「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

A selectively conductive organic semiconductor (e.g., polymer) device available as a memory cell is provided.例文帳に追加

本発明はメモリセルとして利用できる選択的導電性有機半導体（例えば、ポリマー）デバイスを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, a memory cell MC stores data in a nonvolatile manner by utilizing a difference of threshold voltage.例文帳に追加

半導体装置１において、メモリセルＭＣは、閾値電圧の相違を利用してデータを不揮発的に記憶する。 - 特許庁

A first transistor TR2 is provided between a true node A of a SRAM memory cell 102 and the true bit line (BLT).例文帳に追加

第１トランジスタＴＲ２は、ＳＲＡＭメモリセル１０２の真ノードＡと真ビットライン（ＢＬＴ）の間に設けられる。 - 特許庁

In a memory cell (MC), driver transistor source contacts (DV1, DV2) are short-circuited by internal metal wiring (9b).例文帳に追加

メモリセル（ＭＣ）内において、ドライバトランジスタソースコンタクト（ＤＶ１，ＤＶ２）を、内部の金属配線（９ｂ）により短絡する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a flash memory cell for enhancing an yield and reliability, and a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

歩留まりと信頼性を高めるフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

One bit memory cell MC is composed of one MIS transistor formed in a floating silicon layer 12.例文帳に追加

１ビットのメモリセルＭＣがフローティングのシリコン層１２に形成された一つのＭＩＳトランジスタにより構成される。 - 特許庁

Each of program cells and memory cells comprises the same magnetic storage part, the program cell comprises a state change part.例文帳に追加

プログラムセルおよびメモリセルの各々は、共に同じ磁気記憶部を含み、プログラムセルは、さらに状態変化部を含む。 - 特許庁

This semiconductor storage device includes: a memory cell array; a plurality of sense amplifiers; and a timing generation circuit.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体記憶装置は、メモリセルアレイと、複数のセンスアンプと、タイミング生成回路と、を有する。 - 特許庁

The plurality of signal-line drawing portions are arranged around the memory cell array and are connected to the plurality of signal lines.例文帳に追加

複数の信号線引き出し部は、メモリセルアレイの周辺に配され、複数の信号線に接続されている。 - 特許庁

A memory cell has a first electrode, a second electrode, an insulating material 206, and a phase variation material 208.例文帳に追加

メモリセルは、第１の電極、第２の電極、絶縁材料２０６、および相変化材料２０８を有している。 - 特許庁

As the bit lines and the control gate lines of the memory array are orthogonal, they can be erased with a cell unit.例文帳に追加

メモリ・アレーのビット線及びコントロール・ゲート線は直交しているので、セル単位で消去することができる。 - 特許庁

To prevent the deterioration of hot-carrier characteristics by the injection of charges from a memory cell to a peripheral-circuit transistor.例文帳に追加

メモリセル部から周辺回路トランジスタへ電荷が注入されてホットキャリア特性が劣化することを防止する。 - 特許庁

Data of each bit read out simultaneously from a memory cell array MSA is amplified to a logical level by data amplifiers DA0 to DA7.例文帳に追加

メモリセルアレイＭＳＡから同時に読み出した各ビットのデータをデータアンプＤＡ0〜ＤＡ7で論理レベルに増幅する。 - 特許庁

These states can be switched over by injecting a spin-polarized electron current into the memory cell.例文帳に追加

これらの状態は記憶セル内にスピン偏極した電子流を注入することによりスイッチング可能である。 - 特許庁

To stably provide a semiconductor apparatus having a memory cell for preventing a short circuit between word lines.例文帳に追加

ワードライン同士のショート発生しにくいメモリセルを備えた半導体装置を安定して実現できるようにする。 - 特許庁

A memory cell array 1 is divided into two banks of BANK1 and BANK2 for performing dual operation.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、デュアルオペレーション動作を行わせるために二つのバンクＢＡＮＫ１とＢＡＮＫ２に分割される。 - 特許庁

The access prohibition circuit judges normal/defective condition of the memory cell section inside of the device based on defective information of the storage section.例文帳に追加

アクセス禁止回路は、記憶部の不良情報に基づいて、装置内部でメモリセル部の良否を判断する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device that suppresses a decrease in cell current.例文帳に追加

セル電流の減少を抑制することが可能な不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell of a high speed/low voltage DRAM running under a voltage of 1 V or lower and array peripheral circuits thereof.例文帳に追加

１Ｖ以下で動作する高速・低電圧ＤＲＡＭ用のメモリセル及び、アレー周辺回路を提供する。 - 特許庁

A pair of bit lines BL and bBL of a memory cell array 1 are connected to a sense amplification circuit 2 via a transfer gate 4.例文帳に追加

メモリセルアレイ１のビット線対ＢＬ，ｂＢＬはトランスファゲート４を介してセンスアンプ回路２に接続される。 - 特許庁

To offer a large scale integrated circuit device provided with a memory cell composed of a highly integrated ferrodielectric FET.例文帳に追加

強誘電体ＦＥＴからなるメモリセルを備え、高集積化された大規模の集積回路装置を提供する。 - 特許庁

In array constitution of a memory cell array, word lines and bit lines are made main/sub-constitution, and a selecting transistor is provided for switching.例文帳に追加

メモリセルアレイのアレイ構成を、ワード線、ビット線を主／副構成にし、切り換え用に選択トランジスタを設ける。 - 特許庁

To prevent an excessive writing current from flowing into a magnetic storage device when data are written into a memory cell.例文帳に追加

磁性体記憶装置において、メモリセルへのデータ書込時に過剰書込電流が流れるのを防止する。 - 特許庁

The memory cell is constituted of one read MIS transistor QR and one write MIS transistor QW.例文帳に追加

メモリセルは、１個の読み出しＭＩＳトランジスタＱ_Rと１個の書き込みＭＩＳトランジスタＱ_Wとで構成されている。 - 特許庁

For example, when a surplus address is inputted to a memory cell array 11, it is detected by a decoder 22 for test.例文帳に追加

たとえば、メモリセルアレイ１１の余剰なアドレスが入力されると、それをテスト用デコーダ２２で検出する。 - 特許庁

Also, the charge balancing bias mechanism is applied prior to the beginning of program and erase cycles of the memory cell.例文帳に追加

同様に、電荷均衡化バイアス機構は、メモリセルのプログラムおよび消去サイクルの開始の前に適用される。 - 特許庁

The magnetoresistive sensor conducts a read current representative of data stored in the memory cell during a read interval.例文帳に追加

磁気抵抗センサは、読出し間隔の間に、メモリセルに格納されたデータを表す読出し電流を導通する。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device in which read operation speed can be improved and a large scale memory cell array can be formed.例文帳に追加

読み出し動作速度を高めるとともに、大規模なメモリセルアレイを形成可能な磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

The matched multi-bit word is read out from a storage device and represents the stored bits in the single non-volatile memory cell.例文帳に追加

一致したマルチビットワードは、記憶装置から読み出され、１つの非揮発性メモリセルに格納されたビットを表す。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, MAGNETIC RECORDER/REPRODUCER, MEMORY CELL ARRAY, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

The embedded glass film is removed simultaneously with the interlayer film disposed on a memory cell area M by etching.例文帳に追加

埋め込みＴＥＯＳ膜は、エッチングによってメモリセル領域Ｍに位置する層間膜と同時に除去される。 - 特許庁

The action pattern recording section creates action data of a user of the cell phone unit, and stores it in a second memory 193.例文帳に追加

行動パターン記録部は、携帯電話装置のユーザの行動データを作成し、第２のメモリ１９３に蓄積する。 - 特許庁

To increase a writing current without increasing the size of a memory cell of a spin injection type magnetic storage device.例文帳に追加

スピン注入型磁気記憶装置のメモリセルのサイズを増加させることなく、書込電流を増大させる。 - 特許庁

Therefore, an access time for a memory cell array 7 is made 10 ns being same as an actual use time.例文帳に追加

従って、メモリセルアレイ７に対するアクセス時間は実使用時と同等の１０ｎｓ（１００ＭＨｚ）となる。 - 特許庁

The fuel cell 20 includes a storing means, such as nonvolatile memory 21a, for storing its own operation record information.例文帳に追加

燃料電池２０は、自己の運転履歴情報を記憶する記憶手段（不揮発性メモリ２１ａ）を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an EEPROM device to which a high voltage is applied to a chip when a memory cell is operated.例文帳に追加

メモリセルの動作の際に高電圧がチップに印加されるＥＥＰＲＯＭ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the control circuit raises a potential of the first wiring connected to the memory cell up to a third potential by coupling.例文帳に追加

これによりメモリセルに接続された第１配線の電位をカップリングにより第３の電位まで上昇させる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory cell 2, a sense amplifier 3, a power supply circuit 4, a power supply controller 5, and a sense dummy circuit 6.例文帳に追加

メモリセル２と、センスアンプ３と、電源回路４と、電源制御回路５と、センスダミー回路６とを具備する。 - 特許庁

Further, an index table consisting of cell group codes and head addresses is stored in a RAM (1 to 4) functioning as a cache memory.例文帳に追加

またセルグループコードと先頭アドレスからなるインデックステーブルをキャッシュメモリとして機能するＲＡＭ(1-4)に記憶する。 - 特許庁

Also, all word lines WL of the memory cell transistor 16 are set to a non-selection state by a multiplexer 19.例文帳に追加

また、マルチプレクサ１９によりメモリセルトランジスタ１６のワード線ＷＬを全て非選択状態に設定する。 - 特許庁

A memory cell is formed into which N-channel and P-channel transistors A, B, having different conduction types from each other, are fitted alternately.例文帳に追加

異なる導電型のＮチャネルトランジスタＡとＰチャネルトランジスタＢとを交互に嵌めたメモリセルを形成する。 - 特許庁

The bit of each memory cell 33 changes from 0 to 1 when a specified amount or more of ultraviolet ray is received.例文帳に追加

各メモリセル３３は、紫外光を所定量以上受光することによりビットが０から１に変化する。 - 特許庁

Each memory cell 104 also has at least one ferromagnetic soft-reference layer 206 with the non-pinned orientation of magnetization.例文帳に追加

各メモリセル104は、磁化の向きがピン止めされていない少なくとも１つの強磁性軟基準層206をさらに有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device with which a voltage required for operating a selected memory cell is certainly generated.例文帳に追加

選択メモリセルの動作に必要な電圧を確実に生成することのできる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory cell MC stores data by the first to n-th threshold voltage (n is a natural number of two or more).例文帳に追加

メモリセルＭＣは、第１閾値電圧乃至第ｎ閾値電圧（ｎは２以上の自然数）により、データを記憶する。 - 特許庁