「H layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An average thickness H of the sliding layer 63 is 0.07 μm.例文帳に追加

滑り層６３の平均厚さＨは０．０７μｍとする。 - 特許庁

A first layer (lower layer) and a second layer (upper layer) are formed respectively so as to become the relation of A<B<C<D<E<F<G<H<I<J<K and the relation of a<b<c<d< e<f<g<h<i<j<k.例文帳に追加

即ち、第１層（下層）はＡ＜Ｂ＜Ｃ＜Ｄ＜Ｅ＜Ｆ＜Ｇ＜Ｈ＜Ｉ＜Ｊ＜Ｋの関係となるように、第２層（上層）はａ＜ｂ＜ｃ＜ｄ＜ｅ＜ｆ＜ｇ＜ｈ＜ｉ＜ｊ＜ｋの関係となるようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁

Because the volumetric ratio of the cells of the second layer L is larger than that of the first layer H, the refractive index of the second layer L is lower than that of the first layer H.例文帳に追加

第二層Ｌのセル体積率は、第一層Ｈのセル体積率よりも大きいため、第二層Ｌの屈折率が第一層Ｈの屈折率よりも低い。 - 特許庁

The high resistance layer 10 is formed as, for example, a thin CrNi layer, a doping Si layer, an a-C : H layer, or a Ti implantation part.例文帳に追加

高抵抗層は、例えば、薄ＣｒＮｉ層、ドーピングＳｉ層、ａ−Ｃ：Ｈ層又はＴｉインプランテーション部である。 - 特許庁

The upper polysilicone layer of a capacity Ch(h-1) to Ch1 corresponding to a high-order bit (H-DAC) is all connected to a common node on the side of the high-order bit and each lower polysilicone layer is connected to analog switches SWh(h-1) to SWh1.例文帳に追加

上位ビット（Ｈ−ＤＡＣ）に対応する容量Ｃ_h(h-1)〜Ｃ_h1の上層ポリシリコンを全て上位ビット側の共通ノードに接続すると共に下層ポリシリコンの各々を対応するアナログスイッチＳＷ_h(h-1)〜ＳＷ_h1に接続する。 - 特許庁

Then, a Ti/Al layer 30 which serves as a wiring layer is formed on the Ni silicide layer 13 (Fig. 1 (h)).例文帳に追加

その後、Ｎｉシリサイド層１３の上に配線層となるＴｉ／Ａｌ層３０を形成する（図１（ｈ））。 - 特許庁

In this way, a uniform metal particulate layer 17 having thickness h is obtained.例文帳に追加

これにより、厚みｈの均一な金属微粒子層17を得る。 - 特許庁

The shape of the data layer (400) is substantially the 'H' or 'I' shape.例文帳に追加

データ層(400)の形状は実質的に「Ｈ」または「Ｉ」形状である。 - 特許庁

Furthermore, the copper foil H has a silane coupling treatment layer 9 formed as the upper layer of the corrosion prevention treatment layer 10.例文帳に追加

さらに該防錆処理層１０の上層にシランカップリング処理層９を形成させた銅箔Ｈとする。 - 特許庁

The insulation protective layer 10 is formed in two layer-structure with an insulation lining 11 of hardness 15° H to 50° H or less, which contacts the insulation supporting layer 20, and an insulation outer layer 12 of thickness 0.01 to 0.1 mm and hardness 70° H or more.例文帳に追加

絶縁保護層１０を、絶縁支持層２０に接触する硬度１５°Ｈ〜５０°Ｈ以下の絶縁内層１１と、厚さ０．０１〜０．１ｍｍで硬度７０°Ｈ以上の絶縁外層１２とから二層構造に形成する。 - 特許庁

The rewritable recording medium is formed so that light reflectance in an initialized state of a single layer L-H medium, an initialized state of an L0 layer of a two layer H-L medium and an uninitialized state of an L0 layer of a two layer L-H medium does not overlap with light reflectance in an initialized state of a single layer H-L medium.例文帳に追加

本発明に係る書き換え型記録媒体は、単層Ｌ−Ｈ媒体の初期化状態、２層Ｈ−Ｌ媒体のＬ０層の初期化状態、及び２層Ｌ−Ｈ媒体のＬ０層の未初期化状態の光反射率が、単層Ｈ−Ｌ媒体の初期化状態の光反射率と重複しないように形成されている。 - 特許庁

The surface layer of the LiNbO3 crystal substrate is exchanged with protons (H+) to form HLiNbO3 and a large difference in the refractive index between the LN crystal substrate and the proton exchange layer is obtained.例文帳に追加

LiNbO_3の結晶基板の表面層はプロトン(H^+)交換され、HLiNbO_3が形成され、ＬＮ結晶基板とプロトン交換層の高い屈折率差が得られる。 - 特許庁

The food packaging film includes an oriented base film layer 1 on a side to be an exterior of the packaging bag H and a non-oriented sealant layer 2 on a side to be an interior of the bag H.例文帳に追加

包装袋Ｈの外側となる側に延伸のベースフィルム層１を、包装袋Ｈの内側となる側に無延伸のシーラント層２を備えている。 - 特許庁

The fitness layer 16 contains N (nitrogen), H (hydrogen) and Si (silicon).例文帳に追加

なじみ層１６は、Ｎ（窒素）、Ｈ（水素）およびＳｉ（シリコン）を含有している。 - 特許庁

Since a source aluminum layer (h) is formed on the gate finger region with no interruption, the resistance of the source aluminum layer (h) itself is reduced.例文帳に追加

また、ソースアルミ層ｈが、ゲートフィンガー領域上でも途切れることなく形成されていることから、ソースアルミ層ｈ自体の抵抗を低減できる。 - 特許庁

As the binder resin used for each H, L layer the same one is used.例文帳に追加

各層Ｈ，Ｌに用いるバインダー樹脂には同一のものが用いられる。 - 特許庁

Then a support body hole (h) is formed penetrating the Si_3N_4 films 9 and 13, Si layer 5, and SiGe layer.例文帳に追加

次に、Ｓｉ_3Ｎ_4膜９、１３と、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層を貫く支持体穴ｈを形成する。 - 特許庁

A support member 21 for supporting the Si layer 5 is then formed, to be extended from the interior of the groove h onto the Si layer 5.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５を支持する支持体２１を溝ｈ内からＳｉ層５上にかけて形成する。 - 特許庁

The outer-layer section 12 is laminated at least on one surface of the inner-layer section 11 when viewed from the height direction H.例文帳に追加

外層部１２は、高さ方向Ｈでみた内層部１１の少なくとも一面に積層されている。 - 特許庁

The antireflection sheet 10 has a transparent substrate sheet 1, a first layer H provided on one surface of the transparent substrate sheet 1, and a second layer L provided on the first layer H.例文帳に追加

反射防止シート１０は、透明基材シート１と、透明基材シート１の片面に設けられた第一層Ｈと、第一層Ｈの上に設けられた第二層Ｌとを備える。 - 特許庁

An underground thermal-storage layer 3 is formed beneath a house H, and a temperature control layer 2 is formed above the underground thermal-storage layer 3 via a moisture-proof layer 4.例文帳に追加

家屋Ｈの下部には地下蓄熱層３が形成され、防湿層４を介して地下蓄熱層３の上部に温度調節層２が形成されている。 - 特許庁

The ratio D/H between the inside diameter D of the vessel and the layer height H of the ion exchange resin 5 is controlled to 0.15 to 0.6, preferably to 0.25 to 0.4.例文帳に追加

容器内径Ｄとイオン交換樹脂５の層高Ｈとの比Ｄ／Ｈは０．１５〜０．６好ましくは０．２５〜０．４である。 - 特許庁

Next, at a position different from the groove h, a groove H is formed on the Si substrate 1, to expose a side surface of the SiGe layer.例文帳に追加

さらに、溝ｈとは異なる位置で、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝ＨをＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

Furthermore, the copper foil H has a corrosion prevention treatment layer 10 including a zinc-plating layer 7 and a trivalent chromate treatment layer 8 formed as the upper layer of the cobalt-plating layer or the nickel-cobalt alloy plating layer 6.例文帳に追加

さらに、該コバルトめっき層又はニッケル−コバルト合金めっき層６の上層に、亜鉛めっき層７と３価クロメート処理層８からなる防錆処理層１０を形成させた銅箔Ｈ。 - 特許庁

The red semiconductor laser element 20 is stacked on the conductive layer 32a with the fusible layer H in between.例文帳に追加

導電層３２ａ上には融着層Ｈを介して赤色半導体レーザ素子２０が積層されている。 - 特許庁

A scalable video stream has an H. 264/AVC-compatible base layer (BL) and a scalable enhancement layer (EL).例文帳に追加

スケーラブルビデオストリームは、Ｈ．２６４／ＡＶＣに互換したベースレイヤ（ＢＬ）とスケーラブルなエンハンスメントレイヤ（ＥＬ）とを有する。 - 特許庁

The first layer H and the second layer L each include foamed cells C formed by foaming of the foaming agent.例文帳に追加

第一層Ｈおよび第二層Ｌは、発泡剤の発泡により形成された発泡セルＣをそれぞれ有する。 - 特許庁

The adhesive layer has 10-300 μm/h of creep amount.例文帳に追加

また、前記粘着剤層は、１０μｍ／ｈ〜３００μｍ／ｈのクリープ量を有する。 - 特許庁

The base insulation layer 2 of the FPC board comprises a plurality of anisotropic through holes h.例文帳に追加

ＦＰＣ基板のベース絶縁層２は、複数の異方性貫通孔ｈを有する。 - 特許庁

Further hydrogen is included in the carbon layer C, and a ratio (H/C) of the number of carbon atoms C and the number of hydrogen atoms H in the carbon layer C is 0.2-0.5.例文帳に追加

さらに、カーボン層Ｃには水素が含有され、カーボン層Ｃ中の炭素原子の数Ｃと水素原子の数Ｈとの比Ｈ／Ｃは、０．２以上０．５以下である。 - 特許庁

A conductive fusion layer H is formed on a conductive support member 5.例文帳に追加

導電性の支持部材５上に、導電性の融着層Ｈが形成されている。 - 特許庁

A SiGe layer and a Si layer (SOI layer) 5 are sequentially laminated on a Si substrate 1, and a groove h passed through the SiGe layer and the Si layer 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層及びＳｉ層（ＳＯＩ層）５を順次積層し、ＳｉＧｅ層及びＳｉ層５を貫く溝ｈをＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are formed successively on an Si substrate 1, and a hole (h) for exposing the Si substrate 1 is formed on the Si layer 5 and the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成する。 - 特許庁

In addition, it is made possible to reduce the crystalline deterioration of the activity layer 7 caused by the diffusion of H and O.例文帳に追加

そして、Ｈ，Ｏの拡散による活性層７の結晶性低下も低減できる。 - 特許庁

The heat treatment is carried out by emitting an energy beam h onto the antimony compound layer 9.例文帳に追加

熱処理は、アンチモン化合物層９へのエネルギービームｈの照射によって行う。 - 特許庁

The H-I-C absorption layer has an enhanced responsibility, without decreasing the band width.例文帳に追加

このＨ−Ｉ−Ｃ吸収層は帯域幅を小さくすることなくレスポンシビティを高める。 - 特許庁

A magnetic yoke 1B applies a magnetic field H onto the free layer 1A_F, so as to generate the resonance.例文帳に追加

磁気ヨーク１Ｂは共振が生じるような磁場Ｈをフリー層１Ａ_Ｆに与えている。 - 特許庁

After the compression bonding, a buffer layer 12 and the CrN layer 13 are removed by a chemical treatment (Fig.1(h)).例文帳に追加

次に、接合後の状態において、化学的処理によってバッファ層１２とＣｒＮ層１３を除去する（図１（ｈ））。 - 特許庁

Then the SiO_2 film 21 and Si layer 5 are partially etched to form a groove H exposing the SiGe layer.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2膜２１とＳｉ層５とを部分的にエッチングして、ＳｉＧｅ層を露出させる溝Ｈを形成する。 - 特許庁

To form a layer of a high-κ dielectric material on an H termination silicon without forming a low-κ interface layer.例文帳に追加

低κ界面層を形成することなく、Ｈ終端シリコン上に高κ誘電材料の層を形成すること。 - 特許庁

Non-magnetic layers 16 are formed on the inner part of the recessed part H and an upper part of the resist mask R respectively and the film thickness of the non-magnetic layer 16 formed on the recessed part H and the film thickness (the depth of the recessed part H) of the storage layer 15 are made nearly equal to each other.例文帳に追加

次いで、凹部Ｈの内部と、レジストマスクＲの上部と、にそれぞれ非磁性層１６を形成し、凹部Ｈに形成する非磁性層１６の膜厚と、記憶層１５の膜厚（凹部Ｈの深さ）と、を略同じ厚さにした。 - 特許庁

The sheath 14 is composed of two layers (inner layer 14a and outer layer 14b) of ultraviolet-setting resin and the thickness h of the inner layer 14a is 22% or more and 76% or less of the total thickness H of the sheath 14.例文帳に追加

外被１４が二層（内側層１４ａ及び外側層１４ｂ）の紫外線硬化型樹脂からなり、内側層１４ａの厚さｈが外被１４の総厚さＨの２２％以上７６％以下である。 - 特許庁

The porous metal layer is 0.3 to 3.0 mm in thickness, has MCrAlY alloy which uses Ni or Co for M, as a main component, and may include h-BN of solid lubricating material.例文帳に追加

多孔質メタル層は、厚さが0.3〜3.0ｍｍで、MをNi又はCoとするところのMCrAlY合金を主成分とし、固体潤滑材のh-BNを含んでもよい。 - 特許庁

The conductor 18 is a porous conductive layer having a number of pores H on its surface, and the organic semiconductor 19 is put into the pores H of the porous conductive layer 18.例文帳に追加

導電体１８は、表面に多数の細孔Ｈを備えた多孔質導電層であり、有機半導体１９は該多孔質導電層１８の細孔Ｈ内に充填されている。 - 特許庁

Impurities, such as C, H and O are prevented from being mixed into the i-type μc-Si:H layer 3 (photoelectric conversion layer) at the p-type a-Si:H layer 5.例文帳に追加

Ｃ，Ｈ，Ｏ等の不純物のｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３（光電変換層）への混入がｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５にて防止される。 - 特許庁