「4W」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Each time a user's stay position changes, the user's 4W meta-data, that is, detection data of "what time", "where", "with whom", and "what" is obtained through a 4W interface 19, and a function of the degree of busyness with the obtained detection data as variables is generated.例文帳に追加

ユーザの滞在位置が変化するごとに４Ｗインタフェース１９を介してユーザの４Ｗメタデータ、つまり「何時」、「どこで」、「誰と」、「何を」の検出データを取り込み、この取り込んだ検出データを変数とする繁忙度関数を生成する。 - 特許庁

A pixel signal of a first photography range 3w with a wide angle θw of field through a lens 2 is read out by a first AFE 4w.例文帳に追加

レンズ２による広い画角θｗによる第１撮像範囲３ｗの画素信号を第１ＡＦＥ４ｗで読出す。 - 特許庁

Bolts 10U, 10V and 10W penetrate the penetration holes, and screwed to the power supply terminals 4U, 4V and 4W.例文帳に追加

ボルト１０Ｕ、１０Ｖ及び１０Ｗは貫通孔を通り、電源端子４Ｕ、４Ｖ及び４Ｗに螺合している。 - 特許庁

Contacts 3, 4 have pressure-bonding units 31, 41 for bonding wires 3w, 4w, and contact units 32, 42 for connecting the plug 9.例文帳に追加

コンタクト３・４は電線３ｗ・４ｗを圧着する圧着部３１・４１とプラグ９に接続するコンタクト部３２・４２を有する。 - 特許庁

The housing 1 is provided with a wire inserter 12, with the base terminals of the contact units 32, 42 that are bent and have extending wires 3w, 4w.例文帳に追加

ハウジング１は、コンタクト部３２・４２の基端部が屈折されて電線３ｗ・４ｗが延出する電線挿通部１２を設ける。 - 特許庁

The bending guide curved surface 11 is extended longer than a belt width 4w of at least the V-ribbed belt 4 outward in the pulley radial direction.例文帳に追加

屈曲案内曲面１１は、プーリ径方向外方へ、少なくともＶリブドベルト４のベルト幅４ｗよりも長く延在する。 - 特許庁

The pseudo-consumption power of the heater 30 can be changed to 4W by turning on/off the heater 30 continuously.例文帳に追加

ヒータ３０の通電を連続的にＯＮ／ＯＦＦさせることにより、擬似的にヒータ３０の消費電力を４Ｗに変えることが可能である。 - 特許庁

The area of lead frames 32, 33, 34 on which MOSFETs 4u, 4v, 4w are mounted is made larger than the area of a lead frame 31 on which IGBTs 3u, 3v, 3w are mounted.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ４ｕ，４ｖ，４ｗが搭載されるリードフレーム３２，３３，３４の面積を、ＩＧＢＴ３ｕ，３ｖ，３ｗが搭載されるリードフレーム３１の面積よりも大きくしている。 - 特許庁

A wall surface 4W of the electrode housing part 4 contacting the insulating part 5 is inclined to the direction perpendicular to the first surface 2a.例文帳に追加

絶縁部５に接する電極収容部４の壁面４Ｗは、第１の面２ａに垂直な方向に対して傾いている。 - 特許庁

Among the wave-winding coil portions 4U, 4V and 4W forming the plurality of turns in the coils 3U, 3V and 3W, at least any one of the coil portions 4U, 4V and 4W forms a set of turns composed of a plurality of conductors 40 adjacent in parallel without tangling.例文帳に追加

各相のコイル３Ｕ、３Ｖ、３Ｗにおける複数ターンの波巻コイル部４Ｕ、４Ｖ、４Ｗのうち、少なくともいずれかのターンの波巻コイル部４Ｕ、４Ｖ、４Ｗは、互いに交錯することなく平行に隣接する複数本の導体４０による１組のターンを構成している。 - 特許庁

The multi-channel amplifier is provided with power amplifiers 33L-33W and output terminals 35L-35W to which speakers 4L-4W arranged around a listener are respectively connected.例文帳に追加

パワーアンプ３３Ｌ〜３３Ｗと、リスナの周囲に配置されたスピーカ４Ｌ〜４Ｗがそれぞれ接続される出力端子３５Ｌ〜３５Ｗとを設ける。 - 特許庁

Bandlike brightness monitoring photo-receiving parts 6a, 6b having widths 4W and the whole areas same to the photo-receiving parts 5a, 5b, 5c, 5d are provided in both sides of the photo-receiving parts 5a, 5b, 5c, 5d.例文帳に追加

これら受光部の両側に幅４Ｗで全面積が上記受光部と等しい帯状の輝度モニター用受光部６a,６bを設ける。 - 特許庁

Locating the overlapping part 6 is established by the wave 4w provided in the ring part 4a of the spring 4 and the edge 4f of the other end 4d.例文帳に追加

そして、重ね合わせ部６の位置決めをスプリング４の環状部４ａに設けた波形部４ｗと他方の端部４ｄの縁部４ｆとで行う。 - 特許庁

The parking space detector sets an angle detection position S1, corresponding to a reflection waveform 4w of No.12, at a detection position of a running-side left angle of a parking space S and an angle detection position S2, corresponding to a reflection waveform 4w of No.37 at a detection position of a running-side right angle of the parking space S, respectively.例文帳に追加

駐車空間検出装置は、１２番の反射波形４ｗに対応する角検出位置Ｓ１を駐車空間Ｓの走行側の左角の検出位置に設定し、３７番の反射波形４ｗに対応する角検出位置Ｓ２を駐車空間Ｓの走行側の右角の検出位置に設定する。 - 特許庁

The inverter 1 comprises a low voltage power supply circuit 50 outputting a low voltage for driving MOSFETs 4u, 4v and 4w and for operating reverse voltage application circuits 6u, 6v and 6w.例文帳に追加

インバータ装置１は、ＭＯＳＦＥＴ４ｕ，４ｖ，４ｗの駆動用および逆電圧印加回路６ｕ，６ｖ，６ｗの動作用の低電圧を出力する低電圧電源回路５０を備えている。 - 特許庁

A constant current circuit 5a is comprised of one constant current source, and the circuit can energize all of each temperature detection element 4 (4u, 4v, and 4w).例文帳に追加

定電流回路５ａが１つの定電流源により構成されており、各温度検出素子４（４ｕ、４ｖ、４ｗ）の全てに通電可能に構成されている。 - 特許庁

A plurality of temperature sensors 4u, 4w thermally combined respectively on a plurality of heating spots of a detection object are connected in parallel to constitute a temperature detection part 4, and a temperature detection signal Vt acquired by converting a parallel resistance combined value of the temperature sensors 4u, 4w into a voltage signal is inputted into one A/D port of the microprocessor 5.例文帳に追加

被検出対象物の複数の発熱箇所にそれぞれ熱的に結合した複数の温度センサ４ｕないし４ｗを並列に接続して温度検出部４を構成し、温度センサ４ｕないし４ｗの並列抵抗合成値を電圧信号に変換して得た温度検出信号Ｖｔをマイクロプロセッサ５の１つのＡ／Ｄポートに入力する。 - 特許庁

Current, flowing through MOSFETs 4u, 4v and 4w on the downstream side, have been detected via resistors 7u, 7v and 7w, and abnormality of each reverse voltage application circuit is determined, depending on the detection current.例文帳に追加

下流側のＭＯＳＦＥＴ４ｕ，４ｖ，４ｗを通して流れる電流が抵抗７ｕ，７ｖ，７ｗを介して検出されており、その検出電流に応じて各逆電圧印加回路の異常が判定される。 - 特許庁

The winding end line having reached the end face side in the stacking direction of the circular part 1 is laid over as a crossover 4w to the neighboring pole 2b, along the circular part 1 by the coil locking parts 5d, 5e, and 5f.例文帳に追加

環状部１の積層方向の端面側に至った巻き終わり線は渡り線４ｗとしてコイル係止部５ｄ，５ｅ，５ｆにより環状部１に添って隣のポール２ｂに渡す。 - 特許庁

The opening 9 is located near an end of the delivery pipe 8 and at a position within the deposition portion 4A, while the suction port 10 is located in a position within the clear water portion 4W.例文帳に追加

また、開口９は送出管８の先端付近において堆積部４Ａに含まれる位置に設けられ、吸入口１０は清水部４Ｗに含まれる位置に設けられている。 - 特許庁

By use of the built-in conductors 4u to 4w of the insulating spacer 4 as a housing means for the vacuum valves, fixing shafts 22 of the vacuum valves 12u to 12w are electrically and mechanically connected to the built-in conductors.例文帳に追加

絶縁スペーサ４の埋込み導体４ｕ〜４ｗを真空バルブの支持手段として用い、真空バルブ１２ｕ〜１２ｗの固定軸２２を埋込み導体に電気的及び機械的に接続する。 - 特許庁

The angle of the interface between the electrode 7 and the insulating part 5 to the direction perpendicular to the first surface 2a is smaller than the angle of the wall surface 4W to the direction perpendicular to the first surface 2a.例文帳に追加

電極７と絶縁部５の界面が第１の面２ａに垂直な方向に対してなす角度は、壁面４Ｗが第１の面２ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。 - 特許庁

This power converter comprises a U-shape single-phase inverter 10u, a V-phase single-phase inverter 10v, a W-phase single-phase inverter 10w, and a controller 3 which controls drivers 4u, 4v, and 4w of the respective inverters.例文帳に追加

Ｕ相用単相インバータ１０u、Ｖ相用単相インバータ１０v、Ｗ相用単相インバータ１０wと、これらインバータのドライバ４u、４v、４wを制御するコントローラ３とで電力変換装置を構成した。 - 特許庁

When the speed-synchronization request determination means 140 determines that the synchronization in speed of the driving side is needed, the 4W DCU 100 synchronizes the rotating speed of the driving side with the rotating speed of the driven side.例文帳に追加

回転数同期要求判定手段１４０が、駆動側の回転数同期が必要であると判定すると、４ＷＤＣＵ１００は、駆動側の回転数を被駆動側の回転数と同期させる。 - 特許庁

When at least either one of the pair of the non-contacting sensors 6 does not detect the lower edge portion 5 of the transported article 4w because the transported article is inclined during loading, the cargo fork 2 is stopped.例文帳に追加

荷役作業の途中で移送物４が傾く等して、一対の非接触センサー６の少なくとも片方が、移送物４ｗの下縁部５を未検出のとき、荷役フォーク２が停止する。 - 特許庁

Furthermore, the relation between the length S of the bump in the vertical direction, with respect to the wire bonding direction, the length L of the bump in the parallel direction with respect to the wire bonding direction, and the wire diameter W, are such that 1.3W≤S≤4W, and 1.5W≤L≤5W.例文帳に追加

さらにバンプのワイヤ結線方向に対して垂直方向の長さＳ、平行方向の長さＬ、ワイヤ径Ｗの関係が１．３Ｗ≦Ｓ≦４Ｗ、１．５Ｗ≦Ｌ≦５Ｗである。 - 特許庁

The shape of a pixel in the rotational coordinate system is defined so that a length d in the radius direction of the optical disc 1 of the pixel is 4w/π when a length in the circumference direction of the optical disc 1 of the pixel is made w.例文帳に追加

また、回転座標系における画素の形状は、その画素の光ディスク１の円周方向の長さをｗとしたときに、その画素の光ディスク１の半径方向の長さｄを４ｗ／πとして定義した。 - 特許庁

Three-phase coils are respectively configured so that wave-winding coil portions 4U, 4V and 4W each having a turn in a circumferential direction C around a stator core are stacked to form a plurality of turns and disposed in a diameter direction R of the stator core.例文帳に追加

３相のコイルは、ステータコアの周方向Ｃを一巡するターンを形成する波巻コイル部４Ｕ、４Ｖ、４Ｗを、ステータコアの径方向Ｒに複数ターンに重ねて配置してそれぞれ構成してある。 - 特許庁

The wave-winding coil portions 4U, 4V and 4W forming the plurality of turns in the coils 3U, 3V and 3W of each of the phases form a set of turns composed of a plurality of conductors 40 adjacent in parallel without tangling.例文帳に追加

各相のコイル３Ｕ、３Ｖ、３Ｗにおける複数ターンの波巻コイル部４Ｕ、４Ｖ、４Ｗは、互いに交錯することなく平行に隣接する複数本の導体４０によって１組のターンを構成している。 - 特許庁

The active silencer is applied to the housing 4 which has the noise source 1 generating noise in the part surrounded with a partition wall 4W, and has an opening 4Z formed, and comprises a microphone 2, a speaker3, and a control part 8.例文帳に追加

能動消音装置は、隔壁４Ｗで囲まれた内部に騒音を発する騒音源１を有するとともに開放口４Ｚが形成された筐体４に適用され、マイクロホン２とスピーカ３と制御部８とで構成される。 - 特許庁

The processing water 3 in the tank 2 is stratified into a deposition portion 4A which is a portion where the abrasive is deposited, and a clear water portion 4W which is a portion other than the deposition portion 4A and formed by clear water substantially free from the abrasive.例文帳に追加

タンク２の内部において、加工水３は研磨材が堆積した部分からなる堆積部４Ａと堆積部４Ａ以外の部分であって研磨材が実質的に含まれない清水からなる清水部４Ｗとに層別されている。 - 特許庁

The disposition of built-in conductors 4u to 4w of an insulating spacer 4 that gas-insulates the gap between a device-housing room 1B for housing vacuum valves 12u to 12w and the other device-housing room 1A is made approximately equal to the disposition of the vacuum valves.例文帳に追加

真空バルブ１２ｕ〜１２ｗを収納する機器収納室１Ｂと他の機器収納室１Ａとの間をガス区分する絶縁スペーサ４の埋込み導体４ｕ〜４ｗの配列を、真空バルブの配列とほぼ同じにする。 - 特許庁

The strain quantity-film thickness product sum ξ_act of the active layer 4, the sum of the strain quantity-film thickness products determined by the strain quantities corresponding to the lattice constants of the well layers 4w and the barrier layers 4b, their film thicknesses, and their number of layers is set to a negative value.例文帳に追加

井戸層４ｗおよびバリア層４ｂのそれぞれにつき格子定数に対応した歪量、膜厚および層数により決定される歪量膜厚積の総和である活性層４の歪量膜厚積総和ξ_act が負の値に設定されている。 - 特許庁

When circulation currents flow, respectively, through the circulation diodes Du-, Dv- and Dw- on the MOSFETs 4u, 4v and 4w side, reverse voltages are applied from reverse voltage application circuits 5u, 5v and 5w to the circulation diodes Du-, Dv- and Dw-, respectively, before the switching elements of IGBTs 3u, 3v and 3w are turned on.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ４ｕ，４ｖ，４ｗ側の還流ダイオードＤｕ−，Ｄｖ−，Ｄｗ−にそれぞれ還流電流が流れるとき、ＩＧＢＴ３ｕ，３ｖ，３ｗのスイッチング素子のオンに先立ち、還流ダイオードＤｕ−，Ｄｖ−，Ｄｗ−に逆電圧印加回路５ｕ，５ｖ，５ｗからそれぞれ逆電圧を印加する。 - 特許庁

In a stator 1 for a three-phase rotating electric machine, the interphase insulation paper 5 for a three-phase rotating electric machine is used to ensure insulation among different phases of coil end conductors 4U, 4V, 4W of coils 3U, 3V, 3W of U-, V-, W-phases which are disposed in a distributed winding.例文帳に追加

３相回転電機用の相間絶縁紙５は、３相回転電機用のステータ１において、分布巻き状態で配置したＵ相、Ｖ相及びＷ相のコイル３Ｕ、３Ｖ、３Ｗのコイルエンド導体部４Ｕ、４Ｖ、４Ｗの異相間の絶縁を確保するために用いる。 - 特許庁

When circulation currents flow, respectively, through the circulation diodes Du-, Dv- and Dw- of MOSFETs 4u, 4v and 4w, reverse voltages are applied from reverse voltage applying circuits 6u, 6v and 6w to the circulation diodes Du-, Dv- and Dw-, respectively, before the switching elements of MOSFETs 3u, 3v and 3w are turned on.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ４ｕ，４ｖ，４ｗの還流ダイオードＤｕ−，Ｄｖ−，Ｄｗ−にそれぞれ還流電流が流れるとき、ＭＯＳＦＥＴ３ｕ，３ｖ，３ｗのスイッチング素子のオンに先立ち、還流ダイオードＤｕ−，Ｄｖ−，Ｄｗ−に逆電圧印加回路６ｕ，６ｖ，６ｗからそれぞれ逆電圧が印加される。 - 特許庁

This hydraulic circuit 1 includes unloading passages 12 and 13 connected to a split pump 51 with a regulator 52, first directional control valves 4w-4z of a first system and second directional control valves 5w-5y of a second system respectively connected to the unloading passages 12 and 13.例文帳に追加

レギュレータ５２付きのスプリットポンプ５１に接続されたアンロード通路１２，１３と、当該アンロード通路１２，１３にそれぞれ接続された第１系統の第１方向切換弁４ｗ〜４ｚおよび第２系統の第２方向切換弁５ｗ〜５ｙとを備える油圧回路１である。 - 特許庁

The voice communication terminal 1 has connection terminals 14-1-14-N, 15-1-15-N for N-sets of 4W lines from 1st to N-th, a PHS or mobile phone terminal in addition to the 2W telephone line and N-sets of changeover switches 11-1-11-N capable of selecting one communication line among the N lines.例文帳に追加

音声通信端末１は２Ｗ電話回線に加え、第１から第ＮまでのＮ本の４Ｗ回線、ＰＨＳあるいは移動電話端末の接続端子１４−１〜１４−Ｎ，１５−１〜１５−Ｎと、Ｎ本の回線から一通信回線選択可能なＮ個の切替スイッチ１１−１〜１１−Ｎとを有する。 - 特許庁

The voice communication terminal 1 includes connecting terminals 14-1 to 14-N, 15-1 to 15-N for N of 1st to Nth 4W lines, PHSs(R) or mobile telephone terminals in addition to the 2W telephone lines and N changeover switches 11-1 to 11-N capable of selecting one communication line out of the N lines.例文帳に追加

音声通信端末１は２Ｗ電話回線に加え、第１から第ＮまでのＮ本の４Ｗ回線、ＰＨＳあるいは移動電話端末の接続端子１４−１〜１４−Ｎ，１５−１〜１５−Ｎと、Ｎ本の回線から一通信回線選択可能なＮ個の切替スイッチ１１−１〜１１−Ｎとを有する。 - 特許庁

The inner wall surface of the opening 4W of the layer 4 is formed as an inverted tapered surface 6 broadened in the depthwise direction, and the selectively epitaxially grown semiconductor-layer is formed on the surface of the semiconductor exposed in the opening of the insulating layer and avoiding the occurrence of the faucet on the surface of the semiconductor layer by the reverse taper.例文帳に追加

そして、この絶縁層４の開口４Ｗの内壁面は、深さ方向に幅広とされた逆テーパ面６として形成され、絶縁層の開口内に露出する半導体の表面上に選択エピタキシャル成長半導体層を形成して逆テーパによって半導体層表面にファセットが発生することを回避する。 - 特許庁

The laser device comprises a first clad layer 3 formed on a semiconductor substrate 1, an active layer 4 formed on the first clad layer 3 having a strain-multiplex quantum well structure of alternately laminated well layers 4w and barrier layers 4b (barrier layers 4b_1 and optical guide layers 4b_2) having mutually opposite strains, and a second clad layer 5 formed on the active layer 4.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された第１のクラッド層３と、第１のクラッド層３上に形成され、互いに逆の歪を有する井戸層４ｗとバリア層４ｂ（障壁層４ｂ_1 および光ガイド層４ｂ_2 ）が交互に積層された歪多重量子井戸構造をもつ活性層４と、活性層４上に形成された第２のクラッド層５とを備える。 - 特許庁