「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

An element isolating part is formed in the P-type silicon substrate 1 occupying a part of the trench region 6, and furthermore an N-type source/ drain diffused layer 14 is formed.例文帳に追加

また、Ｐ型シリコン基板１中にはトレンチ領域６の一部にかけて、素子分離１０が形成され、さらに、Ｎ型のソース・ドレイン拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 10 is formed so as to oppose to the -c axial side inclination face 9, and a source electrode 11 is electrically connected to the n^+-type AlGaN layer 6.例文帳に追加

ゲート電極１０は、−ｃ軸側傾斜面９に対向して形成され、ソース電極１１は、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６と電気的に接続されている。 - 特許庁

An electric field drift layer 6 is formed on the main surface of an n-type silicon substrate 1, having a surface electrode 7.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト層６が形成され、該強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

A plurality of n+ type channel stopper layers 2 are arranged at the surface 2s side of the semiconductor substrate 2 so as to be positioned in the neighborhood of each p type semiconductor layer 3.例文帳に追加

半導体基板２の表面２ｓ側には、各ｐ型半導体層３それぞれの近傍に位置するように、ｎ＋型のチャンネルストッパ層４が複数配設されている。 - 特許庁

Then, after an SiGe layer is formed for the inside base at the sidewall section of the element forming groove, an N^+ type polysilicon film is formed for the emitter so that the groove is buried.例文帳に追加

次いで、素子形成溝の側壁部に内部ベースになるＳｉＧｅ層を形成した後、この溝を埋め込むようにエミッタになるＮ^+型ポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

Namely, the source area 16S is formed on the surface of the P--type body diffusion layer 15 and the drain area 16D is formed on the N--type well 112.例文帳に追加

すなわち、ソース領域１６Ｓは、上記Ｐ^- 型ボディー拡散層１５の表面上に形成され、ドレイン領域１６Ｄは、Ｎ^- 型ウェル１１２上に形成されている。 - 特許庁

The antireflective hardmask layer comprises a fully condensed polyhedral oligosilsesquioxane, {RSiO_1.5}_n, wherein n equals 8; and at least one chromophore moiety and transparent moiety.例文帳に追加

この反射防止ハードマスク層は、完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、｛ＲＳｉＯ_１．５｝_ｎ（但し、ｎは８である）と、少なくとも１つの発色団部分および透明部分とを含む。 - 特許庁

An n-well 10 having no p-type diffusion layer inside is formed between pads 5 and the outside device region 4 on a chip formed by a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１により形成されたチップ上の、パッド５と外側素子領域４との間に、その内部にＰ型拡散層を有さないＮウェル１０が形成される。 - 特許庁

The p-type electrode is bonded onto a retaining substrate 6 and, thereafter, the matrix substrate 1 is separated by laser lift-off method to expose the nitrogen surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ型電極と保持基板６とを貼り合わせた後、レーザリフトオフ法により母材基板１を剥離してｎ型半導体層２の窒素面を露出させる。 - 特許庁

An SOI substrate 30 is composed by forming an n^-type silicon layer 33 on a silicon oxide film 32 after forming the silicon oxide film 32 on a silicon substrate 31.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０は、シリコン基板３１の上にシリコン酸化膜３２が形成され、このシリコン酸化膜３２の上にＮ^−型シリコン層３３が形成されて構成される。 - 特許庁

By repeating the process, a plurality of depletion parts 12a are generated in an epitaxial layer 12 to provide a hetero N- buffer structure.例文帳に追加

そして、この工程を繰り返すことにより、エピタキシャル層１２中に複数の空洞部１２ａを作り込んで、ヘテロなＮバッファ構造を実現する構成となっている。 - 特許庁

From the front surface of the p-type semiconductor region 3 to an interface between the n-type epitaxial layer 2 and the substrate 1, a groove 12 having a lattice-like plane shape is formed.例文帳に追加

ｐ型半導体領域３の表面から、ｎ型エピタキシャル層２と基板１との界面にまで達し、かつ平面形状が格子状をなす溝１２を形成する。 - 特許庁

Afterwards, a lower electrode pad 7 is formed on the partially exposed area of the metallic part 3, and an upper electrode 8 is partially formed on the upper face of the n-type GaN layer 6.例文帳に追加

この後、金属膜３の一部露出した領域の上に下部電極パッド７を設け、ｎ型ＧａＮ層６の上面に部分的に上部電極８を形成する。 - 特許庁

Further, the mask 13M for ion implantation is used to carry out the selective ion implantation of aluminum (^27Al^+) from the surface of the n-type epitaxial growth layer 12 shallower than the boron.例文帳に追加

更に、イオン注入用マスク１３Ｍを用いて、ｎ型エピタキシャル成長層１２の表面から、ボロンよりも浅い位置にアルミニウム（^27Ａｌ^+）の選択イオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer with an epitaxially deposited layer which has especially low resistivity, and has a substrate wafer of single crystal silicon doped with dopant atoms of an n type or p type.例文帳に追加

比抵抗が特に低い、ｎ型又はｐ型のドーパント原子でドープされた単結晶シリコンからなる基板ウェハを有する、エピタキシャル層を備えた半導体ウェハ - 特許庁

A second layer of the substrate includes a plurality of diffraction gratings that overlap a first set of diffraction gratings and having the periodicity of NP (here, N is two or greater integer).例文帳に追加

基板の第２の層は、第１のセットの回折格子と重なり合いかつ周期性ＮＰ（但しＮは２より大きい整数である）を有する複数の回折格子を含む。 - 特許庁

When a voltage is applied to the solid electrolyte 42, nitrogen ions are generated in the solid electrolyte layer 42 and further, atomic nitrogen N(a) is generated from the nitrogen ions.例文帳に追加

固体電解質４２に電圧を加えると、固体電解質層４２において窒素イオンが生成され、さらにこの窒素イオンから原子状窒素Ｎ（ａ）が生成される。 - 特許庁

Accordingly, a capacitance value of the pn junction area may become lower than that of the convention method in which the n-type impurity diffusing layer is provided in direct on the surface of the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

したがって、Ｎ型不純物拡散層をＰ型半導体基板の表面に直接設けていた従来に比べ、ＰＮ接合部の容量値が小さくなる。 - 特許庁

The front surface side of an N^- low concentration layer 2, in which the Schottky electrode is formed, is arranged so as to be contacted with the susceptor 11 of a heat treatment device through a thermal oxidation film 5.例文帳に追加

ショットキ電極が形成されるＮ^-低濃度層２の表面側が熱酸化膜５を介して熱処理装置のサセプタ１１に接するように配置する。 - 特許庁

It can be easily judged on the basis of the evaluation of I-V characteristics of the pin diode whether the channel region formed of the intrinsic semiconductor layer is of p-type or n-type.例文帳に追加

ｐｉｎダイオードのＩ−Ｖ特性の評価から真性半導体層にて形成されるチャネル領域がｐ型またはｎ型のいずれか容易に判別できる。 - 特許庁

A flip-chip type III nitride compound light emitting device is equipped with Au layers, which are each formed on the surfaces of a P-side electrode and an N-side electrode through the intermediary a Ti layer.例文帳に追加

フリップチップタイプのIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ側電極表面及びｎ側電極表面にＴｉ層を介してＡｕ層を設ける。 - 特許庁

To provide a silicon carbide n channel MOS semiconductor device whose ON resistance is low and which can be manufactured easily by improving the mobility of an inverse layer therein.例文帳に追加

ＳｉＣのｎチャネルＭＯＳ半導体素子において、反転層の移動度を向上させて、オン抵抗が低く、しかも製造の容易なＭＯＳ半導体素子を提供する。 - 特許庁

The n-type impurity injected before the wafer is adhered is diffused by a heat history when the structure 44 is manufactured to form a deeper field stop layer.例文帳に追加

表面構造４４を作製する際の熱履歴によって、ウェハの貼り合わせ前に注入されたｎ型不純物が拡散し、より深いフィールドストップ層が形成される。 - 特許庁

A puzzle base paper 8, on the surface 81 of which an image accepting layer 82 suitable for a printing with water-based ink is formed, is prepared so as to be divided into respective puzzle pieces 8(n).例文帳に追加

パズル原紙８を用意し、この表面８１に水性インクによる印刷に適した受像層８２を形成し、次に、パズル原紙８を各パズル片８（ｎ）に分断する。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording medium wherein a perpendicular magnetic recording layer is formed, capable of obtaining a high S/N ratio to a signal of high recording density (a signal of a high frequency).例文帳に追加

記録密度の高い信号（周波数の高い信号）に対して高いＳ／Ｎ比が得られる垂直磁気記録層を成膜した垂直磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion regions (body region 2) are regularly formed on, for example, on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１とするたとえばｎ形の半導体層の表面側に規則的にｐ形の拡散領域（ボディ領域２）が複数個形成されている。 - 特許庁

To manufacture a perpendicular magnetic recording medium which has a high S/N capable of making a recording density high by improving the crystal orientation properties of a magnetic layer of a granular structure.例文帳に追加

グラニュラー構造の磁性層の結晶配向性を改善して、高記録密度化を達成可能な高Ｓ／Ｎ比の垂直磁気記録媒体を製造すること。 - 特許庁

The groove portion 21 extends substantially in parallel to the principal plane (11-20) of the n-type GaN substrate 11 and the (000-1) plane of the light emitting element layer 12.例文帳に追加

そして、溝部２１が、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面（（１１−２０）面）と発光素子層１２の（０００１）面とに実質的に平行な方向に延びる。 - 特許庁

To obtain a solar cell and a solar cell module in which a reaction can take place under a sufficiently stabilized state between silicon in an n-layer and a surface silver electrode while enhancing the electric characteristics and the lifetime.例文帳に追加

ｎ層中のシリコンと表銀電極の反応を十分安定した状態で行うことができ、電気的特性及び寿命を向上させることができる。 - 特許庁

The electrolyte for the electric double layer capacitor contains a dimethyl carbonate and a compound represented by a formula (1), wherein in the formula (1), m and n are natural numbers between 3 and 7 which may be different, and X^- is paired anions.例文帳に追加

ジメチルカーボネートと式（１）で表される化合物とを含有してなることを特徴とする電気二重層キャパシタ用電解液を提供するものである。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium having suitability for use of a GMR head which is reduced in thickness variations of its magnetic layer, and in output variations due to thickness variation, and what's more, which can ensure a high S/N ratio.例文帳に追加

磁性層の厚み変動、ひいては出力変動を抑制し、かつ高Ｓ／Ｎが得られるＧＭＲヘッドに好適な磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

This original plate for lithographic printing plate has the image formation layer containing a polymer having a group shown by a general formula (I) (n showing an integer between 0 and 10) at a side chain on a support object.例文帳に追加

支持体上に、側鎖に下記一般式（Ｉ）で示される基を有する重合体を含有する画像形成層を有する平版印刷版用原版； - 特許庁

The first ESD layer 110 is n-GaN, where the Si concentration is 1×10^16 to 5×10^17/cm^3, the thickness is 200-1,000 nm, and the pit density is ≤1×10^8/cm^2.例文帳に追加

第１ＥＳＤ層１１０は、Ｓｉ濃度１×１０^16〜５×１０^17／ｃｍ^3 、厚さ２００〜１０００ｎｍピット密度１×１０^8 ／ｃｍ^2 以下のｎ−ＧａＮである。 - 特許庁

The biodegradable resin laminate has a resin layer containing the biodegradable resin, and has a heat-sealing strength of the laminate of 10 N/15 mm or more.例文帳に追加

生分解性樹脂を含有してなる樹脂層を有する生分解性樹脂積層体であって、積層体のヒートシール強度が１０Ｎ／１５ｍｍ以上である積層体とする。 - 特許庁

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加

ここで、バリア絶縁層６の膜中の電子の流れは、Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（Ｆ−Ｎ）トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁

The gate electrode is formed as a split gate electrode split by a slit and a first p-type impurity region is provided on a surface of an n-type semiconductor layer almost at the center of the slit.例文帳に追加

ゲート電極はスリットで分離された分離ゲート電極とし、スリットの略中央のｎ−型半導体層表面に第１ｐ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

To provide a method for producing a photoelectric conversion device, achieving both high productivity and a high conversion efficiency by forming an n-layer having good coverage at high rate.例文帳に追加

カバレージが良好なｎ層を高速で製膜することにより、高生産性と高変換効率とを両立させた光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the peripheral region of a photodiode PD, a guard band region 34 is so formed as to cover the side face of an N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD.例文帳に追加

フォト・ダイオードＰＤの周辺部には、該フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３の側面を覆うようにガードバンド領域３４が形成されている。 - 特許庁

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１のＮ型ウェルにＰ型ソース領域８ｂに接続するようにストレージノードとして機能するＰ型拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

For example, in an IGBT, a p-type base layer 2 is formed in a first main surface central part (the left side on the paper surface) of a chip formed of an n-type low concentration substrate 1.例文帳に追加

例えばＩＧＢＴにおいて、ｎ型の低濃度基板１で形成されたチップの第１の主面中央部（紙面左側）には、ｐ型ベース層２が形成されている。 - 特許庁

By executing the reproduction in the manner of magnifying the recording mark of the recording layer, the recording/reproducing operation is allowed with the high S/N which is difficult to obtain for the normal optical recording medium.例文帳に追加

記録層の記録マークを再生層にて拡大して再生することによって、通常の光記録媒体では困難であった高Ｓ／Ｎで記録再生が可能となる。 - 特許庁

An n-type carrier supply part 103 and a p-type carrier supply part 104 formed on a lower clad layer 101 in contact with a core 102 are provided at a portion of the waveguide.例文帳に追加

導波路の一部に、コア１０２に接して下部クラッド層１０１の上に形成されたｎ形キャリア供給部１０３とｐ形キャリア供給部１０４とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which level difference of a surface layer of a parallel p-n junction is eliminated and variance in quality of a chip is suppressed as a result.例文帳に追加

トレンチ形成工程を有する半導体装置の製造方法において、並列ｐｎ構造の表面層の段差を解消し、チップの品質のばらつきを抑えること。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, the lower electrode of a MIS capacitor 88 is formed by an N+ diffusion layer 62b and the lower electrode of a MIM capacitor 89 is formed by a polycrystalline Si film 66b.例文帳に追加

Ｎ^+ 拡散層６２ｂでＭＩＳ容量素子８８の下部電極を形成し、多結晶Ｓｉ膜６６ｂでＭＩＭ容量素子８９の下部電極を形成する。 - 特許庁

Consequently, electric field breakdown caused at the B part of the end of the n+ drain layer 20 in a conventional manner is hard to be caused, and the breakdown voltage BVdss between the source and the drain is enhanced than heretofore.例文帳に追加

そのため従来ｎ＋ドレイン層２０端Ｂ部で起きていた電界降伏が起きにくくなりドレイン〜ソース間耐圧ＢＶｄｓｓが従来より高くなった。 - 特許庁