「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a light emitting diode having an active region of a multiple quantum well structure in which well layers and barrier layers are alternately laminated between a nitride gallium based N-type compound semiconductor layer and a nitride gallium based P-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層との間にウェル層と障壁層が交互に積層された多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

The i-layer 14 consists of a hydrogen containing amorphous iron silicide film which is formed on the n-layer 13 by supplying iron vapor V into a plasma Ps of a material gas G, a mixture of silane gas and hydrogen gas.例文帳に追加

ｉ層１４は、本発明による水素含有の非晶質鉄シリサイド膜から成るものであり、シラン系ガス及び水素ガスが混合された原料ガスＧのプラズマＰｓ中に鉄蒸気Ｖを供給することによりｎ層上１３上に形成される。 - 特許庁

An aluminum nitride gallium indium growth superlattice structure of silicon minor cycle heavy dope includes the minor cycle superlattice digital contacting layer which is used as an n-type contacting layer of the low electric resistance value of an indium nitride gallium/gallium nitride multiquantum well structure light emitting diode.例文帳に追加

シリコン短周期ヘビードープの窒化アルミニウムガリウムインジウム成長超格子構造は窒化インジウムガリウム／窒化ガリウム多重量子井戸構造発光ダイオードの低電気抵抗値のｎ型コンタクト層とされる短周期超格子デジタルコンタクト層を具備する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a single crystal semiconductor portion 19 including an n-type first semiconductor layer 15 and a p-type second semiconductor layer 17 arranged alternately on the surface of a semiconductor substrate to constitute a stripe plane.例文帳に追加

半導体装置１は、ストライプ状の平面が構成されるように、半導体基板の表面上に交互に配置されたｎ型の第１半導体層１５とｐ型の第２半導体層１７を含む単結晶半導体部１９を備える。 - 特許庁

An ultrathin film (monomolecular film or the like) of an organic light-emitting material such as an iridium complex is provided between a layer of an organic material with high electron transport property (N-type organic material) and a layer of an organic material with high hole transport property (P-type organic material).例文帳に追加

電子輸送性の高い有機材料（Ｎ型有機材料）の層と正孔輸送性の高い有機材料（Ｐ型有機材料）の層との間にイリジウム錯体等の有機発光材料の極めて薄い膜（単分子膜等）を設ける。 - 特許庁

Consequently, even when the adhesive force of the adhesion layer 6 is increased up to 0.001 to 0.01 N/cm^2, the adhesion layer 6 never sticks on a roller, a conveyor guide surface, etc., so while conveying performance is maintained, dust such as paper powder can securely be removed.例文帳に追加

これにより、粘着層６の粘着力を０．００１〜０．０１Ｎ／ｃｍ^2 まで高めたとしても、ローラや搬送ガイド面などに貼り付くことがないので、搬送性を保ちながら確実に紙粉などの塵芥を除去することができる。 - 特許庁

The peel strength in the circumferential direction of the fluororubber coating layer 40 and the core bar 41 is ≥0.30 N/mm and the surface roughness Ra of the fluororubber coating layer 40 is ≤2.5 μm and Rmax is ≤12.0 μm.例文帳に追加

フッ素ゴム被覆層４０と芯金４１との周方向における剥離強度が０．３０Ｎ／ｍｍ以上、フッ素ゴム被覆層４０の表面粗さのＲａが２．５μｍ以下で且つＲｍａｘが１２．０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The surface emitting laser has a laminate structure including a lower DBR mirror 103, an n-type lower semiconductor layer, an active layer 105, a p-type upper semiconductor laminate, and an upper DBR mirror 109 laminated in order on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

面発光レーザは、半導体基板１０１上に順次に積層された、下部ＤＢＲミラー１０３、ｎ型の下部半導体層、活性層１０５、ｐ型の上部半導体積層、及び、上部ＤＢＲミラー１０９を含む積層構造を有する。 - 特許庁

A strength of the skin of a film laminating face 18 of the polyolefine foam sheet is to be not lower than 1,000 kPa; and an adhesion of not higher than 1.0 N/cm is required between the adhesive layer and the metal roofing material and between the adhesive layer and other surface 20 of the polyolefine foam sheet.例文帳に追加

そして、ポリオレフィン系発泡体シートのフィルム貼合面１８の表皮強さを１０００ｋＰａ以上とし、粘着層と金属屋根材およびポリオレフィン系発泡体シートの他面２０との粘着力を１．０Ｎ／ｃｍ以下とする。 - 特許庁

The film for the drawn can is constituted by forming a water dispersible copolyester resin coating layer on one side of a polyester film, and the adhesion strength of the resin coating layer and the metal sheet is 18 N/15 mm or above.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの片面に水分散型共重合ポリエステル樹脂塗布層を形成してなる絞りしごき缶被覆用フィルムであって、該樹脂塗布層と金属板との密着強度が１８Ｎ／１５ｍｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２の表層部に、不活性なイオン種としてＣ（炭素）をイオン注入すると共に、このＣを注入する領域にＣに対して所定の濃度比でＢをイオン注入し、その後、熱処理によってＢの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層３０を形成する。 - 特許庁

On the SiC substrate 102 of the light emitting diode element 100, a porous layer 124 composed of porous single-crystal 6H type SiC to which B and N are added is formed, and when the porous layer 124 is excited with ultraviolet light emitted from a nitride semiconductor layer, visible light of blue to green can be obtained.例文帳に追加

発光ダイオード素子１００のＳｉＣ基板１０２に、Ｂ及びＮが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなるポーラス層１２４を形成し、窒化物半導体層から発せられる紫外光によりポーラス層１２４が励起されると、青色から緑色の可視光が得られるようにした。 - 特許庁

In the decorative sheet obtained by laminating at least a base material sheet 1, a concealed pattern layer 2, and a transparent polypropylene resin layer 5 in this order, a weather resistant stabilizer contained in the transparent polypropylene resin layer 5 is prepared from only a substance having an amount of dissolution in 100 g of n-hexane at 23°C of at least 1 g.例文帳に追加

少なくとも基材シート１、隠蔽模様層２、透明ポリプロピレン樹脂層５がこの順に積層されてなる化粧シートにおいて、前記透明ポリプロピレン樹脂層５に含まれる耐候安定剤が、２３℃におけるｎ−ヘキサン１００ｇ中への溶解量が１ｇ以上であるもののみから成る。 - 特許庁

This photoelectric conversion element and the photocell comprises a photo-anode having a first photosensitive layer containing n-type semiconductor particles adsorbing pigment and being formed on a conductive support, charge transfer layer, and a photo-cathode having a second photosensitive layer containing a p-type semiconductor formed on a conductive support.例文帳に追加

色素を吸着したｎ型半導体微粒子を含む第一の感光層を導電性支持体上に形成した光アノードと、電荷移動層と、ｐ型半導体を含む第二の感光層を導電性支持体上に形成した光カソードとによって光電変換素子および光電池を構成する。 - 特許庁

A codoped layer 13 made of GaN, in which one of silicon (Si) and germanium (Ge) as impurities serving as a donor and one of magnesium (Mg) and zinc (Zn) as impurities serving as an acceptor are codoped, is provided between a substrate 11 and a buffer layer 12, and a first n-type cladding layer 14.例文帳に追加

基板１１およびバッファ層１２と第１ｎ型クラッド層１４との間に、ドナーとして働く不純物であるシリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）の一方およびアクセプタとして働く不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）の一方が共添加されたＧａＮよりなる共添加層１３を設ける。 - 特許庁

The SiC semiconductor device has an n^+ type SiC substrate 11 having a first main face and a second main face confronted with the first main face, an epitaxial layer 13 formed on the second main face and an electrode 14 which is formed on the epitaxial layer 13 and is brought into ohmic-contact with the epitaxial layer 13.例文帳に追加

第１の主面と該第１の主面に背向する第２の主面とを有するｎ^＋型ＳｉＣ基板１１と、第２の主面上に形成されたエピタキシャル層１３と、エピタキシャル層１３上に形成されると共に、エピタキシャル層１３とオーミック接触した電極１４とを有することを特徴とする。 - 特許庁

By selectively carrying out the etching removal of unnecessary n-type GaAs current inhibition layer 1160 on the ridge stripe 150 and the p-type GaAs top cap layer 111 with ammonia/hydrogen peroxide based etchant, the etching removal of the p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110 is selectively carried out with hydrofluoric acid.例文帳に追加

リッジストライプ１５０上の不要なｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１１６０とｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１とをアンモニア過酸化水素系エッチャントで選択的にエッチング除去して、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０をフッ化水素酸で選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

The method includes a first process for injecting N-type impurities in a dicing portion in a P-type semiconductor region, at the rear face of the semiconductor wafer; a second process for forming the first layer over the entire rear face of the semiconductor wafer; and a third process for forming the second layer, on the rear face of the first layer by a wet plating method.例文帳に追加

この方法は、半導体ウェハの裏面のＰ型の半導体領域のダイシング部に、Ｎ型の不純物を注入する第１工程と、半導体ウェハの裏面全体に第１層を形成する第２工程と、湿式めっき法によって第１層の裏面に第２層を形成する第３工程とを含んでいる。 - 特許庁

An end of the pixel separation layer 117 on a side of the photoelectric conversion part is farther apart from the photoelectric conversion part than an end of the holding part lower separation layer 111 on a side of the photoelectric conversion part, and an N-type semiconductor region constituting a part of the photoelectric conversion part is arranged below at least a part of the holding part lower separation layer 111.例文帳に追加

画素分離層１１７の光電変換部側の端部が、保持部下分離層１１１の光電変換部側の端部に比べて、光電変換部から離れた位置にあり、保持部下分離層１１１の少なくとも一部の下部に前記光電変換部の一部を構成するＮ型の半導体領域が配されている。 - 特許庁

Since a hole injection layer 70 is configured to be formed on a pixel electrode 23 by the use of a hole injection layer forming material that contains an organic material, having hole injection property and indium sulfate (III) n hydrate, the hole injection layer 23 is formed, while it contains indium element.例文帳に追加

正孔注入性を有する有機材料と硫酸インジウム（III）ｎ水和物とを含んだ正孔注入層形成材料を用いて画素電極２３上に正孔注入層７０を形成することとしたので、正孔注入層２３がインジウム元素を含んだ状態で形成されることになる。 - 特許庁

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.例文帳に追加

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

An Al electrode 19 formed on a semiconductor substrate 15 through an interlayer insulating film 17 is connected electrically with a P type layer 13 and an N^+ type layer 14 through a contact hole 18 formed in the interlayer insulating film 17 and an Ni plating layer 20 is formed on the Al electrode 19.例文帳に追加

半導体基板１５の上に層間絶縁膜１７を介して形成されたＡｌ電極１９が、層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホール１８を介してＰ型層１３と、Ｎ^＋型層１４と電気的に接続されており、Ａｌ電極１９の上にＮｉメッキ層２０が形成されている。 - 特許庁

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。 - 特許庁

The sound absorbing layer and the low vent layer can be firmly integrated in a range of the peeling strength of 0.01-10.0 N/cm to reliably prevent any defective peeling, and the excellent sound absorbing performance and insulating performance can be ensured for a long time without any defective peeling by controlling the ventilation volume in the low vent layer 40.例文帳に追加

そして、接着層５０により剥離強度０．０１〜１０．０Ｎ／ｃｍの範囲で強固に一体化して、剥離不良を確実に防止するとともに、低通気層４０における通気量をコントロールすることで、良好な吸音性能、遮音性能を剥離不良が生じることなく長期に亘り確保する。 - 特許庁

Because the peak concentration of carbon contained in the n-type GaAlAs clad layer 3 near the composition interface with the p-type GaAlAs active layer 2 is reduced by the heat treatment for raising the temperature again after the epitaxial growth, a p-type conversion layer does not occur near the composition interface, and the epitaxial wafer can be obtained wherein the thyristor failure does not occur.例文帳に追加

エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 - 特許庁

This light-emitting element is characterized in that at least an n-type semiconductor layer 1, a light-emitting layer 2 and a p-type semiconductor layer 3 are laminated to form a light-emitting element 5, and the brittle light-transmissive insulator 6 is provided around the light-emitting element 5 having the layers 1, 2 and 3.例文帳に追加

本発明は、少なくともｎ型半導体層１、発光層２、ｐ型半導体層３が積層されて発光素子部５が構成され、前記ｎ型半導体層１、発光層２、ｐ型半導体層３を備えた発光素子部５の周囲に脆性透光性絶縁体部６が設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

Since the light-emitting layer 4 is located approximately at the center of a transparent electrode part 3c, downward directed light among the light slantly incident into the electrode part 3c is reflected by a reflecting electrode layer 3b, and a reflecting electrode layer 3d emits an upward directed light, while reflecting it to the side of the n-side electrode 3.例文帳に追加

発光層４の位置は、透明電極部３ｃのほぼ中央部分に位置するので、透明電極部３ｃに斜行して入射してきた光のうち下側に向かう光を反射電極層３ｂが反射し、上側に向かう光を反射電極層３ｄが反射しながらｎ側電極３の側方に出射する。 - 特許庁

After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147.例文帳に追加

その後、基板上に第２の層間絶縁膜１４７を堆積し、第２の層間絶縁膜１４７を貫通して応力緩和用金属パッド１５２，Ｐ型拡散層上第１プラグ１６０ｐに到達するＮ型拡散層上第２プラグ１７０ｎ，Ｐ型拡散層上第２プラグ１７０ｐを形成する。 - 特許庁

The adhesive sheet for the criminal identification, for transferring the visualized trace to the surface of an adhesive layer 20 has the adhesive layer 20 regulated so that the surface may have ≥100° contact angle to the water, and the initial tack of the adhesive layer 20 measured by a probe-tack method may be 0.05-0.80 N/5 mmψ.例文帳に追加

視覚化された痕跡を粘着剤層２０の表面に転写して採取する鑑識用粘着シートにおいて、前記粘着剤層２０の表面の水に対する接触角が１００°以上であり、プローブタック法による前記粘着剤層２０の初期タックが０.０５〜０.８０Ｎ／５ｍｍφであることを特徴とする。 - 特許庁

In addition, a well control layer 113 capable of independently controlling its well potential V_BC is formed on a lower layer of the n-well 110, where a p-type MOS transistor T1 is formed and the semiconductor substrate 100 is provided with a substrate potential control layer capable of independently controlling its substrate potential V_SC.例文帳に追加

さらに、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＴ１の形成されるＮウェル１１０の下層には、そのウェル電位Ｖ_ＢＣを独立して制御するためのウェル制御層１１３を形成し、半導体基板１００にも、その基板電位Ｖ_ＳＣを独立して制御することのできる基板電位制御層を設ける。 - 特許庁

The single-layer photoreceptor of the electrophotographic photoreceptor comprising an electroconductive supporter and a single-layer photosensitive layer contains an aromatic polycarbonate containing a constituent unit derived from a compound having an asymmetrical bis(hydroxy)enamine basic skeleton represented by general formula (1) (wherein, n is an integer of 0-3).例文帳に追加

導電性支持体と単層型感光層とを含む電子写真感光体において、単層型感光層に、一般式（１）（式中ｎは０〜３の整数を示す。）で表される非対称ビスヒドロキシエナミン基本骨格を有する化合物から誘導される構成単位を含む芳香族ポリカーボネートを含有させる。 - 特許庁

The nitride-contained semiconductor device is electrically connected to a source electrode 4, and a p-type gallium nitride (GaN) layer 3 extended projecting to a drain electrode 5 more than a gate electrode 6 is formed on a non-doped or n-type aluminum gallium (AlGaN) layer 2 as a barrier layer.例文帳に追加

本発明の実施の一形態に係る窒化物含有半導体装置は、ソース電極４に電気的に接続され、ゲート電極６よりもドレイン電極５側に突出して延在するｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）層３が、バリア層としてのノンドープ又はｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層２上に形成されているものである。 - 特許庁

In this LED chip 1a, an n-type semiconductor layer 121a on an insulating substrate 11a is provided with a step so that its external periphery may have a thickness thinner than that of center portion, and a light-emitting layer 122a and a p-type semiconductor layer 123a are laminated only on the center portion.例文帳に追加

本発明に係るＬＥＤチップ１ａは、絶縁性基板１１ａ上のｎ型半導体層１２１ａは、その外周部の厚みが中央部と比較して薄くなるよう段差が設けられており、その中央部においてのみ発光層１２２ａ及びｐ型半導体層１２３ａが積層されている。 - 特許庁

In the biaxially oriented coextruded polyester film made up of a base layer B and at least one outer layer A to which a metallic thin film can be bonded, the outer layer A is 1.6 μm or less thick and shows a metallic thin film adhesion of 4 N/25 mm or more.例文帳に追加

ベース層Ｂ及び少なくとも１つの金属薄膜接着可能な外層Ａから成る二軸延伸共押出しポリエステルフィルムであって、上記外層Ａは、厚さが１．６μｍ以下であり、且つ金属薄膜接着力が４Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする二軸延伸共押出しポリエステルフィルム。 - 特許庁

A p-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 103 whereon a microscopic crystal silicon thin film solar battery si formed on a substrate 101, a microscopic crystal buffer layer 104, an i-type hydrogenated structure, containing at least an n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 106, and a reflection electrode, formed on the laminated structure, are provided.例文帳に追加

微結晶シリコン薄膜太陽電池が、基板と、該基板の上に形成された、ｐ型水素化微結晶シリコン層、微結晶バッファ層、ｉ型水素化微結晶シリコン層、及びｎ型水素化微結晶シリコン層を少なくとも含む積層構造と、該積層構造の上に形成された反射電極と、を備える。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material having an optimum n value and k value in exposure to short-wavelength light, excellent also in etching resistance under substrate etching conditions, and having promise as a resist underlayer film for a multilayer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process using a silicon-containing intermediate layer film.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

An FET 101 comprises: a compound semiconductor substrate 1; a semiconductor stacked structure 10 that is formed on the compound semiconductor substrate 1 and includes a channel layer 5 in which n-type carriers are accumulated, a Schottky layer 8, and a cap layer 9 in that order when viewed from the substrate side; a gate electrode 20; a source electrode 21; and a drain electrode 22.例文帳に追加

ＦＥＴ１０１は、化合物半導体基板１と、化合物半導体基板１上に形成され、当該基板側から見て、ｎ型キャリアが蓄積するチャネル層５、ショットキー層８、及びキャップ層９を順次含む半導体積層構造１０と、ゲート電極２０、ソース電極２１、及びドレイン電極２２とを備えている。 - 特許庁

The CMOS transistor is formed with a conductive layer in a contact hole provided so as to come into contact with one side face of a source and drain region of a semiconductor layer of an n-type thin film transistor, and one side face of the source and drain region of the semiconductor layer of a p-type thin film transistor, respectively.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳトランジスタは、ｎ型薄膜トランジスタの半導体層のソース、ドレイン領域の一方の側面と、ｐ型薄膜トランジスタの半導体層のソース、ドレイン領域の一方の側面と、にそれぞれ接するように設けられたコンタクトホール内に導電層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In a copper alloy containing specified elements, by controlling the thicknesses of an oxidized layer as an outermost surface layer and a rust preventive layer, the copper alloy foil for the laminate sheet having excellent strength and electric conductivity, and having ≥5.0 N/cm 180° peel strength with a liquid crystal polymer, without undergoing roughening treatment, is provided.例文帳に追加

特定の元素を含有した銅合金において極表層の酸化層、防錆皮膜の厚さを規制することにより、強度と導電性に優れ、かつ粗化処理を施さずに液晶ポリマーとの１８０゜ピール強度が５．０Ｎ／ｃｍ以上であり、積層板用の銅合金箔を提供する。 - 特許庁

The optical fiber strand (1) for the fiber grating is provided with a primary covering layer (3) and a secondary covering layer (4) on a glass optical fiber bare wire (2), and the primary covering layer (3) is constituted of a resin composition that incorporates silane coupling agent by 0.05-5 mass % and whose contactness with glass is set 5-20 N/m.例文帳に追加

ガラス光ファイバ裸線（２）上に一次被覆層（３）及び二次被覆層（４）が設けられてなる光ファイバ素線であって、該一次被覆層（３）が、シランカップリング剤を０．０５〜５質量％含有し、ガラスとの密着力が５〜２０Ｎ／ｍである樹脂組成物からなるファイバグレーティング用光ファイバ素線（１）。 - 特許庁

The organic photoreceptor has a charge generating layer comprising a charge generating material of an N type pigment on a conductive support and a laminated structure of at least one or more layers having a total thickness of 5-15 μm on the charge generating layer, wherein the uppermost layer comprises fluororesin particles.例文帳に追加

導電性支持体上にＮ型顔料の電荷発生物質を含有する電荷発生層及び該電荷発生層上に合計膜厚が５〜１５μｍの少なくとも１層以上の積層構造を有し、且つ最上層がフッ素系樹脂粒子を含有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

An InGaAsP guide layer 104, an MQW active layer 105 and a p-InP clad layer 106 are selectively grown on an n-InP substrate 101 by a selective MOVPE method by using a pair of SiO2 stripe masks 103, in such a way that the width of the stripe masks 103 is made wide according to an oscillation wavelength.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１０１上に、一対のＳｉＯ_2ストライプマスク１０３を用いて、前記ストライプマスク１０３の幅を、発振波長に応じて広くし、選択ＭＯＶＰＥ法によって、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０４、ＭＱＷ活性層１０５、およびｐ−ＩｎＰクラッド層１０６を選択成長させる。 - 特許庁

Consequently, according to the lower electrode (151e), it is possible to scatter light of incident light injected from an upper side of a photosensor (151) to the photosensor (151) passing through an n-type semiconductor layer (151b), a photosensitive layer (151c) and a p-type semiconductor layer (151d) to a separate direction other than an incidence direction of incident light.例文帳に追加

したがって、下電極（１５１ｅ）によれば、フォトセンサ（１５１）の上側からフォトセンサ（１５１）に入射した入射光のうちｎ型半導体層（１５１ｂ）、受光層（１５１ｃ）及びｐ型半導体層（１５１ｄ）を透過した光を、入射光の入射方向とは別の方向に散乱させることが可能である。 - 特許庁

Furthermore, the hardness (force necessary to compress the foaming elastic body layer 32 in a thickness direction by 30% by pressing a metallic disk having a 10 mm diameter on the outer peripheral surface of the foaming elastic body layer 32) of the foaming elastic body layer 32 obtained after imparting the particulates 34 is set within a range from 0.2 to 0.7 N.例文帳に追加

さらに，微粒子３４の付与後における発泡弾性体層３２の硬度（直径が１０ｍｍの金属円板を発泡弾性体層３２の外周面に押し当て，発泡弾性体層３２を厚さ方向に３０％圧縮させるために必要な力）は，０．２Ｎから０．７Ｎの範囲内とする。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 1 includes: a light emitting laser structure portion 2 composed of an n-type clad layer 6, an active layer 7 and a p-type clad layer 8; a semiconductor multilayer film 3 having a structure formed by alternately laminating the first semiconductor film and second semiconductor film, differing in refractive index from each other; and a pair of electrodes 4 and 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子１は、ｎ型クラッド層６、活性層７及びｐ型クラッド層８からなる発光レーザ構造部２と、互いに屈折率の異なる第１の半導体膜と第２の半導体膜とを交互に積層した構造を有する半導体多層膜３と、一対の電極４，５とを有する。 - 特許庁