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酸化ビスマスの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 320



例文

透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、有機分を含有する金属酸化物薄膜と、銀(Ag)を主成分とし、ビスマス(Bi)を含有する銀系薄膜とが積層されており、銀系薄膜の少なくとも一方面には、有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜が形成されている透明積層フィルムとする。例文帳に追加

In the transparent laminated film, a metal oxide film containing an organic component and a silver based film containing silver (Ag) as a main component and bismuth (Bi) are laminated on at least one side of a transparent polymer film, and a metal oxide film which is thinner than the metal oxide film containing the organic component is formed on at least one side of the silver based film. - 特許庁

酸化ニッケルを用いた正極1と、水素吸蔵合金を用いた負極2と、アルカリ電解液とを備えたニッケル・水素蓄電池において、正極にカルシウム,ストロンチウム,スカンジウム,イットリウム,ランタノイド,ビスマスから選択される少なくとも1種の元素の水酸化物及び/又は酸化物を添加させると共に、負極に負極にゲルマニウムを添加させた。例文帳に追加

In the nickel/hydrogen storage battery having the positive electrode 1 of nickel hydroxide, a negative electrode 2 of the hydrogen absorbing alloy, and the electrolyte, a hydroxide and/or an oxide of at least one element selected from the group consisting of calcium, strontium, scandium, yttrium, lanthanoids and bismuth is added to the positive electrode, and gerumanium is added to the negative electrode. - 特許庁

マグネシウム1モルに対して、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、水銀、タリウム、鉛及びビスマスからなる群より選ばれる元素を0.0001〜0.15モルの範囲にて含む、平均結晶子径が1〜18nmの範囲にある酸化マグネシウム結晶相が酸化マグネシウム非晶質相に分散されてなる酸化マグネシウム薄膜。例文帳に追加

The magnesium oxide thin film has magnesium crystal phases with an average crystallite diameter of 1 to 18 nm and containing elements selected from among a group comprising aluminum, silicon, zinc, gallium, germanium, arsenic, cadmium, indium, tin, antimony, mercury, thallium, lead and bismuth, in a range of 0.0001 to 0.15 mol, dispersed in a magnesium oxide amorphous phase. - 特許庁

希土類酸化物と酸化鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いた液相エピタキシャル法において、融液中の酸化鉛モル濃度が5%以上かつ13%以下にて育成したテルビウムを主成分としたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶にて鉛の混入が抑制できる。例文帳に追加

The liquid epitaxial method using a melt comprising a flux component including a rare-earth oxide and a lead oxide can suppress the lead incorporation of the bismuth substituted rare earth iron garnet single crystal having a terbium as a main component grown in the melt of the lead oxide mol concentration of not less than 5% nor more than 13%. - 特許庁

例文

本発明のビスマス酸化物超電導線材の改質方法は、Bi2223相を主体として含み、かつBi2212相を含む酸化物超電導体1を、銀を主体とする材質よりなる金属被覆材2で被覆した酸化物超電導線材5を、酸素を含む雰囲気中で300℃以上600℃以下の温度でアニールすることを特徴とする。例文帳に追加

The reforming method of the bismuth group oxide superconductive wire material is to anneal an oxide superconductive wire material 5 with an oxide superconductor 1 containing a Bi2223 phase as a main component and also a Bi2212 phase coated with a metal coating material 2 composed of a material with silver as a main component in an atmosphere containing oxygen at a temperature range of 300°C or higher and 600°C or lower. - 特許庁


例文

プロピレンからアクロレインを、イソブテンまたはターシャリーブタノールからメタクロレインを製造する気相接触反応に使用されるモリブデン−ビスマス−鉄系複合酸化物触媒について、プラント運転で使用した後の劣化触媒の再生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for regenerating a deteriorated catalyst after use of the catalyst for plant operation, regarding a molybdenum - bismuth - iron-type compounded oxide catalyst to be used for vapor phase contact oxidation reaction for producing acrolein from propylene or methacrolein from isobutene or tert-butanol. - 特許庁

白金および酸化亜鉛に加え、鉛、ビスマスおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含有する触媒の存在下、メタノールを水蒸気および酸素と反応させて水素を主成分とする改質ガスを製造することを特徴とする水素含有ガスの製造法。例文帳に追加

The reformed gas whose main component is hydrogen is produced by the reaction of methanol with steam and oxygen at the existence of the catalyst which contains platinum, zinc oxide and at least one or more elements selected from the group consisting of lead, bismuth and indium. - 特許庁

ペロブスカイト型結晶構造を有するLa−Co系酸化物からなる負特性サーミスタ結晶粉末と、ホウケイ酸鉛ガラスまたはホウケイ酸鉛ビスマスガラスの粉末と、有機ビヒクルと、有機ビヒクルに可溶な有機金属化合物とを含む、負特性サーミスタペースト。例文帳に追加

Negative temperature coefficient thermistor paste contains negative temperature coefficient thermistor crystal power composed of an La-Co oxide having a perovskite crystal structure, the powder of lead or lead-bismuth borosilicate glass, an organic vehicle, and an organometallic compound which is soluble in the organic vehicle. - 特許庁

ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、ビスマス及び鉄を含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、酸素サイトに窒素を含む。例文帳に追加

The liquid ejection head includes a pressure generation chamber communicating with a nozzle opening, and a piezoelectric layer and the electrodes provided with the piezoelectric layer that configuring a composite oxide having a Perovsikite-type structure containing bismuth and iron, and nitrogen in an oxygen site. - 特許庁

例文

活性アルミナ、活性シリカ、ゼオライト、メソ多孔体などの高比表面積担体表面上に、セリウム−ジルコニウム−ビスマス複合酸化物、および白金、パラジウム、銀などの貴金属微粒子を担持したエチレン分解触媒を構成する。例文帳に追加

The catalyst for decomposing ethylene is constituted by depositing selenium-zirconium-bismuth compound oxide and a fine particle of a noble metal such as platinum, palladium and silver, on the surface of a carrier having large surface area such as activated alumina, activated silica, zeolite and a mesoporous substance. - 特許庁

例文

複数の圧電層1と複数の内部電極2とが交互に積層された積層型圧電素子であって、圧電層1はアルカリ金属元素とニオブ(Nb)又はビスマス(Bi)とを含む酸化物を含有し、内部電極2は卑金属により構成される。例文帳に追加

The laminated piezoelectric element is formed by alternately stacking a plurality of piezoelectric layers 1 and a plurality of internal electrodes 2, the piezoelectric layer 1 contains oxide including an alkaline metal element and niobium (Nb) or bismuth (Bi), and the internal electrode 2 is made of base metal. - 特許庁

エポキシ樹脂、フェノール樹脂、全エポキシ樹脂組成物中に0.1〜5重量%の活性炭、無機充填材、硬化促進剤、全エポキシ樹脂組成物中に0.1〜5重量%の酸化ビスマス水和物、臭素化エポキシ樹脂を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。例文帳に追加

This epoxy resin composition essentially comprises an epoxy resin, a phenolic resin, 0.1-5 wt.% of active carbon, inorganic filler, curing promoter, 0.1-5 wt.% of bismuth oxide hydrate, and brominated epoxy resin. - 特許庁

酸化マンガンを活物質とする正極合剤、CdおよびPbを含まない負極亜鉛缶、並びに糊材を塗着した紙からなるセパレータを具備し、糊材が、亜鉛粉末および塩化インジウムもしくは塩化ビスマスを含むマンガン乾電池。例文帳に追加

This is the manganese dry cell equipped with a positive electrode mixture which has manganese dioxide as an active material, a negative electrode zinc can not containing Cd nor Pb as well as a separator made of paper applied with paste materials, and the paste materials contain zinc powder and indium chloride or bismuth chloride. - 特許庁

酸化ビスマスを含有する光学ガラスにおいて、製造過程における再加熱工程において、ガラス内部が乳白・失透が生じない光学ガラス、また、化学的耐久性に優れ、ガラスが黒く着色しない光学ガラスを提供する。例文帳に追加

To provide optical glass containing bismuth oxide, in which the optical glass is substantially free from opacification and devitrification within the glass body during reheating step in production processes, also excellent in chemical durability and free from black coloring. - 特許庁

酸化ビスマスを10質量%以上含有する原料混合物を熔解する原料熔解工程を含む光学ガラスの製造方法において、前記原料熔解工程を、非金属製坩堝又は非金属製器具を用いて行う光学ガラスの製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the optical glass comprises a process for melting a raw material mix containing bismuth oxide of10 mass%, where the raw material mix is melted using a nonmetallic crucible or a nonmetallic apparatus. - 特許庁

フラットケーブル10は、ビスマスを含む酸化物超電導体フィラメント2を金属シース部3で被覆した形態を有する素線1a〜1dと、素線1a〜1dの各々を互いに電気的に絶縁するための絶縁層4とを備えている。例文帳に追加

This flat cable 10 is equipped with wires 1a-1d formed by covering an oxide superconductor filament 2 containing bismuth with a metal sheath 3, and an insulating layer 4 to electrically insulate the respective wires 1a-1d from each other. - 特許庁

さらに、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる非鉛強誘電体薄膜と、非鉛強誘電体薄膜の一方面及び他方面に配設された一対の電極とを備え、一対の電極のうち少なくともいずれかが透光性電極である非鉛強誘電体光学素子。例文帳に追加

Further the lead-free ferroelectric optical element includes the lead-free ferroelectric thin film comprising an oxide containing bismuth, titanium and erbium, and a pair of electrodes disposed in one direction and in the other direction of the lead-free ferroelectric thin film, wherein at least either of the pair of electrodes is a translucent electrode. - 特許庁

バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤と、イオン吸着剤とを少なくとも含み、前記イオン吸着剤が、ビスマス化合物と、ジルコニウム化合物及び酸化アンチモン化合物の少なくともいずれかとを含有する感光性組成物である。例文帳に追加

The photosensitive composition includes at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator and an ion adsorbent, wherein the ion adsorbent includes at least one from among a bismuth compound, a zirconium compound and an antimony oxide compound. - 特許庁

半導体基板101の上に、中間電極層102と、この上に形成され、ビスマス(Bi)とチタン(Ti)と酸素とから構成された例えば膜厚100nmの金属酸化物層103と、上部電極104とを備え、また、半導体基板101の一部にオーミックコンタクト105を備える。例文帳に追加

An intermediate electrode layer 102 is provided on a semiconductor substrate 101 and a metal oxide layer 103 composed of bismuth (Bi), titanium (Ti) and oxygen having a film thickness of 100 nm, for example, and an upper electrode 104 are provided thereon wherein an ohmic contact 105 is provided at a part of the semiconductor substrate 101. - 特許庁

母材に0.1〜4モル%添加される添加物としては、ニオブ、タングステン、タンタル、ランタン、アンチモン、ビスマス、トリウムの酸化物等の、ペロブスカイト結晶構造のBサイトに導入され、低弾性率素子として母材にドナーを供給できる元素が好ましい。例文帳に追加

As an additive added to the base material by 0.1 to 4% by mol, an element which is introduced in a B site of a perovskite crystal structure of an oxide of niobium, tungsten, tantalum, lantern, antimony, bismuth and thorium and serves as a low-elastic-modulus element to supply a donor to the base material, is preferable. - 特許庁

これにより過剰の酸素原子を含むγ型酸化ビスマス相を表面相に安定して偏析させることができ、表面層の抵抗が大きくなり、また高電界による酸素原子の表面・粒界からの離脱を抑制し、エネルギー耐量を向上させることができる。例文帳に追加

As a result of this setup, a γ-type bismuth oxide phase containing excess oxygen atom can be segregated stably in the surface layer, the surface layer can be made higher in resistance, oxygen atoms are restrained from breaking away from the surface layer and grain boundaries by a high electric field, and the voltage nonlinear resistor can be improved in energy tolerated dose. - 特許庁

特に、焼結を、マイクロ波焼結炉を用いるか、あるいは電熱焼結炉を用いて行うこととし、アルミナ粉末に対する酸化ビスマスの含有量を、マイクロ波焼結炉を用いる場合には0.1〜1.5質量%に、また、電熱焼結炉を用いる場合には1.5〜5.0質量%に設定する。例文帳に追加

Particularly, the sintering is carried out using either a microwave sintering furnace or an electric heating sintering furnace and the content of bismuth oxide to the alumina powder is set to 0.1-1.5 mass% when the microwave sintering furnace is used and set to 1.5-5.0 mass% when the electric heating sintering furnace is used. - 特許庁

SrBi_2Ta_2O_9などの強誘電体薄膜やBi_2Sr_2CaCu_2O_8などの酸化物超電導体薄膜をCVD法で作製するためのビスマス原料として、供給時に、熱安定性が高く、よく昇華する高純度のBi(dpm)_3を提供する。例文帳に追加

To obtain a high-purity Bi(dpm)3 [bismuth tris(dipivaloylmethanate)] used as a bismuth raw material for producing a ferroelectric thin film such as SrBi2Ta2O9 or an oxidic superconductive thin film such as Bi2Sr2CaCu2O8 by CVD(chemical vapor deposition) method and having high heat stability and good sublimability when supplied. - 特許庁

本発明のビスマス系ガラス組成物は、ガラス組成として、下記酸化物換算のモル%で、Bi_2O_3 30〜50%、B_2O_3 15〜35%、ZnO 10〜40%、MgO 0.1〜7%、Al_2O_3 0.1〜7%、SiO_2 0.1〜7%含有することを特徴とする。例文帳に追加

A bismuth-based glass composition comprises 30-50 mol% Bi_2O_3, 15-35 mol% B_2O_3, 10-40 mol% ZnO, 0.1-7 mol% MgO, 0.1-7 mol% Al_2O_3 and 0.1-7 mol% SiO_2 in terms of respective oxides as glass composition. - 特許庁

この酸化ビスマスを含有させて、乾燥膜厚1μm〜4μmで形成した薄膜の光透過率が、波長250nm〜400nmで20%以下であり、かつ、波長450nm〜800nmでは70%以上である紫外線遮蔽用分散体を構成する。例文帳に追加

The UV ray shielding dispersion is produced by incorporating the bismuth oxide, wherein a thin film formed of the dispersion having a dry film thickness of 1 to 4 μm shows a transmittance of not more than 20% at a wavelength from 250 to 400 nm and a transmittance of not less than 70% at a wavelength from 450 to 800 nm. - 特許庁

メモリ素子100は、半導体基板101の上に、ビスマス(Bi)とチタン(Ti)と酸素とから構成された例えば膜厚30〜200nmの金属酸化物層102と、上部電極103とを備え、また、半導体基板101の一部にオーミックコンタクト104を備える。例文帳に追加

A memory element 100 has a metal oxide layer 102 composed of bismuth (Bi), titanium (Ti) and oxygen and having a film thickness of 30-200 nm, and an upper electrode 103 formed on a semiconductor substrate 101; and has an ohmic contact 104 at a part of the semiconductor substrate 101. - 特許庁

質量百分率表示で、Bi_2O_3およびTiO_2を含有するケイ酸塩ガラス粉末50〜90%、ビスマスチタン酸化物粉末0.01〜10%、耐熱顔料粉末9〜40%および耐火物フィラー0〜30%、から本質的になるセラミックカラー組成物。例文帳に追加

This ceramic color composition essentially comprises 50-90 mass% silicate glass powder containing Bi_2O_3 and TiO_2, 0.01-10 mass% bismuth/titanium oxide powder, 9-40 mass% heat resistant pigment powder, and 0-30 mass% fire resistant filler. - 特許庁

導電性組成物は、銀粉末と、B_2O_3,ZnO及びアルカリ土類金属酸化物を含んだ無鉛でかつ無ビスマスのガラス粉末と、有機物からなるビヒクルとを含み、窒化ケイ素層11を貫通してこの層11の下に形成されたn型半導体層12と導通する電極13を形成する。例文帳に追加

A conductive composition contains silver powder, glass powder without lead and bismuth which contains B_2O_3, ZnO, and alkaline earth metal oxide, and vehicle of organic substance, to form an electrode 13 which penetrates a silicon nitride layer 11 to be conductive to an n-type semiconductor layer 12 formed under the layer 11. - 特許庁

酸化ビスマス粒子の平均粒径D50が0.6μm以下で、且つ粒度分布形状のD40からD60の間にある粒子の体積分布が全体の20%以上である塗料を塗布することで、少ない塗布重量でも被覆率の高い電子線反射膜が形成できる。例文帳に追加

A high-coverage electron layer reflection film can be formed even in a small coating amount by applying a coating material in which the bismuth oxide particles has a particle size distribution in which the mean particle diameter D50 is 0.6 μm or below, the volume of particles with a particle size distribution shape of from D40 to D60 is at least 20% of the entire volume. - 特許庁

非水系電解液電池の正極活物質としてリチウムを含有するモリブデン酸化物Li_xMoO_y(1≦x≦2、3≦y≦5)、負極活物質としてアルミニウム、錫、ビスマス、ストロンチウム、硅素、亜鉛、カドミウム、カルシウム、バリウムから選択される少なくとも1種の金属を用いる。例文帳に追加

A lithium-containing molybdenum oxide Li_xMoO_y (1≤x≤2, 3≤y≤5) is used as a positive electrode activator of the nonaqueous electrolyte battery, and at least one kind of metal chosen from tin, bismuth, strontium, silicon, zinc, cadmium, calcium, and barium is used as a negative electrode activator. - 特許庁

プロピレンからアクロレイン及びもしくはアクリル酸を、イソブテンまたはターシャリーブタノールからメタクロレイン及びもしくはメタクリル酸を製造する気相接触酸化反応に使用されるモリブデンービスマス−鉄系複合酸化物触媒について、プラント運転で使用した後の劣化触媒の再生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for regenerating a catalyst deteriorated in plant operations concerning a molybdenum-bismuth-iron system composite oxide catalyst used for gas phase catalytic oxidization for manufacturing acrolein and/or acrylic acid from propylene and methacrolein and/or methacrylic acid from isobutene or tert-butanol. - 特許庁

Sr,Bi,Ta系酸化物を構成するストロンチム、ビスマス、タンタル、それぞれの金属を含み、かつ高い均質性、有機溶媒に対する高い溶解性、縮合安定性及び保存安定性に優れた高分子量体として、鉛系金属酸化物の前駆物質、及びその製造法を提供することである。例文帳に追加

To provide a lead-based metal oxide precursor being a high molecular weight body containing respective metals of strontium, bismuth and tantalum constituting an Sr-Bi-Ta-based oxide, and having high homogeneity, high solubility to an organic solvent, and excellent condensation stability and preservation stability, and to provide its production method. - 特許庁

保護層43は、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、タリウム、スズ、鉛、ビスマス、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムから選択される元素の酸化物が、保護層の母材となる金属酸化物に溶け込んだ粉末粒子を、塗布,焼成して形成した。例文帳に追加

The protective layer 43 is formed by coating and calcining powder particles in which an oxide of an element chosen from titanium, zirconium, vanadium, niobium, tantalum, molybdenum, tungsten, thallium, tin, lead, bismuth, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium is dissolved in a metal oxide to become the matrix of the protective layer. - 特許庁

板ガラスの少なくとも一方の表面に、酸化ビスマス成分を含有する硼珪酸系ガラス及び酸化亜鉛成分を含有する硼珪酸系ガラスから選ばれるガラス微粒子が集合した小塊状部を多数付着配置し、該小塊状部を焼成処理により板ガラス表面に融着固定して形成されている多数のガラス製凸部を有する板ガラス。例文帳に追加

This plate glass is obtained by disposing a number of small clumpy portions attached on at least either surface thereof, which portions are aggregates of glass fine particles selected from borosilicate glass containing bismuth oxide component and borosilicate glass containing zinc oxide component, and the small clumpy portions are fused and fixed on the surface of the plate glass by firing to form a number of glass projecting portions. - 特許庁

第1の電極10と、第1の電極10上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜12と、強誘電体膜12上に形成された第2の電極14とを有する。例文帳に追加

The ferroelectric capacitor includes a first electrode 10, a ferroelectric material film 12 formed on the first electrode 10 and includes a mixed crystal of a first ferroelectric material formed of the Perovskite oxide including the bismuth element and a second ferroelectric material formed of the Perovskite oxide showing anti-ferroelectric property, and a second electrode 14 formed on the ferroelectric material film 12. - 特許庁

好ましい実施形態においては、上記抗菌層Lが、抗菌剤を含み、抗菌剤が無機粉末に金属成分が担持されたものであり、無機粉末が、ゼオライト、シリカゲル、酸化チタン、酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも1種であり、金属成分が、銀、銅、亜鉛、錫、ビスマス、カドミウム、クロム、水銀から選ばれる少なくとも1種である。例文帳に追加

In a preferable embodiment, the antibacterial layer L includes an antibacterial agent, and the antibacterial agent includes an inorganic powder on which a metal component is carried, and the inorganic powder is at least one kind selected from zeolite, silica gel, titanium oxide and aluminum oxide, and the metal component is at least one kind selected from silver, copper, zinc, tin, bismuth, cadmium, chromium and mercury. - 特許庁

酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55上にジルコニウムからなる密着層56を形成する工程と、密着層56上に第1電極60を形成する工程と、第1電極60上にビスマスを含む複合酸化物からなる圧電体層70を形成する工程と、圧電体層70上に第2電極80を形成する工程と、を具備する。例文帳に追加

A manufacturing method of a piezoelectric element comprises: a step of forming an adhesion layer 56 composed of zirconium on an insulator film 55 composed of zirconium oxide; a step of forming a first electrode 60 on the adhesion layer 56; a step of forming a piezoelectric layer 70 composed of complex oxide containing bismuth on the first electrode 60; and a step of forming a second electrode 80 on the piezoelectric layer 70. - 特許庁

アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモンなどのバルブ金属およびその合金の線径φ1mm以下のワイヤーにおいて、陽極酸化処理浴7およびワイヤーを振動させることにより、ワイヤー表面に発生した気泡を除去する陽極酸化皮膜処理方法。例文帳に追加

Regarding the anode oxidation treatment method, in a wire with a wire diameter of ≤1 mmϕ composed of valve metal such as aluminum, tantalum, niobium, titanium, hafnium, zirconium, zinc, tungsten, bismuth and antimony and the alloy thereof, an anode oxidation treatment bath 7 and the wire is vibrated, thus, bubbles generated at the surface of the wire are removed. - 特許庁

本発明は、少なくとも金属酸化物からなる絶縁性基板1と、金属酸化物からなるガス感応体3に接するように、一定の間隔をおいて、基板上に設けられた一対の金属電極薄膜2が、金または白金を主成分とし、第二成分として鉛および/またはビスマスを含むことを特徴とする。例文帳に追加

A pair of metallic electrodes made of thin film 2 which are arranged at a constant spacing on a dielectric substrate 1 made of at least metallic oxide so as to be in contact with the substrate and a gas sensing element 3 made of metallic oxide, include gold or platinum as a principal component and lead and/or bismuth as a secondary component. - 特許庁

アルカリ性電解液における水酸化カリウムと水酸化リチウムとを合わせた重量濃度は25%以上55%以下が好ましく、負極活物質としては、少なくともビスマス、インジウム、アルミニウムおよびカルシウムのうちの何れか一種の金属と亜鉛との合金であり、前記金属が負極活物質に150ppm以上含有することが好ましい。例文帳に追加

The combined concentration by weight of the potassium hydroxide and lithium hydroxide should preferably range from 25 to 55%, and one preferable example of the negative electrode active material is a zinc alloy with at least one kind of metals including bismuth, indium, aluminum, and calcium, wherein the content of the metal(s) in the negative electrode active material should preferably be over 150 ppm. - 特許庁

コーティング膜3は、透明性バインダー34に、体積平均粒径が10nm〜200nmかつ体積基準90%径が300nm未満であって、表面がシランカップリング剤で処理されたバナジン酸ビスマス粒子31と、体積平均粒径が10nm〜200nmである酸化亜鉛粒子32と、体積平均粒径が10nm〜200nmであるコバルト複合酸化物粒子33が含有されている。例文帳に追加

The coating film 3 contains in a transparent binder 34 bismuth vanadate particles 31 surface-treated with a silane coupling agent and having a volume average particle diameter of 10-200 nm and a 90% diameter on a volume basis of <300 nm, zinc oxide particles 32 having a volume average particle diameter of 10-200 nm, and cobalt multiple oxide particles 33 having a volume average particle diameter of 10-200 nm. - 特許庁

2価以上のコバルトの化合物で被覆した水酸化ニッケルを主体とする粉末と、カドミウム、ビスマス、マンガンから選択される少なくとも1種以上の金属または化合物と、金属ニッケル粉末あるいは金属ニッケル繊維と、イットリウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテリビウム、ルテチウムから選択される少なくとも1種以上の金属または酸化物または水酸化物とを充填されている正極を構成する。例文帳に追加

The cathode is provided and filled with powder mainly composed of nickel hydroxide coated by a compound of divalent or more cobalt, at least a metal and a compound selected from cadmium, bismuth, and manganese, metal nickel powder or metal nickel fiber and at least a metal, an oxide, or an hydroxide selected from yttrium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium filled therein. - 特許庁

式(1) のMo_1V_aSb_bNb_cZ_dO_n・・(1) (式中、Zはタングステン、クロム、チタン、アルミ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、硼素、インジウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、イットリウム、ガリウム、希土類元素、アルカリ土類金属の1種以上の元素を表し、a、b、c、d、nはMoに対するV、Sb、Nb、Z、Oの原子比を表し、0.1≦a<0.4、0.1<b≦0.4、0.01≦c≦0.3、0≦d≦1であり、但し、a<bであり、nは他の元素の原子価によって決まる数である。)で表される組成を含む、プロパン又はイソブタンの気相接触酸化反応または気相接触アンモ酸化反応に用いる酸化物触媒。例文帳に追加

To provide an oxide catalyst which can exhibit a high selectivity for especially (meth)acrylic acid and (meth)acrylonitrile and can persist in that property. - 特許庁

ニッケル電極活物質用添加材は、水酸化ニッケルと、コバルトおよびコバルト化合物のうちの少なくとも1つとを含む、アルカリ蓄電池のニッケル電極活物質に対して添加されるものであり、イッテルビウム、エルビウム、ルテチウム、ツリウム、イットリウム、ストロンチウムおよびビスマスからなる元素群から選択された少なくとも1つの元素を含む原料化合物を酸化処理して得られる酸化処理化合物を含んでいる。例文帳に追加

This additive for a nickel electrode active material is added to the nickel electrode active material of the alkaline storage battery containing nickel hydroxide and at least one of cobalt and a cobalt compound contains an oxidizing treatment compound obtained by oxidizing treating a raw compound containing at least one element selected from an element group comprising ytterbium, erbium, lutetium, thulium, yttrium, strontium, and bismuth. - 特許庁

銅を含み、さらにビスマス、ニッケル、ケイ素、チタン、イットリウム、アルカリ土類金属、及びランタノイドからなる群から選択される少なくとも1つの元素Mを含む複合酸化物半導体の多孔質薄膜が導電性基板上に形成されている半導体素子であって、カソード光電流および/またはアノード光電流を示す可視光応答性の半導体素子。例文帳に追加

The semiconductor element has a porous thin film of a compound oxide semiconductor containing copper and further at least one element M selected from a group of bismuth, nickel, silicon, titanium, yttrium, alkali earth metal, and lanthanoid formed on a conductive substrate, and has visible light response showing a cathode photoelectric current and/or anode photoelectric current. - 特許庁

本発明による非鉛系接合用粒子は、錫−亜鉛2元系もしくは錫−亜鉛−ビスマス3元系合金の添加成分としてジルコニウムもしくはモリブデンのいずれか一方を選択して得られるもので、酸化し易い亜鉛含有ハンダの特性を改善し良好な接合信頼性を確保できる特徴を有する。例文帳に追加

Non-lead-based joining particles are obtained by selecting either zirconium or molybdenum as additive element to the tin-zinc binary system or the tin-zinc-bismuth ternary system, and excellent joining reliability is ensured by improving the characteristic of zinc-containing solder which is easily oxidized. - 特許庁

反射支持体上に、それぞれ少なくとも1層のイエロー発色する感光性ハロゲン化銀乳剤層、マゼンタ発色する感光性ハロゲン化銀乳剤層及びシアン発色する感光性ハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン化銀カラー感光材料において、三酸化ビスマスを含有することを特徴とするハロゲン化銀カラー感光材料。例文帳に追加

The silver halide color photosensitive material has at least one each of yellow, magenta and cyan developing photosensitive silver halide emulsion layers on a reflective support, wherein at least one of the constituent layers contains bismuth trioxide. - 特許庁

イソブチレン又は第三級ブチルアルコールを分子状酸素により気相接触酸化してメタクロレイン及びメタクリル酸を製造する際に用いられる、少なくともモリブデン及びビスマスを触媒成分として含むメタクロレイン及びメタクリル酸製造用触媒において、熱伝導率が150W/(m・K)以上の繊維状物を含有することを特徴とする、メタクロレイン及びメタクリル酸製造用触媒。例文帳に追加

The catalyst for producing methacrolein and methacrylic acid is used, when isobutylene or tertiary butyl alcohol is subjected to vapor phase catalytic oxidation using molecular oxygen to produce methacrolein and methacrylic acid, includes at least molybdenum and bismuth as catalytic components and contains a fibrous material having150 W/(m K) thermal conductivity. - 特許庁

SNS(超伝導体/常伝導体金属/超伝導体)接合のセンサを用い、磁気シールド装置には超伝導化した円筒状のビスマス酸化物を用いた脳磁波計測装置において、患者を非接触で脳磁波計測装置内に搬入する事ができ、またこれから患者を搬出することができるような患者運搬装置を提供しようとすること。例文帳に追加

To provide a patient carrying device capable of carrying a patient into a brain magnetic wave measuring device in a noncontact state, and capable of carrying out the patient from this device in the brain magnetic wave measuring device using a sensor joined with an SNS (superconductor/normal conductor metal/superconductor), and using superconductivity-formed cylindrical bismuth oxide for a magnetic shielding device. - 特許庁

例文

強誘電体膜を用いた不揮発性の半導体装置は、半導体基板10上に形成され、導電性金属酸化膜からなる導電性バリア膜17と、導電性バリア膜17の上に、下部電極18、ビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜20及び上部電極21が順に形成されてなる容量素子22とを備える。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor device using the ferroelectric film includes: the conductive barrier film 17 formed on a semiconductor substrate 10 and composed of a conductive metal oxide film; and a capacitative element 22 which is obtained by sequentially forming a lower electrode 18, a capacitive insulating film 20 having a bismuth layer perovskite-type structure, and an upper electrode 21, arranged in this order on the conductive barrier film 17. - 特許庁

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