「抗血小板療法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

基板ホルダを改良し、高速で高品質ダイヤモンド単結晶薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing a high quality single crystal thin film of diamond at high rate by improving a substrate holder. - 特許庁

窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法、および良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a buffer film of satisfactory crystalline quality on a nitride substrate, and a semiconductor device having a buffer layer of satisfactory crystalline quality. - 特許庁

窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止して、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長速度を向上して成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing an aluminum nitride crystal, which, in growing an aluminum nitride crystal, can prevent the sublimation of a base substrate and can grow an aluminum nitride crystal having good crystallinity at an improved growth rate, to provide a method for producing an aluminum nitride crystal, and to provide an aluminum nitride crystal. - 特許庁

良好な結晶性と良好な表面平坦性とを兼ね備えた窒化物半導体自立基板とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor self-supporting substrate having good crystallinity combined with good surface flatness, and its manufacturing method. - 特許庁

自己由来の多血小板血漿（ＰＲＰ）を美容形成の治療剤として用いる場面において、必ずしも高濃度の多血小板血漿（ＰＲＰ）の調製が困難な場合であってもより安定した多血小板血漿（ＰＲＰ）を用いた肌改善方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for ameliorating a skin problem, which uses more stabilized platelet-rich plasma (PRP) even in a case when the preparation of high-concentration platelet-rich plasma (PRP) is difficult, in the use of self-derived platelet-rich plasma (PRP) as a beauty formation therapeutic substance. - 特許庁

良好な特性を有する半導体デバイスを得ることができるＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an AlN crystal allowing a semiconductor device having good characteristics to be obtained, an AlN crystal, an AlN crystal substrate, and a semiconductor device manufactured by using the AlN crystal substrate. - 特許庁

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。例文帳に追加

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate. - 特許庁

ガラス基板の上に、厚く、結晶性の良好な窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の結晶膜、とりわけＧａＮ結晶膜を形成するエピタキシャル結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial crystal growth method of forming a nitride III-V compound semiconductor crystal film, and especially a GaN crystal film that is thick and satisfactory in cryatllinity on a glass substrate. - 特許庁

良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a nitride semiconductor crystal for growing a nitride semiconductor crystal at a reduced cost while keeping good crystallinity and to provide a nitride semiconductor crystal substrate. - 特許庁

レーザー照射による結晶化工程において基板走査方向に対して斜めの方向にチャネル領域を形成する。例文帳に追加

A method for manufacturing a thin film transistor, and so forth, comprises a step of forming a channel region in an oblique direction to a substrate scanning direction in a crystallizing step by laser irradiating. - 特許庁

境界領域１１は、主表面に沿った方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、内部に結晶粒界を有する。例文帳に追加

The boundary region 11 is contiguous to the SiC single crystal substrate 1 in the direction along the principal face, and has a grain boundary internally. - 特許庁

この方法により、基板１００全面に単結晶・単一ドメインで構成され、無欠陥の良質なフォトニック結晶を作製することができる。例文帳に追加

By this method, a photonic crystal having no defects and high quality which is formed at single crystal/single domain on the whole area of the substrate 100 is manufactured. - 特許庁

良好な品質の無極性面ＧａＮ結晶を生成できるＧａＮ半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a GaN semiconductor substrate by which a good quality nonpolar face GaN crystal can be formed. - 特許庁

低い基板温度でも炭素コンタミネーションが少なく結晶性が良好な窒化ガリウムの成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a film of gallium nitride, in which even at low substrate temperature, less carbon contamination and appropriate crystallinity can be attained. - 特許庁

基板上の所望の位置に所望サイズの半導体結晶粒を極めて再現性良く形成することができ、大量生産方式に好適の結晶化方法および結晶化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystallizing method and a crystallizing system which form a semiconductor crystal grain of a desired size at a desired position on a substrate with remarkably good reproducibility, and is preferable to a mass-production system. - 特許庁

電子デバイス、光学デバイス用基板材料として好適な炭化珪素単結晶の溶液成長法による製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method for an SiC single crystal suitable as a substrate material for electronic and optical devices, by a solution growth method. - 特許庁

｛１００｝面を主面とする単結晶シリコン基板１０１上に、単結晶シリコンの＜０１０＞結晶軸方向または＜０１０＞結晶軸方向と等価な軸方向に実質的に延在するゲート電極１０７と、ゲート電極１０７の両脇において単結晶シリコン基板１０１の表面に設けられたソース・ドレイン領域１２９とを設ける。例文帳に追加

On the surface of a single-crystal silicon substrate 101 having a {100} plane as its principal surface, there are provided a gate electrode 107 extended substantially in a <010> crystal-axis direction of a single-crystal silicon or in an equivalent axis direction to the <010> crystal-axis direction, and source/drain regions 129 present on both the sides of the gate electrode 107. - 特許庁

本発明は、半導体デバイスに用いることができるＡｌＮ結晶基板を効率的に得るため、効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface processing method of AlN crystal for forming a surface of proper morphology efficiently in AlN crystal, in order to efficiently obtain an AlN crystal substrate for use in a semiconductor device. - 特許庁

結晶の製造方法は、昇華法により結晶１０を製造する方法であって、結晶１０と異なる材料の下地基板を配置する工程と、設定温度まで昇温することで、下地基板上に第１の結晶１１を成長する工程と、設定温度以上の温度で、第１の結晶１１上に第２の結晶１２を成長する工程とを備えている。例文帳に追加

The method for producing a crystal 10 by a sublimation method includes: a process for arranging a ground substrate made of a material different from the crystal 10; a process for growing a first crystal 11 on the ground substrate by raising the temperature to a set temperature; and a process for growing a second crystal 12 on the first crystal 11 at a temperature equal to or higher than the set temperature. - 特許庁

昇華再結晶法を用いて作製した円筒状の炭化珪素単結晶に、結晶成長終了後に単結晶外周部分の周方向に−３．５ＭＰａ以上３５ＭＰａ以下の圧縮応力を付与することで、結晶成長後や、結晶を電子材料用の基板に加工する際に単結晶に割れが発生しないようにする。例文帳に追加

After completing crystal growth of a cylindrical silicon carbide single crystal produced by a sublimation recrystallization method, compressive stress of -3.5 MPa to 35 MPa is imparted in a circumference direction to the peripheral part of the single crystal so as to prevent cracks from generating in the single crystal after the crystal growth or upon processing into a substrate for an electronic material. - 特許庁

不均一な結晶領域を減少させて工程時間を短縮することができる結晶化用マスクとこれを利用した非晶質シリコンの結晶化方法及びアレイ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a mask for crystallization capable of reducing unevenly crystallized regions and achieving a decrease in process time, and to provide a method using the mask for amorphous silicon crystallization and a method using the same for manufacturing an array substrate. - 特許庁

血小板の粘着及び血液凝固因子の活性化の両方を低減した抗血栓性材料を実現できるようにする。例文帳に追加

To provide an antithrombogenic material where adhesion of platelets and activation of blood coagulation factors are both reduced. - 特許庁

酸化亜鉛デバイス用基板材料として適した高純度で高品質な酸化亜鉛結晶を得る成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a growing method for preparing a highly pure and high quality zinc oxide crystal suitable as a substrate material for a zinc oxide device. - 特許庁

ＧａＮから成る半導体基板１の結晶成長面σでは、結晶欠陥の少ない平坦で結晶品質の良好な領域と、結晶欠陥集中領域とがａ軸方向において、略一定の周期Λ（≒４００μｍ）で繰り返し現れる。例文帳に追加

An area having less crystal defect that is flat and superior in crystal quality and another area having concentrated crystal defect appear repeatedly at a nearly constant cycle Λ (&ap;400 μm) in an (a) axis direction on the crystal growth surface σ of a semiconductor substrate 1 made of GaN. - 特許庁

単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程とを有し、単結晶半導体基板へのイオンの照射は、イオンドーピング法を用い且つ単結晶半導体基板を冷却しながら行う。例文帳に追加

The irradiation of the single-crystal semiconductor substrate with the ions is carried out by using an ion doping method while cooling the single-crystal semiconductor substrate. - 特許庁

本発明にかかるフィールドエミッターアレイの製造方法は基板上に六方対称結晶構造を有する結晶材料を転位が起こる様に形成する工程と、前記結晶材料をエッチし各転位でナノチップを形成する工程と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method of the field emitter allay includes a process of forming a crystalline material having hexagonal symmetric structure so as to form a dislocation, and a process of forming the nano chip at every dislocation by etching the crystalline material. - 特許庁

第１ドープ領域は、第１結晶損傷層と基板の上表面との垂直方向の間に配置される。例文帳に追加

The first doped region is disposed vertically between the first crystalline damage layer and the top surface of the substrate. - 特許庁

第１ドープ領域は、第１結晶損傷層と基板の上表面との垂直方向の間に配置される。例文帳に追加

The first doped region is disposed vertically between the first crystalline damage layer and the top surface of the substrate. - 特許庁

レーザーガラスと放熱板としての単結晶を接合するのに好適な接着用材料を提供する。例文帳に追加

To provide a material for an adhesive which is suitable for joining a single crystal as a heat sink to laser glass. - 特許庁

多結晶金属基板１１の結晶性に関する情報が窒化ガリウム系結晶層１０に伝えられないので、多結晶金属基板の結晶性に関する情報の影響を受けることなく、非晶質中間層１２の非晶質性に関する情報に基づいて、良好な結晶配向性を有して形成される。例文帳に追加

The gallium nitride crystal layer having a good crystal orientation is formed based on the informations related to the amorphous properties of the amorphous intermediate layer 12 without being influenced by the informations related to the crystallinity of the polycrystalline metal substrate because the propagation of the informations related to the crystallinity of the polycrystalline metal substrate 11 to the gallium nitride crystal layer 10 is suppressed. - 特許庁

大面積の基板上に良好な品質を有する微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a microcrystalline semiconductor film with favorable quality over a large-area substrate. - 特許庁

補助基板は、ヤング率の大きい材料の結晶方位が最大となる方向が、前振動子の長さ方向と平行となるように接合し、シリコン基板よりも厚い。例文帳に追加

The auxiliary substrate is joined so as to turn a direction in which the crystal orientation of material having a large Young's modulus becomes maximum to be parallel with a length direction of the vibrator, and thicker than the silicon substrate. - 特許庁

結晶性が良好で亀裂や反りのない良質の窒化物半導体基板を高い生産性で製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a method for fabricating a high quality nitride semiconductor substrate having good crystallinity without cracks nor warpage with high productivity. - 特許庁

青色発光ダイオードなどの単結晶基板は単結晶基板の反対側方向に両端子が導出されているため、面積を小さくすることが出来ない。例文帳に追加

To solve the problem that it is not possible to reduce the area of a single crystal substrate such as a blue light emitting diode or the like, in which two terminals are pulled out in the direction opposite to the single crystal substrate. - 特許庁

良好な特性の多結晶シリコン膜を短時間に形成できる多結晶シリコン膜の形成方法、形成装置及びそれにより形成された多結晶シリコン膜が形成された基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device of forming a polycrystalline silicon film that forms the polycrystalline silicon film with excellent characteristics in a short time, and a substrate having the polycrystalline silicon film formed thereon thereby. - 特許庁

ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法及びこれを利用した窒化物半導体発光素子を提供すること例文帳に追加

To provide a new method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate by which a high-quality crystal can be grown based on a ZnO single crystal layer, and to provide a nitride-based semiconductor light emitting element using the above method. - 特許庁

金属基板上にＬＰＣＶＤ法により結晶性シリコン領域を形成すると、｛１１１｝面を双晶面とし、＜１１０＞方向、もしくは＜２１１＞方向に成長する多結晶体よりなるウィスカ状結晶性シリコンが得られる。例文帳に追加

A crystalline silicon region is formed over a metal substrate by an LPCVD method, whereby whisker-like crystalline silicon consisting of a polycrystalline body which grows in the <110> direction or the <211> direction by letting {111} plane be a twin crystal plane can be obtained. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板上に、平坦かつ反位相領域の存在しない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜を簡便に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for simply forming a high quality 3C-SiC single crystal film flat and free from an anti-phase domain on an Si single crystal substrate. - 特許庁

結晶性の窒化物半導体基板上に、結晶状態の良好な窒化物半導体を成長させることが可能な窒化物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a nitride semiconductor, by which the nitride semiconductor having a good crystal state can be grown on a crystalline nitride semiconductor substrate. - 特許庁

結晶状態の良好な窒化物半導体を、結晶性の窒化物半導体基板上に成長させることが可能な窒化物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a nitride semiconductor, capable of growing nitride semiconductor of proper crystal state on a crystalline nitride semiconductor substrate. - 特許庁

１２００℃以下の温度で良好な結晶性を得ることができる、電子素子の基板上へのＳｉＣ又はＧａＮ単結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing an SiC or GaN single crystal on a substrate of an electronic device, by which it is possible to realize good crystallinity at temperatures of ≤1,200°C. - 特許庁

高結晶品質と高比抵抗の両立を安定的に実現することができ、エピタキシャル基板における反りを低減できるIII族窒化物結晶の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a group III nitride crystal capable of stably ensuring compatibility between high crystal quality and high specific resistance, and of reducing warpages in an epitaxial substrate. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板上に、結晶性や配向性が良好で、電気的特性や光学的特性等に優れたＧａＮ薄膜を、低コストで効率良く製造することが可能なＳｉ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an Si substrate, by which a GaN thin film having good crystallinity and orientability and excellent electrical characteristics and optical characteristics can be efficiently manufactured on an Si single crystal substrate at a low cost. - 特許庁

結晶成形に際して、種晶が既に基板と溶融状の多結晶シリコンとの間に存在しているため、凝結中の多結晶シリコン層は、種晶両側から外側へ向かって横方向にて結晶する。例文帳に追加

In crystal molding, since a seed crystal already exists between the substrate and a molten polycrystalline silicon, the polycrystalline silicon layer under coagulation crystallizes transversely from both sides of the seed toward an outside. - 特許庁

第２の単結晶半導体基板に固定された単結晶半導体層を加熱しながら、単結晶半導体層にレーザビームを照射して平坦性の向上と結晶性の回復の両方を行う。例文帳に追加

The single crystal semiconductor layer is irradiated with laser beams to perform both the improvement of planarity and the recovery of crystallinity, while heating a single crystal semiconductor layer fixed onto the second single crystal semiconductor substrate. - 特許庁