「In-Ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The ratio of a group III element to group VI element is 2:3.例文帳に追加

また、In-Ga-Se化合物ターゲット21に含まれるIII族元素対VI族元素の比を２：３とする。 - 特許庁

Endeavouring to depict beautiful women of various postures and facial expressions, he was a master of bijin-ga (a genre of ukiyo-e specializing in the portrayal of beautiful women). 例文帳に追加

さまざまな姿態、表情の美人を追求した美人画の大家。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In 1858, together with Genboku ITO, Seikai TOTSUKA, and others, he opened the Otama ga Ike Vaccination Institute. 例文帳に追加

安政5年（1858年）、伊東玄朴・戸塚静海らと図り、お玉が池種痘所設立。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In-Ga-Zn-O has large electron mobility even under the amorphous conditions.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏはアモルファス状態でも大きな電子移動度を有する。 - 特許庁

It has kasen (renga sequences of 36 verses) and 58 hokku (first lines of renga sequences) composed in places such as Jugo ga iori (Jugo's hermitage) and Yasui-tei (Yasui's bower). 例文帳に追加

重五が庵、野水亭などにおける歌仙、58の発句をおさめる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Gachu-ga (a pictorial work that appear within a painting as part of the overall composition) expressed in Emakimono during the Kamakura Period shows that Suiboku-ga was adopted for Shoji-e (paintings on shoji paper sliding-door or Fusuma) in the temples other than those belonging to the Zen sect. 例文帳に追加

鎌倉時代の絵巻物に表現された画中画を見ると、当時、禅宗以外の寺院の障子絵などにも水墨画が用いられていたことがわかる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.例文帳に追加

ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁

Therefore, the hydroxyl group is removed from the Ga oxide film 108 by heating the GaAs substrate 101 by a hot plate after an etching process in order to change the Ga oxide film 108 into the Ga oxide film 109 having a higher insulation property.例文帳に追加

このため、エッチング後、このＧａＡｓ基板１０１をホットプレートで加熱することにより、このＧａ酸化膜１０８から水酸基を取り除き、絶縁性の高いＧａ酸化膜１０９に変質させる。 - 特許庁

His area of painting was wide, covering sansui-ga (painting of mountains and rivers), Kacho-ga (painting of flowers and birds), portraits, and Butsu-ga (painting of Buddha), and additionally, he established his own painting style called Hasshu Kengaku (syncretic study of all eight schools of Buddhist learning) and then he became a great authority of Kanto Nanga (a school of painting originating in China). 例文帳に追加

その画域は山水画、花鳥画、人物画、仏画にまで及び画様の幅も広く「八宗兼学」とまでいわれる独自の画風を確立し、後に関東南画壇の泰斗となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the method for producing the Ga-doped silicon single crystal by a Czochralski method, the Ga-doped silicon single crystal is produced by growing the single crystal by adding a Ga-compound being solid at the ordinary temperature.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりＧａ（ガリウム）がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、常温で固体であるＧａ化合物を添加して単結晶の成長を行うＧａドープシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

In that sense, Nihon-ga is defined as those created after the Meiji period, which means that Taikan YOKOYAMA of Meiji was classified as a painter of Nihon-ga but the Edo period painter Eitoku KANO was not. 例文帳に追加

その意味では日本画は明治以降のものであり、明治の横山大観が日本画家であっても、江戸時代の狩野永徳は日本画家ではない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The aluminum material for electrolytic capacitor electrode has the following alloy composition, in which the purity of aluminum is ≥99.98 mass%, and Zn is ≥0.0002 mass% , Ga is ≥0.0005 mass% and Zn content CZn (mass%) and Ga content CGa (mass%) satisfies the following relation of 0.0056≤6CGa+7CZn≤0.0245.例文帳に追加

合金組成において、アルミニウム純度が99.98質量％以上であって、Znを0.0002質量％以上、Gaを0.0005質量％以上含有し、且つZn含有量CZn(質量％)及びGa含有量CGa(質量％)が0.0056≦6CGa＋7CZn≦0.0245なる関係を満たしている電解コンデンサ電極用アルミニウム材である。 - 特許庁

When producing trioxan from an aqueous solution of formaldehyde in the presence of gallium silicate as a catalyst, in the method of this invention, a gallium silicate is use as a catalyst in a molar ratio (Si/Ga) of 5-50.例文帳に追加

触媒としてガリウムシリケートを用い、ホルムアルデヒド水溶液からトリオキサンを製造する。 - 特許庁

In the formula, A is Si, Ge, Ti, Zr, Al or Ga; and (x) is 1 to 6.例文帳に追加

式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＡｌまたはＧａであり、ｘは１〜６である。 - 特許庁

The interface layer 15 is composed of at least one of Al, Ga, and In.例文帳に追加

この界面層１５は、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎの少なくとも一種以上からなる。 - 特許庁

To form a light absorbing layer of a chalcopyrite-type solar cell as a homogeneous Cu(In, Ga)-Se layer.例文帳に追加

カルコパイライト型太陽電池の光吸収層を、均質なＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ層として形成する。 - 特許庁

To manufacture (Al, Ga, In) N compound semiconductor without performing an anneal process.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体をアニール工程を行うことなく製造する。 - 特許庁

In addition to elaborate Sansui-ga (Chinese-style landscape painting), bamboo, chrysanthemum, pine and so on were painted by him as his subject matter. 例文帳に追加

精緻な山水画の他にも墨竹や菊・松などの題材を好んで画いている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Nankaku was skillful at Sansui-ga (Chinese-style landscape painting) and portraits, and was considered as one of the pioneers of literati painting in Japan. 例文帳に追加

山水画、人物画を得意とし、日本文人画の先覚者のひとりとされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁

With the prosperity of 'Nihon ga' (Japanese paintings), kakejiku flourished vigorously in the Meiji and Taisho period. 例文帳に追加

明治・大正期は日本画の隆盛により、掛軸もさらに大きく飛躍していった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Haboku-sansui-zu' is a Sansui-ga (Chinese-style landscape painting) which was created by Sesshu in 1495 and was given to Sesshu's disciple, Soen. 例文帳に追加

「破墨山水図」は、雪舟が1495年に制作し、弟子の宗淵に与えた山水画。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In 1875, nishiki-e-version 'Yubin-hochi Shinbun' and 'Osaka-nishiki-ga (nishiki-e picture) Shinbun' started to be published. 例文帳に追加

1875年（明治8年）、錦絵版「郵便報知新聞」、「大阪錦画新聞」が創刊される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Fighting Act to Sakuramaru Seppuku (suicide by disembowelment) Act is performed as "ga no iwai" (rite of passage celebrated at various ages to pray for long life) in Kabuki. 例文帳に追加

喧嘩の場～桜丸切腹の場→歌舞伎では『賀の祝』の通称で上演 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Women wearing the most fashionable dresses at the time were called 'modern girls' or 'mo-ga' in short (モガ: an abbreviation for モダンガール [modern girl]). 例文帳に追加

最先端の洋装を着た女性は「モダン･ガール（モガ）」と呼ばれるようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, and contains In, Ga, Zn and O, where an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有し、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である。 - 特許庁

After that, the precursor thin film is heat-treated in atmosphere containing Se to form a Cu(In, Ga)Se_2 thin film.例文帳に追加

その後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_２薄膜を形成する。 - 特許庁

The "subject" is the person or object to carry out the action in the sentence. Transformed to Japanese it would be the part that end in "wa" or "ga". 例文帳に追加

「主部」とは、文の中の動作をする人・物で、日本語に直した場合に「〜は」「〜が」になる部分です。 - Tanaka Corpus

The "subject" is the person or object to carry out the action in the sentence. Transformed to Japanese it would be the part that end in "wa" or "ga".例文帳に追加

「主部」とは、文の中の動作をする人・物で、日本語に直した場合に「～は」「～が」になる部分です。 - Tatoeba例文

In the growing process, Ga element is supplied from the GaN substrate 10 in a solution of Ga element and the flux, consequently lowering of the Ga concentration in the flux associated with the growth in the surface side can be suppressed, the ratio of Ga element in the flux can be made constant, and flux-constituting elements such as Na or Li can be prevented from being taken into the crystal.例文帳に追加

成長工程において、Ｇａ元素とフラックスとの溶液では、Ｇａ元素がＧａＮ基板１０から供給されるので、表面側成長に伴うフラックス中のＧａ濃度の低下を抑制でき、フラックス中のＧａ元素比を一定にすることができ、ＮａやＬｉなどのフラックス構成元素が結晶中に取り込まれるのを防止することができる。 - 特許庁

In a process where a leach liquor is added to the the material containing one or more of Ga, Ge and In, and one or more of Ga, Ge and In are leached and separated, a sulfurizing agent is added to the leach liquor, thus one or more of Ga, Ge and In are efficiently leached and separated from the material containing one or more of Ga, Ge and In.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものに浸出液を加えてＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を浸出して分離する過程において、この浸出液に硫化剤を添加することによって、前記Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を効率よく浸出して分離する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing device-quality free-standing (Al, Ga, In)N articles by growing a (Al, Ga, In)N material on a sacrificial template and separating the material from the sacrificial template.例文帳に追加

犠牲型板上に成長させた（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料を犠牲型板から分離し、デバイス品質の独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently separate one or more of Ga, Ge and In from a material containing one or more of Ga, Ge and In as solid material by a simple process.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を固形物として含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を単純な工程で効率よく分離することを可能にする。 - 特許庁

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

To provide a solvent extraction method of Ga and In capable of efficiently extracting Ga and In while suppressing transfer of impurities such as iron, zinc and aluminum to an organic phase.例文帳に追加

鉄、亜鉛およびアルミニウム等の不純物の有機相への移行を押さえながら、Ｇａ，Ｉｎを効率よく抽出することができるＧａ，Ｉｎの溶媒抽出方法を提供する。 - 特許庁

Fuel injection quantity is controlled to make air fuel ratio in the upstream of the catalyst richer than the actual stoichiometric air fuel ratio of the catalyst (straight line 2) in a zone where intake air quantity Ga exceeds 15 g/sec.例文帳に追加

吸入空気量Gaが１５(g/sec)を超える領域で、触媒の上流における空燃比が、触媒の実理論空燃比（直線(2)）よりリッチ化するように燃料噴射量を制御する。 - 特許庁

To realize an illuminated defect repair using an ion beam device in which the deterioration in the quality in the periphery of a repair region due to a Ga ion diffusion in cleaning after post treatment of a halo component by a laser beam repair machine does not occur.例文帳に追加

レーザー修正機によるハロー成分のポストトリートメント後の洗浄時にGaイオン拡散に起因する修正領域周辺の品質劣化の起こらないイオンビーム装置を用いた白欠陥修正を実現する。 - 特許庁

Nitrogen gas is introduced into a Ga-Al alloy melt 4, to thereby generate epitaxial growth of an aluminum nitride crystal on a seed crystal substrate 3 in the Ga-Al alloy melt 4.例文帳に追加

Ｇａ−Ａｌ合金融液４に窒素ガスを導入し、Ｇａ−Ａｌ合金融液４中の種結晶基板３上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The term 'Nihon-ga' came into use in the beginning of the Meiji period to distinguish drawing styles which had already existed from Western style oil painting (or Yo-ga) imported from Europe at that time. 例文帳に追加

「日本画」は明治初期にヨーロッパからもたらされた油彩画すなわち西洋画（または「洋画」）に対して、それまでの日本にあった図画に対して用いられた用語である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The thin magnetic substance is obtained by replacing 0.5-15% of Ga in the host phase of Ga_2O_3 by one kind or a plurality of kinds of V, Cr, Mn, Fe, Co and Ni.例文帳に追加

本発明の希薄磁性体は、Ga_2O_3を母相とし、該母相のGaのうちの0.5%〜15%がV, Cr, Mn, Fe, Co, Niのうちのいずれか１種又は複数種の原子に置換することにより得られる。 - 特許庁

The polygon-meshed product surface is divided into regions, and a texture GA is mapped in an initial region A.例文帳に追加

ポリゴンメッシュ化した製品表面を領域分けし、初期領域ＡにテクスチャＧＡをマッピングする。 - 特許庁

To provide a method for discharging Ga stored in a container, with constantly high purity.例文帳に追加

容器に収納されたＧａを安定した高純度で取り出すことのできる手段を提供する。 - 特許庁

In the protective layer formation step, protective layers (23 and 67) containing Al, Ga, and As are formed.例文帳に追加

保護層形成工程では、Ａｌ、ＧａおよびＡｓを含む保護層（２３，６７）を形成する。 - 特許庁

Udatsu-ga-agaranai refers to a condition where no good result are being obtained, in work for example, with no future prospects. 例文帳に追加

うだつがあがらないとは、仕事などで成果が出ず、先の見込みがない状態を言う。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method of making an (Al, Ga, In)N semiconductor device having a substrate and an active region.例文帳に追加

基板および活性領域を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体デバイスの作製方法が提供される。 - 特許庁