「ERASION」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

NON-VOLATILE MEMORY STORING ERASION OPERATION INFORMATION例文帳に追加

消去動作情報を記憶する不揮発性メモリ - 特許庁

To realize a nonvolatile semiconductor memory in which threshold voltage after erasion can be controlled highly accurately by predicting an erasion characteristic based on a write-in characteristic, and performing memory erasion conforming to erasion conditions set in accordance with the above.例文帳に追加

書き込み特性に基づき消去特性を予測し、それに応じて設定した消去条件に従ってメモリ消去を行い、消去後のしきい値電圧を高精度に制御できる不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

An erasion characteristic predicting means predicts an erasion characteristic in accordance with correlation between a write-in characteristic previously obtained and an erasion characteristic based on a write-in characteristic of a memory cell, and stores obtained erasion characteristic information in a storage means.例文帳に追加

消去特性推定手段はメモリセルの書き込み特性に基づき、例えば、予め取得した書き込み特性と消去特性との相関関係に応じて消去特性を推定し、得られた消去特性情報を記憶手段に記憶する。 - 特許庁

At the time, the chip control section 200 gives the first potential to any sector in an erasion block, and gives the second potential updated to residual sectors in the erasion block so that a conduction state does not exist as for memory cells belonging to the erasion block and erasion-verify is performed.例文帳に追加

このときチップコントロール部２００は、消去ブロック内のいずれかのセクタに第１の電位を与え、かつ、消去ブロックに属するメモリセルにおいて導通状態となるものがなくなるように更新した第２の電位を、消去ブロック内の残りのセクタに与えて、消去ベリファイを行なう。 - 特許庁

In the flash memory performing write-in and erasion of plural times for each memory cell in a screening test and the like, when erasion-verify is passed at the time of initial write-in/erasion (S105), the number of times of applying of a time required for erasion is stored in a storage region set in a flash memory (S107).例文帳に追加

スクリーニング試験等に複数回の書き込みと消去を各メモリセルに対して行うフラッシュメモリにあって、初回の書き込み・消去の際、消去ベリファイがパスしたとき（Ｓ１０５）、消去に要した印加回数又は時間をフラッシュメモリ内に設定した記憶領域に記憶する（Ｓ１０７）。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which a waiting time is reduced, that is accompanied by erasion processing executed before execution of processing other than erasion for securing a free region when processing other than erasion is executed.例文帳に追加

消去外処理の実行の際、空き領域を確保するために消去外処理の実行前に実行される消去処理に伴う待ち時間を削減する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, erasion information of a memory block unit in which this erasing operation is performed can be stored in the erasion information storing memory region.例文帳に追加

好ましくは、消去情報記憶メモリ領域は、この消去動作が行われるメモリブロック単位の消去情報を記憶することができる。 - 特許庁

To provide a flash EEPROM in which over erasion can be suppressed without performing over erasion for a memory cell already erased.例文帳に追加

既に消去されたメモリセルに過剰な消去を行うことがなく、過消去を抑えることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭを提供する。 - 特許庁

To realize shortening the processing time of automatic erasion, automatic write-in, or the like.例文帳に追加

自動消去，自動書き込み等の処理時間の短縮を実現する。 - 特許庁

It is discriminated by a discriminating section 12 whether a bank performing write-in/erasion and the next bank are same or not when the next bank is taken in during write-in/erasion.例文帳に追加

書き込み／消去中に次のコマンドが取り込まれたとき、書き込み／消去を実行中のバンクと次のバンクが同じか否かを識別部12で識別する。 - 特許庁

Plural blocks are provided commonly with an erasion voltage control circuit 6 for resetting the voltage of the first and the second drive lines after erasion operation of data.例文帳に追加

複数のブロックに共通に、データ消去動作後に第１及び第２の駆動線の電圧をリセットする消去電圧制御回路６が設けられる。 - 特許庁

To provide a game machine in which when a signal indicating erasion of stored contents of a volatile memory is received, a state of commanding erasion of the stored contents of the volatile memory by an erasion-command state holding means can be released.例文帳に追加

揮発性メモリの記憶内容が消去されたことを示す信号を受信したときに、消去指示状態保持手段による前記揮発性メモリの記憶内容の消去を指示する状態を解除できる遊技機を提供する。 - 特許庁

Then, after erasion is performed by a higher erasion discrimination level 1 than a target erasion discrimination level 2, only a memory cell of distribution D1 is rewritten by a lower rewriting discrimination level 1 than the target rewriting discrimination level 2.例文帳に追加

そこで、目標とする消去判定レベル２よりも高い消去判定レベル１で消去を行ったのち、目標とする書き戻し判定レベル２よりも低い書き戻し判定レベル１で分布Ｄ１のメモリセルだけを書き戻す。 - 特許庁

The CPU 11 specifies an erasion drive pattern corresponding to the acquired residual of power, and stores the specified erasion drive pattern in a RAM 13, so as to set it as an erasion drive pattern to be performed.例文帳に追加

そして、ＣＰＵ１１は、取得した電力残量に対応する消去駆動パターンを特定し、特定した消去駆動パターンをＲＡＭ１３に記憶することにより、これを実行する消去駆動パターンとして設定する。 - 特許庁

To provide a write-in/erasion control method for flash memory by which a test time for write-in/erasion can be shortened by eliminating a verification operation at the time of initial eration.例文帳に追加

初期消去時のベリファイ動作をなくし、書き込み・消去動作にかかるテストタイムを短くすることのできるフラッシュメモリの書き込み・消去制御方法を提供する。 - 特許庁

An erasion flag in chain information of history data subjected to erasion operation by a user among history data stored in a sector 1 is rewritten into '0' from '1'.例文帳に追加

セクタ１に記憶された履歴データの中で、ユーザによって削除操作が行われた履歴データはチェーン情報の中の消去フラグが“１”から“０”に書き換えられる。 - 特許庁

Groups of state displays are related in which erasion can be performed for each sector being an erasion unit when a non-volatile memory is erased independently of the sector.例文帳に追加

不揮発メモリを消去する際の消去単位である、各々のセクタに対してそのセクタとは独立して消去可能な状態表示器の組を関連づける。 - 特許庁

Therefore, erasion processing is performed in the other sectors to be erased though it is not complete, a time of normal erasion processing performed after that can be shortened.例文帳に追加

従って、当該他のイレーズ対象セクタは、完全ではないがイレーズ処理が行われ、その後に行われる通常のイレーズ処理の時間を短くすることができる。 - 特許庁

Then the lower limit of the threshold voltage VTH shifted collectively to the range is shifted to a first over-erasion verifying voltage VOEV1 approximate to the erasion verifying voltage VEV.例文帳に追加

この後、ある範囲に一括してシフトされたスレシホールド電圧Ｖ_THの下限を、消去ベリファイ電圧Ｖ_EVに近い第１の過消去ベリファイ電圧Ｖ_OEV1にシフトさせる。 - 特許庁

To protect log information by permitting the forgery and erasion of log information in a computer to be hardly executed.例文帳に追加

計算機のログ情報の改ざん／削除を困難にすることでログ情報を保護する。 - 特許庁

An erasion screen is shown for the received messages (A) with operation of a prescribed key.例文帳に追加

所定のキー操作を行うと、図４（Ａ）の受信メッセージの消去画面に移行する。 - 特許庁

The memory cell array 1 of each memory core is divided into plural blocks Bi for each erasion unit.例文帳に追加

各メモリコアのメモリセルアレイ１は、消去単位毎に複数のブロックＢｉに分割される。 - 特許庁

An environment temp. sensor 69 is attached to a card processor and it is selected whether a heating processing by a preliminary erasion is executed before a prime erasion or only the prime erasion is executed once in the printing layer of the rewritable card C based on the measurement temp. of the sensor 69.例文帳に追加

環境温度センサ６９をカード処理装置に取り付け、該センサ６９の測定温度に基づき、リライタブルカードＣの印字層１に対し、本消去の前に予備消去による加熱処理を施すか、本消去のみの１回とするかを選択する。 - 特許庁

Before erasion operation is performed for the sector, an interruption state is displayed on a state display, also, when erasion operation is finished successfully, its interruption state display is erased.例文帳に追加

そのセクタに対して消去操作を実行する前に、状態表示器に中断状態を表示させ、また消去操作が成功裏に完了するとその中断状態表示を消去する。 - 特許庁

The erasing light sources 60a to 60b are arranged in an erasion part 34, and a temperature sensor 68 detecting the atmospheric temperature in the erasion part 34 is attached to a frame 62.例文帳に追加

消去部３４には、消去用光源６０ａ〜６０ｄが配置されるとともに、この消去部３４内の雰囲気温度を検出する温度センサ６８がフレーム６２に装着される。 - 特許庁

After that, the lower limit of the threshold voltage VTH shifted to the first over-erarsion verifying voltage VOEV1 is further shifted to a second over-erasion verifying voltage VOEV2 approximate to the erasion verifying voltage VEV.例文帳に追加

この後、第１の過消去ベリファイ電圧Ｖ_OEV1にシフトされたスレシホールド電圧Ｖ_THの下限を、さらに消去ベリファイ電圧Ｖ_EVに近い第２の過消去ベリファイ電圧Ｖ_OEV2にシフトさせる。 - 特許庁

The memory cell array 1 is provided with a core selecting means selecting cores of arbitrary numbers to perform write-in/erasion of data, data is written in a selected memory cell in a selected core based on a write-in command, and data erasion of a selected block in a selected core is performed based on an erasion command.例文帳に追加

データ書き込み／消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段を備え、書込みコマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行い、消去コマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行う。 - 特許庁

The memory cell array is provided with a core selecting means selecting the arbitrary number of cores to perform write-in/erasion of data, thereby the data are written in the selected memory cell in a core selected based on a write-in command, and data erasion of a selected block in a selected core is performed based on an erasion command.例文帳に追加

データ書き込み／消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段を備え、書込みコマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行い、消去コマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行う。 - 特許庁

When an erasion switch 42s is pushed down, the stored contents of the RAMs 41c, 43c, 44c, 45c, and 46c of each board are erased.例文帳に追加

消去スイッチ４２ｓを押下した場合は、各基板のＲＡＭ４１ｃ，４３ｃ，４４ｃ，４５ｃ，４６ｃの記憶内容を消去する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which the erasion of blocks is normally realized and the influence of disturbance is suppressed as much as possible even if there exists a dispersion of erasion characteristics per sector.例文帳に追加

セクタ毎の消去特性にばらつきがあっても、ブロック消去を正常に実現し、かつディスターブの影響をできるだけ小さくすることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To perform efficiently erasion of a memory which cannot be overwritten and cannot be erased with a byte unit.例文帳に追加

上書きができず、また、バイト単位で消去することができないメモリの消去を効率的に行うこと。 - 特許庁

A broadcasting program whose erasion is not desired in the automatic overwriting prohibiting region is never be erased freely.例文帳に追加

自動上書き禁止領域の消去したくない放送番組が勝手に消去されることはない。 - 特許庁

Thus, the surface pressure of an abutting part frictionally contacting with the surface of a paper can be risen, resulting in facilitating the adsorption and erasion of a holograph and allowing to prevent the erasion and erasure of writing characters and the rubbing surface of the eraser from being stained.例文帳に追加

紙面と摩擦接触する当接部の面圧を上げることができ筆跡の吸着・消去が容易になると共に、筆記文字の消去・消失跡並びに消しゴムの摩擦面も汚れることがない。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory and its control method in which a desired data erasion state can be obtained by solving problems caused by convergence operation for dissolving an over erasion state.例文帳に追加

過消去状態を解消するための収束動作に伴う不都合を解決して、所望のデータ消去状態を得ることができるようにした不揮発性半導体メモリとその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device and its data write-in method by which exact write-in and erasion can be performed.例文帳に追加

確実な書き込み及び消去を可能とした不揮発性メモリ装置とそのデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To effectively preserve data by preventing erasion of the data despite failures of plural hard disks.例文帳に追加

複数台のハードディスクが故障した場合にもデータの消失を防止してデータの保全を効率よく行うこと。 - 特許庁

To provide an erasing method of a flash memory element by which erasion can be performed with a byte unit or a word unit.例文帳に追加

バイトまたはワード単位で消去を行なうことができるフラッシュメモリ素子の消去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory that an erasion processing time can be shortened in the case of erasing plural sectors.例文帳に追加

複数のセクタをイレーズする場合のイレーズ処理時間を短くすることができる不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

Algorithm for erasion of a byte erasing block 600B is different from that of a sector erasable block 600A, but each page erasion can be performed by applying pulse sequence of voltage for erasion increased by stages.例文帳に追加

本装置の単一供給電圧と反対の極性のブーストした電圧が消去フェーズ期間中に該行デコーダによって選択された単一のワード線へ印加され、該ブロックの全てのセルの共通ソースに対して及び該ブロックの全てのセルを包含する基板の分離領域に対してブーストした電圧を印加することによって該情報を頁消去する。 - 特許庁

Each block Bi is provided with an erasion load decoding circuit 4 outputting positive voltage to a first drive line connected to a substrate region of a block selected at the time of erasion of data and a negative voltage decoding circuit 5 outputting negative voltage to a second drive line connected to a control gate of a memory cell of a block selected at the time of erasion of data.例文帳に追加

各ブロックＢｉ毎に、データ消去時に選択されたブロックの基板領域につながる第１の駆動線に正電圧を出力する消去負荷デコード回路４と、データ消去時に選択されたブロックのメモリセルの制御ゲートにつながる第２の駆動線に負電圧を出力する負電圧デコード回路５とが設けられる。 - 特許庁

To provide a flash memory having plural cores being assembly of a block being a unit of data erasion, and in which data write-in operation or erasion operation in an arbitrary core and data read-out operation in the other arbitrary core can be performed simultaneously.例文帳に追加

データ消去の単位となるブロックの集合である複数のコアを有し、任意のコアでのデータ書込み又は消去動作と、他の任意のコアでのデータ読出し動作との同時実行を可能としたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory having a plurality of cores being assembly of a block being a unit of data erasion, and in which a data write-in operation or erasion operation in an arbitrary core and data read-out operation in the other arbitrary core can be performed simultaneously.例文帳に追加

データ消去の単位となるブロックの集合である複数のコアを有し、任意のコアでのデータ書込み又は消去動作と、他の任意のコアでのデータ読出し動作との同時実行を可能としたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

Consequently, as influence by a memory cell in which depletion is serious is dissolved and threshold voltage distribution is made distribution D7, after erasion is performed by the erasion discrimination level 2, only memory cells in which depletion are slight are rewritten by a rewriting discrimination level 2.例文帳に追加

その結果、深いデプリーションのメモリセルによる影響が解消されて閾値電圧分布が分布Ｄ７となるため、消去判定レベル２で消去を行ってから書き戻し判定レベル２で浅いデプリーションのメモリセルだけを書き戻す。 - 特許庁

On and after the next time, initial information stored in the storage region is read out at the time of erasion processing (S202), an applying time of an applied pulse of the next time is set based on this information (S204), and erasion-verify is performed (S205).例文帳に追加

次回以降においては、消去処理時に記憶領域に記憶した初回の情報を読み出し（Ｓ２０２）、この情報に基づいて次回の印加パルスの印加時間を設定（Ｓ２０４）し、消去ベリファイを実行する（Ｓ２０５）。 - 特許庁

EXECUTION METHOD FOR PROGRAM VERIFICATION OPERATION, EXECUTION METHOD FOR ERASION VERIFICATION OPERATION, CONTROL CIRCUIT FOR DETECTING TIME, AND FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

プログラム検証動作の実施方法、消去検証動作の実施方法、検出時間制御回路、およびフラッシュメモリデバイス - 特許庁