「Film 24」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The unsealing part 24 may be formed by partially printing on the side rim of the film 4 by a hot printer before packaging.例文帳に追加

開封部２４は、フィルム４の側縁部に対して、包装前に部分的にホットプリンタによる印刷を施したものでも良い。 - 特許庁

A prescribed molten resin introducing component 24 is temporarily fixed onto the reverse face film 12 brought into tight contact with the fixed side molding die 22.例文帳に追加

また、固定側金型２２側に密着させた裏面フィルム１２に所定の溶融樹脂導入部品２４を仮固定させる。 - 特許庁

A liquid crystal display device 1 includes a plurality of light sources 21, a light diffusing plate 24, an optical film 262, and a liquid crystal panel 10.例文帳に追加

液晶表示装置１は、複数の光源２１、光拡散板２４、光学フィルム２６２及び液晶パネル１０を備える。 - 特許庁

An internal space 24 is fed with silane, or the like, and silane, or the like, is introduced into the film formation treating space through the diffusion holes 26.例文帳に追加

内部空間２４にはシラン等が供給され、シラン等は拡散孔を通して成膜処理空間に導入される。 - 特許庁

The film 14 is released by a releasing device 30 to give gloss paper having the overcoated layer 28 on the substrate 24.例文帳に追加

剥離装置３０でフィルム１４を剥離することにより、基材２４上にオーバーコート層２８が形成された光沢紙を得る。 - 特許庁

The intrusion of water vapor or the like is prevented by the Si_3N_4 film 24, and thus, the Ti_xO_y films 23 of light-absorbing layers are prevented from be deteriorated.例文帳に追加

Ｓｉ_3Ｎ_4膜２４により水蒸気等の浸入を防止し、光吸収層のＴｉ_xＯ_y膜２３の劣化を防止する。 - 特許庁

The translucent pixel electrode 24 is connected to an overhung part 760b of the second metal film 76b in the aperture 230.例文帳に追加

透光性画素電極２４は、第２金属膜７６ｂの開口部２３０内への張り出し部分７６０ｂに接続している。 - 特許庁

The optical reflection film 24 covers the surface of the recess 28 to extend up to a position coming in contact with or in the proximity of the condenser lens 29.例文帳に追加

光反射膜２４は凹部２８の表面を覆って集光レンズ２９に接触又は近接する位置まで延在する。 - 特許庁

Thereby, a thin film transistor 24, a pixel electrode 28 and an auxiliary capacitance electrode 32 are separated, and the darkening can be ensured.例文帳に追加

これによって、ＴＦＴ２４と画素電極２８および補助容量電極３２が切り離され、確実に暗点化が行える。 - 特許庁

An insulating film 51 is arranged between the metal plate 24 and the metal diaphragm 20, and the withstand voltage performance between both members is secured.例文帳に追加

金属板２４と金属ダイアフラム２０との間には絶縁フィルム５１が配置され、両者間の耐電圧性能が確保される。 - 特許庁

The film manufacturing device 10 has guide rollers 36A to 36D mounted between a drive drum 24 and a driven drum 26.例文帳に追加

本発明に係るフィルム製造装置１０は、駆動ドラム２４と従動ドラム２６の間に、ガイドローラ３６Ａ〜３６Ｄが設けられている。 - 特許庁

The water 44 and a washing liquid 49 stored in a washing tank 24 form a liquid film on the peripheral face of the grease filter 23.例文帳に追加

洗浄槽２４に貯留した洗浄液４９と水４４とでグリスフィルタ２３の外周面に液膜を形成する。 - 特許庁

After coated, the phosphor film 24 is formed by heat treatment of the phosphor liquid in the concave 28.例文帳に追加

蛍光体液１０の塗布後に、凹部２８内の蛍光体液１０を熱処理することによって蛍光体膜２９を形成する。 - 特許庁

The thin-film magnetic head element 22 is arranged close to the second surface 24 of the substrate 1 and closet to the air bearing surface 30.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッド素子２２は、基板１の第２の面２４の近傍であってエアベアリング面３０の近傍に配置されている。 - 特許庁

An impurity 27 is then introduced into the semiconductor layer 24 via the insulating film 25 on conditions based on the result of the measurement.例文帳に追加

そして、前記測定の結果に基づく条件で、絶縁膜２５を介して半導体層２４に不純物２７を導入する。 - 特許庁

A packaged body is manufactured by seal-cutting the film in the transverse direction by an end seal apparatus 24 installed on the carry-out side.例文帳に追加

そして搬出側に設置されたエンドシール装置２４でフィルムを横方向にシール・カットすることにより、包装体を製造する。 - 特許庁

When laminating of wiring pattern layers completes on the front surface side of the substrate 11, a conduction hole 29 is formed at the protective film 24.例文帳に追加

基板１１の表面側で配線パターン層の積層が完了すると、保護膜２４に導通用穴２９が形成される。 - 特許庁

Heater blocks 24 having the given length dimension in the film transfer direction are provided between the follower pulleys 17 and the driving pulleys 21.例文帳に追加

従動プーリ１９と駆動プーリ２１との間に、フィルム移送方向に所定長さ寸法を有するヒータブロック２４が配設される。 - 特許庁

The thin film transistor T contains a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25, and the channel forming region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル形成領域２６を含んでいる。 - 特許庁

Silane or the like are fed to an internal space 24, and the silane or the like are introduced into the film deposition treatment space through the diffusion holes.例文帳に追加

内部空間２４にはシラン等が供給され、シラン等は拡散孔を通して成膜処理空間に導入される。 - 特許庁

A pixel part 100 of a liquid crystal display device contains a thin film transistor T, a source line 26, a color filter 23 and a pixel electrode 24, etc.例文帳に追加

液晶表示装置の画素部１００は、薄膜トランジスタＴ、ソース線２６、カラーフィルタ２３、画素電極２４などを含む。 - 特許庁

The ceramic substrate material for a thin film magnetic head comprises 24-75 mol% of a first phase and a remaining part of a second phase.例文帳に追加

本発明の薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料は、２４〜７５ｍｏｌ％の第１相および残部の第２相を含む。 - 特許庁

A capacitor (10) includes a dielectric layer formed of a polyetherimide film (22) having at least one fluorinated surface (24).例文帳に追加

１以上のフッ素化表面（２４）を有するポリエーテルイミドフィルム（２２）製の誘電体層を含んでなるコンデンサ（１０）を開示する。 - 特許庁

An amorphous silicon thin film 17 of a glass substrate 16 placed on a stage 24 is irradiated with a laser beam B from a laser oscillator 21.例文帳に追加

レーザ発振器２１からのレーザビームＢを、ステージ２４上のガラス基板１６のアモルファスシリコン薄膜１７に照射する。 - 特許庁

The lens sheet 17 used for backlight includes a base film 21, a lenticular lens layer 22, a prism layer 23 and a filler layer 24.例文帳に追加

バックライトに用いられるレンズシート１７は、ベースフィルム２１と、レンチキュラレンズ層２２と、プリズム層２３と、充填層２４とを備える。 - 特許庁

Insulating layers 23, 24 fill spaces between the magnetic domain control films 21, 22 and electrode films 25, 26, and other space between the electrode films 25, 26 and th GMR film 30.例文帳に追加

絶縁層２３、２４は、磁区制御膜２１、２２と、電極膜２５、２６及びＧＭＲ膜３０との間を埋めている。 - 特許庁

The flow velocity detecting element 24 is arranged inside a recessed part 33 of the wiring board 25, and an upper face thereof is protected by a protection film 43.例文帳に追加

流速検出素子２４は配線基板２５の凹部３３内に配設され、上面が保護膜４３によって保護されている。 - 特許庁

The covers 22 to 24 prevent the main hearth 21 and an auxiliary anode 6 from causing a short circuit due to a deposit (D) of the film-forming material (Ma).例文帳に追加

カバー２２〜２４は、成膜材料Ｍａの堆積物Ｄによる主ハース２１と補助陽極６との短絡を防止する。 - 特許庁

A first-stress relaxing film 28a is formed in a gap 24 between the silicon mixed crystal layer 23 and the first sidewall 19A.例文帳に追加

シリコン混晶層２３と第１のサイドウォール１９Ａとの隙間２４には、第１の応力緩和膜２８ａが形成されている。 - 特許庁

By using plasma dry etching treatment which uses only oxygen gas, production of a cured film of the resist 24 for the pad window aperture is reduced.例文帳に追加

また、酸素ガスのみを用いたプラズマドライエッチング処理によって、パッド窓開口用レジスト２４の硬化膜の生成を低減する。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 includes a plurality of light sources 21, the light diffuser 24, an optical film 262 and a liquid crystal panel 10.例文帳に追加

液晶表示装置１は、複数の光源２１、光拡散板２４、光学フィルム２６２及び液晶パネル１０を備える。 - 特許庁

The movable roller is set movable so that it moves closer to or away from with respect to the rollers 21-24 for guiding the film.例文帳に追加

可動ローラー部は、固定ローラー２１−２４に対して近接および離反するように可動的に設けられ、フィルムを案内する。 - 特許庁

Then, an inorganic film 24 of an amorphous ceramic is formed on the copper oxide layer so that the top parts of the projected parts are exposed.例文帳に追加

次に、銅酸化物層上に突起の頂部が露出するように非晶質セラミックスからなる無機皮膜２４を形成する。 - 特許庁

A cellulose acylate resin is melted in a twin-screw extruder 22 and extruded from a die 24 to form the cellulose acylate film 12.例文帳に追加

セルロースアシレート系樹脂を二軸スクリュー型の押出機２２で溶融し、ダイ２４から押し出してセルロースアシレートフィルム１２を製膜する。 - 特許庁

The oxide layer 24 can be formed by an oxygen plasma treatment step which exposes the surface of the alloy film 23 to oxygen plasma.例文帳に追加

酸化層２４は、合金膜２３の表面を、酸素プラズマに曝す酸素プラズマ処理工程によって形成することができる。 - 特許庁

The organic insulating film can be formed of a material having an absorption rate of 0.5% or less for 24 hours at a room temperature.例文帳に追加

前記有機絶縁膜は、室温で２４時間の吸収率が０．５％以下の材料から形成されるようにしてもよい。 - 特許庁

Concretely, as the separator 24, for example, an insulating thin film having a large ion permeability and a prescribed mechanical strength is used.例文帳に追加

セパレータ２４としては、例えば、イオン透過度が大きく、所定の機械的強度を有する絶縁性の薄膜が用いられる。 - 特許庁

The operation lever 28 is configured to switch the ink ribbon clamping part 36 to clamp or release the ink ribbon film 24.例文帳に追加

操作レバー２８は、インクリボン挟持部３６によるインクリボンフィルム２４の挟持または解除を切り換え可能に構成される。 - 特許庁

An oscillation member 20 of the electronic apparatus 300 is made up of the piezoelectric film 22, the first electrode 24, and the second electrode 26.例文帳に追加

そして圧電フィルム２２，第１電極２４，第２電極２６により、電子機器３００の発振部材２０が構成されている。 - 特許庁

The piezoelectric actuator is constructed so that an electric field decreases towards the periphery of an active part at a peripheral edge of the active part of a piezoelectric film 24.例文帳に追加

圧電膜２４の活性部の周縁において電界が活性部の外周にいくに従って低下する構造とした。 - 特許庁

When the tray 12 stops, light is emitted from a light source 22, and a film F is irradiated with the light in a live shape via a cylindrical lens 24.例文帳に追加

トレー１２の停止時、光源２２から光を射出し、シリンドリカルレンズ２４を介して、フィルムＦをライン状に照射する。 - 特許庁

In the color filter substrate 10, the color filter 35 is formed on a substrate 24 and the functional film 36 is formed on the color filter 35.例文帳に追加

基板２４上にカラーフィルタ３５を形成し、カラーフィルタ３５上に機能性膜３６を形成したカラーフィルタ基板１０である。 - 特許庁

The film thickness of the section which is gripped by the clips of this unstretched film is regulated to become thicker by 10-300% than the film thickness of the section which adjoins the clip gripping section at the film center section side by a film-thickness regulation means arranged in the transverse direction of a die 24.例文帳に追加

溶融流延製膜法で製膜された未延伸フィルムの両端をクリップで把持して幅手方向に延伸する連続的な光学フィルムの製造方法であり、該未延伸フィルムのクリップに把持される部分のフィルム厚みが、フィルム中央部側でクリップ把持部分に隣接する部分のフィルム厚みより１０〜３００％厚くなるように、ダイ24の幅手方向に配置された膜厚調整手段により調整する。 - 特許庁

A plurality of electrode pads 24 are formed in arrays in a peripheral edge part of an active surface 121a of a semiconductor device 121, and a passivation film 26 as a protective film is formed throughout the active surface of the semiconductor device 121, and openings 26a of the passivation film 26 are formed on surfaces of respective electrode pads 24.例文帳に追加

半導体装置１２１の能動面１２１ａの周縁部には、複数の電極パッド２４が配列形成され、半導体装置１２１の能動面全体に保護膜としてのパッシベーション膜２６が形成されており、上述した各電極パッド２４の表面に、パッシベーション膜２６の開口部２６ａが形成されている。 - 特許庁

The dielectric material film capacitor 20 comprises a lower electrode 22 in the thickness of 10 to 100 nm formed of a material including platinum, a dielectric material film 24 formed on the upper part of the lower electrode 22 and including an oxide having the type ABOx peroviskite structure, and an upper electrode 26 provided on the upper part of the dielectric material film 24.例文帳に追加

誘電体膜キャパシタ２０は、白金を含む材料からなる、膜厚１０〜１００ｎｍの下部電極２２と、下部電極２２の上方に設けられた、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する酸化物を含む誘電体膜２４と、誘電体膜２４の上方に設けられた上部電極２６と、を含む。 - 特許庁