「MAGNETO- RESISTANCE EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic detection element has a lower shield layer 14, a magneto-resistance effect element 2, an upper gap layer 37 and an upper shielding layer 38 on a substrate 12.例文帳に追加

基板１２上に、下部シールド層１４と、磁気抵抗効果素子２と、上部ギャップ層３７と、上部シールド層３８とを有している。 - 特許庁

To obtain a magnetic sensor of uniform quality by preventing a magnetic film having magneto-resistance effect from being broken and improving hysteresis characteristics.例文帳に追加

磁気抵抗効果を有する磁性膜の断線を防止するとともに、ヒステリシス特性を改善して、均一な品質の磁気センサを得る。 - 特許庁

The magneto-resistance effect element (1) includes the fixing layer (9), the tunnel insulating layer (10), and a free layer (11) formed on the tunnel insulating layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子（１）は、固着層（９）と、トンネル絶縁層（１０）と、トンネル絶縁層上に形成される自由層（１１）を含む。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which is made finer, thermally stable, and has a small switching magnetic field, and also to provide a magnetic memory using it.例文帳に追加

微細化が可能で、熱的に安定で、スイッチング磁界の小さな磁気抵抗効果素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。 - 特許庁

Controlling of magnetic domains by the magnetic controlling layers 5 in the magneto-resistance effect film 12 can be stabilized by the first antiferromagnetic layer 51.例文帳に追加

第一の反強磁性体層５１によって、磁気制御層５による磁気抵抗効果膜１２における磁区制御を安定化できる。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type head in which noise is reduced and which has an excellent high frequency characteristic with high yield by suppressing noise resulting from a level difference of an upper shield layer or a lower shield layer and by reducing a capacitance in the magneto-resistance effect type head of a CPP structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上部シールド層あるいは下部シールド層の段差に起因するノイズを抑制し、かつ静電容量Ｃを低減し、ノイズが少なく、高周波特性に優れた磁気抵抗効果型ヘッドを高い歩留まりで提供する。 - 特許庁

When the output waveform of the magneto-resistance effect element MR in writing is such waveform that the first data "0" is already written, the first waveform is output, when the second data "1" is already written in the magneto-resistance effect element MR, the second waveform is output.例文帳に追加

書き込み時の磁気抵抗効果素子ＭＲの出力波形が、磁気抵抗効果素子ＭＲに第１データ「０」が既に書き込まれていた場合には、第１波形が出力されるが、磁気抵抗効果素子に第２データ「１」が既に書き込まれていた場合には、第２波形が出力される。 - 特許庁

A beam member 11 is fitted in a cantilever state to a substrate 10 and the magneto-resistance effect element 12 is fitted to the base end side of the beam member 11; and a 1st magnetic shield 13 and a 2nd magnetic shield 14 are fitted to the 2nd magnetic shield 14 while surrounding the magneto- resistance effect element 12.例文帳に追加

基板１０に梁部材１１を片持ち状態で取り付け、梁部材１１の基部側に磁気抵抗効果素子１２を取り付け、磁気抵抗効果素子１２を包囲する状態で第１の磁気シールド１３および第２の磁気シールド１４を基板１０に取り付ける。 - 特許庁

In the magneto-resistance effect type head of the CPP structure, at least a part of a boundary between a lower shield layer 10 and a nonmagnetic film 11 formed around it is covered with an insulating protective film 20, and an area of the lower shield layer exposed to the surface of a substrate during patterning of a magneto-resistance effect sensor film is reduced.例文帳に追加

CPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下部シールド層10とその周囲に設けられている非磁性膜11との境界の少なくとも一部を絶縁保護膜20で被覆して、磁気抵抗効果センサ膜のパターニングの際に基板表面に出る下部シールド層の面積を小さくする。 - 特許庁

Since parts whereon the magneto-resistance effect elements 40 are to be formed are electrically connected by the magneto- resistance effect film 42, electric charges accumulated around the individual formation positions by the irradiation with the electron beam can be lead to the outside through the conductive member 50.例文帳に追加

そして、磁気抵抗効果膜４２は、磁気抵抗効果素子４０が形成されることとなる各形成位置間を電気的に接続しているため、電子ビームの照射によって各形成位置付近に蓄積された電荷ｅを、導電部材５０を介して外部に導出させることが可能となる。 - 特許庁

Forming width of magneto-resistance effect elements 41, 42 are assumed to track width Tw seeing from s sliding plane side for a magnetic recording medium, the magneto-resistance effect elements 41, 42 are deviated mutually in the direction of track width through a shield magnetic film 22 consisting of a magnetic material and laminated by two layers or more.例文帳に追加

磁気記録媒体との摺動面側から見て、磁気抵抗効果素子４１，４２の形成幅をトラック幅Ｔｗとし、磁性材料でなるシールド磁性膜２２を介して磁気抵抗効果素子４１，４２をトラック幅方向に相互にずらして２層以上積層する。 - 特許庁

A through-hole 10 is formed at a part of a lower-part gap film 4 which is formed on the lower-part shield film 3, and the lower-part shield film 3 and the magneto resistance effect film 5 are short-circuited when the magneto resistance effect film 5 is made, and the short-circuiting is maintained in the subsequent manufacturing processes.例文帳に追加

下部シールド膜３の上に製膜する下部ギャップ膜４の一部にスルーホール１０を形成し、磁気抵抗効果膜５の製膜時に下部シールド膜３と磁気抵抗効果膜５が短絡する構造とし、以降の製造工程においてもその短絡を維持する。 - 特許庁

To provide a spin valve type magneto-resistance effect head which has high sensitivity and also in which the degradation of sensitivity with respect to high temps. is small and constant.例文帳に追加

高い感度を有し、且つ高い温度に対して感度劣化の小さい安定したスピンバルブ型磁気抵抗効果ヘッドを提供すること。 - 特許庁

In the storage cell 12Ev, inductive magnetic fields are strengthened mutually, magnetization of each magneto-sensitive layer of the magnetic resistance effect elements 12A, 12B are anti-parallel mutually.例文帳に追加

記憶セル１２Ｅｖでは、誘導磁界が互いに強め合い、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの各感磁層の磁化を互いに反平行とする。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect film which has high sensitivity and reduced temperature dependency, to provide a magnetic sensor using the same, and to provide a rotation angle detecting device.例文帳に追加

高感度で温度依存性を低減した磁気抵抗効果膜とそれを用いた磁気センサ及び回転角度検出装置を提供する。 - 特許庁

In reading operation, a current is supplied to between the nonmagnetic bit line and wiring and a current is supplied along the film thickness of the magneto-resistance effect element.例文帳に追加

読み出し動作時には、非磁性ビット線と配線との間に電流を流し、磁気抵抗効果素子の膜厚方向に電流を流す。 - 特許庁

To make it possible to obtain high reliability concerning data to be stored in an integrated memory provided with memory cells having a magneto resistance memory effect.例文帳に追加

磁気抵抗メモリ効果をもつメモリセルを備えた集積メモリにおいて、記憶すべきデータに関してかなり高い信頼性が得られるようにする。 - 特許庁

The 1st wire is formed so that the width of a surface facing the magneto-resistance effect element in plane is smaller than the width of the surface opposite from the surface.例文帳に追加

第１配線は、磁気抵抗効果素子と面する面の平面における幅がこの面と反対側の面の幅より小さく形成される。 - 特許庁

The magneto-resistance effect head having these vertical diodes 56 and 58 is manufactured by a thin film art and this vertical diodes 56 and 58 can be manufactured by a spot laser annealing treatment.例文帳に追加

この縦型ダイオードを持った磁気抵抗効果ヘッドは薄膜技術で製作され、縦型ダイオードはスポットレーザアニールして作ることができる。 - 特許庁

MAGNETO RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS THEREOF, MAGNETIC HEAD, HEAD SUSPENSION ASSEMBLY, AND MAGNETIC REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、磁気再生装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、および、磁気抵抗効果素子製造装置 - 特許庁

To provide a spin valve type magneto-resistance effect reproducing head of a complete reflection type corresponding to a superhigh recording density, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

超高記録密度に対応した完全反射型のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To perform polishing so as to set the MR depth of an MR element constituting a part of a magneto-resistance effect magnetic head in accordance with the characteristic of a magnetic tape.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一部を構成するＭＲ素子のＭＲデプスを磁気テープの特性に合わせて所定の値になるように研磨する。 - 特許庁

To improve the sensitivity, the output and the output stability of a magneto-resistance effect device, and to accurately decide an effective reading track width.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置の感度、出力および出力安定性を向上させると共に、実効読み出しトラック幅を精度よく決定できるようにする。 - 特許庁

To provide an inspection device of a magneto-resistance effect head, in which the number of components of an inspection circuit is reduced and the space at the time for making to be an IC is reduced.例文帳に追加

検査回路の部品点数を削減しＩＣ化する際のスペースを削減することのできる磁気抵抗効果型ヘッド検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which includes a magnetic material, which forms antiferromagnetic combination with full Heusler alloy high in spin polarization rate, and which is high in TMR (tunnel magnetoresistance ratio).例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

On the substrate 51, a clad 52 is formed of a substance exhibiting magneto-resistance effect and on the clad 52, a core 53 is formed of PLZT.例文帳に追加

基板５１の上には、磁気抵抗効果を示す物質によりクラッド５２が形成されており、クラッド５２の上にはＰＬＺＴからなるコア５３が形成されている。 - 特許庁

SWITCHED CONNECTION FILM AND ITS MANUFACTURE, MAGNETO- RESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE FILM, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜とその製造方法、前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head capable of dealing with a high recording density by quickly discharging heat generated from a magneto- resistance effect element to the outside.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子からの発熱を速やかに外部に放出することにより、高記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

Consequently, recesses 65 and 67 are formed by etching processing on the surface opposite to the overcoat 55 set at the end by the side of the magneto-resistance effect film of the electrode layer.例文帳に追加

これにより、電極膜の磁気抵抗効果膜側の端部における、保護膜５５と対向する面には、エッチング加工された凹部６５、６７が形成される。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT. THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, MAGNETIC DISK APPARATUS, SYNTHETIC ANTI-FERROMAGNETIC MAGNETIZATION FIXING LAYER, MAGNETIC MEMORY CELL, AND CURRENT SENSOR例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、磁気ディスク装置、シンセティック反強磁性磁化固着層、磁気メモリセルおよび電流センサ - 特許庁

Also, by a control circuit 6 for selecting the mode, etc., a recording/reproducing amplifier 5 is controlled so as not to flow the sense current into the magneto-resistance effect element of the MR head.例文帳に追加

また、モード等選択制御回路６は、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を流さないよう記録再生増幅器５を制御する。 - 特許庁

To prevent a reduction in a reproduction output even when a length in a direction vertical to the medium-facing surface of the dynamic area of a magneto-resistance effect element is set small.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の作動領域の媒体対向面に垂直な方向の長さを小さくしても再生出力の低下を防止できるようにする。 - 特許庁

The shapes of shields 1 and 2 are designed such that the direction of a magnetic field effectively applied on a magneto-resistance effect element 3 is perpendicular to a medium opposite surface 4.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子３へ実効的に作用する磁界の向きが媒体対向面４と直角となる様に、シールド１，２の形状を設計する。 - 特許庁

In the magneto-resistance effect element, a surface of a spacer layer 150 is adjacent to a surface of a free layer 160, and a surface of a pinned layer 140 is adjacent to another surface of the spacer layer 150.例文帳に追加

スペーサ層１５０は、一面が、フリー層１６０の一面に隣接しており、ピンド層１４０は、一面がスペーサ層１５０の他面に隣接している。 - 特許庁

The starting element for the magneto-resistance effect device is further provided with a dummy element 20D, a dummy bias magnetic field inductive layer 8D and a front flux probing layer 10D.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置用素材は、更に、ダミー素子２０Ｄと、ダミーのバイアス磁界誘導層８Ｄおよびフロントフラックスプローブ層１０Ｄを有している。 - 特許庁

To provide a recording/reproducing separation type magnetic head having a magneto-resistance effect type head which is thermally and magnetically stable and easily manufactured.例文帳に追加

熱的および磁気的に高い安定性を示し、製造が容易な磁気抵抗効果型ヘッドを有する記録再生分離型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type thin film magnetic head corresponding to a multi-track type which can reproduce a recorded signal faithfully and is excellent in productivity, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

記録信号を忠実に再生でき、生産性に優れたマルチトラック対応の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After etching processing, an overcoat 55 for preventing electromigration is covered for the etching prevention overcoats, the exposed part of the electrode layer, and the magneto-resistance effect film.例文帳に追加

エッチング加工後に、エッチング防止用保護膜、電極膜の露出した部分及び磁気抵抗効果膜に対してエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５を被覆する。 - 特許庁

A plurality of SV/GMR element 31 and 32 are arranged in the track width direction at the yoke gap part of a magnetic field induced yoke in a magneto-resistance effect type thin film magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁界誘導ヨークのヨークギャップ部分においてトラック幅方向に複数のSV-GMR素子３１、３２が配設される。 - 特許庁

By controlling the amount of electricity supplied to the heat generation layer 80, the distance between the magneto-resistance effect element or the electromagnetic conversion element and the recording medium is controlled.例文帳に追加

また、発熱層８０への通電量を制御することにより磁気抵抗効果素子や電磁変換素子記録媒体との間の距離が制御される。 - 特許庁

METHOD FOR DISCRIMINATING POSITION OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT OF MAGNETIC HEAD, MACHINING FOR MAGNETIC HEAD USING THE METHOD AND ASSEMBLING OF ROTARY MAGNETIC HEAD DEVICE例文帳に追加

磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子位置判別方法及びこれを利用した磁気ヘッドの加工方法並びに回転磁気ヘッド装置の組立方法 - 特許庁

To manufacture an element wherein a giant magneto-resistive(GMR) effect or tunnel magneto-resistance(TMR) effect is well provided by precisely controlling the thickness of a spacer, cluster electrode, or cluster electrode layer and selecting an appropriate material.例文帳に追加

スペイサ−の厚さ、あるいは、クラスタ電極の厚さ、または、クラスタ電極層の厚さを精密に制御するとともに、適切な材料選択により、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果、あるいは、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果が大きく発現する素子を作製すること。 - 特許庁

By the sharp sensor end inclined angle of 60° or higher, electromagnetic conversion characteristics of the magneto-resistance effect sensor are improved and, by setting the digging on the flat part of the lower insulating magnetic gap layer in the range of 0 nanometer to 2 nanometer, insulation destruction is prevented to realize the magneto-resistance effect head of a narrow reading gap.例文帳に追加

６０°以上の急峻なセンサ端部傾斜角度により磁気抵抗効果センサの電磁変換特性が改善し、前記下部絶縁ギャップ層の平坦部における掘り込みが０ナノメートルから２ナノメートルの範囲であることによって、絶縁破壊を防止し狭い読み取りギャップ長の磁気抵抗効果ヘッドが実現できる。 - 特許庁

To manufacture an element which develops giant magneto-resistance element effect based upon tunnel effect as a principle by precisely controlling the size of clusters, and the distances between clusters and between cluster electrodes.例文帳に追加

クラスタのサイズ、クラスタ−クラスタ間およびクラスタ−電極間の距離を精密に制御することにより、トンネル効果を原理とする巨大磁気抵抗素子効果の発現する素子を作製すること。 - 特許庁

For this thin-film magnetic head of a yoke magneto-resistance effect type, field guidance auxiliary yokes 4A and 4B are connected at least magnetically to the side wall of the magneto-resistive element 3 of the yoke gap 6G portion of a field guidance yoke 6.例文帳に追加

ヨークタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁界誘導ヨーク６のヨークギャップ６Ｇ部分の磁気抵抗効果素子３の側壁に磁界誘導補助ヨーク４Ａ、４Ｂのそれぞれが少なくとも磁気的に接続される。 - 特許庁