「1ゲート」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

メモリセル１１１は、浮遊ゲート１０３と制御ゲート１０５とセレクトゲート１０７とを備え、前記基準電圧発生回路１′は、前記メモリセル１１１における前記浮遊ゲート１０３および制御ゲート１０５は備えず、前記セレクトゲート１０７に相当するゲート１３を備えた疑似セル１から成る。例文帳に追加

The memory cell 111 is provided with a floating gate 103, a control gate 105 and a select gate 107 and the reference voltage generation circuit 1' comprises a pseudo cell 1 which is not equipped with the floating gate 103 and the control gate 105 of the memory cell 111 and is equipped with a gate 13 corresponding to the select gate 107. - 特許庁

ＰＭＯＳ１とＰＭＯＳ２はゲートが相互に接続されており、ＰＭＯＳ１のゲートはそのドレインと接続されている。例文帳に追加

Gates of a PMOS 1 and a PMOS 2 are connected to each other, and the gate of the PMOS 1 is connected to the drain of the PMOS 1. - 特許庁

基板１の主面上に形成されたアシストゲートＡＧと、アシストゲートＡＧ上に絶縁膜１１を介して形成されたフローティングゲートＦＧと、フローティングゲートＦＧの一方の側壁側で絶縁膜１４を介すると共に、アシストゲートＡＧ上に絶縁膜１１を介して形成されたコントロールゲートＣＧとの３つのゲートを有してなる複数のメモリセルを備える。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor memory is provided with a plurality of memory cells respectively having three gates consisting of an assist gate AG formed on the main surface of a substrate 1, a floating gate FG formed on the assist gate AG through an insulation film 11, and a control gate CG formed through an insulation film 14 on one side wall of the floating gate FG and through the insulation film 11 on the assist gate AG. - 特許庁

半導体層５が有機化合物からなる有機半導体素子１であり、ゲート電極３とゲート絶縁層４の間にゲート電極材の酸化物からなるゲート酸化膜８が設けられ、ゲート絶縁層４は有機化合物からなっている。例文帳に追加

A semiconductor layer 5 is an organic semiconductor element 1 formed of an organic compound, a gate oxide film 8 formed of an oxide of a gate electrode material is provided between a gate electrode 3 and a gate insulation layer 4, and the gate insulation layer 4 is formed of an organic compound. - 特許庁

薄膜トランジスタは、ガラス基板０の上に形成されたゲート電極１と、ゲート電極１を被膜する様に形成されたゲート絶縁膜２３と、ゲート絶縁膜２３の上に形成された多結晶性の半導体薄膜５とからなるボトムゲート型である。例文帳に追加

The thin film transistor is of a bottom gate type consisting of a gate electrode made on a glass substrate 10, a gate insulating film 23 made to cover the gate electrode 1, and a polycrystalline semiconductor film 5 made on the gate insulating film 23. - 特許庁

シリコン基板１上にゲート絶縁膜４を介して形成された浮遊ゲート５ａと、この浮遊ゲート５ａ上にゲート間絶縁膜６を介して形成された制御ゲート７ａとを有する不揮発性メモリトランジスタが集積形成される。例文帳に追加

Non-volatile memory transistors, each having the floating gate 5a formed on a silicon substrate 1 via a gate insulating film 4 and a control gate 7a formed on the gate 5a via an inter-gate insulating film 6, are formed integrally. - 特許庁

長い直線状のトレンチ１内に、ゲート絶縁膜１７を介して第１ゲート電極２等を有するＴＤＭＯＳトランジスタについて、増大するゲート抵抗と寄生容量に基づくゲート遅延の問題を、ゲート絶縁膜１７に損傷を与えることなく改善する。例文帳に追加

To solve the problem of gate delay which is caused by increasing gate resistance and parasitic capacitance, without damages to a gate insulating film 17, relating to a TDMOS transistor where a first gate electrode 2, and the like, are provided in a linear long trench 1 via the gate insulating film 17. - 特許庁

ゲート電極及びゲート配線からなるゲートを形成するに際して、第１のマスク１及び第２のマスク２を用いた二重露光処理により、ゲート電極パターン１２のみを形成した後、第３のマスク３を用いた露光処理により、ゲート配線パターン１３を形成する。例文帳に追加

Upon forming a gate composed of a gate electrode and a gate wiring, only the gate electrode pattern 12 is formed by a double exposure processing using a first mask 1 and a second mask 2, and thereafter the gate wiring pattern 13 is formed by an exposing processing using a third mask 3. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタのゲート領域１のゲート長方向両端側、つまりソース領域２側とドレイン領域３側とに、ゲート幅方向に沿ってその全幅に渡る制御ゲートチャネル領域６を形成する制御ゲート５が設けられる。例文帳に追加

On both end sides of gate in the lengthwise direction of a gate region 1 of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, i.e., on a source region 2 side and a drain region 3 side, a control gate 5 is installed which forms a control gate channel region 6 along with gate width direction and over full width. - 特許庁

ゲート板２を進退させてスクリューコンベヤ１３の排土口１４を開閉するゲート装置１において、ゲート板２に、排土口１４を開放する開口部２ａを形成するとともに、この開口部２ａを挟んでゲート板２の進退方向の両側に排土口１４を閉鎖するゲート部２ｂ，２ｃを形成する。例文帳に追加

The gate device 1 opens/closes the earth removal port 14 of the screw conveyer 13 by advancing and retreating the gate plate 2. - 特許庁

半導体基板１上に、下から順にシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜３と、ポリシリコンからなる下部ゲート電極４ａと、メタル積層膜からなる上部ゲート電極４ｂと、シリコン窒化膜からなるゲート保護層５とを備えるゲート電極部６ａを形成する。例文帳に追加

A gate electrode part 6a provided with a gate insulation film 3 comprising a silicon oxide and oxynitride film in order from below, a lower gate electrode 4a comprising polysilicon, an upper gate electrode 4b comprising a metal laminating filmand a gate electrode part 6a comprising a silicon nitride film is formed on the semiconductor substrate 1. - 特許庁

高耐圧トランジスタを形成する領域に、ゲート酸化膜４Ａを介して基板１内にＰ−型ドレイン層５を形成し、当該ゲート酸化膜４Ａ上にゲート電極として機能を有するゲート電極６Ａ、ダミーゲート電極６Ｂを同時に形成する。例文帳に追加

A p-type drain layer 5 is formed in a substrate 1 through a gate oxide film 4A in a region for forming the high voltage transistor, and a gate electrode 6A having a function of a gate electrode and a dummy gate electrode 6B are simultaneously formed on the gate oxide film 4A. - 特許庁

基板上には、ゲート絶縁膜４と、フローティングゲート電極５と、容量絶縁膜８と、コントロールゲート電極６と、ゲート上絶縁膜１１と、側壁絶縁膜１２と、トンネル絶縁膜１０と、消去ゲート電極９とが設けられている。例文帳に追加

On the substrate 1, a gate insulating film 4, floating gate electrodes 5, a capacitor insulating film 8, control gate electrodes 6, gate top insulating films 11, side-wall insulating films 12, tunnel insulating films 10, and an erasing gate electrode 9 are provided. - 特許庁

該コルゲート管１，１相互を接続する場合、一方のコルゲート管１のソケット部６に他方のコルゲート管１の挿入部１Ａを内挿する。例文帳に追加

In connecting the corrugated tubes 1 and 1 to each other, the insertion section 1A of a corrugated tube 1 is inserted into the socket section 6 of the other corrugated tube 1. - 特許庁

これにより、ゲート電極１とドレイン電極２との間の電界がゲート電極１の第１の角３に集中することを抑制できる。例文帳に追加

Thus, an electric field between the gate electrode 1 and the drain electrode 2 can be prevented from concentrating on the first vertex 3 of the gate electrode 1. - 特許庁

ゲート電極１に抵抗体を使用し、ゲート電極１には二つの通電用端子５、６を接続している。例文帳に追加

A resistor is used as the gate electrode 1, and two terminals 5 and 6 for conduction are connected to the gate electrode 1. - 特許庁

また、ゲートウェイ１の指示に従い、ゲートウェイ１により指定されたメディア種別のセッションの中継処理を行う。例文帳に追加

The media gateways 2 each perform relay processing for a session of a medium type specified from the gateway 1 according to instructions from the gateway 1. - 特許庁

また、ゲート線１とデータ線２との交差部にリーク不良が生じたときには、ゲート線１の両側でデータ線２を切断する。例文帳に追加

In addition, with a leak defect caused at the intersection of a gate line 1 and the data line 2, the data line 2 is cut on both sides of the gate line 1. - 特許庁

ゲート絶縁膜３を介在させて半導体基板１の上にゲート電極４が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 4 is formed on the substrate 1, in such a way that the film 3 is made to interpose between the substrate 1 and the electrode 4. - 特許庁

プライマリゲートウェイ１は、定期的に、セッション情報を含む実行中信号を生成してセカンダリゲートウェイ１に送信する。例文帳に追加

A primary gateway 1 regularly generates an executing signal including session information, and sends it to a secondary gateway 1. - 特許庁

ゲート装置は人の通路を形成するための仕切り体１を備えており、仕切り体１は水平旋回式のゲート６を備えている。例文帳に追加

The gate device is provided with partitions 1 for forming a lane for people, and the partitions 1 are provided with a horizontally pivoting gate 6. - 特許庁

メモリセルアレイは、各メモリセルが、アイソレーション領域45により囲まれた第1浮遊ゲート領域42と、第1浮遊ゲート領域42のみに選択的に形成された第2浮遊ゲート領域48と、第2浮遊ゲート領域48及びアイソレーション領域45上に形成された誘電層51と、第1浮遊ゲート領域42上に設けられた誘電体51上に形成された制御ゲート52とを含む。例文帳に追加

The memory cell array comprises the first floating gate region 42 having memory cells surrounded by the isolation regions 45, the second floating gate region 48 formed selectively only on the first floating gate region 42, the dielectric layer 51 formed on the second floating gate region 48 and the isolation region 45, and a control gate 52 formed on the dielectric layer 51 provided on the first floating gate region 42. - 特許庁

ダートコース：1周1,607.6m、直線329.1m、フルゲート16頭（1,000mは14頭）。例文帳に追加

Dirt course: Its length is 1,607.6 meters, the straight is 329.1 meters and the number of stating gates is 16 (14 in the case of 1,000 meters race).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

トランジスタ１は、第１と第２ゲート電極Ｇ１，Ｇ２を備える。例文帳に追加

A transistor 1 has first and second gate electrodes G1, G2. - 特許庁

Ｓｉ基板１上にダミーゲート電極３を形成する。例文帳に追加

A dummy gate electrode 3 is formed on a Si substrate 1. - 特許庁

半導体基板１の上に、ゲート電極５が設けられている。例文帳に追加

A gate electrode 5 is formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

ゲート絶縁膜３は、基板１の平面１Ａ，１Ｂ上に形成される。例文帳に追加

The gate insulation film 3 is formed on the planes 1A and 1B of the substrate 1. - 特許庁

そして、ポリシリコン膜１からフローティングゲートを形成する。例文帳に追加

Then, a floating gate is formed from the polysilicon film 1. - 特許庁

基板１上に半導体層３およびゲート絶縁膜４を形成する。例文帳に追加

A semiconductor layer 3 and the gate insulating film 4 are formed on a substrate 1. - 特許庁

半導体基板１の上にゲート絶縁膜３が形成されている。例文帳に追加

A gate-insulating film 3 is formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

フロントユニット４，５はゲート装置１にボルト（ビス）で固定されている。例文帳に追加

The front units 4, 5 are fixed to the gate device 1 by bolts (screws). - 特許庁

シリコン基板１上にはゲート酸化膜１４が形成される。例文帳に追加

A gate oxide film 14 is formed on the silicon substrate 1. - 特許庁

また、端末１は、その「障害対応コード」をゲートウェイ２へ送信する。例文帳に追加

Also, the terminal 1 transmits the "failure correspondence code" to a gateway 2. - 特許庁

まず、ｐ型基板１上に、ゲート構造２，３を形成する。例文帳に追加

First, gate structures 2 and 3 are formed on a p-type substrate 1. - 特許庁

ゲート絶縁膜２は半導体基板１の表面上に設けられている。例文帳に追加

The gate insulating film 2 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1. - 特許庁

スレーブラッチ１は、伝送ゲート２１と、ラッチ回路２２とを含んでいる。例文帳に追加

A slave latch 1 includes a transmission gate 21 and a latch circuit 22. - 特許庁

ゲート絶縁膜２は、基板１上に形成され、上部表面を有する。例文帳に追加

The gate insulating film 2 is formed on the substrate 1 and has an upper surface. - 特許庁

半導体基板１上に浮遊ゲート１８が行列状に配列されている。例文帳に追加

Floating gates 18 are arranged like a line on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

リヤゲートチェーン１は、チェーン部２とブラケット３とからなる。例文帳に追加

The rear gate chain 1 consists of a chain part 2 and a bracket 3. - 特許庁

ＶｏＩＰゲートウエイ装置およびディジタル１リンク中継交換方法例文帳に追加

VOIP GATEWAY AND DIGITAL 1 LINK RELAY SWITCHING METHOD - 特許庁

"１"のスキップフラグに対応するラインのゲートパルスはスキップされる。例文帳に追加

The gate pulse of the line corresponding to the skip flag of '1' is skipped. - 特許庁

半導体基板１表面にはゲート絶縁膜５が設けられる。例文帳に追加

A gate insulating film 5 is provided on the surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

ｐ^+型ゲート領域２をＳｉＣ基板１の内部に埋め込んだ構造とする。例文帳に追加

A p^+-type gate region 2 is embedded into an SiC substrate 1. - 特許庁

ゲート口８からキャビティー１に封止樹脂４を充填する。例文帳に追加

A sealing resin 4 is filled in the cavity 1 from the gate port 8. - 特許庁

クライアント側の通信システム１はゲートウェイ装置１２を有している。例文帳に追加

The communication system 1 on the client-side has a gateway device 12. - 特許庁