「In-Ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In the formation process of an InGaN film, In and Ga are simultaneously accommodated in one HWE furnace, heated and evaporated, and NH3+N2 as nitrogen source is supplied above the HWE furnace from the outside.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ膜の成膜は、一つのＨＷＥ炉にＩｎとＧａを同時に収容して加熱蒸発させ、外部から窒素源としてＮＨ_3＋Ｎ_2をＨＷＥ炉上に供給する。 - 特許庁

In the Shochu Disturbance in 1324, in which Godaigo's plot was detected by Rokuhara Tandai (an administrative and judicial agency in Rokuhara, Kyoto) that were set up by the Hojo clan to monitor the Imperial court, Suketomo was captured along with Toshimoto HINO, sent to Kamakura, and sentenced to exile in Sado ga shima Island. 例文帳に追加

1324年に計画が北条氏が朝廷監視のために設置していた京都の六波羅探題に察知された正中の変では日野俊基らとともに捕縛されて鎌倉へ送られ、佐渡島へ流罪となる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The solder alloy may contain one or more kinds of elements selected from Fe, Ni, Co, Ru, Al, P and Ga by ≤0.1% in total.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｐ、Ｇａのうちから選ばれる１種または２種以上の元素を合計で０．１％以下含んでもよい。 - 特許庁

The sputtering target includes: an alloy phase, which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu; and a pure Se phase.例文帳に追加

スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金相と、純Ｓｅ相とで構成されている。 - 特許庁

It is also rumored that Jozan along with Koetsu HONAMI (based at Taka ga Mine) and Shojo SHOKADO (based at Hachiman), had all come the notice of the bakufu (shogunate) and maintained oversight of events in Kyoto. 例文帳に追加

なお、鷹が峰の本阿弥光悦、八幡の松花堂昭乗と共に、幕府の意を受けて京中の監視をしていたとの説もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The gap Ga, Gb serves as a thermal insulator for cutting off the heat radiation of a hot cathode fluorescent lamp mounted in the main body casing 1X.例文帳に追加

空隙Ｇａ、Ｇｂは断熱材として作用し、本体ケ−ス１Ｘに取り付けられる熱陰極蛍光ランプからの放射熱を遮断する。 - 特許庁

In the case of the equal glossiness of the respective sides (Ga=Gb), the operation is progressed to S 7 and ordinary image formation is performed.例文帳に追加

各面の光沢度が異なる場合にはＳ４にてａ面の光沢度Ｇａがｂ面の光沢度Ｇｂより低いかどうかが判断される。 - 特許庁

He learned under Toyoharu UTAGAWA, the founder of the UTAGAWA school, and gained enormous popularity for his yakusha-e (a print of Kabuki actors) and bijin-ga (a print of beautiful women) in which his ideal beauty was portrayed. 例文帳に追加

歌川派の創始者歌川豊春の元で学び、理想の美しさを表現した役者絵や美人画で絶大な人気を得た。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method of refining gallium for liquid phase epitaxial growth which can easily reduce the Al concentration in Ga used for epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長に使用したＧａ中のＡｌ濃度を容易に低減できる液相エピタキシャル成長用ガリウムの精製方法を提供する。 - 特許庁

In addition, by containing Ge and/or Ga, oxidation-resistant characteristic of the solder and suppression of elution of Co can be enhanced.例文帳に追加

さらに、Ｇｅ及び／又はＧａを含有させることによって、はんだの耐酸化特性とＣｏの溶出抑制を向上させることができる。 - 特許庁

To simply and efficiently agitate a molten mix of Ga and Na in a production of a group III nitride semiconductor crystal by a Na flux method.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の製造において、ＧａとＮａの混合融液を簡易かつ効率的に攪拌すること。 - 特許庁

Inside the solid-state imaging device, pixels are disposed in a honeycomb array, and one block is composed of four pixels provided with color filters R, B, Ga, Gb.例文帳に追加

固体撮像素子内において、各画素をハニカム配列で配置し、色フィルタＲ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｂが設けられた４画素で１ブロックを構成する。 - 特許庁

Suiboku-ga (ink painting) is the art of painting in just one color using 'Sumi (Japanese ink),' not only for painting lines, but also gradation showing contrasting density and lighting. 例文帳に追加

水墨画（すいぼくが）とは、「墨」一色で表現される絵画で、墨線だけでなく、墨を面的に使用し、暈かしで濃淡・明暗を表す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Among the Sansui-ga of ink printing in Japan, the most earliest work seems to be "Heisa-rakugan-zu (painting of descending geese over a sandbar)" (personal possession) with a seal of 'Shitan.' 例文帳に追加

日本の水墨山水画のうち、もっとも初期の作とされるものは、「思堪」という印章のある『平沙落雁図』（個人蔵）である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this "Heisa-rakugan-zu" there is an amateurish part that shows the artist could not fully master the brushwork of Suiboku-ga, and it also suffers from perspective problems. 例文帳に追加

この『平沙落雁図』にはまだ水墨画の画法をこなしきれていない稚拙な部分があり、遠近感の表現なども十分ではない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Sesshu produced his own Suiboku-ga based upon actual landscapes in Japan such as "Ama-no-Hashidate-zu (painting of Ama-no-Hashidate)" digesting the influence of Chinese paintings. 例文帳に追加

雪舟は中国絵画の影響を消化しつつ『天橋立図』のような日本の実景を題材にした独自の水墨画を制作した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

We can gather the images of 'kanzashi' of that time from the scene where Hikaru Genji attacked shiragiku (with a white chrysanthemum) on his court cap, which was described in 'Koyo no ga' (An Autumn Excursion) of the "The tale of Genji." 例文帳に追加

『源氏物語』「紅葉の賀」で光源氏が白菊を冠に飾った場面で、当時の「かんざし｣の様子が見ることが出来る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

the Mifa shanshui is a style of Sansui-ga (Chinese-style landscape painting) with ink that Futsu BEI and his son Mi Youren, literati painters during Sung dynasty in China, are reported to have started 例文帳に追加

米法山水（べいほうさんすい）は、中国、宋代の文人画家、米芾・米友仁父子が始めたと伝えられる水墨山水画法。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A potting resin 12 is filled in only the gap Ga1 between the core 2 and an outer periphery of the coil 4, and in only the gap Ga between the core 2 and the coil 4, and the bottom wall 5a.例文帳に追加

コア２とコイル４の外周との間の隙間Ｇａ１、並びに、コア２及びコイル４と底壁５ａとの間の隙間Ｇａのみにポッティング樹脂１２が充填される。 - 特許庁

To provide a gallium oxide powder excellent in dispersibility as a gallium oxide powder from which a sputtering target like an In-Ga-Zn composite oxide can be manufactured suitably.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ複合酸化物などのようなスパッタリングターゲットを好適に製造できる酸化ガリウム粉末として、分散性に優れた酸化ガリウム粉末を提案する。 - 特許庁

In the phase change optical recording medium, a phase change recording material constituting a recording layer is formed from a phase change alloy containing at least Ga or In and Sb, Zr, and Mg.例文帳に追加

（１）記録層を構成する相変化記録材料が、少なくともＧａ又はＩｎと、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｍｇを含む相変化合金である相変化型光記録媒体。 - 特許庁

The ferrite magnetic material comprises, as a main phase, a hexagonal W-type ferrite and a Ga-constituent in an amount of 15 wt.% or less (not including zero) expressed in terms of Ga_2O_3.例文帳に追加

六方晶Ｗ型フェライトが主相をなし、Ｇａ成分をＧａ_２Ｏ_３換算で１５ｗｔ％以下（ただし０を含まず）含有するようにした。 - 特許庁

In the state that the electro-optical panel 10 is fixed, the element array surface 122 of the electro-optical elements E in the substrate 12 opposes a bottom surface Ba of the groove Ga.例文帳に追加

電気光学パネル１０が固定された状態において、基板１２における電気光学素子Ｅの素子配列面１２２は溝部Ｇaの底面Ｂaと対向する。 - 特許庁

In the NHK's period drama "Shinsen-gumi!" described from the Shogunate viewpoint and in the Television Tokyo's new year wide period drama "Ryoma ga Yuku (2004, TV drama)," Ryoma's assassination is depicted based on this theory. 例文帳に追加

幕藩側に立って書かれた大河ドラマ『新選組!』やテレビ東京新春ワイド時代劇『竜馬がゆく(2004年テレビドラマ)』ではこの説に則って龍馬の暗殺を描いている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The n-side clad layer 3 in the semiconductor laser 1 has a four element material of In, Ga, As and P lattice matched to InP and has a composition wavelength of 0.96-0.98 μm.例文帳に追加

この半導体レーザ１におけるｎ側クラッド層３は、ＩｎＰに格子整合したＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐの４元材料を有し、その組成波長が０．９６〜０．９８μｍである。 - 特許庁

Thus, the binding density of In and N becomes more than the binding density of Ga and N, thereby promoting binding of N atoms and In atoms.例文帳に追加

これにより、ＩｎとＮとの結合の密度が、ＧａとＮとの結合の密度よりも多くなってＮ原子とIｎ原子との結合が促進されていることがわかった。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a Ga reservoir 8, in which gallium is arranged, and is jetted from a jetting port 10 arranged in the vicinity of the top part of the group V gas diffusing part 7.例文帳に追加

一方、塩化水素はガリウムを配置したＧａ溜め８に導かれ、Ｖ族ガス拡散部７の頂点部付近に配置された噴射口１０より噴射される。 - 特許庁

According to the legend in Niibo-mura, Sado ga-shima Island, Niigata Prefecture (Present Sado City), a dragon lantern (mysterious fire which is said to be lit by a dragon) came flying almost every night at a plum tree in the Konpon-ji Temple. 例文帳に追加

新潟県佐渡島新穂村（現・佐渡市）の伝説では、根本寺の梅の木に毎晩のように龍燈（竜が灯すといわれる怪火）が飛来していた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction.例文帳に追加

ＩｎＰを基板とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｎを含む３−５族化合物半導体の沈降層と、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含む３−５族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ２の接合を形成した超格子を受光層とする。 - 特許庁

To provide a Cu-Ga alloy sputtering target which enables the formation of a Cu-Ga sputtering film having excellent uniformity in film component composition (film uniformity), enables the reduction of occurrence of arcing during sputtering, has high strength, and rarely undergoes cracking during sputtering.例文帳に追加

膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The magnetic material has an X-ray diffraction peak corresponding to the crystal structure of ε-Fe_2O_3 and is composed of a crystal of ε-Ga_xFe_2-xO_3, formed by replacing a part of Ga^3+ ion site in the ε-Fe_2O_3 crystal with Ga^3+ ion, wherein 0<X<1.例文帳に追加

ε−Ｆｅ_2Ｏ_3の結晶構造に対応するＸ線回折ピークを有し、ε−Ｆｅ_2Ｏ_3結晶のＧａ^3+イオンサイトの一部がＧａ^3+イオンで置換されたε−Ｇａ_xＦｅ_2-xＯ_3〔ただし０＜Ｘ＜１である〕の結晶からなる磁性材料である。 - 特許庁

In a step 108, it is determined whether a condition where time during which state of high intake air quantity under which intake air quantity Ga is high continues is X sec or longer and reduction quantity of intake air quantity is Y g or more is satisfied or not.例文帳に追加

ステップ１０８では、吸入空気量Gaが高い高吸入空気量の状態が継続した時間がＸ（ｓｅｃ）以上であり、かつ吸入空気量の減少量がＹ（ｇ）以上である、という条件をみたしているか否かが判別される。 - 特許庁

Then, in accordance with the above (5) expression into which the latest model parameter all is substituted, the Ga(t), the Fi(t), and the Sa(t) are calculated (Step 104) and a throttle valve 22, fuel injection and ignition control are executed to develop the Ga(t), etc., (Step 106).例文帳に追加

次いで、最新のモデルパラメータａ１１等が代入された上記（５）式に従って、Ｇａ（ｔ）、Ｆｉ（ｔ）、およびＳａ（ｔ）を算出し（ステップ１０４）、これらのＧａ（ｔ）等となるように、スロットルバルブ２２、燃料噴射、および点火の制御を実行する（ステップ１０６）。 - 特許庁

To cut even a Cu-Ga alloy ingot, which is manufactured by, for example, the dissolved casting and has relatively large composition ratio of Ga, into a desired shape without causing cracking, cracking or chipping, and to provide a sputtering target consisting of a Cu-Ga alloy and having an excellent surface smoothness Ra of ≤0.1 μm by the surface polishing in a relatively short period of time.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断し、Ｒａが０．１μｍ以下の優れた表面平滑性を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを比較的短時間の表面研磨により提供する。 - 特許庁

Disclosed is the manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light emitting element wherein a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b consisting of a dopant element are used to form at least a portion of a semiconductor layer by exciting the Ga target 47a by sputtering and exciting the dopant target 47b with charged particles in a beam shape.例文帳に追加

Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the compound semiconductor element includes a process sequence for applying heat treatment at a heat treatment temperature in the range of 350 to 430°C, after electrodes 17, 19 containing Pt (platinum) and Ti (titanium) are formed in a compound semiconductor wafer 1 that contains Ga (gallium) or In (indium) or a compound semiconductor layer 15 containing Ga or In.例文帳に追加

化合物半導体素子の製造方法において、Ｇａ（ガリウム）またはＩｎ（インジウム）を含む化合物半導体ウエハ１またはＧａまたはＩｎを含む化合物半導体層１５にＰｔ（白金）またはＴｉ（チタン）を含む電極１７，１９を形成した後、熱処理温度を３５０℃〜４３０℃の範囲内とする熱処理を施す工程を含む手順とする。 - 特許庁

In this constitution, the constraint tool 16 is provided with a guide part (outer peripheral guide Ga, rolling face guide Gb) for guiding at least part of the respective rolling elements 6.例文帳に追加

このような構成において、拘束具には、少なくとも各転動体の一部をガイドするガイド部(外周ガイドＧａ、転動面ガイドＧｂ)が設けられている。 - 特許庁

The position of a gravity center Ga of the recording layer 3 in its thickness direction is located at a position of the interior of the recording layer 3 biased by 1/2 of the layer thickness toward the fixed layer 1.例文帳に追加

記録層３の膜厚方向における磁化の重心Ｇａの位置が記録層３の膜厚の１／２よりも固着層１側に位置している。 - 特許庁

To provide a sputtering target composed of a In-Ga-Zn-based oxide sintered compact with which a uniform thin-film transistor panel with large area can be manufactured.例文帳に追加

大面積で均一な薄膜トランジスタパネルの製造が可能なＩｎ−Ｇｎ−Ｚｎ系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method for stably forming a p-type In-Ga-Zn-O film.例文帳に追加

安定的にｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜することができるｐ型Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The oxidation catalyst contains a Ce-Ga composite oxide which has cerium and gallium and is made of a solid solution in which gallium is replaced with at least a part of cerium.例文帳に追加

酸化触媒は、セリウムとガリウムとを有し、ガリウムがセリウムの少なくとも一部と置換した固溶体からなるＣｅ−Ｇａ複合酸化物を含有する。 - 特許庁

A molar amount of B is 0.0001 or more to 0.01 or less when total molar amount of Zn, Al, Ga and B is 1, in the thermoelectric transducing material.例文帳に追加

Ｚｎ、Ａｌ、ＧａおよびＢの総モル量を１としたときの、Ｂのモル量が０．０００１以上０．０１以下である前記熱電変換材料。 - 特許庁

For example, Ga_5 is substituted with Ga_4.8 and Al_0.2 to form La_3Ga_4.8Al_0.2SiO_14, and the amount of the Ga is reduced thereby, in the single crystal of the LGAS.例文帳に追加

例えばＬＧＡＳ単結晶はＧａ_５をＧａ_４．８とＡｌ_０．２で置換しＬａ_３Ｇａ_４．８Ａｌ_０．２ＳｉＯ_１４としてＧａの量を減らしている。 - 特許庁

In a frame period, the writing of picture data to the pixels is performed by successive selection of first scanning lines GA by a first scanning line driving part 3a.例文帳に追加

１フレーム期間において、画像データの書込みは、第１の走査線駆動部３ａによる第１の走査線ＧＡの順次選択によって行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target, which consists of a Cu-Ga alloy and is suppressive in occurrence of cracking, cracking or chipping, with excellent productivity.例文帳に追加

生産性よく、ヒビが入ったり、割れたり、欠けたりすることの抑制されたＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁