「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

On an n^+ SiC substrate 5, an n^- SiC epitaxial layer 8 is formed which has a body region 12, a drift region 13 and a source region 14, and a gate trench 15 is formed which passes through the source region 14 and the body region 12 and reaches the drift region 13.例文帳に追加

ｎ^＋型のＳｉＣ基板５上に、ボディ領域１２、ドリフト領域１３およびソース領域１４を有するｎ^−型のＳｉＣエピタキシャル層８を形成し、ソース領域１４およびボディ領域１２を貫通し、ドリフト領域１３に達するゲートトレンチ１５を形成する。 - 特許庁

By this, the non-magnetic particles in the magnetic layer are not charged up with static electricity, and the magnetic recording medium, which is high in ratio of output to noise (C/N ratio) when the MR head is used, is obtained.例文帳に追加

これにより、磁性層中の非磁性粒子が静電気でチャジアップしなくなり、ＭＲヘッドを使用した場合に出力対ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）が高い磁気記録媒体が得られる。 - 特許庁

The well layer is made of Zn, O, and another group VI element S, and is doped with B, Al, or Ga which is an n-type impurity element smaller than Zn in terms of ionic radius.例文帳に追加

井戸層は、Ｚｎと、Ｏと、Ｏ以外のＶＩ族元素であるＳとからなり、かつＺｎよりもイオン半径の小さいｎ型不純物元素である、Ｂ、Ａｌ、又はＧａがドーピングされている。 - 特許庁

The visible-ray transmitting structure is formed of a transparent substrate and a pn-junction layer comprising p-type and n-type semiconductors provided on the substrate, and has a power generating function utilizing blue to ultraviolet rays.例文帳に追加

透明基板と、基板上に設けられたｐ型半導体及びｎ型半導体のｐｎ接合層とからなる青〜紫外光発電機能を有する可視光透過構造体。 - 特許庁

Incorporating 8-16 atm.% oxygen into the magnetic layer 5 containing at least Co and Pt brings both high coercive force and high S/N to the magnetic recording medium 1.例文帳に追加

この磁気記録媒体は、少なくともＣｏ及びＰｔを含む磁性層中に８〜１６原子％の酸素を含有することで、高保磁力と高Ｓ／Ｎとを兼ね備えることとなる。 - 特許庁

For the BiPT 210, the drain region is made a collector region, and the well 11 is made a base region, and an n-type impurity diffused layer isolated from the drain region is made an emitter region 60.例文帳に追加

ＢｉＰＴ２１０はドレイン領域をコレクタ領域とし、ウェル１１をベース領域とし、ドレイン領域と分離されるＮ型不純物拡散層をエミッタ領域６０とする。 - 特許庁

When pulling electric charges out of the photodiode section to conduct shuttering, pulse-like voltage (VBsub+ΔVsub) is applied so that the end of depletion is located in the n+ type epitaxial layer 12.例文帳に追加

シャッタ動作のためにフォトダイオード部に蓄積された電荷を引き抜く際には、ｎ^+型エピタキシャル層１２中に空乏端が位置するように、パルス状に電圧（Ｖ_Bsub＋ΔＶ_sub）を印加する。 - 特許庁

The n-type polycrystalline silicon 11 is connected in series with the p-type polycrystalline silicon 12 via the silicide 14, a contact 16, a metal layer 23, a contact 19, and the silicide 17.例文帳に追加

そして、Ｎ型多結晶シリコン１１は、サリサイド１４、コンタクト１６、金属層２３、コンタクト１９およびサリサイド１７を介してＰ型多結晶シリコン１２と直列に接続される。 - 特許庁

Also, an interlayer insulating film is formed on the surface of the p-type silicon substrate 1, a contact hole is made, ions are implanted, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a heavily-doped n-type diffused layer.例文帳に追加

また、ｐ型シリコン基板１の表面に層間絶縁膜を形成し、コンタクト孔を開口しイオン注入し、熱処理を行い高不純物濃度ｎ型拡散層を形成する。 - 特許庁

Since holes are not diffused easily to a part directly under the n+ base layer 15, electrons emitted from the base are prevented from being recombined and the gain is not lowered even in a region of high current density.例文帳に追加

これにより、ｎ^＋ベース層１５直下までホールが拡散し難くなり、ベースから放出される電子の再結合が防止され、電流密度が高い領域でも、ゲインが低下しなくなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a junction gate field effect transistor which suppresses the variation in p-layer impurity in a gate region and can attain proper p-n junction characteristics for the transistor.例文帳に追加

ゲート領域でのｐ層不純物のばらつきを抑制すると共に、良好なｐｎ接合特性を得る接合ゲート型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

With this structure, the Al atoms of the wire Al piece spreads gradually into the electrode film piece and thermal reacting layer under the high temperature condition and such Al atoms are fetched into a high impurity concentration n-type SiC region at the lower part.例文帳に追加

電極素片８または加熱反応層９と配線Ａｌ素片１０との間に、Ａｌ拡散阻止層１１を設け、Ａｌ原子の拡散を防止する構成とする。 - 特許庁

In an n^+ bulk layer 101, a p-type area 109 made mainly of SiC including high-concentration p-type impurities is formed in the surface area on the side of its main surface 101b.例文帳に追加

Ｎ^＋バルク層１０１において、主面１０１ｂ側の表面領域には、高濃度のＰ型不純物を含むＳｉＣを主組成としたＰ型領域１０９が形成されている。 - 特許庁

At a voltage blocking structure part of a reverse blocking type IGBT, a surface layer on a top side of an n-type drift region 1 is provided with a plurality of field limiting rings (FLR) 2 and a channel stopper 3.例文帳に追加

逆阻止型ＩＧＢＴの耐圧構造部には、ｎ型ドリフト領域１のおもて面の表面層に、複数のフィールドリミッティングリング（ＦＬＲ）２およびチャネルストッパー３が設けられている。 - 特許庁

A revetment sheet wall 21 is installed for soft grounds 11 and 13 including liquefaction layer with a risk of liquefaction that has value N, an indicator of bearing of heavy construction, of less than 10.例文帳に追加

地震時に液状化可能性のある液状化層を含み、重量構造物を支持するＮ値が１０未満である軟弱地盤１１、１３に対して護岸矢板壁２１が打設される。 - 特許庁

At least one of the first and second conductivity-type clad layers is an In_xAl_yGa_(1-x-y)N layer (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1), and the dispersion in the thickness lies within 6%.例文帳に追加

第１および第２導電型クラッド層の少なくとも一方がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ層（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）であり、厚みのばらつきが６％以内である。 - 特許庁

The protection sheet 1 for the recording disk has an adhesive agent layer 20 having a 2 to 30 N/m adhesive force and ≥20% surface glossiness and laminated on a surface base material 10.例文帳に追加

本発明の記録円盤用保護シート１は、表面基材１０上に、粘着力が２〜３０Ｎ／ｍ、表面の光沢度が２０％以上の粘着剤層２０が積層されている。 - 特許庁

In such an arrangement, it is sufficient for the trench 5 to be dug to the vicinity of the interface of the N-type drift layer 2 and the P+type base region 3, so the depth of the trench 5 are not increased.例文帳に追加

このような構成では、トレンチ５がＮ−型ドリフト層２とＰ＋型ベース領域３の界面のあたりまで掘られていれば済むため、トレンチ５の深さが増大することもない。 - 特許庁

To provide a highly efficient solar battery by lowering a contact resistance between a collecting electrode in the light receiving surface side and a high concentration n-type layer of the solar battery itself with the simplified process.例文帳に追加

簡便な工程で太陽電池の受光面側の集電電極と高濃度ｎ型層の接触抵抗を低くして高効率の太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

An address selecting MOSFET Qa for a memory cell is composed of an (n) channel MOSFET having a conductivity p+ gate different from the diffusion layer of the MOSFET Qa and having a comparatively thick oxide film.例文帳に追加

メモリセルのアドレス選択ＭＯＳＦＥＴＱａを、その拡散層とは異なる導電型のｐ^+ ゲートを有し、かつ比較的厚い酸化膜を有するＮチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成する。 - 特許庁

The transparent electrode 4 is formed so as to be larger in size than the light extraction surface 5 and connected electrically to an n-type semiconductor layer 6 including the light extraction surface 5 without fail.例文帳に追加

透明電極４は、光取り出し面５より大きめのサイズとなるように形成されて光取り出し面５を含むｎ型半導体層６と確実に電気的に接続される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a n-type silicon carbide layer 12 provided on a silicon carbide substrate 11 has an upper surface that is off cut in a direction from a (0001) surface to a <11 to 20>.例文帳に追加

本発明の半導体素子では、炭化珪素基板１１の上に設けられたｎ型の炭化珪素層１２は、（０００１）面から＜１１−２０＞方向にオフカットされた上面を有している。 - 特許庁

A plurality of strip n-type impurity regions 3a and a plurality of strip p-type impurity regions 3b are formed in a single crystal silicon layer 3 on the surface of an SOI substrate 4.例文帳に追加

ＳＯＩ基板４の表面の単結晶シリコン層３に短冊状のＮ型不純物領域３ａおよびＰ型不純物領域３ｂが交互に複数形成される。 - 特許庁

The heat resistant label has a heat resistant adhesive layer having ≥0.3 N/25 mm adhesive power at 150°C on one face of a substrate comprising an unstretched film.例文帳に追加

無延伸フィルムからなる基材の片面に、温度１５０℃における粘着力が０.３Ｎ／２５mm以上である耐熱性粘着剤層を有することを特徴とする耐熱性ラベルである。 - 特許庁

A polyparaxylilene film 16 of the dielectric constant of about 2.4 is formed on the n+-GaAs contact layer 14, while an opening part 18b is formed above the recess channel 23.例文帳に追加

また、ｎ^+ −ＧａＡｓコンタクト層１４上には、比誘電率２．４程度のポリパラキシリレン膜１６が形成されていると共に、リセス溝２３上方に開口部１８ｂが形成されている。 - 特許庁

The ON resistance is thereby reduced without decreasing the drain offset length DL2, i.e. the separation distance of a part on the first gate insulating film 6A and the drain N^+ diffusion layer 5.例文帳に追加

これによって、第１ゲート絶縁膜６Ａ上の部分と、ドレインＮ^+拡散層５との離隔距離であるドレインオフセット長ＤＬ２を小さくすることなく、ＯＮ抵抗を低下させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with a substrate 5, a JFET, a back electrode 28 and a rectifier element structure (SBD formed in a bonding part of a back contact electrode 27 and an n-type layer 12).例文帳に追加

半導体装置１は、基板５と、ＪＦＥＴと、裏面電極２８と、整流素子構造(裏面コンタクト電極２７とｎ型層１２との接合部に形成されるＳＢＤ）とを備える。 - 特許庁

The solid-state imaging element includes a P-type silicon substrate 31, an N-type semiconductor layer 32 on the P-type silicon substrate 31, a plurality of photoelectric conversion parts 3, and a P-type barrier region 35.例文帳に追加

固体撮像素子は、Ｐ型シリコン基板３１と、Ｐ型シリコン基板３１上のＮ型半導体層３２と、複数の光電変換部３と、Ｐ型のバリア領域３５とを備える。 - 特許庁

The anti-fuse 18 has a structure forming an electrode 16 through the insulating film 15 on an n^+- diffusion layer 14 having the reverse conductivity type to at least the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

アンチヒューズ１８は、少なくともＰ型半導体基板１１と逆導電型のＮ＋拡散層１４上に絶縁膜１５を介して電極１６が形成された構造をもつ。 - 特許庁

To provide a non-single crystal solar battery preventing the dispersion to an i layer of elements included in p type or n type impurities and material gas and improving power generation efficiency.例文帳に追加

ｐ型あるいはｎ型不純物および材料ガスに含まれる元素のｉ層への拡散を防止し、発電効率の向上を図った非単結晶太陽電池を提供する。 - 特許庁

The third ESD layer 112 is n-GaN, where a characteristic value to be defined by the product of the Si concentration (/cm^3) and the film thickness (nm) is 0.9×10^20 to 3.6×10^20 (nm/cm^3).例文帳に追加

第３ＥＳＤ層１１２は、Ｓｉ濃度（／ｃｍ^3 ）と膜厚（ｎｍ）の積で定義される特性値が０．９×１０^20〜３．６×１０^20（ｎｍ／ｃｍ^3 ）のｎ−ＧａＮである。 - 特許庁

When forming a p-type transistor as the metal film 6 of the lower layer, a Pt film is formed, for example, and when forming an n-type transistor, an Er film is formed, for example.例文帳に追加

下層の金属膜６としては、Ｐ型トランジスタを形成する場合には、例えばＰｔ膜を形成し、Ｎ型トランジスタを形成する場合には、例えばＥｒ膜を形成する。 - 特許庁

The band ply 9A consists only of one full band ply covering substantially the whole width of the belt layer 7, and each band cord is made of organic fibers having a 2% modulus of 10,000 N/mm^2 or more.例文帳に追加

バンドプライ９Ａは、ベルト層７の実質的全幅を覆う１枚のフルバンドプライのみからなり、しかもバンドコードが、２％モジュラスが１００００（Ｎ／ｍｍ^２ ）以上の有機繊維からなる。 - 特許庁

Ohmic electrodes 14a and 14b as source and drain electrodes and a Schottky electrode 15 as a gate electrode are formed on the n-type gallium nitride active layer 13.例文帳に追加

当該ｎ型窒化ガリウム活性層１３上には、ソース電極及びドレイン電極としてのオーミック電極１４ａ、１４ｂと、ゲート電極としてのショットキー電極１５とを形成する。 - 特許庁

This UV-resistant pellicle has an adhesive layer having ≥0.9 saturation coupling degree S defined by S=H/(H+L) and containing one or more kinds of block copolymers expressed by (A-B)n-A or (A-B)m by 5 to 90 wt.%.例文帳に追加

下記の式（１）によって定義される炭化水素化合物系粘着剤層の飽和度Ｓが０．９以上であることを特徴とする耐紫外線性ペリクルを用いる。 - 特許庁

A group 18 element such as Ar and an impurity element used as a donor or acceptor are added to the semiconductor layer separated as an element, to form an n-type or p-type gettering site region.例文帳に追加

素子分離された半導体層に、Ａｒなどの第１８族元素と、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素とを添加し、ｎ型またはｐ型のゲッタリングサイト領域を形成する。 - 特許庁

A negative electrode 27 formed of a SUS board or the like is made to cover the positive electrodes 32 via the intermediary of an insulating region 43, and the negative electrode 27 is brought into contact with the N+-type Si layer 24.例文帳に追加

また、ＳＵＳ基板などで構成される負電極２７が絶縁領域４３を介して正電極３２を覆い、負電極２７がｎ^+型Ｓｉ層２４と接している。 - 特許庁

When electrons are injected in the metal film 13 from the n-type semiconductor substrate 11 through the i-type semiconductor layer 12, surface plasmon excited on the metal film 13 emits light.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１から金属膜１３にｉ型半導体層１２を通して電子を注入することにより、金属膜１３に励起された表面プラズモンが発光する。 - 特許庁

A Schottky barrier ϕBn_1 between the n^- semiconductor layer 2 and the Schottky electrode 3 satisfies 0.68 eV<ϕBn_1<1.05 eV, and Schottky contact thereof can be secured even at a temperature of 250°C.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２とショットキー電極３との間のショットキー障壁φＢｎ_1が、０．６８ｅＶ＜φＢｎ_1＜１．０５ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも、そのショットキー接触を確保できる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 of a P type, for example, includes a P+ type element isolation region 12 adjoining an N--type semiconductor layer 11, and an LOCOS insulating film 13 covering it.例文帳に追加

例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２と、それを覆うＬＯＣＯＳ絶縁膜１３が形成されている。 - 特許庁

After forming the orientation notch 32 and the auto dope preventing film 34, a surface of the p-type semiconductor substrate 10 is made to carry out epitaxial growth of a semiconductor layer 36 of a p-type or an n-type.例文帳に追加

オリエンテーションノッチ３２及びオートドープ防止膜３４を形成した後に、ｐ型半導体基板１０の表面にｐ型又はｎ型の半導体層３６をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To easily manufacture a capacitor having single-crystal SrRuO3/single- crystal (Ba, Sr) TiO3/single-crystal SrRuO3 structure which is connected to an n+ source diffusion layer through a plug electrode of Ru.例文帳に追加

Ｒｕからなるプラグ電極を介してｎ^+ 型ソース拡散層と接続する、単結晶SrRuO_3 ／単結晶(Ba,Sr)TiO_3 ／単結晶SrRuO_3 構造のキャパシタを容易に製造できる製造方法を実現すること。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor area 106 is formed in the surface area of the p-type channel layer 103 so as to come into contact with a part of the side of the trench gate 2 through the gate oxide film 3.例文帳に追加

ゲート酸化膜３を介してトレンチゲート２の側面の一部に接してＰ型チャネル層１０３の表面領域にＮ^+ 型半導体領域１０６が形成されている。 - 特許庁

To form silicon oxide films with different thicknesses on a p-type diffusion region and an n-type diffusion region formed on the same silicon layer without need of a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを必要とせずに、同一のシリコン層に形成されたｐ型拡散領域およびｎ型拡散領域に、それぞれ異なる膜厚でシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

The light-emitting part is provided above the first semiconductor layer and includes a plurality of barrier layers and well layers that are provided between the adjacent plurality of barrier layers and contain Ga_1-z1In_z1 N.例文帳に追加

発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａ_１−ｚ１Ｉｎ_ｚ１Ｎを含む井戸層と、を含む。 - 特許庁