「Film 24」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The plurality of device withstand voltages and good on-resistance are achieved on the same wafer by separately optimizing thicknesses of a first electric field relaxing oxide film 24, a second electric field relaxing oxide film 25, and an element separation LOCOS (Local Oxidation of Silicon) oxide film 17.例文帳に追加

第１電界緩和用酸化膜２４と第２電界緩和用酸化膜２５と素子分離用ＬＯＣＯＳ酸化膜１７の膜厚を別々に最適化することにより、同一ウエハにおいて複数のデバイス耐圧と良好なオン抵抗を実現する。 - 特許庁

When a first Al alloy wire 2 is formed by a two-step sputtering method, a lower Al alloy film 23 is formed by first-step sputtering, and subsequently a W film 24 is formed directly on the surface of the film 23 by sputtering.例文帳に追加

１ｓｔＡｌ合金配線２を２ステップスパッタ法により形成する際、１ｓｔステップスパッタにより、下側Ａｌ合金膜２３を成膜し、続いて、スパッタにより、下側Ａｌ合金膜２３の表面上に、直接、Ｗ膜２４を成膜する。 - 特許庁

In the reflection mirror 10, a gold coating film 26 whose thickness is 10nm is formed on the side of the ion conductive coating film 24 of a conductive reflection film 16 formed of aluminum or the like, and is made to react on a hydroxyl group produced in electrolysis.例文帳に追加

本反射鏡１０では、アルミニウム等で形成された導電性反射膜１６のイオン導電性被膜２４側に厚さ１０ｎｍの金薄膜２６を形成して、この金被膜２６が電気分解で生じた水酸基と反応する構成とした。 - 特許庁

A conductive thin film 14 is formed on a first electrode 24 connected to the wiring 18 and a second electrode 25 connected to the wiring 17, while an electron emission part 13 formed on the conductive thin film 14 is arranged on the barrier film 15.例文帳に追加

配線１８に接続する第１電極２４と配線１７に接続する第２電極２５とに導電性薄膜１４を形成し、導電性薄膜１４に形成された電子放出部１３が、バリア膜１５の上に配置されている。 - 特許庁

After a lower electrode 21 of the electrostatic capacitor and second layer wiring 22 are formed at the same time on a first interlayer insulating film 17, an opening 34 is formed in a second interlayer insulating film 24 deposited on the first interlayer insulating film 17.例文帳に追加

第１層間絶縁膜１７上に静電容量素子の下部電極２１と第２層配線２２とを同時に形成した後、第１層間絶縁膜１７上に堆積した第２層間絶縁膜２４に開口部３４を形成する。 - 特許庁

An added gas containing oxygen or nitrogen is introduced into a vacuum tub 13 in which a film deposition object 21 is arranged, a copper target 11 containing additive elements such as Zr and the like is sputtered, and a barrier film 24 is formed on a surface of an aluminum film 23.例文帳に追加

成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。 - 特許庁

This IC chip packaging structure 3 is constituted by packaging the IC chip 19 having bumps 23 on a substrate 18 having metallic film patterns 22 by an ACF(anisotropic conductive film) 24 in such a manner that the bumps 23 and the metallic film patterns 22 are conducted and connected to each other.例文帳に追加

バンプ２３を備えたＩＣチップ１９を金属膜パターン２２を備えた基板１８上に、バンプ２３と金属膜パターン２２とが互いに導電接続するように、ＡＣＦ２４によって実装して成るＩＣチップの実装構造３である。 - 特許庁

The laterally sealing mechanism is equipped with a heater bar 21 and a heater bar receiver 24 in an opposed arrangement with a cylindrical form film 1' in between them, while the pair of members are made to sandwich the cylindrical form film in for heat-sealing, thus performing a tight sealing of the cylindrical form film 1'.例文帳に追加

本発明に係る横シール機構は、筒状フィルム１’を間において対向配置されたヒータバー２１およびヒータバー受け２４を備え、これら一対の部材で筒状フィルムを挟み込み熱シールすることで、筒状フィルム１’の密封を行う。 - 特許庁

The lens sheet 17 includes a base film 21, a lenticular lens layer 22 formed on the surface 211 of the base film 21, a prism layer 23 formed on the surface 212 of the base film 21, and a filling layer 24 filling the surface of the prism layer 23.例文帳に追加

レンズシート１７は、ベースフィルム２１と、ベースフィルム２１の表面２１１上に形成されるレンチキュラレンズ層２２と、ベールフィルム２１の表面２１２上に形成されるプリズム層２３と、プリズム層２３の表面に充填される充填層２４とを備える。 - 特許庁

Substrate dependence disappears and proper embedding characteristics are obtained by forming the silicon oxide film 24 on a silicon nitride film 23 with low-film density formed so as to cover a gate electrode 21 in an atmosphere of O_3/TEOS at 500°C or lower.例文帳に追加

ゲート電極２１を覆うように形成された膜密度が低いシリコン窒化膜２３上に、Ｏ_３ ／ＴＥＯＳ雰囲気中でシリコン酸化膜２４を５００℃以下の温度で成膜することにより、下地依存性が消失し優れた埋め込み特性が得られる。 - 特許庁

First and second lower film guide plates 23 and 24 are disposed at openings 21a and 21b formed at a guide rail 21 constituting a conveyance path of the package film 1, and the respective lower film guide plates are supported against the guide rail 21 via a rubber cushion 30.例文帳に追加

容器フィルム１の搬送路を構成するガイドレール２１に設けられた開口部２１ａ，２１ｂに、第１，第２下側フィルムガイド板２３，２４を配置し、各下側フィルムガイド板をガイドレール２１に対して防振ゴム３０を介して支持する。 - 特許庁

The heat-shrinkable film 4 which cylindrically wraps a commodity 8 is equipped with an unsealing part 24 for unsealing the package on part of a side rim of the film 4 located outside a region where both side rims of the film 4 overlap under a hermetic condition.例文帳に追加

熱収縮性フィルム４により商品８を筒状に巻いて包装したフィルム４の、両側縁部同士が密着状態で重なり合う部分の外側に位置したフィルム側縁部の一部に、包装を開封するための開封部２４を備える。 - 特許庁

An element separating region 24 comprising the first shallow buried element isolation insulating film 22 and the second buried element isolation insulating film 23 deeper than the first insulating film 22 is formed on the surface of a P type silicon substrate 11.例文帳に追加

たとえば、Ｐ型シリコン基板１１の表面部に、浅い第一の埋め込み素子分離絶縁膜２２と、この第一の埋め込み素子分離絶縁膜２２よりも深い、第二の埋め込み素子分離絶縁膜２３とからなる素子分離領域２４を形成する。 - 特許庁

The thin film transistor 10 is provided with a semiconductor layer 22, a gate insulation film 21, a gate electrode 20, a source electrode 23, and a drain electrode 24 on the precondition that the thin film transistor 10 is provided above an organic resin layer 15 which a substrate 14 to be processed includes.例文帳に追加

半導体層２２と、ゲート絶縁膜２１と、ゲート電極２０と、ソース電極２３と、ドレイン電極２４とを具備する薄膜トランジスタ１０であって、被処理基板１４が有する有機樹脂層１５の上方に設けることを前提とする。 - 特許庁

A storage node 1 connected electrically to one of source/drain regions 12 of a MOS transistor 20 is formed along a sidewall and a bottom wall of an aperture 6 formed in a silicon nitride film 24, a BPTEOS film 4 and a TEOS film 5.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ２０のソース／ドレイン領域１２の一方に電気的に接続されたストレージノード１は、シリコン窒化膜２４、ＢＰＴＥＯＳ膜４およびＴＥＯＳ膜５に設けられた開口部６の側壁および底壁に沿って形成されている。 - 特許庁

This invention relates to the package of processed rice food comprising an outer film 10 provided with a cutting means in longitudinal direction, and the inner film 20 overlapped with the outer film 10 intervening the sheet of dried laver 1, and the periphery 14, 24 of both films are sealed S.例文帳に追加

本米飯加工食品の包装体は、長さ方向に切断手段が設けられた外フィルム１０と、海苔１を介して外フィルム１０に重ね合わされる内フィルム２０とを備え、両フィルムの外周縁部１４，２４がシールＳされている。 - 特許庁

The electrooptical device has a substrate 7a supporting a liquid layer 12 on a surface where a first uneven pattern 10 is provided, a resin film 23 provided between the substrate 7a and liquid crystal layer 12, and a light reflecting film 24 provided on the resin film 23.例文帳に追加

第１凹凸パターン１０備えた面で液晶層１２を支持する基板７ａと、基板７ａと液晶層１２との間に設けられた樹脂膜２３と、樹脂膜２３の上に設けられた光反射膜２４とを有する電気光学装置である。 - 特許庁

In the multiplayer printed-wiring board, the IC chip 20 is located in a core board 30 in advance, a transition layer 38 consisting of a first thin film layer 33, a second thin film layer 36, and a thick film 37 are located on a copper die pad 24 of the IC chip 20.例文帳に追加

多層プリント配線板は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０の銅製のダイパッド２４には、第１薄膜層３３，第２薄膜層３６、厚付け膜３７からなるトラジション層を３８を配設させている。 - 特許庁

The light passing through the i-type InGaAs photo-absorption layer 24, in light incident from the p-type diffusion region 32, is reflected to the i-type InGaAs photo-absorption 24 by the reflector layer 23, and a film thickness of the i-type InGaAs photo-absorption layer 24 may increase in appearance.例文帳に追加

ｐ型拡散領域３２より入射した光のうち、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４を通過した光は、反射鏡層２３によりｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４に反射され、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４の膜厚が見かけ上増加する。 - 特許庁

To present 24 frames per second film via a 60 Hz television system with the "look" of a 72 Hz cinemetric projector, a judder oscillator is set to generate a 24 Hz sinewave having a peak amplitude equal to 38.5% of the time difference between 24 Hz frames.例文帳に追加

２４フレーム／秒の映画フィルムを６０Ｈｚのテレビジョンシステムを介して７２Ｈｚのプロジェクタの「外見」で表示しようとする場合、２４Ｈｚフレーム間の時間差の３８．５％に等しいピーク振幅を有する２４Ｈｚの正弦曲線を生成するようにジャダー発振器の設定を行う。 - 特許庁

The nozzle substrate has nozzle holes to eject droplet to a silicon substrate 60 and sequentially formes a first protection film 24 that is composed of a conductive oxide from a surface of the nozzle holes 10 where droplet is ejected to inner wall of the nozzle holes 10, and formes a second protection film 26 that is composed of oxide cladding the first protection film 24.例文帳に追加

ノズル基板は、シリコン基材６０に液滴を吐出するためのノズル孔１０を有し、ノズル孔１０の液滴吐出側の面からノズル孔１０の内壁まで導電性酸化物からなる第１の保護膜２４を連続して形成し、第１の保護膜２４を被覆する酸化物からなる第２の保護膜２６を形成した。 - 特許庁

A thin-film circuit component 10 has: a glass ceramic substrate 12; thin-film circuits 26 and 28 provided on a surface 12a of the glass ceramic substrate 12; a via electrode 24 that penetrates the glass ceramic substrate 12; and a terminal electrode 22 provided on a surface 12b of the glass ceramic substrate 12 and electrically connected to the thin-film circuits 26 and 28 via the via electrode 24.例文帳に追加

ガラスセラミックス基板１２と、ガラスセラミックス基板１２の面１２ａ側に薄膜回路２６，２８と、ガラスセラミックス基板１２を貫通するビア電極２４と、ガラスセラミックス基板１２の面１２ｂ側に該ビア電極２４を介して薄膜回路２６，２８と電気的に接続された端子電極２２と、を備える薄膜回路部品１０。 - 特許庁

The extension film 24 of the extension part 6 is reliably prevented from being stuck onto a lamp lens 4, by the protrudely printed film pattern 55 of the irregular part, so as to prevent the appearance from getting worse by the sticking of the extension film 24 of the extension part 6 on the lamp lens 4, and the appearance is thereby improved.例文帳に追加

この結果、この発明は、凹凸部の凸印刷膜パターン５５により、延長部６の延長用フィルム２４がランプレンズ４に貼り付くことを確実に防止することができ、延長部６の延長用フィルム２４がランプレンズ４に貼り付くことによる外観不良不具合を防止することができ、見栄えを向上させることができる。 - 特許庁

This film forming apparatus is constituted of a laser oscillator 24, the gas generating film 20 wound around two cylindrical winders 21 and irradiated with laser beam to be gasified, the transparent substrate 22 provided between the gas generation film 20 and the laser oscillator 24 and pervious to laser beam and a gas jet nozzle 23 for efficiently ejecting a chemical liquid to the generated gas.例文帳に追加

レーザ発振器２４と、円筒状の二つの巻き取り器２１に巻かれ，レーザ照射によりガス化するガス発生膜２０と、ガス発生膜２０とレーザ発振器２４との間に設けられ、レーザ光に対して透明な透明基板２２と、発生したガスを薬液に対して効率よく噴射させるガス噴出ノズル２３とから構成されている。 - 特許庁

In a unit pixel which includes a thin film light emitting element 11 whose luminance depends upon a drive current and a transistor 24 which drives the thin film light emitting element 11 in a region where the drain current changes constantly against the changes of a drain voltage, the voltage at one end of the thin film light emitting element 11 which is connected to the transistor 24 is detected at a voltage indicator 25.例文帳に追加

輝度が駆動電流に依存する薄膜発光素子１１と、ドレイン電圧の変化に対するドレイン電流の変化が一定となる領域で薄膜発光素子１１を駆動するトランジスタ２４とを含む単位画素において、当該トランジスタ２４に接続される薄膜発光素子１１の一端の電圧を電圧計２５で検出する。 - 特許庁

An anti-adhesion treatment of the film is performed on surfaces of the bag-making wing 56, the side plates 20, the introduction plate 32, the swing plate 24, the fixed plates 16, a guide plate or the like on which the film F passes through in contact.例文帳に追加

フィルムＦが接触通過する製袋翼５６、側板２０、導入プレート３２、揺動プレート２４、固定プレート１６および案内板等の表面に、フィルムの粘着防止処理が施される。 - 特許庁

The sheet retaining member 103 is moved close to the film support member 102 and, thereby, the sheet 26 which is retained by the sheet retaining member 103 is superimposed on the web film 2 to cause the seal agent 24 to cause a fixing action.例文帳に追加

シート保持部材１０３をフィルム支持部材１０２に接近させてシート保持部材１０３に保持されたシート２６をウェブフィルム２上に重ね合わせ、シール剤２４に固定作用を生じさせる。 - 特許庁

A cylindrical label 30 is formed by mutually bonding a first film 12 and a second film 14 with a plurality of linear adhesive parts 20 and 22, and a breaking perforation 24 is provided.例文帳に追加

筒状体ラベル３０は、第１フィルム１２と第２フィルム１４とが、複数のライン状接着部２０，２２によって相互に接着されて形成されていて、開封用のミシン目２４が設けられる。 - 特許庁

In an infrared-ray heater 10, an electrode tip part 24A of the power-feeding terminal 24 is pressure contacted by an electrode thin film 22, through which 22, a current is made to flow in a resistive element thin film 20.例文帳に追加

赤外線ヒーター１０において、給電端子２４の電極先端部２４Ａが電極薄膜２２に圧接されるて、電極薄膜２２を介して抵抗体薄膜２０に電流を流す。 - 特許庁

Surface treatment is applied to the surface 21 opposite to the surface thermally fusion-bonded to the first synthetic resin film of the second synthetic resin film and the surface 21 has a region visually confirmed as display (display region 24).例文帳に追加

前記第二の合成樹脂フィルムの前記第一の合成樹脂フィルムと熱融着された面の背面２１が表面処理を施され、表示として視認される領域（表示領域２４）を有する。 - 特許庁

A separating device includes an upper laminate roller 3 and a lower laminate roller 6 for adhering a dry resist film 24 onto a substrate 30, a winding roller 4 for winding a protecting film 25, a separation guide 5 and a cooling pipe 8.例文帳に追加

剥離装置は、ドライレジストフィルム２４を基板３０に貼着する上ラミネートローラ３および下ラミネートローラ６、保護フィルム２５を巻き取る巻取ローラ４、剥離ガイド５、冷却管８等を備えている。 - 特許庁

In the state that the film roll is attached and fixed, a cap member 23 is pressed to the hollow holding cylinder 11 by the operation of the handle 14 via a brake pad 24, thus preventing the film roll from being loosened.例文帳に追加

フィルムロールの装着・固定状態で、ハンドル１４の操作によって、ブレーキパッド２４を介してキャップ部材２３を中空保持筒１１に押し当てることにより、フィルムロールの弛みが防止される。 - 特許庁

A plating resist layer 40 is formed on the conductive film 30 to have an opening 42 where the conductive film 30 is exposed partially at the upper portion of the inner surface and bottom surface of the recess 24 in the resin layer 20.例文帳に追加

樹脂層２０の凹部２４の内側面及び底面上方で導電膜３０の一部が露出する開口４２を有するようにメッキレジスト層４０を導電膜３０上に形成する。 - 特許庁

When a nozzle is brought into close contact with the template 20 to inject molten solder into the cavities 22a, damage to the template 20 may be prevented by the light-reflective film 24 and the protection film 26.例文帳に追加

前記空洞に溶融されたはんだを注入するために前記テンプレートがノズルと密着する場合、前記光反射膜および前記保護膜により前記テンプレートの破損防止ができる。 - 特許庁

The metal film layer 22 is preferably composed of a silver film deposited by a silver mirror reaction, and the hard protective coat layer 24 is preferably formed by a coating agent composition containing a silicon compound.例文帳に追加

金属皮膜層２２は、好ましくは銀鏡反応によって析出した銀皮膜からなり、硬質保護膜層２４は、好ましくは、ケイ素化合物を含有するコーティング剤組成物で形成される。 - 特許庁

After a film is formed at the filming position, the support pins 23 and 24 provided to the stage 21 are moved to prevent the thin film formed on the substrate M from peeling and the substrate M from cracking or chipping.例文帳に追加

成膜位置で成膜を行った後、ステージ２１に設けられた支持ピン２３，２４を動かすことによって、基板Ｍ上に形成された薄膜の剥離および基板Ｍの割れ、欠けを防止することができる。 - 特許庁

Since coloring is performed in the protective film 81 so as to reduce the reflectivity of light, a clear difference can be generated between reflectivity in the viahole 24 and reflectivity in the protective film 81.例文帳に追加

保護フィルム８１には光の反射率を低減するように着色が施されているので、ビアホール２４における反射率と保護フィルム８１における反射率とに明確な差を生じさせることができる。 - 特許庁

Cu wirings 24 protruding onto a third interlayer film 17 and the third interlayer film 17 are coated with a coating layer 31 made of PBO having characteristic of capturing Cu (Cu ion).例文帳に追加

第３層間膜１７およびこの第３層間膜１７上に突出するＣｕ配線２４は、Ｃｕ（Ｃｕイオン）を捕獲する性質を有するＰＢＯからなる被覆層３１によって被覆されている。 - 特許庁

The scanner 10 includes a lamp 36 for irradiating the negative film 12 containing the silver with light and a CCD sensor 24 for receiving the light reflected by the segment exclusive of the abnormal area 30 of the negative film 12.例文帳に追加

スキャナ装置１０は、銀を含むネガフィルム１２に光を照射するランプ２６、およびネガフィルム１２のうち異常部位３０以外の部分で反射された光を受光するＣＣＤセンサ２４を含む。 - 特許庁

With the insulating film 22 and the resist film 24 remaining in the DRAM region as masks, a conductive layer 21 is etched to form a gate electrode in the DRAM region, as well as a peripheral circuit region.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域上に残存する絶縁膜２２とレジスト膜２４とをマスクとして導電層２１をエッチングして、ＤＲＡＭ領域上、および周辺回路領域上にゲート電極を形成する。 - 特許庁

A conductive thin film 14 is formed on the second convex part 20 to be connected to the first electrode 24 and the second electrode 25, and an electron emission part 13 is formed on a conductive thin film 14.例文帳に追加

第１電極２４及び第２電極２５に接続するように第２凸部２０の上に導電性薄膜１４を形成し、導電性薄膜１４に電子放出部１３を形成する。 - 特許庁

A controller 17 controls the gas supply devices 15, 16 and the voltage application devices 23, 24 to sequentially form a sputter film and a CVD film on the substrate 20.例文帳に追加

コントローラ１７によってこられのガス供給装置１５、１６をコントロールするとともに電圧印加装置２３、２４をコントロールして、基板２０に対するスパッタ成膜とＣＶＤ成膜とを順次行う。 - 特許庁

Otherwise, further thereupon, the transparent fine particles 24 coated with a coating film of a film compound capable of reacting with the first coupling reactive group and the reactive transparent fine particles 42 are alternately bound and fixed.例文帳に追加

あるいは、さらにその上に第１のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された透明微粒子２４および反応性透明微粒子４２が交互に結合固定されている。 - 特許庁

When the moisture-proof coat film is formed on the vehicle lens 18, it must be set and adjusted with the painting tool 24 by keeping the lens film forming face downward and facing the paint blowing direction upward from the lens bottom.例文帳に追加

車両用レンズ１８に防曇コート膜を形成する場合レンズの膜形成面を下にして塗装用治具２４にセットして、塗料の吹き出し方向をレンズの下から上方向にする。 - 特許庁

When a silicon oxide film is etched using fluorocarbon gas, accumulation on the inner wall surface of the heated source 24 is eliminated, so that microparticles in plasma caused by peeling-off of accumulated film is decreased.例文帳に追加

フロロカーボンガスを使用してシリコン酸化膜をエッチングする場合に、加熱されたソースチャンバー２４の内壁面への堆積がなくなり、この堆積膜の剥離に起因するプラズマ中の微小パーティクルが少なくなる。 - 特許庁