「Dielectrics」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

When high frequency high voltage is applied between the pair of electrodes from a high frequency high voltage power supply 20 while supplying heated gaseous nitrogen between the pair of dielectrics, plasma discharge is generated in the heated gaseous nitrogen supplied between the pair of dielectrics.例文帳に追加

一対の誘電体間へ加熱された窒素ガスを供給しながら、高周波高圧電源２０から一対の電極間に高周波高電圧を印加すると、一対の誘電体間へ供給された加熱された窒素ガス中にプラズマ放電が発生する。 - 特許庁

A first-layer convex microlens 8 having a refractive index larger than that of upper and lower interlayer dielectrics and a second-layer concave microlens 9 having a refractive index smaller than that of the upper and lower interlayer dielectrics are provided between a microlens 7 and a photodiode 1.例文帳に追加

マイクロレンズ７とフォトダイオード１との間に、上下の層間絶縁膜よりも屈折率が大きい凸状の第１層内マイクロレンズ８と、上下の層間絶縁膜よりも屈折率が小さい凹状の第２層内マイクロレンズ９を設ける。 - 特許庁

The gas G is streamed in the discharge spaces 10 between the palisade electrodes 1, 2 and the dielectrics 3 or between the dielectrics 3 covering the palisade electrodes 1, 2 while generating plasma discharge by applying a voltage between the palisade electrodes 1, 2 to react the gas G.例文帳に追加

柵状電極１，２と誘電体３間，又は柵状電極１，２を覆った誘電体３間の放電空間１０にガスＧが通過させて柵状電極１，２に電圧をかけてプラズマ放電を発生させ，ガスＧを反応させる。 - 特許庁

In a process in which dielectrics constituting the charge storage films CHS are formed on the bottom dielectric film BTM, the dielectric (the first film CHS1) brought into contact with a boundary with at least the bottom dielectric film BTM in the dielectrics is formed by using atomic-layer deposition(ALD).例文帳に追加

電荷蓄積膜ＣＨＳを構成する誘電体をボトム誘電体膜ＢＴＭ上に形成する工程において、その誘電体のうち、少なくとも、ボトム誘電体膜ＢＴＭとの境界に接する誘電体（第１の膜ＣＨＳ１）を原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with the semiconductor substrate; a lower layer wiring 101 provided on the semiconductor substrate and provided with a recess on its upper surface, dielectrics 102a, 102b, 102c and 102d covering the inner surface of the recess; and an upper layer wiring 104 provided on the dielectrics 102a, 102b, 102c and 102d.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に設けられ、上面に凹部が設けられた下層配線１０１と、凹部の内面を覆う誘電体１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄと、誘電体１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ上に設けられた上層配線１０４と、を備える半導体装置１００を提供する。 - 特許庁

In an apparatus for generating plasma inside a vacuum vessel 1 by applying high-frequency electric power to a coil 6 disposed outside the vacuum vessel 1, the temperature of a dielectrics window 5 is controlled by allowing water to flow in a cold warm medium path 11 provided inside the dielectrics window 5.例文帳に追加

真空容器１の外に配置されたコイル６に高周波電力を印加し、真空容器１内にプラズマを発生させる装置にて、誘電体窓５の内部に設けられた冷温媒流路１１に水を流すことにより、誘電体窓５の温度を制御する。 - 特許庁

In the periodic structure in which a closed region 1106 is arranged two-dimensionally and periodically at least on one interface 1102 of a plurality of laminated dielectrics 1101, the closed region comprises periodic, irregular structures provided on opposite surfaces of two dielectrics in the interface.例文帳に追加

積層された複数の誘電体１１０１の少なくとも一つの界面１１０２に、閉領域１１０６が二次元周期的に配列された周期構造体であって、前記閉領域は、前記界面における二つの誘電体の対向面のそれぞれに設けられた周期的な凹凸構造によって構成する。 - 特許庁

There are provided a circuit board 11 where a via hole 12 penetrating from an upper surface to a lower surface is formed, a first metal film 14 formed on the inside wall of the via hole 12, a dielectrics film 15 formed on the first metal film 14, and a second metal film 16 formed on the dielectrics film 15.例文帳に追加

上面から下面まで貫通するバイアホール１２が形成された回路基板１１と、バイアホール１２の内壁に形成された第１金属膜１４と、この第１金属膜１４上に形成された誘電体膜１５と、この誘電体膜１５上に形成された第２金属膜１６とを具備している。 - 特許庁

This composition for nano imprint has a component comprising: a compound forming a ring composed of three catechol dielectrics; and a compound forming a ring composed of four resorcinol dielectrics, wherein these compounds are preferably blended in a range of 0.7 to 1.5 mole ratio and storing stability is improved, and the pattern forming method using the composition.例文帳に追加

カテコール誘導体３個からなる環を形成する化合物と、レゾルシノール誘導体４個からなる環を形成する化合物を成分とし、これらを好ましくはモル比で０．７〜１．５の範囲で混合した、保存安定性が改善されたナノインプリント用組成物およびそれを用いたパタン形成方法。 - 特許庁

To provide a simple method for forming a protective film, which is excellent in orientation and mainly composed of MgO, that is coated on a dielectrics layer installed in the front substrate of a plasma-display panel, and protects the dielectrics layer from electric discharge, and to obtain a material for forming this film.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの前面基板に設けられる誘電体層に被覆され、誘電体層を放電から保護する主としてＭｇＯからなり配向性が優れた保護膜の簡便な成膜方法及びこの成膜方法において使用する成膜材料を提供する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus is used which comprises a plasma generator 1 equipped with counter electrodes 4a and 4b, dielectrics 3a and 3b, and pulse power supply 5 as well as a plasma generator 2 equipped with counter electrodes 12a and 12b, dielectrics 11a and 11b, and pulse power supply 13.例文帳に追加

対向電極４ａ及び４ｂ、誘電体３ａ及び３ｂ、パルス電源５を備えるプラズマ発生部１と、対向電極１２ａ及び１２ｂ、誘電体１１ａ及び１１ｂ、パルス電源１３を備えるプラズマ発生部２とを有するプラズマ処理装置を用いる。 - 特許庁

After that, a second insulating film is deposited, a sidewall is formed on a sidewall of the upper electrode by etching the whole surface of the second insulating film, and since the dielectrics film which becomes a capacitance region in the self-aligned manner is worked, side etch and etching damages can be prevented from entering the dielectrics film, directly below an edge of the upper electrode.例文帳に追加

その後、第２の絶縁膜を堆積して全面エッチングにより上部電極の側壁にサイドウォールを形成後、自己整合的に容量領域となる誘電体膜を加工するので、上部電極のエッジ直下の誘電体膜にサイドエッチやエッチングダメージが入ることを防止できる。 - 特許庁

The plurality of ultrafine coaxial cables 110 contain core wires 111, dielectrics 112 arranged on outer peripheral sides of the core wires 111, shields 113 arranged on outer peripheral sides of the dielectrics 112, and coating materials 114 arranged on outer peripheral sides of the shields 113, each core wire 111 exposed on one end part of the coaxial cable 110.例文帳に追加

複数の極細同軸線１１０は、芯線１１１と、芯線１１１の外周側に配置される誘電体１１２と、誘電体１１２の外周側に配置されるシールド１１３と、シールド１１３の外周側に配置される被覆材１１４とを含み、一方端部において芯線１１１が露出している。 - 特許庁

An electrically closed circuit 8, formed from the electrodes 3a and 3b, a dielectrics layer 2, a substrate 6, and a ground member 5 is applied with a Johnson-Rahbek current, so that the dielectrics layer 2 and the substrate 6 accumulate electric charges of polarities which are opposite to each other, generating a Johnson-Rahbek force.例文帳に追加

各電極３ａ，３ｂ、誘電体層２、基板６、接地部材５で形成される電気的閉回路８にジョンソン・ラーベック電流を流し、誘電体層２および基板６に互いに反対の極性の電荷を蓄積させてジョンソン・ラーベック力を発生させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, in order to provide a semiconductor substrate (202), to form a dielectrics layer (204) on the semiconductor substrate (202) and to expose part of a surface of the semiconductor substrate (202), a process is contained wherein a trench or a via (206) is formed on the dielectrics layer (204) by etching.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する方法は、半導体基板（２０２）を提供し、半導体基板（２０２）の上に誘電体層（２０４）を形成し、半導体基板（２０２）の表面の一部を露出させるため、誘電体層（２０４）にトレンチ又はバイア（２０６）をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

The electret making device is provided with a means capable of clamping the porous body with the pair of the dielectrics whose total capacitance is 2×10-7 C/(m2.V) or more and total of thickness is 0.2 mm or more, and a means capable of applying the high DC voltage between the dielectrics.例文帳に追加

本発明のエレクトレット化装置は、総静電容量が２×１０^-7Ｃ／（ｍ^2・Ｖ）以上、かつ厚さの合計が０．２ｍｍ以上の１対の誘電体により、多孔性被処理体を挟持することのできる手段、及び前記誘電体間に直流高電圧を印加できる手段、とを備えたものである。 - 特許庁

In this electret making method, in the state of clamping a porous body to be processed with a pair of dielectrics whose total capacitance is 2×10-7 C/(m2.V) or more and total of thickness is 0.2 mm or more, a DC high voltage is applied between the dielectrics.例文帳に追加

本発明のエレクトレット化方法は、総静電容量が２×１０^-7Ｃ／（ｍ^2・Ｖ）以上、かつ厚さの合計が０．２ｍｍ以上の１対の誘電体により、多孔性被処理体を挟持した状態で、前記誘電体間に直流高電圧を印加する方法である。 - 特許庁

Signal waveforms detected from a plurality of multilayer dielectrics are compared by use of a pulse electrostatic stress method applying a pulse voltage to the multilayer dielectric comprising a plurality of layers having different dielectric constants, and detecting pulse-like stress generated in the multilayer body at that time, so that similarity between the multilayer dielectrics is decided.例文帳に追加

誘電率の異なる複数の層からなる多層誘電体にパルス電圧を印加し、その時に該多層体内部に発生するパルス状の応力を検出するパルス静電応力法を用い、複数の多層誘電体から検出された信号波形を比較することにより該多層誘電体間の類似度を判定する。 - 特許庁

A radio wave absorber includes an overall conductor layer 11 constituted of a conductor at least, a first dielectric layer 12 constituted of one or more layers of dielectrics, a planar resistance layer 13 constituted of a dielectric containing conductive powder, a second dielectric layer 14 constituted of one or more layers of dielectrics, and a pattern layer 15 including a plurality of patterns each constituted of a conductor.例文帳に追加

少なくとも、導体からなる全面導体層１１と、１層又は多層の誘電体からなる第１誘電体層１２と、導電粉末を含有した誘電体からなる面状抵抗層１３と、１層又は多層の誘電体からなる第２誘電体層１４と、導体からなるパターンを複数有するパターン層１５とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method includes (i) the step of providing a substrate with a first silicon surface area and a second silicon-germanium surface area, (ii) the step of forming layers of the gate dielectrics of metal silicates on the first surface area and the second surface area and (iii) the step of forming gates on the layers of the gate dielectrics.例文帳に追加

又、その製造方法は(i)基板に第１のシリコン表面領域及び第２のシリコン−ゲルマニウム表面領域を設けるステップ、(ii)前記第１の表面領域と第２の表面領域上に金属シリケートのゲート誘電体の層を形成するステップ、及び(iii)前記ゲート誘電体の層上にゲートを形成するステップを有する。 - 特許庁

The exhaust emission control device 1 has: a plasma reactor 3 which has the dielectrics 12 and a pair of electrodes 13 (electrode 43 of high voltage during emission control and electrode 33 of grounding during emission control) facing the dielectrics 12 interposed between them; and a cleaning electrode 24 arranged upstream of the plasma reactor 3 in a flow direction of exhaust gas.例文帳に追加

排気ガス浄化装置１において、誘電体１２と、この誘電体１２を挟んで対向する１対の電極１３（浄化時高電圧極４３および浄化時接地極３３）とを備えるプラズマ反応器３と、プラズマ反応器３よりも排気ガスの流れ方向上流側に、清掃用電極２４を配置する。 - 特許庁

Since, in the configuration, dielectric constants of the dielectrics are basically changed, and a combination of dielectric constants of the dielectrics equivalently forms a capacitor and inductance, the path of the inner conductor does not have to hold an extreme difference in size so that sufficiently excellent LPF characteristic can be realized with a simple structure.例文帳に追加

基本的に誘電体の誘電率を変える構成であり、誘電体の誘電率の組み合わせにより等価的にコンデンサ及びインダクタンスを形成するものであるから、内導体の径の極端なサイズの差を持たせる必要がないから、構造が簡単であり十分良好なＬＰＦ特性を実現可能である。 - 特許庁

A dielectrics waveguide wherein a core 1 is composed of material having permittivity greater than that of a clad 2, is characterized in that dielectrics structures 3 having permittivity different from that of the clad are arranged periodically along an electromagnetic wave direction, from a side surface of the core 1 to the insides of the neighboring clads 2.例文帳に追加

コア部１が、クラッド部２よりも大きな誘電率を持つ物質により構成される誘電体導波路において、コア部１の側面から近接したクラッド部２内に、電磁波導波方向に沿って周期的に、クラッドの誘電率とは異なる誘電率をもつ誘電体構造物３が配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method is to attach contiguous film-shaped or sheet-shaped dielectrics 103 as they run to a substrate 3 with electrodes formed on it, where at least a given region of the film-shaped or the sheet-shaped dielectrics 103 formed on a base film 102 is removed with the use of carbon dioxide laser light 110 generated from a laser light source 109 to form it into a given shape.例文帳に追加

電極が形成された基板３上に、連続したフィルム状あるいはシート状の誘電体１０３を走行させながら貼り付ける製造方法であり、少なくともベースフィルム１０２上に形成されたフィルム状あるいはシート状の誘電体１０３の所定領域を、レーザー光源１０９より発生した炭酸ガスレーザー光１１０を用いて除去し所定形状に加工する。 - 特許庁

A capacitor element 12 comprises a pair of conductor layers 14 and 16, many nearly tube-shaped dielectrics 18, a first electrode 20 and a second electrode 24 inside and outside the dielectrics 18 respectively, an insulating cap 22 insulating the first electrode 20 and conductor layer 16 from each other, and an insulating cap 26 insulating the second electrode 24 and conductor layer 14 from each other.例文帳に追加

コンデンサ素子１２は、一対の導電体層１４，１６と、多数の略チューブ状の誘電体１８と、該誘電体１８の内側の第１電極２０及び外側の第２電極２４と、前記第１電極２０と導電体層１６を絶縁する絶縁キャップ２２と、前記第２電極２４と導電体層１４を絶縁する絶縁キャップ２６により構成される。 - 特許庁

A stripline assembly 30, a ferrite plate 21, a magnet 12, terminal parts 40 and 50 electrically connecting an external circuit with an internal circuit and cases 11 and 13 including them and being one portion of a magnetic circuit are included, the terminal parts are formed by dielectric layered products, and a capacitor is formed by dielectrics and electrode patterns formed on the dielectrics.例文帳に追加

ストリップライン集合体３０と、フェライト板２１と、磁石１２と、外部回路と内部回路とを電気的に接続するターミナル部４０、５０と、これらを内包して磁気回路の一部となるケース１１、１３とを備え、ターミナル部４０、５０は、誘電体の積層体により形成され、この誘電体と誘電体に形成された電極パターンでコンデンサ形成されている。 - 特許庁

In the Faraday rotator 4, a first periodic dielectrics multiplayer film 3a consisting of silicon dioxide SiO_2 and tantalum pentoxide Ta_2O_5 is formed on a substrate 1, a magneto-optical thin film 7 is formed thereon and further a second periodic dielectrics multiplayer film 3b consisting of tantalum pentoxide Ta_2O_5 and silicon dioxide SiO_2 is formed thereon.例文帳に追加

ファラデー回転子４は、基板１の上に二酸化ケイ素SiO_2と五酸化タンタルTa_2O_5とからなる第１の周期的誘電体多層膜３ａが形成され、その上には磁気光学薄膜７が形成され、さらにその上に五酸化タンタルTa_2O_5と二酸化ケイ素SiO_2とからなる第２の周期的誘電体多層膜３ｂとが形成されている。 - 特許庁

To provide an antenna device which is constituted of a dielectrics substrate, a radiation conductor arranged on one surface of the dielectrics substrate, and ground conductors and a transmission line which are arranged on the other surface, and can be manufactured easily, and in which the level of integration as a circuit can be increased and transmission and reception of a circularly polarized radio wave are enabled effectively.例文帳に追加

誘電体基板と、この誘電体基板の一方の面に設けられた放射導体と、他方の面に設けられた接地導体および伝送線路とを有し、容易に作製でき、回路としての集積度を向上でき、円偏波した電波の送信または受信を効率よく行うアンテナ装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 101 includes: a plurality of first conductive guard ring layers 2 surrounding the element region 51, annularly formed, and diffused in the depth direction in the terminal region 52; first interlayer dielectrics 3 formed to be embedded in the substrate 1 between the adjacent guard ring layers 2; and second interlayer dielectrics 11 formed on the surface of the substrate 1 from the element region 51 to the terminal region 52.例文帳に追加

半導体装置１０１は、終端領域５２に素子領域５１を囲む環状に形成されると共に深さ方向に拡散した第１導電型の複数のガードリング層２と、隣接するガードリング層２の間において基板１に埋め込まれるように設けられた第１層間絶縁膜３と、素子領域５１から終端領域５２に亘って基板１の表面に設けられた第２層間絶縁膜１１とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device at least includes: multiple MOS transistors; capacitance elements having dielectrics made of a piezoelectric material, which are arranged near one specific one or more specific ones of the MOS transistors; and a means for applying a voltage in the direction parallel to the polarization vectors of the dielectrics.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、複数個のＭＯＳトランジスタと、その中の１つ又は２つ以上の特定のＭＯＳトランジスタの近傍に配され、電歪体材料からなる誘電体を有する容量素子と、前記誘電体の分極ベクトルに平行な方向に電圧を印加する手段とを、少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Metal wiring patterns WP constituting semiconductor device circuits realize a multilayer interconnection structure at an inner circuit side through interlayer dielectrics IL and vias VIA.例文帳に追加

内部回路側では半導体素子回路を構成する金属配線パターンＷＰが層間絶縁膜ＩＬ及びビアＶＩＡを介して多層配線構造を実現している。 - 特許庁

The α-amino acid containing chemical mechanical polishing compositions and slurries are useful for polishing the substrates including multiple layers of metals, or metals and dielectrics.例文帳に追加

複数の金属の層又は金属及び誘電体の層を有する基体を研磨するのに有益なα−アミノ酸含有化学機械研磨組成物及びスラリーとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a multilayer interconnection structure which uses a tungsten plug is realized after a capacitor element comprising an oxide dielectrics film is formed by suppressing downward dispersion of hydrogen.例文帳に追加

下方への水素拡散を抑制することによって、酸化物系誘電体膜を含むキャパシタ素子の形成後に、タングステンプラグを用いた多層配線構造を実現することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric element comprising an oxide dielectric film for suppressed oxidization of an electrode and degradation in film characteristics of the oxide dielectrics film.例文帳に追加

電極の酸化や酸化物系誘電体膜の膜特性の劣化を抑制することが可能な酸化物系誘電体膜を用いた誘電体素子を提供する。 - 特許庁

This porcelain of dielectrics comprises BaTiO3, as the main component, Mg, Mn and rare earth elements having specific dielectric constant at 25°C of 4300 or more.例文帳に追加

チタン酸バリウムを主成分とし、マグネシウム、マンガン及び希土類元素を含有するとともに、２５℃における比誘電率が４３００以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent deterioration in the polarization characteristic of a ferroelectrics film or a high dielectrics film constituting a capacitor insulating film even when heat treatment in a reducing atmosphere is applied to a ferroelectrics capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタに対して還元性雰囲気中の熱処理を施しても、容量絶縁膜を構成する強誘電体膜又は高誘電体膜の分極特性が劣化しないようにする。 - 特許庁

The photoresist is exposed from the rear surface with the gate electrode 10 as a mask for patterning, which is used as a mask for etching the second dielectrics layer 19.例文帳に追加

このフォトレジストをゲート電極１０をマスクとして裏面より露光し、パターン化し、これをマスクとして第２誘電体層１９をエッチングする。 - 特許庁

Discharge electrodes 7 covered with dielectrics 6 are arranged opposed to each other in a discharge space 5 which is made by filling discharge gas containing ultraviolet ray radiation gas in the airtight container.例文帳に追加

その気密容器内に紫外線放射ガスを含む放電ガスを封入してなる放電空間５内に、誘電体６で被覆した放電電極７を対向配置する。 - 特許庁

Discharging is made between the electrode 13 and the cleaning electrode 24 to generate plasma and cleaning treatment of the dielectrics 12 is performed with active species in the plasma.例文帳に追加

そして、電極１３と清掃用電極２４との間で放電させることによりプラズマを発生させ、このプラズマ中の活性種により誘電体１２の清掃処理を行なう。 - 特許庁

An MOS field effect transistor comprises a semiconductor substrate (1), whose main component is Si and a gate insulating film (3) comprising a perovskite dielectrics, which is jointed directly on the semiconductor substrate for epitaxial growth.例文帳に追加

Ｓｉを主成分とする半導体基板（１）と、前記半導体基板上に直接接合してエピタキシャル成長されたペロブスカイト誘電体を含むゲート絶縁膜（３）とを具備するＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

To provide an exhaust gas purification device capable of effectively purifying exhaust gas by generating plasma of high discharge power between dielectrics.例文帳に追加

誘電体間に放電電力の高いプラズマを発生させることにより、排気ガスを効果的に浄化することができる排気ガス浄化装置を提供すること。 - 特許庁

A capacitor insulation film comprising an SBT film 7 as an oxide dielectrics film, and a capacitor upper electrode comprising an IrSiN film 8, are provided.例文帳に追加

酸化物系誘電体膜としてのＳＢＴ膜７からなるキャパシタ絶縁膜と、ＩｒＳｉＮ膜８を含むキャパシタ上部電極とを備えている。 - 特許庁

A capacitor insulation film comprising an SBT film (oxide dielectrics film) 15 which is a ferroelectrics film, and a capacitor lower electrode comprising an IrSi film 12 or IrSiN film 13, are provided.例文帳に追加

強誘電体膜であるＳＢＴ膜（酸化物系誘電体膜）１５を含むキャパシタ絶縁膜と、ＩｒＳｉ膜１２またはＩｒＳｉＮ膜１３を含むキャパシタ下部電極とを備えている。 - 特許庁

A lower electrode 110, a capacity insulating film 112 constituted of ferroelectrics or high dielectrics, and an upper electrode 113 are successively formed on a semiconductor substrate 100 so that a capacitor can be constituted.例文帳に追加

半導体基板１００上に、下部電極１１０、強誘電体または高誘電体からなる容量絶縁膜１１２、上部電極１１３を順次形成してキャパシタとする。 - 特許庁

This is the composite dielectrics formed by using a resin composite composed of following inorganic dielectric ceramic particles (A) dispersed in a matrix resin.例文帳に追加

下記の無機質誘電体セラミックス粒子（Ａ）が、マトリックス樹脂中に分散された樹脂組成物を用いて形成されてなる複合誘電体である。 - 特許庁