「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

The channel layer 26 is formed with a heavily- doped n-type region 27 and a heavily-doped p-type region 28, and electrodes 34a and 34b are formed through contact holes 33.例文帳に追加

チャネル層２６には高濃度ｎ型領域２７及び高濃度ｐ型領域２８が形成され、コンタクト孔３３を通じて電極３４ａ，３４ｂが形成されている。 - 特許庁

An insulating layer 102 is formed on a low-resistant n-type semiconductor substrate 101, and a surface protective film 104 is formed on the base 107 and emitter 108 of a bipolar transistor.例文帳に追加

低抵抗のＮ型半導体基板１０１の上に絶縁層１０２を形成し、バイポーラトランジスタのベース１０７，エミッタ１０８上に表面保護膜１０４を形成する。 - 特許庁

This locates the interface charge sufficiently distant from the lower layer doped by the n-type impurity serving passage of the current even though the interface charge exists.例文帳に追加

これにより、たとえ界面電荷が存在する場合であっても、電流の通り道であるｎ型不純物によりドープされた下層とは充分離れた位置にあることとなる。 - 特許庁

A determining part 13 compares target defect information of the uppermost layer N output from a data calculating part and determines where to carry out the substrate thereby notifying the controlling part 14.例文帳に追加

判断部１３は、データ演算部から出力された最上層レイヤーＮの注目欠陥情報を比較し、基板の搬出先を判断し、制御部１４に通知する。 - 特許庁

To provide a layer structure to stably obtain predetermined element performance by the highly sophisticated control of a n-type impurity profile at a hetero interface in a III-group nitride semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子におけるヘテロ界面のｐ型不純物プロファイルを高度に制御し、所望の素子性能を安定的に実現する層構造を提供する。 - 特許庁

An element isolation dielectric film 6 is formed so as to surround an N type diffusion layer 54 and a guard ring 3 (guard ring well) is formed around the periphery.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５４を取り囲むように半導体基板表面に素子分離絶縁膜６が形成され、その周囲にガードリング（ガードリング用ウェル）３が形成されている。 - 特許庁

On the major surface of a semiconductor substrate 101, a parallel pn layer is formed by arranging an N type drift region 104 and a P type column region 106 alternately.例文帳に追加

半導体基板１０１の主面には、Ｎ型ドリフト領域１０４およびＰ型コラム領域１０６が交互に配置された並列ｐｎ層が形成される。 - 特許庁

A plurality of n+ type channel stopper layers 2 are arranged at the surface 2s side of the semiconductor substrate 2 so as to be positioned in the neighborhood of each p type semiconductor layer 3.例文帳に追加

半導体基板２の表面２ｓ側には、各ｐ型半導体層３それぞれの近傍に位置するように、ｎ＋型のチャンネルストッパ層４が複数配設されている。 - 特許庁

Then, after an SiGe layer is formed for the inside base at the sidewall section of the element forming groove, an N^+ type polysilicon film is formed for the emitter so that the groove is buried.例文帳に追加

次いで、素子形成溝の側壁部に内部ベースになるＳｉＧｅ層を形成した後、この溝を埋め込むようにエミッタになるＮ^+型ポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

An element isolating part is formed in the P-type silicon substrate 1 occupying a part of the trench region 6, and furthermore an N-type source/ drain diffused layer 14 is formed.例文帳に追加

また、Ｐ型シリコン基板１中にはトレンチ領域６の一部にかけて、素子分離１０が形成され、さらに、Ｎ型のソース・ドレイン拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 10 is formed so as to oppose to the -c axial side inclination face 9, and a source electrode 11 is electrically connected to the n^+-type AlGaN layer 6.例文帳に追加

ゲート電極１０は、−ｃ軸側傾斜面９に対向して形成され、ソース電極１１は、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６と電気的に接続されている。 - 特許庁

An electric field drift layer 6 is formed on the main surface of an n-type silicon substrate 1, having a surface electrode 7.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト層６が形成され、該強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

A single layer film composed of TiAlN is formed on the surface of a mold for forming glass by vacuum depositing, sputtering, or ion plating Ti, Al and N at the same time.例文帳に追加

Ｔｉ、Ａｌ、Ｎを同時に真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることによりＴｉＡｌＮの単層膜をガラス成形金型の表面に形成する。 - 特許庁

A deep p-well 13' is formed, e.g. in an n-type epitaxial layer 23 corresponding to a peripheral circuit analog region 13 wherein an analog peripheral circuit is formed.例文帳に追加

たとえば、アナログ系の周辺回路が形成される周辺回路アナログ領域１３に対応するＮ型エピタキシャル層２３には、深いＰウェル１３’が形成されている。 - 特許庁

A first trench 2 having a low aspect ratio (for example, 5) is formed in an n-type semiconductor substrate 1 and buried with a p-type epitaxial layer 3 by using the epitaxial growth method.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１に低いアスペクト比（たとえば、５）の第１のトレンチ２を形成し、エピタキシャル成長法により第１のトレンチ２をｐ型エピタキシャル層３で埋め込む。 - 特許庁

Namely, the source area 16S is formed on the surface of the P--type body diffusion layer 15 and the drain area 16D is formed on the N--type well 112.例文帳に追加

すなわち、ソース領域１６Ｓは、上記Ｐ^- 型ボディー拡散層１５の表面上に形成され、ドレイン領域１６Ｄは、Ｎ^- 型ウェル１１２上に形成されている。 - 特許庁

The antireflective hardmask layer comprises a fully condensed polyhedral oligosilsesquioxane, {RSiO_1.5}_n, wherein n equals 8; and at least one chromophore moiety and transparent moiety.例文帳に追加

この反射防止ハードマスク層は、完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、｛ＲＳｉＯ_１．５｝_ｎ（但し、ｎは８である）と、少なくとも１つの発色団部分および透明部分とを含む。 - 特許庁

An n-well 10 having no p-type diffusion layer inside is formed between pads 5 and the outside device region 4 on a chip formed by a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１により形成されたチップ上の、パッド５と外側素子領域４との間に、その内部にＰ型拡散層を有さないＮウェル１０が形成される。 - 特許庁

An SOI substrate 30 is composed by forming an n^-type silicon layer 33 on a silicon oxide film 32 after forming the silicon oxide film 32 on a silicon substrate 31.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０は、シリコン基板３１の上にシリコン酸化膜３２が形成され、このシリコン酸化膜３２の上にＮ^−型シリコン層３３が形成されて構成される。 - 特許庁

By repeating the process, a plurality of depletion parts 12a are generated in an epitaxial layer 12 to provide a hetero N- buffer structure.例文帳に追加

そして、この工程を繰り返すことにより、エピタキシャル層１２中に複数の空洞部１２ａを作り込んで、ヘテロなＮバッファ構造を実現する構成となっている。 - 特許庁

The n-type diffusion layer forming composition contains glass powder including a donor element, and a dispersant containing a binder having a solubility parameter being equal to or less than 12(MJ/m^3)^1/2.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粉末と、溶解度パラメーターが１２（ＭＪ／ｍ^３）^１／２以下であるバインダーを含む分散媒と、を含有する。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a hollow region 30 is provided between the p-type semiconductor substrate 1 and the n-type bulk layer 2 in the low-breakdown voltage element region.例文帳に追加

また，半導体装置１００には，低耐圧素子領域であって，Ｐ型半導体基板１とＮ型バルク層２との間に中空領域３０が設けられている。 - 特許庁

An undoped diamond film 12 formed by CVD is laminated on a diamond substrate 11, and an n type diamond layer 13 is formed on a surface of diamond film 12.例文帳に追加

ダイヤモンド基板１１上にＣＶＤにより形成されたアンドープダイヤモンド膜１２が積層され、ダイヤモンド膜１２の表面にｎ型ダイヤモンド層１３が形成される。 - 特許庁

The gate electrode is formed as a split gate electrode split by a slit and a first p-type impurity region is provided on a surface of an n-type semiconductor layer almost at the center of the slit.例文帳に追加

ゲート電極はスリットで分離された分離ゲート電極とし、スリットの略中央のｎ−型半導体層表面に第１ｐ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

To provide a method for producing a photoelectric conversion device, achieving both high productivity and a high conversion efficiency by forming an n-layer having good coverage at high rate.例文帳に追加

カバレージが良好なｎ層を高速で製膜することにより、高生産性と高変換効率とを両立させた光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１のＮ型ウェルにＰ型ソース領域８ｂに接続するようにストレージノードとして機能するＰ型拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

For example, in an IGBT, a p-type base layer 2 is formed in a first main surface central part (the left side on the paper surface) of a chip formed of an n-type low concentration substrate 1.例文帳に追加

例えばＩＧＢＴにおいて、ｎ型の低濃度基板１で形成されたチップの第１の主面中央部（紙面左側）には、ｐ型ベース層２が形成されている。 - 特許庁

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加

ここで、バリア絶縁層６の膜中の電子の流れは、Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（Ｆ−Ｎ）トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁

The biodegradable resin laminate has a resin layer containing the biodegradable resin, and has a heat-sealing strength of the laminate of 10 N/15 mm or more.例文帳に追加

生分解性樹脂を含有してなる樹脂層を有する生分解性樹脂積層体であって、積層体のヒートシール強度が１０Ｎ／１５ｍｍ以上である積層体とする。 - 特許庁

By executing the reproduction in the manner of magnifying the recording mark of the recording layer, the recording/reproducing operation is allowed with the high S/N which is difficult to obtain for the normal optical recording medium.例文帳に追加

記録層の記録マークを再生層にて拡大して再生することによって、通常の光記録媒体では困難であった高Ｓ／Ｎで記録再生が可能となる。 - 特許庁

This original plate for lithographic printing plate has the image formation layer containing a polymer having a group shown by a general formula (I) (n showing an integer between 0 and 10) at a side chain on a support object.例文帳に追加

支持体上に、側鎖に下記一般式（Ｉ）で示される基を有する重合体を含有する画像形成層を有する平版印刷版用原版； - 特許庁

The first ESD layer 110 is n-GaN, where the Si concentration is 1×10^16 to 5×10^17/cm^3, the thickness is 200-1,000 nm, and the pit density is ≤1×10^8/cm^2.例文帳に追加

第１ＥＳＤ層１１０は、Ｓｉ濃度１×１０^16〜５×１０^17／ｃｍ^3 、厚さ２００〜１０００ｎｍピット密度１×１０^8 ／ｃｍ^2 以下のｎ−ＧａＮである。 - 特許庁

A body region 2, comprising a plurality of regular p-type diffusion regions, is formed on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１となるｎ形の半導体層の表面側に規則的に複数個のｐ形拡散領域からなるボディ領域２が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor element 10 is composed of the floating gate structure in which electric charges storing layers 5, 6 are successively laminated on an SiO_2 layer 4 formed on a substrate 1 made of n-type Si.例文帳に追加

半導体素子１０は、ｎ型Ｓｉからなる基板１上に形成したＳｉＯ_２層４上に、電荷蓄積層５，６を順次積層したフローティングゲート構造からなる。 - 特許庁

From the front surface of the p-type semiconductor region 3 to an interface between the n-type epitaxial layer 2 and the substrate 1, a groove 12 having a lattice-like plane shape is formed.例文帳に追加

ｐ型半導体領域３の表面から、ｎ型エピタキシャル層２と基板１との界面にまで達し、かつ平面形状が格子状をなす溝１２を形成する。 - 特許庁

Afterwards, a lower electrode pad 7 is formed on the partially exposed area of the metallic part 3, and an upper electrode 8 is partially formed on the upper face of the n-type GaN layer 6.例文帳に追加

この後、金属膜３の一部露出した領域の上に下部電極パッド７を設け、ｎ型ＧａＮ層６の上面に部分的に上部電極８を形成する。 - 特許庁

Bus bars P, N, U and W as a power supply line of the power component 10 are led out of the cooling device 11 from the block 11B through inside the resin layer.例文帳に追加

パワー部品１０の電力供給線となる各バスバーＰ，Ｎ，Ｕ，Ｖ，Ｗが、ブロック部１１Ｂから樹脂層の内部を介して冷却装置１１の外部へと引き出される。 - 特許庁

The p-type electrode is bonded onto a retaining substrate 6 and, thereafter, the matrix substrate 1 is separated by laser lift-off method to expose the nitrogen surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ型電極と保持基板６とを貼り合わせた後、レーザリフトオフ法により母材基板１を剥離してｎ型半導体層２の窒素面を露出させる。 - 特許庁

A Schottky electrode 3 comes into Schottky contact with an n^- semiconductor layer 2 formed of SiC, and is electrically connected to p-type semiconductor layers 5a, 5b formed of SiC.例文帳に追加

ショットキー電極３は、ＳｉＣよりなるｎ^-半導体層２とショットキー接触し、かつＳｉＣよりなるｐ型半導体層５ａ，５ｂと電気的に接続している。 - 特許庁

Accordingly, a capacitance value of the pn junction area may become lower than that of the convention method in which the n-type impurity diffusing layer is provided in direct on the surface of the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

したがって、Ｎ型不純物拡散層をＰ型半導体基板の表面に直接設けていた従来に比べ、ＰＮ接合部の容量値が小さくなる。 - 特許庁

The front surface side of an N^- low concentration layer 2, in which the Schottky electrode is formed, is arranged so as to be contacted with the susceptor 11 of a heat treatment device through a thermal oxidation film 5.例文帳に追加

ショットキ電極が形成されるＮ^-低濃度層２の表面側が熱酸化膜５を介して熱処理装置のサセプタ１１に接するように配置する。 - 特許庁

It can be easily judged on the basis of the evaluation of I-V characteristics of the pin diode whether the channel region formed of the intrinsic semiconductor layer is of p-type or n-type.例文帳に追加

ｐｉｎダイオードのＩ−Ｖ特性の評価から真性半導体層にて形成されるチャネル領域がｐ型またはｎ型のいずれか容易に判別できる。 - 特許庁

A flip-chip type III nitride compound light emitting device is equipped with Au layers, which are each formed on the surfaces of a P-side electrode and an N-side electrode through the intermediary a Ti layer.例文帳に追加

フリップチップタイプのIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ側電極表面及びｎ側電極表面にＴｉ層を介してＡｕ層を設ける。 - 特許庁

Further, the mask 13M for ion implantation is used to carry out the selective ion implantation of aluminum (^27Al^+) from the surface of the n-type epitaxial growth layer 12 shallower than the boron.例文帳に追加

更に、イオン注入用マスク１３Ｍを用いて、ｎ型エピタキシャル成長層１２の表面から、ボロンよりも浅い位置にアルミニウム（^27Ａｌ^+）の選択イオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer with an epitaxially deposited layer which has especially low resistivity, and has a substrate wafer of single crystal silicon doped with dopant atoms of an n type or p type.例文帳に追加

比抵抗が特に低い、ｎ型又はｐ型のドーパント原子でドープされた単結晶シリコンからなる基板ウェハを有する、エピタキシャル層を備えた半導体ウェハ - 特許庁