Memory Deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24671件
This semiconductor memory device is mounted in a non-ODIC(outer DQ inner control) type package having a pin arrangement structure wherein data input/output pins are converged on one side.例文帳に追加
半導体メモリ装置は、データ入/出力ピンが一方側に集中的に配列されるピン構造を有する非ODICタイプのパッケージによって実装される。 - 特許庁
To shorten a test time of a logic circuit part for a control operation in a semiconductor device having a plurality of memory chips of the same configuration disposed in a common package.例文帳に追加
同一構成のメモリチップを共通のパッケージ内に複数個配置した半導体装置において、制御動作を行う論理回路部分のテスト時間を短縮する。 - 特許庁
To provide a method for forming a flash memory in which not only CD control is easy, Moat Pit is prevented in floating-gate etching, but also the size of a device is reduced.例文帳に追加
CD制御が容易で、フローティングゲートエッチング時にモトピッを防止するだけではなく、デバイスの大きさを小さくすることができるフラッシュメモリの形成方法を提供する。 - 特許庁
To reduce memory capacity needed by a generated program and improve the execution speed while keeping readability and maintenance property, in an object-oriented programming device.例文帳に追加
オブジェクト指向プログラミング生成装置において、可読性、保守性を維持しつつ、生成されるプログラムが必要とするメモリ容量の削減と実行速度の向上を図る。 - 特許庁
In this image information acquisition device having a reader unit and a controller unit 40, the reader unit is provided with a flash memory for recording peculiar information and prescribed correction information.例文帳に追加
リーダユニットと、コントローラユニット40とを備える画像情報取得装置において、リーダユニットは、その固有情報や所定の補正情報を記録させるフラッシュメモリを備える。 - 特許庁
To prevent characteristics in a non-volatile semiconductor memory device from being deteriorated by an electromagnetic wave incident on an element isolation area in a plasma process out of manufacturing processes.例文帳に追加
製造工程中のプラズマ工程において、素子分離領域に入射した電磁波が不揮発性半導体記憶装置の特性を劣化させるのを防止する。 - 特許庁
Thus, it is possible to perform deinterleave processing with one system deinterleaving device to a two system receiving system and to remarkably reduce needed memory capacity.例文帳に追加
これにより、2系統の受信系に対して1系統のデインターリーブ装置でデインターリーブ処理が可能であり、必要なメモリ容量を著しく低減することができる。 - 特許庁
These method and device transfer data in the first direct memory access(DMA) operation between a 1st storage area (450) and a 2nd storage area (430) in a computer system (400).例文帳に追加
コンピュータシステム(400)において第一の記憶領域(450)と第二の記憶領域(430)との間で1回のダイレクトメモリアクセス(DMA)動作でデータを転送するための、方法及び装置である。 - 特許庁
In the manufacturing method of this semiconductor memory device, a source wiring layer is formed under a field oxide film by implantation of ions with a high acceleration energy without a field oxide film removing process.例文帳に追加
その製造方法は、フィールド酸化膜の除去工程を経ずに、高加速エネルギーでのイオン注入によりフィールド酸化膜下にソース配線層を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device having a hierarchical bit line structure and a data route which realize low power consumption, high-speed operation, and high integration.例文帳に追加
低電力消耗、高速動作及び高集積化を具現できる階層的ビットライン構造及びデータ経路を有する半導体メモリ装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide a nonvolatile ferroelectric memory control device which drives a programmable register stably at a low voltage by controlling a pumping voltage supplied to the register.例文帳に追加
レジスタに提供されるポンピング電圧を制御し低電圧で安定したプログラマブルレジスタを駆動するようにする不揮発性強誘電体メモリ制御装置を提供する。 - 特許庁
A cache selection section 13 performs retrieval from the internal memory section 11, by using a decision text and performs retrieval from the storage device 12, if there is failure in retrieval to measure a first response time.例文帳に追加
キャッシュ選択部13は、判定テキストを用いて、内部メモリ部11を検索し、検索できなれば記憶装置12を検索し、第1の応答時間を測定する。 - 特許庁
The controller logic sets a transfer flag in response to a transfer trigger event in the display controller for initiating an automatic partial transfer operation from the video memory to a display device.例文帳に追加
コントローラロジックは、ディスプレイコントローラでの転送トリガ事象に応答して、ビデオメモリからディスプレイデバイスへの自動部分転送動作を起動するための転送フラグをセットする。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device in which cell area can be reduced and minimum processing size is not limited by a film thickness of a material included in a memory cell.例文帳に追加
セル面積の縮小が可能であり、かつ、最小加工寸法がメモリセルを構成する材料の膜厚に制限されない半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
A wordline decoder reduces threshold voltage of a depression transistor in order to prevent a leakage current problem that occurs while a drive voltage of the non-volatile memory device drops.例文帳に追加
ワードラインデコーダは、不揮発性メモリ装置の駆動電圧が低くなりつつ発生する漏れ電流問題を防止するために、デプレショントランジスタのスレショルド電圧を下げた。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device which can test an internal memory at high speed by using a PLL prepared inside by an external clock from an external low speed tester.例文帳に追加
外部の低速なテスタからの外部クロックにより内部に設けられたPLLを使用して、内部メモリを高速にテストできる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
Since the memory function groups 105a and 105b are positioned on both sides of the gate electrode 104 separately from the gate insulating film 103, the semiconductor storage device can be miniaturized effectively.例文帳に追加
メモリ機能体は、105a,105bは、ゲート絶縁膜103と分離されてゲート電極104の両側に位置するので、効果的に微細化を行なうことができる。 - 特許庁
To provide a mobile terminal device sufficiently adaptive to the case of replaying pieces of music using a removable external memory, and to provide a method of linking a playlist.例文帳に追加
着脱可能な外部メモリを用いて楽曲再生を行うケースに十分に対応できる携帯端末装置及びプレイリストのリンク方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory circuit device constituted as a dual port RAM, which surely operates, with reduced chip area, and suppressed delay in reading data.例文帳に追加
デュアルポートRAMとして構成される半導体メモリ回路装置を提供するに際し、確実に動作し、チップ面積を低減し、データの読み出しの遅れを低減する。 - 特許庁
To provide an electrically rewritable semiconductor nonvolatile memory device that suppresses the degradation of a tunnel insulating film without increasing an occupation area and has high reliability.例文帳に追加
占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein the yield and reliability of elements in a memory can be improved and the devices of a logic can be made micro, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
メモリ部の素子の歩留まり及び信頼性を向上でき、ロジック部の素子の微細化が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁
To provide a semiconductor storage device capable of performing a tRCD test adapted to the reduction in time between command inputs even when the test employs a memory testing apparatus inoperable for a high speed clock.例文帳に追加
高速なクロックで動作できないメモリ試験装置を用いる場合でも、短縮化に対応したtRCD試験を可能にする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
For example, the composition unit which can be changed, is a volatile memory (VM) composition unit or it can be product term output of programmable logic device (PLD).例文帳に追加
例えば変更可能な構成ユニットは、揮発性メモリ(VM)構成ユニットであるか、或いはプログラム可能論理デバイス(PLD)の積項出力部であることができる。 - 特許庁
The judging device has a memory to store the relations between charging voltage, charging current, and charged state, and detects charged state depending on the relations.例文帳に追加
判定装置14は、充電電圧と充電電流及び充電状態の関係を記憶するメモリを有し、この関係に基づいて充電状態を検出する。 - 特許庁
A navigation system for a vehicle having a receiver operable to receive a plurality of signals from a plurality of transmitters comprises a processor 16 and a memory device 18.例文帳に追加
複数の送信機から複数の信号を受信するように動作可能な受信機を有する車両用のナビゲーションシステムは、プロセッサ16と、メモリデバイス18とを備える。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device capable of ensuring a desirable threshold value voltage distribution margin between an erase state and a write state of a memory cell.例文帳に追加
メモリセルの消去状態と書込み状態との間で所望のしきい値電圧分布マージンを確保することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The device includes a console application that can be executed on a processor, and the console application finds usable medias through an integrated hard drive, a portable memory drive, and a modem port.例文帳に追加
プロセッサ上で実行可能なコンソールアプリケーションを備え、このコンソールアプリケーションは、統合されたハードドライブ、ポータブルメモリドライブ、及びモデムポートを介して、利用可能なメディアを見つける。 - 特許庁
In a main arithmetic circuit 20 for executing a parallel arithmetic operation in a parallel arithmetic processing device, a DRAM cell array 30 having a dynamic memory cell, DRAM cell is arranged for storing data.例文帳に追加
並列演算を実行する主演算回路(20)において、データを記憶するために、ダイナミック型メモリセル(DRAMセル)を有するDRAMセルアレイ(30)を配置する。 - 特許庁
An X-ray diffraction device 1 is constituted by installing a signal processing unit 21 comprised of a DSP (digital signal processor) on the outside of a computer comprised of a CPU 17, a memory 20 and the like.例文帳に追加
CPU17、メモリ20等から成るコンピュータの外部にDSP(デジタルシグナルプロセッサ)から成る信号処理部21を設置して成るX線回折装置1である。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device which is capable of reducing the number of its manufacturing steps and setting a threshold voltage with less variations, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
工程数を低減し且つばらつきの小さいしきい値電圧の設定を行うことができる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device capable of correctly detecting data regardless of the existence of a leakage current in a virtual ground memory array.例文帳に追加
本発明は、仮想接地メモリアレイにおいてリーク電流の存在に関わらず正確にデータ検出が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
When powering off, the main board performs the preset retreat processing of data, and a sub-board makes display information related to a display device retreat to a backup memory.例文帳に追加
電源オフの際において、メイン基板は、予め定められたデータの退避処理を行うとともに、サブ基板は、表示デバイスに関する表示情報をバックアップメモリに退避させる。 - 特許庁
The invention relates to a method for manufacturing a ferroelectric memory device by forming an underlying layer above a substrate, and then laminating a first electrode, a ferroelecric layer and a second electrode on the underlying layer.例文帳に追加
基板の上方に下地層を形成し、下地層上に第1電極、強誘電体層、第2電極を積層する強誘電体メモリ装置の製造方法である。 - 特許庁
As any combinations of the CPU chip 1 and the memory chip 3 are responded, freedom can be provided in combination of the semiconductor integrated circuit loaded on the semiconductor device.例文帳に追加
どのようなCPUチップ1とメモリチップ3の組合せにも対応でき、半導体装置に搭載される半導体集積回路の組み合わせに自由度をもたせることができる。 - 特許庁
Thus, the image output device can secure a storage area necessary for performing processing in modes other than the memory printing mode while storing as much as file information as possible in a RAM.例文帳に追加
これにより、RAMになるべく多くのファイル情報を記憶しつつメモリー印刷モード以外の処理に必要な記憶領域を圧迫しないようにすることができる。 - 特許庁
To provide a device capable of easily performing overtaking control thereby improving the processing time of a memory access system to a large extend in a vector diffusion/collection instruction.例文帳に追加
ベクトル拡散・収集命令において、簡単に追い越し制御が可能となり、これによりメモリアクセス系の処理時間を大きく改善することができる装置の提供。 - 特許庁
The data of pie characters or forms superposed on the printing data sent from the host device 200 connected through the host I/F part 1 are stored in the non-volatile memory part 4.例文帳に追加
ホストI/F部1を介して接続されるホスト装置200から送信された印刷データに重畳する外字およびフォームのデータを不揮発性記憶部4に記憶する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a nonvolatile memory 100 and an insulated gate high breakdown voltage transistor 300 formed on the same semiconductor layer 10.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、不揮発性記憶装置100と、絶縁ゲート型の高耐圧トランジスタ300とが同一の半導体層10上に形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device such that a memory cell array is reducible in occupation area and a power source in use is reducible in capacity and occupation area.例文帳に追加
メモリセルアレイの占有面積を低減すると共に、使用する電源の容量および占有面積を低減することができる半導体記憶装置の提供を図る。 - 特許庁
To provide a photographic device, a photography assistance method and a photography assistance program which allow usage check of a buffer memory during photographing of a panoramic photograph.例文帳に追加
パノラマ写真の撮影時において、バッファメモリの使用状況を確認することができる撮影装置及び撮影支援方法並びに撮影支援プログラムの提供。 - 特許庁
To provide a synchronous semiconductor memory device provided with an NOEMI type output buffer circuit in which load capacity of output terminals is suppressed and enabling high speed data transfer.例文帳に追加
出力端子の負荷容量が抑制されたNOEMI型の出力バッファ回路を備え、高速なデータ転送を可能とする同期型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide an image forming device with enhanced operability that attains restart processing after job interruption while minimizing the hardware resource by a copying function especially occupancy of an image memory.例文帳に追加
コピー機能によるハードウェア資源、特に画像メモリの占有を最低限にしながらジョブ中断後の再開処理を可能にし、画像形成装置の操作性を向上させる。 - 特許庁
To provide a voice recognition device for Chinese which can make a necessary memory small by making recognition precision higher and uses the phoneme similarity vector at the beginning or end.例文帳に追加
認識精度をより高め、必要とされるメモリを小さくすることができる初頭/末尾の音素類似度ベクトルによる中国語の音声認識装置を提供する。 - 特許庁
To achieve high-speed data access in a semiconductor memory device of a system for correcting data by using an ECC circuit.例文帳に追加
本発明は、ECC回路を用いてデータ訂正を行う方式の半導体メモリ装置において、データアクセスを高速化できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁
Then when the multi-beam exposure device is powered off, respective indication values that a CPU currently supplies to the galvanomirror driving circuit are stored in the nonvolatile memory.例文帳に追加
その後、マルチビーム露光装置の電源がオフされると、そのときCPUからガルバノミラー駆動回路に対して供給しているそれぞれの指示値を不揮発性メモリに記憶させる。 - 特許庁
To notify a user as such when a same business can be performed at other location with a memory auxiliary device for notifying the user of the business which can be performed near the user's current location.例文帳に追加
利用者の現在位置近傍で実行できる用件を通知する記憶補助装置において、他の場所でも同じ用件が実行できる場合にそれを通知する。 - 特許庁
In this nonvolatile semiconductor memory device 1, a laminate ML is formed by alternately stacking a plurality of interlayer dielectrics ILD and a plurality of control gate electrodes CG.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置1において、それぞれ複数の層間絶縁膜ILD及び制御ゲート電極CGを交互に積層させて積層体MLを形成する。 - 特許庁
To rewrite data in a nonvolatile memory with simple circuit constitution without increasing area of the device and without restricting the number of times of rewriting under specifications.例文帳に追加
デバイスの面積を増大させること無く且つ、書き換え回数を仕様以下に制限すること無く、簡単な回路構成で不揮発性メモリへのデータの書き換えを行う。 - 特許庁
To provide a technology for reducing a semiconductor chip area, in a nonvolatile semiconductor storage device having a split gate type memory cell of a MONOS method.例文帳に追加
MONOS方式のスプリットゲート型メモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、半導体チップ面積の縮小を図ることのできる技術を提供する。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory device capable of improving an access time in a burst mode without enlarging a chip area nor increasing power consumption.例文帳に追加
チップ面積を大きくすることなくかつ消費電力を増加させずにバーストモードにおけるアクセスタイムを向上させることが可能な不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁
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