pattern connected with the recess fitted with the protrusion is connected with the pattern wiring 4. - 特許庁

絶縁性のホルダ２２内に、導電性ピン１２をその先端部がホルダ２２より先端方向に突出するとともに抜け出ないようにして突出および押し込み自在に配設し、導電性ピン１２を突出方向に弾性付勢するコイルスプリング１４を配設する。例文帳に追加

The conductive pin 12 is set in the insulating holder 22 in free protrusion and pressing-in, so that its tip part protrudes from the holder 22 in a tip direction and yet not slip off, and a coil spring 14 is set for elastically biasing the conductive pin 12 in the protruding direction. - 特許庁

点火部21と導電ピン22を有する点火器本体20と、略円筒状のカラー30と、導電ピン22とコネクタ100を接続するための筒状のホルダー40とを有しており、それぞれが別体の点火器本体20、カラー30及びホルダー40が樹脂を介して一体化されている。例文帳に追加

The igniter assembly includes, an igniter body 20 having an ignition portion 21 and an electroconductive pin 22, a substantially cylindrical collar 30, and a tubular holder 40 for connecting the electroconductive pin 22 to the connector 100, wherein the igniter body 20, the collar 30, and the holder 40, which are each separate members, are integrated via a resin. - 特許庁

回路基板12に小型アンテナ10を取り付けるのに両面接着テープを使用しないで済み、しかも小型アンテナの給電ピン20と放射導体16の半田付け部22、給電ピン20と回路導体26の半田付け部30が破損しにくいアンテナモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide an antenna module in which a small antenna 10 can be attached onto a circuit board 12 without using a double-faced adhesive tape and in which a soldered part 22 between a power supply pin 20 and an radiation conductor 16, a soldered part 30 between the power supply pin 20 and a circuit conductor 26 of the small antenna are hardly broken. - 特許庁

そして、収納室の平坦な天井面に導電ピン６ａの頂部の平坦面を当接させながらケース部４とベース３とを圧接して導電ピン６ａを貫通穴に圧入し、その後、ベース部３とケース部４を溶着している。例文帳に追加

Then, a case part 4 and the base part 3 are pressure welded while a flat face of the tiptop of the conductive pin 6a is made contacted with a flat ceiling face of a housing to press fit the conductive pin 6a into the through-hole, and later, the base par 3 and the case part 4 are welded. - 特許庁

その後、この半導電性層１０に、ドーピング剤が、半導電性層１０の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで浸透されるように、回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤水溶液に、１００〜２００℃、２〜１５ＭＰａ、３０分〜２４時間の浸漬条件で、浸漬する。例文帳に追加

Thereafter, the suspension substrate 1 is soaked in a dopant aqueous solution under soaking conditions of 100-200°C, 2-15 MPa and 30 minutes to 24 hours so that a dopant impregnates into the semiconductor layer 10 from its surface to a depth of at least 0.2 μm. - 特許庁

光導電性高分子材料の光５の導電性が、磁場６の印加により電子励起された分子又は原子の励起緩和過程で生成する分極した電子スピンの多重項状態により増大する。例文帳に追加

The conductivity of the photoconductive polymeric material for light 5 is increased by a multiplet term state of polarized electron spin produced in an excitation relaxation process of molecules or atoms electronically-excited by applying a magnetic field 6. - 特許庁

そして、接地されたアースピン５を導電性基板１の裏面に接触させた状態で、電子ビームレジスト膜３に導電性膜４を介して電子ビーム７を照射する。例文帳に追加

In a state wherein an earth pin 5 grounded is brought into contact with the rear face of the conductive substrate 1, electron beams 7 are irradiated on the electron beam resist film 3 through the conductive film 4. - 特許庁

これらの第二電極用引き出し電極３７と、導電膜用引き出し電極３８との間の導通の有無を測定することにより、保護膜３２に発生したピンホールの検出を行う。例文帳に追加

Pinhole detection of the protective film 32 is carried out, by measuring the existence of conduction between the extraction electrode 37 for the second electrode and the extraction electrode 38 for the conductive film. - 特許庁

化合物半導体材料からなる下側電子走行層(3)の上に、ｎ型にドーピングされ、下側電子走行層よりも電子親和力の小さな化合物半導体材料からなる下側電子供給層(4)が配置されている。例文帳に追加

On a lower side electron travel layer (3) of compound semiconductor material, a lower side electron supply layer (4) is arranged which is doped in n-type and comprises a compound semiconductor material whose electron affinity is smaller than that of the lower side electron travel layer. - 特許庁

半導体基板面内で均一にピンチオフ電圧差を形成し、半導体基板のダメージに起因する素子特性劣化がなく、電荷転送電極間の距離を微細化した電荷結合素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge-coupled device which generates a pinch-off voltage difference uniformly in a semiconductor substrate surface to be free of element characteristic deterioration due to damage to the semiconductor substrate, and is made extremely short in distance between charge transfer electrodes, and a manufacturing method thereof. - 特許庁

導電性材料でドーピングした、導電性アルカリ塩を含む、エステル硬化させたアルカリ性フェノール系レゾール樹脂を含んでなる電極、電解質および／またはセパレータプレートを提供する。例文帳に追加

To provide an electrode, electrolyte, and/or a separator plate formed by containing a conductive material-doped ester-cured alkaline phenolic resole resin containing conducting alkaline salts. - 特許庁

さらに、導電体１５に発生する誘起電圧と上記経路における誘起電圧とが相殺するように導電体１５の先端部と第２出力ピンＯＰ２の先端部とを接続する。例文帳に追加

Further, the tip end of the conductor 15 and the tip end of the second output pin OP2 are connected so that the induced voltage generated in the conductor 15 and the induced voltage in the above path may offset each other. - 特許庁

半導体チップ１０ｂの電源遮断回路３０では、ＰチャネルトランジスタＰ３０が「Ｈ」レベルの電源遮断信号ＣＵＴに応じて非導通状態となり、外部ピンＰＩＮ０と電源端子ＶＣＣとを電気的に分離する。例文帳に追加

In the power supply interruption circuit 30 of a semiconductor chip 10b, a P channel transistor P30 enters nonconductive state in response to the power supply interruption signal CUT of "H" level and disconnects an external pin PIN0 and a power supply terminal VCC electrically. - 特許庁

また、平板コンデンサ１９の貫通孔の内面には、一方の電極と電気的に導通された導電層を形成し、挿通されるピン端子１３と電気的に接続する。例文帳に追加

A conductive layer, connected electrically to one electrode is formed on the inner surface of the through-hole of the plate capacitor 19 and is connected electrically to the inserted pin terminal 13. - 特許庁

電力ケーブル１０は、ドーピング方法により体積固有抵抗率が所望に調整され、線状導体１１の外側に被覆されるπ電子系導電性高分子材からなる半導電層１２と、この半導電層１２の外側に被覆される絶縁層１３とを備える。例文帳に追加

The power cable 10 is provided with a semiconductive layer 12 made of a π electron system conductive polymer material in which volume specific resistivity is adjusted as required by a doping method and which is coated outside a linear conductor 11, and an insulation layer 13 coated outside the semiconductive layer 12. - 特許庁

半導体積層体に含まれるチャネル層下の化合物半導体層を不純物ドーピングでｐ型化することなく、その半導体積層体を含むＨＦＥＴのリーク電流の低減や耐電圧の向上などを可能とする。例文帳に追加

To reduce a leakage current and improve a withstand voltage of an HFET which includes a semiconductor laminate without turning a compound semiconductor layer beneath a channel layer included therein into a p type by performing impurity doping. - 特許庁

半導体装置の電気的特性試験を行なう際、ピン５の凹部５ｂに、半導体装置に形成された電極を接触させ、半導体装置を試験基板９側へ付勢する。例文帳に追加

When testing the electric characteristics of a semiconductor device, an electrode formed in the semiconductor device is brought into contact with the recess 5b of a pin 5 to energize the semiconductor device to the testing substrate 9 side. - 特許庁

半導体デバイスの電気的特性の検査のために用いられ、半導体デバイスと半導体検査装置とを電気的に接続するプローブカード又はＩＣソケットに設けられたコンタクトピンである。例文帳に追加

This contact pin is used for inspecting the electrical characteristics of a semiconductor device and is provided in a probe card or an IC socket for electrically connecting the semiconductor device to a semiconductor inspection device. - 特許庁

半導体層３０３に不純物領域を形成する方法として、２層に形成されたゲート電極のうち第２の導電膜３０６をマスクとして自己整合的に半導体層３０３に不純物元素をドーピングする。例文帳に追加

As a method for forming an impurity region in a semiconductor layer 303, the semiconductor layer 303 is doped in self-alignment manner with a second conductive film 306 out of a gate electrode formed in two layers as a mask. - 特許庁

第２の導電型の第２のソース領域（２２）を、ゲートの第１の横方向サイドおよび前記第２の導電型の軽ドーピング・ドレイン拡張領域／ウェル（１２）に近接して、一部のゲート構造下の半導体基板に形成する。例文帳に追加

A second conductive type of second source area (22) is formed on the semiconductor substrate under a partial gate structure in proximity to the first lateral side of a gate and the second conductive type of light doping drain extension area/well (12). - 特許庁