「直接 n」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ARCHITECTURE CONNECTED DIRECTLY FROM OPTIONAL CONTROLLER TO OPTIONAL CONTROLLER BY N-WAYS例文帳に追加

任意のコントローラから任意のコントローラにＮ通りに直接接続されるアーキテクチャ - 特許庁

A 508b is a ploy silicon lead electrode directly connecting to the N type high concentration area.例文帳に追加

５０８ｂはＮ型高濃度領域と直接コンタクトをとっているポリシリコン引き出し電極である。 - 特許庁

In the formula, Z expresses an organic group of direct bonding or of bivalence and n is an integer of 1-10.例文帳に追加

下記式中、Ｚは直接結合または２価の有機基を示し、ｎは１〜１０の整数である。 - 特許庁

To provide a solid phase method for synthesizing an N-substituted oligomer and a method for directly synthesizing a poly(N-substituted amide) on a solid substrate support.例文帳に追加

固体基体支持体上で直接ポリ（Ｎ−置換アミド）を合成する方法を提供し、Ｎ−置換オリゴマーを合成する固相法を提供する。 - 特許庁

A resolution transformation processing apparatus receives N*M image data directly from a signal decoding processor without passing through a memory and processes the N*M image data.例文帳に追加

解像度変換処理装置は、符号デコード処理装置よりＮ＊Ｍの画像データをメモリを経由せず直接受け取って処理する。 - 特許庁

This increases the amount of light passing directly through the oxide films, prevents detection light intensity from decaying, and makes possible high S/N ratio detection.例文帳に追加

これにより直接金属酸化膜を通過する光量を増大させ、検知光強度の減衰を抑制、S/N比の高い検知が可能となる。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁

Sources of transistors N10, N11 of an N type sense amplifier NSAt are connected directly to the ground GND, and sources of transistors P2, P3 of a P type sense amplifier PSA are connected directly to the power source VDD.例文帳に追加

Ｎ型センスアンプＮＳＡｔのトランジスタＮ１０，Ｎ１１はソースを接地ＧＮＤに直接接続し、Ｐ型センスアンプＰＳＡのトランジスタＰ２，Ｐ３はソースを電源ＶＤＤに直接接続する。 - 特許庁

In the multi-hop communication network composed of a plurality of nodes N, each node N has an adjacent node table Tb1 in which link costs for direct communication with nodes N are registered.例文帳に追加

複数個のノードＮからなるマルチホップ通信ネットワークにおいて、各ノードＮは、直接通信が可能なノードＮとの間のリンクコストを登録した隣接ノードテーブルＴｂ１を備える。 - 特許庁

An n-clad layer 104, comprising AlxGa1-xN, is not formed directly at a high carrier-density n+-type GaN layer 103 forming a negative electrode but through a low carrier-density n-type GaN layer 103L.例文帳に追加

負電極を形成する高キャリア密度のｎ^+型GaN層１０３に直接Al_xGa_1-xNから成るｎクラッド層１０４を形成するのではなく、低キャリア密度のｎ型GaN層１０３Ｌを介在させる。 - 特許庁

A p^+ type gate region 4 is directly formed on the surface of an n^- type channel layer 2 so that a part away from the n^- type channel layer 2 becomes wide compared to a part contacting the n^- type channel layer 2 out of the p^+ type gate region 4.例文帳に追加

ｎ^-型チャネル層２の表面に直接ｐ^+型ゲート領域４を形成し、ｐ^+型ゲート領域４のうちｎ^-型チャネル層２と接する部分と比較して、ｎ^-型チャネル層２から離れた部分が幅広となるようにする。 - 特許庁

Additionally, the shape of an N-type electrode 179 is formed so that the direct light from the backlight 4 to an N-type lightly-doped impurity region 137 is shielded by the N-type electrode 179 of the optical sensor element 41.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度不純物領域１３７に対するバックライト４からの直接光が光センサ素子４１のＮ型電極１７９によって遮光されるようにＮ型電極１７９の形状を形成する。 - 特許庁

To provide a new method for directly and efficiently producing N-acetylglucosamine from a chitin raw material utilizing a microorganism.例文帳に追加

微生物を利用して、キチン原料から直接にＮ‐アセチルグルコサミンを効率よく製造する新規な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a synchronization acquisition device for direct sequence spread spectrum signals that detects mis-synchronization under a high C/N.例文帳に追加

高Ｃ／Ｎ下における誤同期を検出するスペクトラム直接拡散信号の符号同期装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide, especially, an n-type zinc antimony-based compound thermoelectric semiconductor with respect to a thermoelectric semiconductor material which directly transduces heat into electric power.例文帳に追加

熱から電力に直接変換する熱電半導体材料に関し、特に、ｎ型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 8 composed of n-type polysilicon is embedded in the trench while directly bonded to the gate insulating film 7.例文帳に追加

ｎ形ポリシリコンにより構成されるゲート電極８が、前記ゲート絶縁膜７と直接接合して前記トレンチ内に埋め込まれる。 - 特許庁

Next, the signals are mapped into the original channels λ'1,..., λ'N by a 2nd wavelength converter 22.例文帳に追加

次に、光増幅器１３により直接に増幅され、その後、第二の波長変換器２２により元のチャネルλ'_1...λ'_Nにマッピングされる。 - 特許庁

Thus, a GND of n impedance matching circuit formed on the impedance matching board 17 is directly coupled with the shield frame 16.例文帳に追加

これによりインピーダンス整合基板１７に形成されたインピーダンス整合回路のＧＮＤが直接シールドフレーム１６に回路結合される。 - 特許庁

The N-point discrete cosine transform section arithmetic section 14 directly outputs a product of the coefficients according to the arithmetic results or received values.例文帳に追加

Ｎ点逆離散コサイン変換部分演算部１４はそれらの演算結果に対して係数の乗算もしくは供給された値を直接出力する。 - 特許庁

Further, the n-type semiconductor layer 14 includes a base layer 14a laminated directly on the seed layer 12.例文帳に追加

さらに、ｎ型半導体層１４には、シード層１２の上に直接積層される下地層１４ａが含まれている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 43 includes a first surface and a second surface, and the first surface directly contacts the buffer layer 42.例文帳に追加

ｎ型半導体層４３は第１の面及び第２の面を有し、第１の面はバッファ層４２に直接に接する。 - 特許庁

In this case, the direct wave receiving processing part 11 and the scattering wave receiving processing part 12 repeat reception of T_0 (sec) at intervals of Δt (sec) in N times.例文帳に追加

この場合、直接波受信処理部１１及び散乱波受信処理部１２は、Ｔ_０［ｓｅｃ］の受信をΔｔ［ｓｅｃ］の間隔でＮ回繰り返す。 - 特許庁

Among the signal lines of the ATAM interface 31, (M-N) pieces of the signal lines 44 are directly connected to the combination connector 34.例文帳に追加

ＡＴＡＰＩインターフェース３１の信号ラインのうち（Ｍ−Ｎ）本の信号ライン４４は直接に兼用コネクタ３４に接続する。 - 特許庁

The speaker 37 which is the load is driven directly by a P-output and an N-output from the driver part 35.例文帳に追加

このドライバ部３５のＰ出力およびＮ出力で負荷であるスピーカ３７を直接駆動する。 - 特許庁

The input port Pin and output ports 1 to N are directly connected with optical fibers 16-0 to 16-N respectively.例文帳に追加

そして、入力ポートＰin及び各出力ポートＰｏｒｔ1〜ＰｏｒｔＮに光ファイバ１６-０〜１６-Ｎがそれぞれ直接接続されている。 - 特許庁

In a method for directly supplying the additive M to the base resin material N supplied to the screw part C4 of a plastic injection molding machine C, the additive M is directly supplied to the screw part C4 in a predetermined ratio at the same time when the base resin material N is supplied to the screw part C4.例文帳に追加

プラスチック射出成形機Ｃのスクリュー部Ｃ４に供給されるベース樹脂材Ｎに、添加材Ｍを直接供給する方法であって、ベース樹脂材Ｎがスクリュー部Ｃ４に供給されるときには、同時に所定割合で添加材Ｍをスクリュー部Ｃ４に直接供給する。 - 特許庁

The apparatus includes an output memory area, a detector to detect n pieces of consecutive flags indicating that a decompression operation should act on the direct representation, and a data copying machine for copying to the output memory area either a next referenced group of previously decoded data or the group of n pieces of consecutive direct representations from the ordered stream of the direct representations.例文帳に追加

該装置は、出力メモリエリア、伸張オペレーションが直接的表現に作用すべきであることを示す個数ｎの連続したフラグを検出する検出器、及び前に復号されたデータの次の参照される群又は直接的表現の順序付けられたストリームからのｎ個の連続した直接的表現の群のいずれかを出力メモリエリアへコピーするためのデータコピー器を備える。 - 特許庁

The reaction is carried out in a polar aprotic solvent selected from pyridine, lutidine, collidine, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide and acetonitrile when reacting the glutamine with a phthaloylation agent to provide N-phthaloylglutamine (IV), and adding a condensation agent to the product to directly convert the N-phthaloylglutamine into the thalidomide (I).例文帳に追加

グルタミンをフタロイル化剤と反応させ、Ｎ−フタロイルグルタミン（ＶＩ）を得、次いで、縮合剤を添加し、Ｎ−フタロイルグルタミンをサリドマイド（Ｉ）へ直接転換するに際し、反応を、ピリジン、ルチジン、コリジン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドおよびアセトニトリルから選択される極性非プロトン性溶媒中で実施する。 - 特許庁

A photoreceptor containing an azo compound of the formula Ar(-N=N-Cp)_n (where Ar is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group and Cp is a coupler residue) and a high molecular charge transport material are used and a single layer type photosensitive layer is disposed on an electrically conductive support directly or by way of an intermediate layer.例文帳に追加

アゾ化合物（Ａｒ（−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐ）_n：Ａｒは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、Ｃｐはカップラー残基）と高分子電荷輸送物質とを含む感光体を用い、導電性支持体上に直接または中間層を介して単層の感光層を設ける。 - 特許庁

Difference TDC_out in rise time between a start signal and a stop signal can be directly obtained from output (tdc_1 to tdc_n) of M_1 to M_n.例文帳に追加

本発明では、スタート信号とストップ信号の立ち上がり時刻の時間差ＴＤＣ_ｏｕｔを、Ｍ_１ないしＭ_ｎの出力（ｔｄｃ_１...ｔｄｃ_ｎ）から直接得ることができる。 - 特許庁

A direct input that is an output of a coefficient multiplier 21 which multiplies an input w_n by a coefficient β, is outputted to a feedforward path and an adder 25.例文帳に追加

入力w_nに係数βを乗算する係数乗算器２１の出力である直接入力は、フィードフォワードパスと加算器２５に出力される。 - 特許庁

The deviation in the overall active power P is inputted to a PI controller and its output Q is corrected with the output α_n of the PI controller of the direct control system of each stage.例文帳に追加

全体の有効電力Ｐの偏差をＰＩ制御器に入力し、その出力Ｑを各段の直接制御系のＰＩ制御器の出力α_nにより補正する。 - 特許庁

This thermoelectric module is provided with an N-type thermoelectric element 60 containing compound having a skutterudite structure and a P-type thermoelectric element 59 which is connected with the N-type thermoelectric element directly or via metal member and contains Mn-Si based compound.例文帳に追加

スクッテルダイト構造を有する化合物を含むＮ型の熱電素子６０と、該Ｎ型の熱電素子と直接又は金属部材を介して接続され、Ｍｎ−Ｓｉ系の化合物を含むＰ型の熱電素子５０とを具備する。 - 特許庁

Further, a p+-type region is formed without direct contact with the n+-type source between the isolated n+-type source regions to be contacted with a p-type gate provided in parallel at both sides of each channel.例文帳に追加

さらには各チャネルの両側に平行して設けられるｐゲートへは、分離されたｎ+ソース領域間に、ｎ+ソースとは直接接することなくｐ+領域を形成することによりコンタクトする。 - 特許庁

The interface layer 16 is directly deposited on the uppermost part of a buffer layer 14 before an N-type GaN layer, an N-type Si layer and other parts of an element structure body are grown.例文帳に追加

界面層は、ｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）層と素子構造体のその他の部分とを成長させる前に、バッファ層の最上部に直接堆積される。 - 特許庁

The feedback means feeds back directly the output signal of the inverter circuit to the gates of the 2nd P-channel TR and the 2nd N-channel TR or feeds back the output signal of the inverter circuit that is subject to voltage division to the gates of the 2nd P-channel TR and the 2nd N-channel TR.例文帳に追加

その帰還手段は、第２のＰｃｈトランジスタと第２のＮｃｈトランジスタのゲートに、インバータ回路の出力信号を直接帰還するか、あるいはインバータ回路の出力信号を分圧帰還する。 - 特許庁

(A) A poly(N-acylalkylenimine)-modified silicone, (B) a cationic polymer, (C) an oxidation dye intermediate or a direct dye (these components are absent in the case of a bleaching agent), (D) an oxidizing agent and (E) an alkaline agent.例文帳に追加

(A) ポリ(N−アシルアルキレンイミン)変性シリコーン (B)カチオンポリマー (C)酸化染料中間体又は直接染料（脱色剤の場合はいずれも含有しない） (D)酸化剤 (E)アルカリ剤 - 特許庁

The semiconductor device includes: a device substrate which has a top surface side and a reverse surface side; an interconnection structure which is arranged on the top surface side of the device substrate, and has n metal layers; and a bonding pad which is drawn through the interconnection structure, and comes into direct contact with an (n)th metal layer among the n metal layers.例文帳に追加

表面側及び裏面側を有するデバイス基板、前記デバイス基板の前記表面側に配置され、n層数の金属層を有する相互接続構造、及び前記相互接続構造を通過して延伸し、前記n層数の金属層の前記第n番目の金属層に直接接触するボンディングパッドを含む半導体デバイス。 - 特許庁

This display device is constituted of a selection circuit 170 in which gate line driving circuits 150 are directly formed on a substrate and a signal line driving circuit part 160 is directly formed on the substrate and ICs 511 for driving signal lines mounted on TCPs 500 (tape carrier packages)-N.例文帳に追加

ゲート線駆動回路１５０を基板上に直接形成し、信号線駆動回路部１６０を基板上に直接形成した選択回路１７０とＴＣＰ５００−Ｎ上に実装された信号線駆動用ＩＣ５１１とで構成している。 - 特許庁

In the semiconductor laser, having an InGaAlAs active layer using an InP substrate, an n-type clad layer making direct contact with the active layer is made of InP or InGaAsP, and a p-type optical waveguide layer making direct contact with the active layer is made of an InGaAlAs or an InAlAs.例文帳に追加

ＩｎＰ基板を用いたＩｎＧａＡｌＡｓ系活性層を有する半導体レーザにおいて、活性層に直接接するｎ−クラッド層をＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰとし、活性層に直接接するｐ−光ガイド層をＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＡｓとする。 - 特許庁

The single-bit adder 10 directly adds two ΔΣ-modulated one-bit signals x1(n) and x2(n) with an operation clock which is twice as fast as a sampling clock Fs without converting them into multi-bit signals, and outputs the addition result as a one-bit signal z(n).例文帳に追加

シングルビット加算器１０は、サンプリングクロックＦｓの２倍の動作クロックで２個のΔΣ変調された１ビット信号ｘ_１（ｎ），ｘ_２（ｎ）を多ビット信号に変換することなく直接加算し、この加算結果を１ビット信号ｚ（ｎ）として出力する。 - 特許庁

Since the second p-type MOS transistors 1PNH and 1PNL and n-type MOS transistors 1NNH and 1NNL all have an n-type semiconductor film in the gate electrode 2N, the n-type semiconductor films can be directly joined to each other which suppresses an increase in circuit area.例文帳に追加

また、第２のタイプのＰ型ＭＯＳトランジスタ１ＰＮＨ，１ＰＮＬおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１ＮＮＨ，１ＮＮＬはいずれもゲート電極２ＮにＮ型半導体膜を有するのでＮ型半導体膜同士を直接結合でき、これにより回路面積の増大を抑制できる。 - 特許庁

The method and the system according to an embodiment of the invention may be used to form direct bandgap semiconducting binary compound epitaxial thin films, such as, for example, GaN, InN and AlN, and mixed alloys of these compounds, e.g., (In, Ga)N, (Al, Ga)N, (In, Ga, Al)N.例文帳に追加

本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮ、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、（Ｉｎ， Ｇａ）Ｎ、（Ａｌ， Ｇａ）Ｎ、（Ｉｎ， Ｇａ， Ａｌ）Ｎのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。 - 特許庁

In the multi-hop communication network composed of a plurality of nodes N, a communication means 11 transmits a hello message at proper time, and finds and registers link costs for direct communication with an adjacent node N in an adjacent node table Tb1.例文帳に追加

複数個のノードＮからなるマルチホップ通信ネットワークにおいて、通信手段１１が適時にハローメッセージを送信し、直接通信する隣接ノードＮとの間のリンクコストを求めて隣接ノードテーブルＴｂ１に登録する。 - 特許庁

This equipment is provided with a source electrode 28 and a drain electrode 29, which are formed in contact with an oxide In conductive layer 27 arranged selectively on an N-InAlAs electron supply layer 24, and a gate electrode 34 which is formed directly in contact with the N-InAlAs electron supply layer 24.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＡｌＡｓ電子供給層２４上に選択的に設けた酸化Ｉｎ導電層２７に接して形成されたソース電極２８並びにドレイン電極２９、ｎ−ＩｎＡｌＡｓ電子供給層２４に接して直接形成されたゲート電極３４を備える。 - 特許庁