「Film 24」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the sources (23 and 33) and drains (24 and 34) of the MOSFET are formed, and the entire surface of the wafer is covered with a silicon oxide film 42 and planarized by CMP.例文帳に追加

そして、MOSFETのソース(23,33) およびドレイン(24,34) を形成し、ウエハ全面を酸化シリコン膜42で覆い、CMP により平坦化する。 - 特許庁

Preferably, this film base material for the adhesive skin patch has the moisture permeability of 800-4,000 g/m^2×24 hrs.例文帳に追加

この皮膚貼付材用フィルム基材は、透湿度が、８００〜４，０００ｇ／ｍ^２・２４ｈｒｓであることが好ましい。 - 特許庁

The image reader 10 comprises image reading means 24, 26 that are arranged on the conveyance route of a photograph film F.例文帳に追加

画像読取装置１０は、写真フィルムＦの搬送経路上に配置される画像読取手段２４，２６を備える。 - 特許庁

So, with a prescribed design rule applied, an element separation film 32 is allowed to be away from the reading transistor 24.例文帳に追加

したがって、所定のデザインルールを適用した場合に、素子分離膜３２と読み出しトランジスタ２４との間を広くできる。 - 特許庁

In the method for producing carbon nanotubes, metallic microparticles 24 having surfaces modified with stearic acid are prepared as an LB film substance 22.例文帳に追加

金属微粒子２４の表面にステアリン酸が表面修飾されたものを、ＬＢ膜物質２２として準備する。 - 特許庁

A clip electrode 24 is attached to an upper edge of the second substrate 18 so as to be conducted to the second electrode film 16.例文帳に追加

第二基板１８の上縁部に第二電極膜１６に導通するようにクリップ電極２４を装着する。 - 特許庁

The optically anisotropic material 56 is orientation-controlled, and is thereafter brought into a hard film to form an optically anisotropic layer 24.例文帳に追加

光学異方性材料５６は配向制御され、その後硬膜化され光学異方性層２４が形成される。 - 特許庁

A tin film (coating layer) 29 is provided on the surface of the conductor circuit 28 in contact with the solder bump 24.例文帳に追加

ここで、半田バンプ２４と接触する導体回路２８の表面には、スズ薄膜層（被覆層）２９が設けられている。 - 特許庁

The inside of the space 12B of the film tray 5B has a shape in which the bottom surface member 24 of the sub-module 20B is in contact with it.例文帳に追加

フィルムトレイ５Ｂの空間部１２Ｂの内側は、サブモジュール２０Ｂの底面部材２４が接触する形状である。 - 特許庁

The common electrode 20 has a plurality of electrode films 24 parted in the longitudinal direction and a loop resistance film 22.例文帳に追加

共通電極２０は、その長手方向に離間した複数の電極膜２４、および環状の抵抗膜２２を有する。 - 特許庁

A stress distortion formation film 24 is formed and further a third resist pattern 25 is formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の上に、応力歪み生成膜２４を形成し、さらに、第３のレジストパターン２５を形成する。 - 特許庁

The reflective layer 26 and the translucent pixel electrode 24 are formed on the upper layer side of the interlayer insulating film 23.例文帳に追加

層間絶縁膜２３の上層側には反射層２６および透光性画素電極２４が形成されている。 - 特許庁

The light-emitting element 20 has an anode electrode 21, a phosphor film 22, an emitter electrode 23, and a second face glass 24.例文帳に追加

発光素子２０は、アノード電極２１と蛍光体膜２２とエミッタ電極２３と第２のフェイスガラス２４と、を備える。 - 特許庁

The film N and the development processing sheet 34 are spirally wound on the outer peripheral surface of the heating drum 24.例文帳に追加

したがって、フィルムＮおよび現像処理シート３４は、加熱ドラム２４の外周面に螺旋状に巻き掛けられる。 - 特許庁

A target base shell (12, 22) is coated by a thermal spraying technique with a source material (14, 24) to be vapor-deposited as thin film.例文帳に追加

薄膜として蒸着するソース材料（１４、２４）でターゲットベースシェル（１２、２２）を熱噴射技術によってコーティングする。 - 特許庁

A film loading part 12 and a printing plate loading part 24 below a sticking part 14 are provided on the plate material printer 10.例文帳に追加

版材焼付装置１０には、フィルム装填部１２と貼付け部１４の下方に印刷版装填部２４を設けている。 - 特許庁

Since the inner wall 22a of the recess 22 is damaged, a hydrophobic film 24 is formed in the inner wall 22a of the recess 22.例文帳に追加

凹部２２の内壁２２ａにはダメージが生じるため、凹部２２の内壁２２ａには疎水性膜２４が形成される。 - 特許庁

A thin film transistor 1 includes a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25, and a channel region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル領域２６を含んでいる。 - 特許庁

Two light entrance openings 24a and 24b are formed in each light shield film 24 correspondingly to the photodiodes 1 and 40.例文帳に追加

遮光膜２４には、フォトダイオード１，４０に対応して、２つの光入射用の開口部２４ａ，２４ｂが形成される。 - 特許庁

A first film thickness value is acquired from a change in the polarized state of reflection light 24 at the first measurement position 26.例文帳に追加

第１の測定位置２６における反射光２４の偏光状態の変化から、第１の膜厚値を取得する。 - 特許庁

At the front edge surface 8 and rear edge surface 9, an adhesive layer 21, 23 and a coating film 22, 24 are formed respectively.例文帳に追加

前端面８と後端面９には、それぞれ、密着層２１、２３と、コーティング膜２２、２４とが形成されている。 - 特許庁

In a solid-state image pickup element 1, a wiring 24 and a transfer electrode film 102 are connected via two contact holes.例文帳に追加

固体撮像素子１では、配線２４と転送電極膜１０２とが、２層のコンタクトホールにより接続されている。 - 特許庁

A second film thickness value is acquired from a change in the polarized state of the reflection light 24 at the second measurement position 28.例文帳に追加

第２の測定位置２８における反射光２４の偏光状態の変化から、第２の膜厚値を取得する。 - 特許庁

Cu is deposited on the metal conductive film 24 by the electric plating method to form a metal conductive part 26 (S6).例文帳に追加

ついで、電気メッキ法により金属導体膜２４上にＣｕを堆積し、金属導体部２６を形成する（Ｓ６）。 - 特許庁

A second pole part 2 is opposed to the upper end of the first pole part P1 through a gap film 24 with the same width.例文帳に追加

第２のポール部Ｐ２は、第１のポール部Ｐ１の上端と、ギャップ膜２４を介して、同一幅で対向している。 - 特許庁

The expanded rubber film 22 presses a leaf spring 25, and the other end 25C of the leaf spring 25 is separated from a fixed contact 24.例文帳に追加

膨らんだゴム膜２２は、板ばね２５を押圧し、板ばね２５の他端部２５Ｃを固定接点２４から離間させる。 - 特許庁

Therefore, short-circuit between the Cu wirings 24 formed on the third interlayer film 17 can be prevented.例文帳に追加

そのため、第３層間膜１７上に形成された複数のＣｕ配線２４間における短絡を防止することができる。 - 特許庁

The lens sheet 17 comprises: a base film 21; a lenticular lens resin layer 22; a prism resin layer 23; and a charge resin layer 24.例文帳に追加

レンズシート１７は、ベースフィルム２１と、レンチキュラレンズ樹脂層２２と、プリズム樹脂層２３と、充填樹脂層２４とを備える。 - 特許庁

The solvent cast film 24 is formed by casting a cellulose acylate solution 16 on a continuously running cooling drum 22.例文帳に追加

連続して走行する冷却ドラム２２の上にセルロースアシレート溶液１６を流延して流延膜２４を形成する。 - 特許庁

A rear electrode 16 is formed on a region except a predetermined width on an outer periphery of the silicon film 24.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜２４上の外周部の所定幅を除く領域に裏面電極１６が形成される。 - 特許庁

The tray holding members 21 to 24 prevent the tray T from shifting in position when the stretch-wrap film is welded with the flange of the tray T.例文帳に追加

トレー保持部材２１〜２４は、トレーＴのフランジへのストレッチフィルムの溶着時において、トレーＴの位置ズレを防ぐ。 - 特許庁

Internal electrodes 21-24 are in an X-Y plane in which a film surface is orthogonal to the thickness direction Z of a dielectric base 1.例文帳に追加

内部電極２１〜２４は、膜面が誘電体基体１の厚さ方向Ｚと直交するＸＹ平面にある。 - 特許庁

Next, an oxide film 24 is formed by performing thermal oxidation processing on the upper surface of a semiconductor substrate and wall surface of the gate wrench 21.例文帳に追加

次に，半導体基板の上面およびゲートトレンチ２１の壁面に熱酸化処理により酸化膜２４を形成する。 - 特許庁

A middle dosed ion implanting device implants B+ 24 in the interface of the semiconductor layer 18 and the gate oxidized film 22.例文帳に追加

半導体層１８とゲート酸化膜２２との界面に，中ドーズイオン注入装置によりＢ^＋２４を注入する。 - 特許庁

A gel precursor 25 to become a function film 24 is coated on the surface of particulate nucleus 23 to form particulates 22.例文帳に追加

微粒子核２３の表面に機能膜２４となるべきゲル状の前駆体２５を被膜し、微粒子２２を形成する。 - 特許庁

A ground contact 14c is in a condition wherein the plated film 24 is brought into contact with a sheet 18 through a slit shaped hole part.例文帳に追加

グランドコンタクト１４ｃはスリット状の孔部を介してめっき膜２４がシート１８と接した状態となっている。 - 特許庁

Then, with a prescribed design rule applied, a space between an element separation film 32 and the reading transistor 24 is made larger.例文帳に追加

したがって、所定のデザインルールを適用した場合に、素子分離膜３２と読み出しトランジスタ２４との間を広くできる。 - 特許庁

The polarizers 22 and 23 intersect the axis of polarization 24a of a polarizing layer 24 in the polarizing film 20 substantially at right angles.例文帳に追加

偏光板２２，２３は、偏光フィルム２０内の偏光層２４の偏光軸２４ａに対し、ほぼ直交している。 - 特許庁

The glove 21 can be divided into a plurality of sections such as a finger section 22, an arm section 23, and a cuff section 24, and the operation of the section corresponding to the film material of each section can be performed smoothly.例文帳に追加

グローブ21を手指部22や腕部23、カフ部24等のように複数部分に分割し、それぞれの部分の皮膜素材に対応する部分の動作を円滑に行えるものを用いる。 - 特許庁

Thus, an upper magnetic layer 24 is plated from the upper side of a gap layer 23 to the upper side of the metal layer 30, and the upper magnetic layer 24 is formed to have a specified film thickness.例文帳に追加

これによりギャップ層２３上から金属膜３０上にかけて上部磁極層２４をメッキ形成でき、前記上部磁極層２４を所定の膜厚で形成することができる。 - 特許庁

Arcing on the interface between the electrode 19 and the insulators 21, 22, and surface creepage due to existence of the triple point region 23 are prevented by the chromium oxide film 24, and the intermittent discharge phenomena and the stray emission are also prevented.例文帳に追加

酸化クロム膜24により、電極19と絶縁体21，22との界面のアーキングや三重点部位23の存在による沿面放電を防止し、間欠放電現象やストレイエミッションを抑止する。 - 特許庁

A circuit pattern printed, backed, and plated with a conductive paste and having multiple pairs of electrodes is provided on one face of a flexible thin film synthetic resin board to form a circuit section 24.例文帳に追加

可撓性の薄膜合成樹脂基板の一面に、導電性ペーストを印刷・焼き付け・めっきして複数対の電極を有した回路パターンを設けて回路部24を形成する。 - 特許庁

The semiconductor chip 20 is provided with an electrode 24 and a bump 26 installed on the electrode 24 and a passivation film 28 constituted of radio materials on a surface on which an integrated circuit 22 is formed.例文帳に追加

半導体チップ２０は、集積回路２２が形成された面に、電極２４及び電極２４上に設けられたバンプ２６並びに無機材料からなるパッシベーション膜２８を有する。 - 特許庁

On the occasion of intaglio printing, a film-like sheet 16 is put in close contact with the surface of an intaglio 24 during the time from transfer of ink from the intaglio 24 to subsequent filling of ink therein.例文帳に追加

凹版印刷に際し、凹版２４よりインキが転写されてから、次に凹版にインキが充填されるまでの間、凹版表面にフィルム状シート１６を密着させる。 - 特許庁

The scanner 10 includes a light source 24 and a condenser lens 26 and the light emitted from the light source 24 is made into parallel beams by the condenser lens 26, with which a negative film 12 is irradiated.例文帳に追加

スキャナ装置１０は光源２４およびコンデンサレンズ２６を含み、光源２４から発せられた光はコンデンサレンズ２６によって平行光にされネガフィルム１２に照射される。 - 特許庁