「1ゲート」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

ロジック部１はＡＮＤゲートおよび記憶素子を有している。例文帳に追加

Logic sections 1 have AND gates and storage elements. - 特許庁

ゲート絶縁膜３の誘電率は、面内で一様でない。例文帳に追加

The dielectric constant of the film 3 lacks uniformity within the surface of the substrate 1. - 特許庁

こま１はフランジ３上に中心軸と同心のゲート部５を備える。例文帳に追加

The piece 1 comprises a gate portion 5 concentric to the central shaft on the flange 3. - 特許庁

ＮＭＯＳトランジスタＱ７のゲートは電源１に接続されている。例文帳に追加

The gate of the NMOS transistor Q7 is connected to a power source 1. - 特許庁

可撓性を備える円筒形状のゲートゴム１の狭持が解除されて元の円筒形状に復帰する際にゲートゴム１の復元力を助長する復元力補助手段１１を備えて、ゲートゴム１の開きを確保する。例文帳に追加

The opening of the cylindrical flexible gate rubber 1 is secured by providing a restoration force assisting means 11 for promoting the restoration force of the gate rubber 1 when the gate rubber 1 is released to restore its shape to the original cylindrical shape. - 特許庁

コルゲートフィン１の波２の頂部２ａと谷部との間に、一方向に傾斜したルーバ３が複数配置されたコルゲートフィン１において、コルゲートフィン１の幅方向端部に窄み部４を形成した。例文帳に追加

In the corrugated fin 1 with louvers 3 slanted in one direction and plurally arranged between top parts 2a and trough parts of the corrugated fin 1, a narrowing part 4 is formed in a width direction end part of the corrugated fin 1. - 特許庁

シリコン基板１上に、ゲート酸化膜５，４を介して選択ゲート６，浮遊ゲート７が形成され、浮遊ゲート７の側方にドレイン領域２が、選択ゲート６の側方にソース領域３が、各ゲート６，７間に位置するシリコン基板１内に拡散層１１がそれぞれ形成されている。例文帳に追加

A select gate 6 and a floating gate 7 are formed on a silicon substrate 1 through gate oxide films 5 and 4, a drain region 2 is formed on the side of the floating gate 7, a source region 3 is formed on the side of the select gate 6, and a diffusion layer 11 is formed in the silicon substrate 1 located between the gates 6 and 7. - 特許庁

略円筒状キャビティ１と、略円筒状キャビティ１の側方に設けられた１箇所以上のピンゲート２と、ピンゲート２と一対で設けられ、略円筒状キャビティ１とピンゲート２とを連通させるフィルムゲート３とを備えるゴムローラ成形用金型である。例文帳に追加

The rubber roller molding mold has an approximately cylindrical cavity 1, at least one pin gate 2 formed on the side of the cavity 1, and a film gate 3 which is formed in a couple with the pin gate 2 and makes the cavity 1 and the pin gate 2 communicate with each other. - 特許庁

本発明は、コンクリートホッパに設けられた可撓性材料からなるゲートゴム１の変形により生コンクリートの排出を行う排出ゲート装置において、ゲートゴム１を開く際に、押圧部材２の動きにゲートゴム１の開き具合を合わせることを目的とする。例文帳に追加

To make the opening degree of gate rubber 1 correspond to the movement of a press member 2 when the gate rubber 1 is opened in a gate device for discharging ready-mixed concrete by the deformation of the gate rubber 1 comprising a flexible material installed in a concrete hopper. - 特許庁

（一）　使用することができるゲート数が二入力ゲート換算で三〇、〇〇〇を超えるように設計したもの例文帳に追加

1. Devices designed so that the number of usable gates exceeds 30,000 on a dual-entry gate conversion basis  - 日本法令外国語訳データベースシステム

メモリセル１は、ソース・ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５，６、制御ゲート電極７からなる。例文帳に追加

A memory cell 1 comprises source drain regions 3, channel regions 4, floating gate electrodes 5, 6 and control gate electrodes 7. - 特許庁

半導体装置１９は、基板１と半導体層とゲート絶縁膜７ａとゲート電極８ａとを備える。例文帳に追加

A semiconductor device 19 has a substrate 1, a semiconductor layer, a gate insulation film 7a and a gate electrode 8a. - 特許庁

半導体基板１上にゲート電極５ａ，５ｂを形成し、ゲート電極５ａ，５ｂの側壁上にサイドウォール７ａ，７ｂを形成する。例文帳に追加

Gate electrodes 5a and 5b are formed on a semiconductor substrate 1, and side walls 7a and 7b are formed on the side walls of the gate electrodes 5a and 5b. - 特許庁

まず、複数のゲート電極３０およびゲート絶縁膜２０、ならびに半導体基板１０それぞれの表面に沿うように絶縁膜１を形成する。例文帳に追加

An insulating film 1 is formed along respective surfaces of a plurality of gate electrodes 30 and gate insulating films 20, and a semiconductor substrate 10. - 特許庁

シリコン基板１上にゲート絶縁膜４を介して金属シリサイドからなるゲート電極１０５及び１０６が形成されている。例文帳に追加

Gate electrodes 105 and 106 composed of metal silicide are formed through a gate insulation film 4 on a silicon substrate 1. - 特許庁

ソース７ｓ、ドレイン７ｄ間の半導体基板１上にゲート絶縁膜９を介してゲート電極１１が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 11 is formed via a gate insulating film 9 on the semiconductor substrate 1 between the source 7s and the drain 7d. - 特許庁

シリコン基板１表面にゲート絶縁膜２，２ａ、ゲート電極３，３ａ、保護絶縁層４，４ａを形成する。例文帳に追加

Gate insulating films 2 and 2a, gate electrodes 3 and 3a, and protection insulating layers 4 and 4a are formed on a silicon substrate 1. - 特許庁

ゲート電極と下部不純物拡散領域間にゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜１を形成する。例文帳に追加

An insulating film 1 thicker than a gate insulating film is formed between a gate electrode and a lower dopant diffusion region. - 特許庁

半導体基板１上には、ゲート絶縁膜２１を介してゲート電極２２ｎ、２２ｐが形成されている。例文帳に追加

Gate electrodes 22n and 22p are formed on a semiconductor substrate 1 with a gate insulating film 21 in-between. - 特許庁

まず、第１のフォトマスクを用いて、ゲート線１、ゲート電極１ａ及びソース線下層部３ａを形成する。例文帳に追加

A first photomask is used first to form a gate line 1, a gate electrode 1a, and a source line lower-layer part 3a. - 特許庁

半導体基板１の上部に不揮発性メモリを構成する制御ゲート電極ＣＧとメモリゲート電極ＭＧが並んで配置されている。例文帳に追加

A control gate electrode CG and a memory gate electrode MG constituting the nonvolatile memory are juxtapositionally arranged on the upper part of a semiconductor substrate 1. - 特許庁

基板１上にゲート絶縁膜２を形成し、更にゲート電極を構成する電極構成膜３，４，５，６を順次形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 2 is formed on a substrate 1, and moreover electrode structuring films 3, 4, 5, 6 forming the gate electrode are sequentially formed. - 特許庁

基板１の活性領域１ａ上に高誘電率ゲート絶縁膜４を介してゲート電極７Ａが形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 7A is formed on an active region 1a of a substrate 1 via a high dielectric gate insulating film 4. - 特許庁

第１ゲート電極ＷＧは、半導体基板１の表面上に第１ゲート絶縁膜１０を介して形成される。例文帳に追加

The first gate electrode WG is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 through a first gate insulating film 10. - 特許庁

ガラス基板１上に設けられたポリシリコン層７上にゲート絶縁層３を介してゲート電極６を形成する。例文帳に追加

The gate electrode 6 is formed on a polysilicon layer 7 provided on a glass board 1 through a gate insulating layer 3. - 特許庁

先ず、ｐ型シリコン基板１の上に、ゲート酸化膜２１を介して、ポリシリコンからなるゲート電極３を形成する。例文帳に追加

A polysilicon gate electrode 3 is formed on a p-type silicon substrate 1 through the intermediary of a gate oxide film 21. - 特許庁

ゲート回路５のゲート制御端子とマイク用ジャック１の切り換え接点Ｂとの間には、インバータ回路素子９が設けられている。例文帳に追加

An inverter circuit element 9 is provided between a gate control terminal of the gate circuit 5 and a changeover contact B of the microphone jack 1. - 特許庁

ガラスからなる一方の基板１および他方の基板２にゲート配線３を形成し、その上にゲート絶縁膜４を堆積させる。例文帳に追加

Gate wiring 3 is formed on one side substrate 1 consisting of glass and the other side substrate 2, and a gate insulation film 4 is piled on them. - 特許庁

基板１の活性領域上に高誘電率ゲート絶縁膜４Ａを介してゲート電極５が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 5 is formed through a gate insulating film 4A of a high dielectric constant on an active area of a substrate 1. - 特許庁

そして、第１のゲート電極５と対向するシリコン基板１の部分及び第２のゲート電極６に所定の電圧Ｖを印加する。例文帳に追加

A predetermined voltage V is applied to the part of the substrate 1 opposed to the electrode 5 and the electrode 5. - 特許庁

ゲート電極３１と電極３５との間、即ちゲート電極３１よりもイオン化室１側には、アパーチャ電極４１が配置されている。例文帳に追加

An aperture electrode 41 is disposed between a gate electrode 31 and an electrode 35, that is, further toward the side of an ionizing chamber 1 from the gate electrode 31. - 特許庁

基板１上のゲート配線２を覆う状態でゲート絶縁膜３を介して半導体薄膜４を形成する。例文帳に追加

The semiconductor thin film 4 is formed via a gate insulating film 3 covering a gate wiring 2 on a substrate 1. - 特許庁

半導体基板ＳＵＢ上に第１ゲート絶縁層ＧＩ１を介してコントロールゲートＧＥ１が形成されている。例文帳に追加

On the semiconductor substrate SUB, a control gate GE1 is formed via a first gate insulating layer GI 1. - 特許庁

アイリス管理装置２１は、ゲート通過対象者１及びゲート管理者２からアイリスデータを取得して予めコンピュータ２５に登録する。例文帳に追加

An iris managing device 21 obtains iris data from a gate passing object person 1 and a gate manager 2 and registers them in a computer 25. - 特許庁

基板１の活性領域１ｂ上にゲート酸化膜６を介してゲート電極７Ｂが形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 7B is formed on an active region 1b of the substrate 1 via a gate oxide film 6. - 特許庁

そして、半導体基板１の第１の表面１３上にゲート絶縁膜２を介して形成されたコントロールゲート電極３を備える。例文帳に追加

Then, a control gate electrode 3 formed via a gate insulating film 2 is provided on the first surface 13 of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

シリコン基板１上に３層のゲート絶縁膜８，９ａ，９ｂを介してゲート電極１０が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode 10 is formed on a silicon substrate 1 through the gate insulated films 8, 9a, 9b of three layers. - 特許庁

ゲートターンオフサイリスタ等の半導体素子１は、陽極電極２と、陰極電極３と、ゲート電極４とを有している。例文帳に追加

A semiconductor element 1, such as a gate turning-on thyristor, etc., has an anode 2, a cathode 3, and a gate electrode 4. - 特許庁

一方のゲート電極２Ｒは透過率が１％未満の材料からなり、他方のゲート電極２Ｆは透過率が１％以上の材料からなる。例文帳に追加

The gate electrode 2R on one side is composed of a material whose transmissivity is at less than 1%. - 特許庁

水路１に設けたコンルリート製のゲート４に昇降運動により開閉自在に支持させた門扉５にゲートポンプ６，６が内蔵されている。例文帳に追加

Gate pumps 6 and 6 are incorporated in a gate 5 openably supported through elevation movement at a gate 4 made of concrete built in a channel 1. - 特許庁

シリコン基板１のＦＥＴ形成領域では、主表面側にゲート酸化膜５を介してゲート電極６が形成される。例文帳に追加

In FET creation area of a silicon substrate 1, a gate electrode 6 is formed on its main surface through a gate oxide film 5. - 特許庁

ゲート電極を兼ねる基板１にゲート絶縁膜２を設け、その上にソース電極３およびドレイン電極４を対向させて形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 2 is located on a substrate 1 served as a gate electrode as well, and a source electrode 3 and drain electrode 4 are oppositely formed on it. - 特許庁

シリコン基板１の主面上にゲート絶縁膜２、シリコンを含むゲート電極膜３、第一絶縁膜４ａを形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 2, a gate electrode film 3 containing silicon and a first insulating film 4a are formed in order on the main surface of a silicon substrate 1. - 特許庁

ドープしたシリコン基板１をゲート電極とし、一方の主面に酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２を形成する。例文帳に追加

A doped silicon substrate 1 is set to be a gate electrode and a gate insulating film 2 formed of silicon oxide is formed on one main face. - 特許庁

ｐ型ＳｉＣ基板１の主表面の上にはゲート酸化膜４を介してゲート電極５が形成されている。例文帳に追加

On the main surface of the p-type SiC substrate 1, a gate electrode 5 is formed through a gate oxide film 4. - 特許庁