| 意味 | 例文 |
In memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
The circuit is provided with a semiconductor memory (FMRY) including a memory part (22) in which nonvolatile memory cells being electrically re-writable are arranged in an array state and a high voltage generating circuit (23) which can generate high voltage to be supplied to the memory part.例文帳に追加
電気的に書換え可能な不揮発性メモリセルがアレイ状に配列されて成るメモリ部(22)と、上記メモリ部に供給される高電圧を生成可能な高電圧発生回路(23)とを含む半導体メモリ(FMRY)とを設ける。 - 特許庁
To provide a facsimile apparatus capable of easily canceling a memory transmission reservation without operational hesitation when canceling the reservation of memory transmission in the case of reserving the memory transmission in a facsimile device with a memory transmission function.例文帳に追加
メモリ送信機能付きファクシミリ装置において、メモリ送信予約時に該メモリ送信の予約取り消しを行う場合に、操作にとまどわず容易にメモリ送信予約の取り消しを行うことができるファクシミリ装置を提供する。 - 特許庁
In a volatile SRAM 1, a row decoder 4 is connected to a memory array 2 having many memory cells arranged inside the memory array 2 in a matrix shape through word lines 3, and a data control part 5 is connected to the memory array 2 through data lines 6.例文帳に追加
揮発性のSRAM1において、その内部にマトリックス状に配置された複数のメモリセルを多数有するメモリアレイ2に、ワード線3を介してロウデコーダ4が接続され、データ線6を介してデータ制御部5が接続されている。 - 特許庁
A global bit line 30 is connected to one of the pairs of memory nodes of the plurality of memory cells 12 in the subarrays 11, and local bit lines 20 are connected to the other of the pairs of memory nodes of the plurality of memory cells 12 in the subarrays 11.例文帳に追加
サブアレイ11内の複数のメモリセル12の一対の記憶ノードの一方にはグローバルビット線30が接続され、サブアレイ11内の複数のメモリセル12の一対の記憶ノードの他方にはローカルビット線20が接続されている。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes a plurality of memory cells connected to a bit line; and a sense amplifier operative to sense the magnitude of cell current flowing via the bit line in a selected memory cell connected to the bit line to determine the value of data stored in the memory cell.例文帳に追加
ビット線につながる複数のメモリセルと、ビット線に接続されて選択されたメモリセルにビット線を介して流れるセル電流の大小を検知することによりメモリセルに記憶されたデータの値を判定するセンスアンプとを有する。 - 特許庁
In the device provided with a detachable memory card and a communication interface, at the time of controlling external equipment through the communication interface, a memory card take-out alarm is displayed not only during memory access but also in the condition that the memory access can occur.例文帳に追加
着脱可能なメモリカードと通信インタフェースを備えた装置において、通信インタフェースを経由して外部機器を制御する際に、メモリアクセス中のみならずメモリアクセスが起こり得る状況にはメモリカード抜き取り警告を表示する。 - 特許庁
The fiscal information formed on a work memory 43 (step ST1) is written in a backup memory 45 backed up by a storage battery 44 (step ST 2), and is written in the fiscal memory 41 from the backup memory 45 (steps ST3-ST5).例文帳に追加
ワークメモリー43上に生成されたフィスカル情報は(ステップST1)、蓄電池44によりバックアップされているバックアップメモリー45に書き込まれ(ステップST2)、バックアップメモリー45からフィスカルメモリー41に書き込まれる(ステップST3〜ST5)。 - 特許庁
When the compression recording processing of sound data is commanded, a recording area for compressed data and a recording area for non-compressed data are assured respectively in the area from the memory address Sst to the memory address Send of an HD and in the area from the memory address Dst to the memory address Dend of the HD.例文帳に追加
音声データの圧縮記録処理が指令されると、HDのメモリアドレスSstからSendの領域およびメモリアドレスDstからDendまでの領域に、圧縮データ用記録領域と非圧縮データ用記録領域がそれぞれ確保される。 - 特許庁
The semiconductor memory reproduction cassette as one embodiment of this invention has a connector which is connected detachably to a semiconductor memory such as a memory card and a reproducing circuit for the memory card in a cassette type housing in a magnetic tape shape.例文帳に追加
本発明の例示的一態様としての半導体メモリ再生カセットは、磁気テープ形状を有するカセット状筐体に、メモリ−カードなどの半導体メモリと着脱可能に接続するコネクタと、メモリカードの再生回路を有している。 - 特許庁
The address conversion table stored in the nonvolatile semiconductor memory 3a is information about the nonvolatile semiconductor memory 3b and the address conversion table stored in the nonvolatile semiconductor memory 3b is information about the nonvolatile semiconductor memory 3a.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ3aに格納されたアドレス変換テーブルは、不揮発性半導体メモリ3bの情報であり、不揮発性半導体メモリ3bに格納されたアドレス変換テーブルは、不揮発性半導体メモリ3aの情報である。 - 特許庁
To provide a memory medium unit in which when it is connected to a computer other than a legitimate computer, memory information in a memory medium is erased but when it is connected to a maintenance PC, the memory information is not erased.例文帳に追加
正規のコンピュータ以外のコンピュータに接続された場合には記憶媒体中の記憶情報を消去できるが、保守用PCに接続された場合には記憶情報が消去されない記憶媒体ユニットを、提供する。 - 特許庁
In recording the first image, first recording data is transferred from the first memory to the second memory to be stored, and in recording the second image, second recording data is transferred from the first memory to the second memory to be stored (S112).例文帳に追加
第一の画像が記録される場合、第一の記録データを第一メモリから第二メモリに転送して記憶し、第二の画像が記録される場合、第二の記録データを第一メモリから第二メモリに転送して記憶する(S112)。 - 特許庁
Even when gm degradation is generated in each of the memory cells and memory current of each of the memory cells is decreased, since the tatal current is equivalent to that of a memory cell in which gm degradation is not generated, the reduction of the read-out speed is suppressed.例文帳に追加
メモリセルM000,M001の個々はgm劣化が生じメモリ電流が少なくなっていても、総電流は、gm劣化を起こしていないメモリセルのメモリ電流と同程度になるので、読み出し速度の低下が抑制される。 - 特許庁
The memory card device is provided with a flash memory for storing data, a buffer memory for receiving data to be stored in the flash memory from the outside, temporarily holding the data and outputting the data, and a first selector for selecting either the data output from the buffer memory or data input without going through the buffer memory to be stored in the flash memory and outputting the selected data to the flash memory.例文帳に追加
メモリカード装置であって、データを格納するフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリに格納されるべきデータを外部から受け取り、一時的に保持して出力するバッファメモリと、前記バッファメモリから出力されたデータ、又は、前記バッファメモリを経由せずに入力された前記フラッシュメモリに格納されるべきデータのいずれか一方を選択し、前記フラッシュメモリに出力する第1のセレクタとを備える。 - 特許庁
The semiconductor memory controller, which outputs data to be stored in a memory unit to the memory unit via a bus of N-bit width (N is an even number), duplicates the data, simultaneously outputs the respective data of N/2 bit width to two different locations of the memory unit, and stores the duplicated data in the two locations of the memory unit, respectively.例文帳に追加
メモリ部に記憶するデータを、N(ただし、Nは偶数)ビット幅のバスを介して、メモリ部へ出力する半導体メモリコントローラであって、データの2重化処理を行い、それぞれのデータを、N/2ビット幅にて、同時にメモリ部の2箇所に出力し、メモリ部の2箇所に記憶する。 - 特許庁
To relate figures to memory points and register the figures without having to shift to an edit mode after the registration of the memory points in registration processing of memory points for registering any point in a map as a memory point and registering information on the registered memory point.例文帳に追加
地図上の任意の地点をメモリ地点として登録するとともに、その登録したメモリ地点に関する情報を登録するメモリ地点登録処理において、メモリ地点を登録した後に編集モードに移行することなく、そのメモリ地点に対応させて図形を登録する。 - 特許庁
A high memory capacity dual in-line memory module (DIMM) for use in a directory-based, distributed shared memory multiprocessor computer system includes a data memory for storing data and a state memory for storing state or directory information corresponding to at least a portion of the data.例文帳に追加
ディレクトリに基づく分散共用メモリ・マルチプロセッサ・コンピュータ・システムにおいて使用するための大記憶容量デュアル・インライン・メモリ・モジュール(DIMM)は、データを記憶するためのデータ・メモリと、データの少くとも一部に対応する状態またはディレクトリ情報を記憶するための状態メモリとを含む。 - 特許庁
Meanwhile, the control circuit applies a second voltage to the first wirings and the second wirings in a non-selected third memory cell array that shares the second wirings with the selected first memory cell array and in a non-selected memory cell array positioned farther than the third memory cell array when viewed from the first memory cell array.例文帳に追加
一方、選択された第1のメモリセルアレイと第2配線を共有する非選択の第3のメモリセルアレイ、及び前記第1のメモリセルアレイから見て前記第3のメモリセルアレイよりも遠い側にある非選択のメモリセルアレイにおいて、第1配線及び第2配線に第2の電位を与える。 - 特許庁
In order that constraints by capacity are eliminated at failure separation of memory, control and data lines are arranged between the memory controllers to allow the memory controllers to access memory not through the data buses in the master system and slave system but apparently through the memory controllers.例文帳に追加
メモリの故障分離が実施されるときには容量による制約を無くすために、メモリコントローラからメモリへのアクセスは主系、従系にあるデータバスを使用せず、メモリコントローラを見かけ上スルーして行なえるメモリコントローラ間の制御、データラインを設けたことを特徴としている。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor storage device is equipped with; a memory cell array 6 which stores data in a nonvolatile manner according to a difference of storage information between memory cells in a memory cell pair which is composed of two memory cells; and a write control section 1 which writes data to the memory cell array 6.例文帳に追加
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、2つのメモリセルから成るメモリセル対でのメモリセル間の記憶情報の差によってデータを不揮発的に記憶するメモリセルアレイ6と、当該メモリセルアレイ6に対してデータの書き込むを行う書き込み制御部1とを備えている。 - 特許庁
A control circuit applies a first voltage to the first wirings and the second wirings in a non-selected second memory cell array that shares the first wirings with the selected first memory cell array and in a non-selected memory cell array positioned farther than the second memory cell array when viewed from the first memory cell array.例文帳に追加
制御回路は、選択された第1のメモリセルアレイと第1配線を共有する非選択の第2のメモリセルアレイ、及び第1のメモリセルアレイから見て第2のメモリセルアレイよりも遠い側にある非選択のメモリセルアレイにおいて、第1配線及び第2配線に第1の電位を与える。 - 特許庁
In sequential conversion control, signals of a direct system and an interpolation system are switched alternately and read from a first memory, being a mass image memory storing a plurality of image signals of the direct and interpolation systems to be held in a second memory 3 being a buffer memory (memory for double-speed conversion) for reading.例文帳に追加
順次変換制御にて、複数の直接系,補間系の画像信号を格納している大容量画像メモリである第1のメモリ1から直接系,補間系の信号を交互に切り替えて読み出し、読出し用バッファメモリ(倍速変換用メモリ)である第2のメモリ3に保持する。 - 特許庁
The memory test circuit is arranged in an on-chip-memory and performs a high speed test of the on-chip-memory, and is provided with two dummy memory cells in which a high level and a low level are stored previously, and a control circuit controlling an operation of reading of respective data from two dummy memory cells at the high speed test.例文帳に追加
メモリテスト回路は、オンチップメモリ内に配置され、オンチップメモリの高速テストを行うもので、各々ハイレベルおよびローレベルがあらかじめ記憶された2つのダミーメモリセルと、高速テスト時に、2つのダミーメモリセルから各々データのリードを行うことを制御する制御回路とを備えている。 - 特許庁
The generator is provided with a main memory that stores the transport stream data from the FIFO memory, and a selector that selects the transport stream data in the FIFO memory until the main memory stores the transport stream data, selects and outputs the transport stream data in the main memory after the storage.例文帳に追加
本装置は、FIFOメモリからのトランスポートストリームデータを格納するメインメモリと、このメインメモリにトランスポートストリームデータを格納するまで、FIFOメモリのトランスポートストリームデータを選択し、格納後、メインメモリのトランスポートストリームデータを選択し、出力するセレクタとを設けたことを特徴とする装置である。 - 特許庁
In one embodiment of this invention, the nonvolatile semiconductor storage device includes a plurality of memory blocks connecting a plurality of memory cells thereto, and is equipped with the memory cell array for storing the test data in a predetermined memory block and an operation testing section for executing the operation test of the memory cell array by using the test data.例文帳に追加
本発明の一実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルを接続したメモリブロックを複数含み、所定のメモリブロック内にテストデータを記憶するメモリセルアレイと、前記テストデータを用いて前記メモリセルアレイの動作テストを実行する動作テスト部と、を備える。 - 特許庁
A semiconductor memory device comprises: a memory cell array in which a plurality of memory cells are arranged in a matrix shape; a decoder selecting a memory cell to perform operation from among the plurality of memory cells depending on a control signal; and a control circuit selecting whether to output the control signal to the decoder.例文帳に追加
半導体記憶装置に、複数のメモリセルがマトリクス状に配設されたメモリセルアレイと、制御信号に応じて、複数のメモリセルの中から動作を行うメモリセルを選択するデコーダと、デコーダに対して制御信号を出力するか否かを選択する制御回路と、を設ける。 - 特許庁
When reading the data, the data are read from the memory address of the memory having the identification number according with the identification number designated by the address signal, and the read data are transferred to the memory in the final stage as the data signal, and are supplied to the memory controller from the memory in the final stage.例文帳に追加
また、データの読出しを行う場合、アドレス信号によって指定される識別番号に一致する識別番号を持つメモリのメモリアドレスからデータが読み出され、この読み出されたデータが、データ信号として最終段のメモリまで転送され、最終段のメモリからメモリコントローラに供給される。 - 特許庁
A first IC memory 12-1 and a second IC memory 12-2 are provided in a memory card 1, and the first IC memory 12-1 stores a static graphics directory 22 and a sound directory 23, a music directory 24, a text directory 25 and a memory A recognition directory 26 in advance.例文帳に追加
メモリカード1には、第1のICメモリ12-1と第2のICメモリ12-2が設けられており、上記第1のICメモリ12-1には、予め、静止画像ディレクトリ22、音声ディレクトリ23、音楽ディレクトリ24、テキストディレクトリ25、メモリA認識ディレクトリ26が記録されている。 - 特許庁
To provide a memory management method, capable of improving both processing speed and memory use efficiency, by managing the entire data area in the memory using a variable-length memory management system, while applying a fixed-length memory management system only to a particular fixed-length data size in a predetermined variable-length area.例文帳に追加
メモリ上で全てのデータ領域を可変長メモリ管理方式で管理するとともに、所定の可変長領域内で特定の固定データサイズにのみ固定長メモリ管理方式を適用して、処理速度とメモリ使用効率の向上を図るメモリ管理方式を提供する。 - 特許庁
When the memory card 2 is removed from a memory slot MS, and then the memory card 2 is mounted in a memory slot 9 of the printer 3 configured as a simplex configuration, the image data file stored in the memory card 2 is read, and directly printed by a printing part 7 under the control of a CPU 4.例文帳に追加
そして、メモリスロットMSからメモリカード2を外した後、単体構成されるプリンタ3のメモリスロット9にメモリカード2を装着すると、該メモリカード2保存されている画像データファイルを読み出して印刷部7でダイレクト印刷させるようにCPU4が制御する構成を特徴とする。 - 特許庁
If a data normality confirmation event arises, the server 10 first clears cache data stored in a cache memory contained in a DIMM memory 11, then reads out data stored in the disk device 15 into the cache memory, and performs normality confirmation processing for the data stored in the cache memory.例文帳に追加
データ正常性確認イベントが発生すると、まずDIMMメモリ11に内蔵されるキャッシュメモリ内に記憶されたキャッシュデータをクリアし、その後にディスク装置15に格納されたデータをキャッシュメモリに読み出し、キャッシュメモリに格納されたデータに対して正常性確認処理を実施する。 - 特許庁
The integrated circuit apparatus is provided with a memory cell having a cell transistor in which a word line is connected to a gate, and a ferroelectric capacitor in which electrodes of one end and the other end are connected respectively between a source and a drain of the cell transistor, and the memory cell has a memory cell block in which a plurality of memory cells are connected in series.例文帳に追加
ワード線がゲートに接続されたセルトランジスタと、セルトランジスタのソースとドレインとの間に一端と他端の電極がそれぞれ接続された強誘電体キャパシタとを有するメモリセルを備え、このメモリセルが複数個直列に接続されたメモリセルブロックを有する。 - 特許庁
Read out image data is stored in a volatile memory m1, the destination of the image data and presence thereof are stored in a nonvolatile memory m2 and when the image data in the volatile memory m1 is lost due to power interruption, or the like, the destination stored in the nonvolatile memory m2 is notified about it.例文帳に追加
読み取った画データを揮発性メモリm_1 に記憶し、この画データの送信先、及び画データの有無を不揮発性メモリm_2 に記憶しておき、電源断等で揮発性メモリm_1 の画データが消失すると、その旨を不揮発性メモリm_2 に記憶してある送信先に通知する。 - 特許庁
To output a sound data which is stored in an external memory without restarting a music reproducing function or the like, even if the external memory is exchanged, in a music reproducing device in which a music data stored in the external memory by attaching the removable external memory, is reproduced.例文帳に追加
着脱可能な外部メモリを取り付け、外部メモリに記憶した音楽データを再生する音楽再生装置において、外部メモリを交換された場合にも、音楽再生機能などを再起動することなく、外部メモリに記憶された音データを出力することを目的とする。 - 特許庁
A CPU 11 sets a memory controller 12 in a first control state when determining that the image data stored in a first memory 14 becomes useless by completion of printing; and sets the memory controller in a second control state while determining that the data in the first memory 14 is required.例文帳に追加
CPU11は、第1メモリ14に記憶された画像データが印刷完了などにより不用になったと判断したとき、メモリコントローラ12を第1制御状態に設定し、第1メモリ14内のデータが必要と判断している間は第2制御状態に設定する。 - 特許庁
The initialization of a plurality of FB-DIMM memories is operated by its internal memory controller, and an external memory controller 201 is formed in an external system main body, and an ECC including an address parity in writing data in an FB-DIMM 30 by the memory controller 201, and writes it in the memory.例文帳に追加
複数のFB−DIMMメモリの初期化はその内部のメモリコントローラにより行い、外部のシステム本体内に外部のメモリコントローラ201を設け、このメモリコントローラ201によりFB−DIMM30にデータ書き込み時にアドレスパリティを含むECCを作成し、メモリに書き込む。 - 特許庁
A storing area, that is an internal memory, for storing the parity bit in inside of the large-scale integrated circuit is secured and in the case of writing data in the specific address of the external memory, the parity bit is generated from the data and is written at the same address as the address of the external memory in the internal memory.例文帳に追加
大規模集積回路の内部にパリティ・ビットを格納する記憶領域即ち内部メモリを確保し、外部メモリの特定のアドレスにデータを書き込む時に、該データからパリティ・ビットを生成し、該パリティ・ビットを、該内部メモリの、該外部メモリの当該アドレスと同一のアドレスに書き込むように構成する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a plurality of memory blocks which include a plurality of memory cell groups having memory cells connected to word lines and selection gates for selecting the plurality of memory cell groups, and the selection gates in the non-selective memory block are programmed at a read operation.例文帳に追加
半導体装置は、ワード線に接続されたメモリセルを含む複数のメモリセル群と該複数のメモリセル群を選択する選択ゲートとを含む複数のメモリブロックを含み、読み出し時、非選択のメモリブロック内の選択ゲートがプログラムされている。 - 特許庁
To increase a speed of writing to a nonvolatile memory by reducing the number of control memories within a memory controller in a nonvolatile storage device and also reducing the number of wirings of a memory bus connecting the memory controller and the nonvolatile memory.例文帳に追加
不揮発性記憶装置においてメモリコントローラ内の制御メモリを削減すると共に、メモリコントローラと不揮発性メモリを結ぶメモリバスの配線数を少なくし、ひいては不揮発性メモリへの書き込み速度を向上させることを目的とする。 - 特許庁
This organic memory device comprises a substrate, a first electrode formed on the substrate, an organic memory layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the organic memory layer, and an embossed structure forming an active memory region in the organic memory layer.例文帳に追加
基板、前記基板上に形成された第1電極、前記第1電極上に形成された有機メモリ層、前記有機メモリ層上に形成された第2電極、及び前記有機メモリ層にメモリ活性領域を形成するエンボス構造物を含む。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes a memory section 21 for storing data and a memory controller 22 having a function of converting a logical address supplied from a host device to a physical address of the memory section 21 and controlling read and write in the memory section 21.例文帳に追加
半導体記憶装置は、データを記憶するメモリ部21と、ホストデバイスから供給された論理アドレスをメモリ部21の物理アドレスに変換する機能を有し、メモリ部21の読み出し及び書き込みを制御するメモリコントローラ22とを備える。 - 特許庁
The cache is cleared at every passage of a round trip time of transfer between a local memory and a remote memory, equivalent to coming of the next transfer command by releasing rewrite lock on the local memory side so that data not agreeing with the local memory are not stored in the cache memory 6.例文帳に追加
キャッシュメモリ6にローカルメモリと一致しないデータが蓄えられないように、ローカルメモリ側の書き換えロックがはずされて次の転送命令がくるのに相当する、ローカルメモリ−リモートメモリ間の転送のラウンドトリップタイム経過ごとに、キャッシュをクリアする。 - 特許庁
The residual memory quantity of a buffer 17 is displayed at a display 25 during dubbing by a bar graph 30 at which the ratio of the memory quantity and the residual memory quantity attains the ratio of the lengths in the longitudinal direction of a memory quantity ratio segment 31 and a residual memory quantity ratio segment 32.例文帳に追加
ダビング中、ディスプレー25には、バッファ17の記憶残量が、記憶量及び記憶残量の比が記憶量割合部分31及び記憶残量割合部分32の縦方向長さの比となるバーグラフ30で表示される。 - 特許庁
The function part 10 is configured so as to support a nonvolatile memory control function to the nonvolatile memory (flash memory) 8 which performs interface control having compatibility with the volatile memory (SDRAM) 4 through a volatile memory control part 6 in the controller 2.例文帳に追加
該機能部10は、揮発性メモリ(SDRAM)4と互換性を有するインタフェース制御を行う、不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)8に対する不揮発性メモリ制御機能を、前記コントローラ2内の揮発性メモリ制御部6を介してサポートするように構成する。 - 特許庁
Besides, a card connector 3 capable of connecting a memory card 4 is provided and when the memory card 4, on which a card memory program is stored is loaded onto the card connector 3, the card memory program can be run without reloading the incorporated program in the memory 2.例文帳に追加
また、メモリカード4を接続可能なカードコネクタ3を具えており、カードコネクタ3にカード格納プログラムが格納されたメモリカード4が挿入されたとき、メモリ2の内蔵プログラムを書き換えることなく、前記カード格納プログラムを実行できるようにする。 - 特許庁
Further, the instruction change apparatus includes a command memory change unit for changing the content of the LUT or the micro memory, an LUT change unit and a micro memory change unit, at the change command executing time to an LUT for interpreting the command stored in the command memory or a micro memory.例文帳に追加
また、命令メモリに記憶された命令を解釈するLUTやマイクロメモリに対して、変更命令の実行時には、LUTやマイクロメモリの内容を変更する命令メモリ変更部とLUT変更部、マイクロメモリ変更部を備える。 - 特許庁
Then, display data in an image memory 2 are decoded, and written in a sprite buffer 16.例文帳に追加
そして、画像メモリ2内の表示データがデコードされ、スプライトバッファ16に書き込まれる。 - 特許庁
When notification is received in relation to the event, the OS records a notification time in the memory.例文帳に追加
そのイベントに関して通知を受けたとき、OSは、その通知時刻をメモリに記録する。 - 特許庁
A pattern of pressure-time differentiation in the gas leakage is stored in a memory 20.例文帳に追加
一方、メモリ20にはガス漏洩時の圧力時間微分のパターンが記憶されている。 - 特許庁
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