「N ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

On the surface of an n-type epitaxial growth layer 12, a mask 13M for ion implantation is formed.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル成長層１２の表面にイオン注入用マスク１３Ｍを形成する。 - 特許庁

A group creating part groups n ion particles into a group G1, a group G2, ..., a group Gk.例文帳に追加

グループ作成部は、ｎ個のイオン粒子をグループＧ１、グループＧ２、・・・、グループＧｋにグループ分けをする。 - 特許庁

To provide an ion implantation system and a method of manufacturing a semiconductor by the implantation of ion beams formed by N-type dopant cluster ions and the cluster of negatively charged cluster ion beams.例文帳に追加

イオン注入システムと、Ｎ型ドーパントクラスターイオン及び負に荷電したクラスターイオンビームのクラスターから形成されたイオンビームを注入する半導体製造方法とを提供する。 - 特許庁

In a preferred embodiment, chitin is partially hydrolyzed with an acid, the liquid hydrolyzate is neutralized and desalted by the ion-exchange membrane electrodialysis to prepare a mixture of N-acetyl-D-glucosamine and N- acetylchitooligosaccharide.例文帳に追加

キチンを酸で部分加水分解し、この分解液を中和した後、イオン交換膜電気透析法によって脱塩処理して、前記N−アセチル−D−グルコサミンとN−アセチルキトオリゴ糖の混合物を調製することが好ましい。 - 特許庁

Successively, the n-type ion implantation region n1 is diffused and activated through a heat treatment to form an n-type memory extension region.例文帳に追加

続いて、熱処理によってｎ型イオン注入領域ｎ１を拡散および活性化させることで、ｎ型メモリエクステンション領域を形成する。 - 特許庁

The interval of respective apertures 61 and 62 of an ion gun 60 is set to N (N is an integer 2 or more) times of column direction interval d of the array.例文帳に追加

イオンガン６０の各開口部６１,６２の間隔は前記配列の行方向間隔ｄのＮ倍（Ｎは２以上の整数）に設定してある。 - 特許庁

In this method, the chabazite is manufactured by hydrothermal synthesis using N,N,N-trimethyl-benzyl ammonium ion as an organic structure-directing agent with the condition of feeding H_2O/Si of not smaller than 6 and less than 40.例文帳に追加

有機系の構造指向剤としてＮ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−ベンジルアンモニウムイオンを用い、仕込のＨ_２Ｏ／Ｓｉを６以上４０未満の条件下において水熱合成によって製造する。 - 特許庁

At the time of MS^n analysis, the ions are trapped in the ion trap once, and the ions discharged after mass separation by the ion trap are detected by the second detection part 31.例文帳に追加

ＭＳ^ｎ分析の際にはイオントラップに一旦イオンを捕捉し、イオントラップで質量分離して吐き出したイオンを第２検出部３１で検出する。 - 特許庁

Then an n-type ion implantation region n1 is formed by performing ion implantation dp01 on the principal surface s1 below the side of the memory gate insulating electrode MG1.例文帳に追加

その後、メモリゲート電極ＭＧ１の側方下部の主面ｓ１にイオン注入ｄｐ０１を施してｎ型イオン注入領域ｎ１を形成する。 - 特許庁

An ion implantation layer 6 is formed by driving aluminum ion 5 into a part of an SiC layer with a smoothed surface or an n-type drift layer 2.例文帳に追加

表面が平滑化されているＳｉＣ層であるｎ型ドリフト層２の一部にアルミニウムイオン５を打ち込んで、イオン注入層６を形成する。 - 特許庁

Then an n-type source region 9 is formed in the substrate 1 by injecting arsenic (As^-) into the substrate 1 through ion implantation and thermal diffusion.例文帳に追加

次に、ヒ素（Ａｓ^−）をイオン注入、熱拡散して、ｎ＋型のソース領域９を形成する。 - 特許庁

Impurity ions are ion-implanted thereafter to form an N-type semiconductor layer 8 serving as an emitter layer or the like.例文帳に追加

その後に不純物イオンをイオン注入してエミッタ層等となるＮ型半導体層８を形成する。 - 特許庁

A P-type dopant is ion-implanted into a surface (N-type layer) of an SOI substrate to form piezo resistance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の表面（Ｎ型層）にＰ型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。 - 特許庁

Then, ion injection into the n--type region 11 is carried out, so that a p-type well layer 12 can be formed.例文帳に追加

そして、ｎ^-型領域１１にイオン注入等を行うことで、ｐ型ウェル層１２を形成する。 - 特許庁

To realize acceleration-deceleration type ion implantation in which shallow p-n junctions can be easily formed.例文帳に追加

浅いｐｎ接合を容易に形成することができる、加速・減速方式のイオン注入を実現すること。 - 特許庁

The N^+-diffusion area 3 and the P^+-diffusion area 4 are separately made by using an ion implantation mask.例文帳に追加

Ｎ^＋拡散領域３とＰ^＋拡散領域４とはイオン注入マスクを用いて作り分ける。 - 特許庁

The multiple generation of ion fragments is simultaneously formed using this method to enable the MS^n experiment.例文帳に追加

イオンの細分片という多重生成がこの方法で同時に形成され、ＭＳ^ｎ実験が可能となる。 - 特許庁

The ion generation element 130 is arranged inside the casing 110 and generates H^+(H_2O)_m (m is an optional integer) as a positive ion and O_2^-(H_2O)_n (n is an optional integer) as a negative ion.例文帳に追加

イオン発生素子１３０は、筐体１１０内に設けられ、正イオンとしてＨ^＋（Ｈ_２Ｏ）_ｍ（ｍは任意の整数数）と負イオンとしてＯ_２^−（Ｈ_２Ｏ）_ｎ（ｎは任意の整数数）とを発生させる。 - 特許庁

The novel ionic compound with a low melting point comprises an onium type cation having at least a heteroatom such as N, O, S and P bearing a positive charge and an anion including, wholly or partially, at least an ion imidide such as (FX^1O)N^-(OX^2F) (wherein X^1 and X^2 are identical or different and comprise SO or PF).例文帳に追加

本発明は、オニウム系陽イオンが正電荷をもつN、O、S又はPのようなヘテロ原子の少なくとも1種を有し、陰イオンが全部又は一部に式(FX^1O)N^-(OX^2F)(式中、X^1及びX^2は同じか又は異なり、SO又はPFである。 - 特許庁

An N^+ layer 15 is formed by activating the arsenic ion implantation layer 14, and an N^+ layer 17 is also formed by diffusing phosphorus (P) from the phosphorus-doped polycrystalline silicon film by heat treatment in the N^+ source layer 9 and N^+ drain layer 10.例文帳に追加

そして、熱処理により、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内に砒素イオン注入層１４を活性化したＮ^＋層１５、リンドープ多結晶シリコン膜からリン（Ｐ）が拡散したＮ^＋層１７が形成される。 - 特許庁

After the mask 21 is formed, an n-layer 13 having an LDD structure is formed by obliquely implanting an ion of an n-type impurity into the p-type region 2 by using the hard mask 21.例文帳に追加

注入ハードマスク２１をマスクとしてＮ型不純物の斜めイオン注入を行なうことにより、ＬＤＤ構造のｎ^− 層１３を形成する。 - 特許庁

The n-type dopant is ion-implanted through the opening in the same mask to form the n-type implantation region which is shallower than the p-type implantation region.例文帳に追加

マスクの同じ開口部を通してｎ型ドーパントをイオン注入して前記ｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する。 - 特許庁

An ion implantation mask for forming (N-type source layer 11)/(N-type drain layer 12) is also used for forming a thin oxide film 5.例文帳に追加

Ｎ−型ソース層１１／Ｎ−型ドレイン層１２を形成するためのイオン注入用マスクと、薄い酸化膜５を形成するためのマスクとを同一マスクとした。 - 特許庁

Thereafter, an n-type high-concentration source region 6 and an n-type high-concentration drain region 7 are formed by performing ion implantation by using the gate electrode 3 as a mask.例文帳に追加

その後、ゲート電極３をマスクとしてイオン注入を行い、ｎ型の高濃度ソース領域６及び高濃度ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

To prevent the chipping of a Cr-N based ion plating film used for a piston ring film or the like, to improve its wear resistance as well, and to satisfactorily maintain its seizure resistance.例文帳に追加

ピストンリング皮膜などに使用されるCr-N系イオンプレーティング皮膜の欠けを防止しかつ耐摩耗性を改善するとともに、耐焼付性を良好に保つ。 - 特許庁

In the coating liquid including the N-alkoxymethylated nylon, the N-alkoxymethylated nylon includes ions in a total ion concentration of 200-500 ppm.例文帳に追加

Ｎ—アルコキシメチル化ナイロンを含有する塗工液において、該Ｎ−アルコキシメチル化ナイロンの含有するトータルイオン濃度が２００〜５００ｐｐｍである塗工液。 - 特許庁

Phosphorus is ion-implanted in an n-type well forming region 30 and in a positioning pattern forming region 40 on a substrate 1 to form n-type wells 6a and 6b.例文帳に追加

基板１のｎ型ウェル形成領域３０と位置合わせパターン形成領域４０に燐をイオン注入してｎ型ウェル６ａ、６ｂを形成する。 - 特許庁

Furthermore, an N^++ layer 16 is formed by implanting a high-concentration N-type impurity ion through the contact hole 14 into the source layer 10 and the drain layer 11.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１４を介して高濃度のＮ型不純物イオンをソース層１０及びドレイン層１１に注入してＮ^＋＋層１６を形成する。 - 特許庁

The adsorbent for adsorbing the ammonium ion selectively contains a compound shown by general formula (1): HCa_2Nb_3O_10-nH_2O (wherein n is a number satisfying 0≤n≤4).例文帳に追加

下記一般式（１）：ＨCa_2Ｎｂ_3Ｏ_10・ｎＨ_2Ｏ （１）（式中、ｎは、０≦ｎ≦４を満たす数である。）で表される化合物を含むアンモニウムイオン選択的吸着剤。 - 特許庁

A plasma, an excimer laser 4 or an ion beam is irradiated on a silicon oxide or nitride film to cut coupling of Si-O or Si-N.例文帳に追加

プラズマ、エキシマレーザ、イオンビームなどを酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜状に照射することによって、Si-OもしくはSi-Nの結合を切断することができる。 - 特許庁

An HVN(high voltage n)-ion implantation is conducted to only the floating diffusion region, the bit line diffusion region and is not applied to the common source region, and an LVN(low voltage n)-ion implantation also is not applied to the common source region.例文帳に追加

ＨＶＮ−イオン注入をフローティング接合領域およびビットライン接合領域にのみ実施して共通ソース領域には実施せず、ＬＶＮ−イオン注入も共通ソース領域には適用しない。 - 特許庁

In addition, a first photoresist layer 6 is formed by using the p-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to an n-type by implanting the ion of an n-type impurity, such as the arsenic etc., into the layer 5 by using the photoresist layer 6 as an ion implanting mask.例文帳に追加

そして、Ｐウエルマスクを用いて、第１のフォトレジスト層６を形成し、これをイオン注入マスクとして、ヒ素等のＮ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＮ型化する。 - 特許庁

In the region near the surface of the substrate of a photodiode, a high-concentration N-layer 32 of its light receiving portion is so formed by an ion implantation as to form a low-concentration N-type epitaxial layer 25 in a further deeper region than the N-layer 32 by an epitaxial growth.例文帳に追加

基板表面に近い領域にイオン注入で高濃度の受光部Ｎ層３２を形成し、さらに深い領域にエピタキシャル成長で低濃度Ｎ型エピタキシャル層２５を形成する。 - 特許庁

Then, ion implantation is performed using the silicon oxide films 21, 24 as masks to form n+ type source regions 4.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜２１、２４をマスクとしたイオン注入を行ってｎ+型ソース領域４を形成する。 - 特許庁

METAL ION NEUTRALIZED N-SUBSTITUTED MALEIMIDE/MALEIC ACID/OLEFIN COPOLYMER, TRANSPARENT RESIN COMPOSITION, AND TRANSPARENT FILM例文帳に追加

金属イオン中和Ｎ−置換マレイミド・マレイン酸・オレフィン共重合体、透明性樹脂組成物及び透明性フィルム - 特許庁

Subsequently, the N^+ type diffusion region 2 is formed to be spaced apart from the STI end 3a by ion implantation.例文帳に追加

その後、イオン注入により、Ｎ^+型拡散領域２をＳＴＩ端部３ａから離間するように形成する。 - 特許庁

The adhesive for heat-resistant filter contains an ionically bonding substance containing (SiOX)n- ion as the anion.例文帳に追加

アニオンが（ＳｉＯ_Ｘ）^ｎ−イオンであるイオン結合性物質を溶質として含有する耐熱フィルタ用接着剤。 - 特許庁

Next, ion implantation with the films 21 and 24 as masks is performed to form an n^+ type source region 4.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜２１、２４をマスクとしたイオン注入を行ってｎ^+型ソース領域４を形成する。 - 特許庁

Essentially uniform n-type impurity doping is executed into the polysilicon film by the ion implantation mask pattern.例文帳に追加

イオン注入マスクパターンを用いて前記ポリシリコン膜内に実質的に均一なｎ型不純物ドーピングを実施する。 - 特許庁

Moreover, when the n-type impurity is ion-implanted at a high temperature, a region being ion-implanted is heated to 180°C or higher by substrate heating or laser irradiation, a silicon pair between boron and lattice is sufficiently disassociated and the n-type impurity is ion-implanted under existence of an even stress.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物の添加を高温イオン注入で行う場合は、基板加熱やレーザー照射などでイオン注入する領域を１８０℃以上に加熱し、ボロン・格子間シリコンペアを十分解離させ、一様な応力が存在する状態の下で、Ｎ型不純物のイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a mass spectrometry data analysis system, a mass spectrometry data analysis program, and a compound analysis system for precisely identifying a parent ion or estimating the structure of the parent ion by utilizing multistage dissociation mass spectrometry data (MS^n (n≥3) data), where no data are present on a database, when performing mass spectrometry by performing the multistage dissociation of the parent ion.例文帳に追加

本発明の目的は、親イオンを多段階解離して質量分析する際、データベースが存在しない多段階解離質量分析データ（ＭＳ^ｎ （ｎ≧３）データ）から推測される親イオン構造に対し、親イオン，解離イオンの構造を高精度に導出・表示する。 - 特許庁

A carbon film 7 is formed on the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 through spattering method, and then, activating anneal is effected under a condition that the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 are covered by the carbon film 7 to change the ion implantation layer 6 into a p-type well region 8.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２及びイオン注入層６の上に、スパッタ法によりカーボン膜７を形成し、カーボン膜７でｎ型ドリフト層２及びイオン注入層６を覆った状態で、活性化アニールを行なって、イオン注入層６をｐ型ウェル領域８に変化させる。 - 特許庁

In this case, the n-well 7 and p-well 11 are formed in the manner that impurity concentration peak 10 of the p-well 11 becomes deeper than impurity concentration peak 6 of the n-well 7 by adjusting ion implantation energy of n-type impurity and ion implantation energy of p-type impurity.例文帳に追加

このとき、Ｎウエル７及びＰウエル１１は、Ｎ型不純物のイオン注入エネルギー及びＰ型不純物のイオン注入エネルギーを調整することによりＰウエル１１の不純物濃度ピーク１０がＮウエル７の不純物濃度ピーク６よりも深くなるように形成される。 - 特許庁

An n type ion is implanted to a memory cell transistor 110 in an on-state, and a p type ion is implanted to at least a part of a memory cell transistor 120 in an off-state.例文帳に追加

オン状態のメモリセルトランジスタ１１０にｎ型イオンが注入されており、オフ状態のメモリセルトランジスタ１２０の少なくとも一部にｐ型イオンが注入されている。 - 特許庁

Further, the mask 13M for ion implantation is used to carry out the selective ion implantation of aluminum (^27Al^+) from the surface of the n-type epitaxial growth layer 12 shallower than the boron.例文帳に追加

更に、イオン注入用マスク１３Ｍを用いて、ｎ型エピタキシャル成長層１２の表面から、ボロンよりも浅い位置にアルミニウム（^27Ａｌ^+）の選択イオン注入を行う。 - 特許庁