「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、Ｐ型シリコン層２０中にソース／ドレインとして形成された第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２と、第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２に挟まれたチャネル領域ＣＮＬ上に絶縁膜３０を介して形成されたゲート電極５０と、その絶縁膜３０中に形成された電荷蓄積層４０とを備える。 - 特許庁

The photoelectric converter includes: a photo diode 5 as a photoelectric conversion part having a photoelectric conversion region and an n-type layer 3 functioning as a charge storage region wherein charges generated in the photoelectric conversion region are stored; and a transfer transistor which is disposed between the photo diode 5 and a floating diffusion region 6 and transfers signal charges stored in the n-type layer 3 to the floating diffusion region 6.例文帳に追加

光電変換領域と、前記光電変換領域で生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能するｎ型層３と、を有する光電変換部としてのフォトダイオード５と、フォトダイオード５と浮遊拡散領域６との間に配置され、ｎ型層３に蓄積された信号電荷を浮遊拡散領域６に転送する転送トランジスタと、を備える。 - 特許庁

The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加

マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁

This compound sensor includes a UV sensor part including a PN junction area provided within an SOI layer layered on an embedded oxide film on a semiconductor substrate, and an IR sensor part including an N-type low-density diffusion area provided in the SOI layer, and an N-type high-density diffusion area provided within the semiconductor substrate opposedly to the low-density diffusion area.例文帳に追加

半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 - 特許庁

The laminated paper for the data recording medium has a structure wherein the surface and back of thick paper, which is formed by laminating n (n=2 or above) layers thin papers, each of which has a resin layer constituted of a thermoplastic resin not melted at a room temperature but melted at 80°C under constant pressure, on its surface are held between plastic films by an adhesive layer.例文帳に追加

本発明では、室温下で溶融せず８０℃一定圧力下において溶融する熱可塑性樹脂で構成されている熱可塑性の樹脂層を表面にもつ薄紙がｎ層に（ｎ＝２以上）積層された厚紙を、接着層にて表裏をプラスチックフィルムで挟み込んだ構造をもつ事を特徴とする情報記録媒体用積層紙を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer on an electrically conductive substrate by way of an intermediate layer, the intermediate layer contains a binder resin and n-type semiconductor fine particles subjected to a plurality of surface treatments including the final surface treatment with a reactive organosilicon compound, and the surface layer of the photosensitive layer contains a siloxane resin containing an electric charge transporting structure group.例文帳に追加

導電性支持体上に、中間層を介して感光層を有する電子写真感光体において、該中間層が、複数回の表面処理を施し、且つ最後の表面処理が反応性有機ケイ素化合物を用いて行われたＮ型半導性微粒子とバインダー樹脂を含有しており、該感光層の表面層が、電荷輸送性構造基を含むシロキサン系樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

Then, since the region formed of a P-type impurity diffused layer 6 is covered with the photoresist, the N-type impurity is not implanted, a photolithographic step can be reduced, and the impurity concentration of the layer 6 sufficient to take the contact is obtained.例文帳に追加

このとき、Ｐ型不純物拡散層６が形成される領域はフォトレジストで覆われているためＮ型不純物は注入されず、フォトリソグラフィ工程を削減できるとともに、コンタクトを取るのに十分なＰ型不純物拡散層６の不純物濃度を得られる。 - 特許庁

The thickness of the depletion layer which is formed between the n-type InP substrate 1 and the p-type diffusion layer region 7 when voltage is applied to a cathode electrode 8 and an anode electrode 9 is larger than that of a light receiver A at least in part of a region below the anode electrode 9.例文帳に追加

カソード電極８とアノード電極９に電圧を印加したときに、ｎ型ＩｎＰ基板１とｐ型拡散層領域７との間に形成される空乏層の厚さは、アノード電極９の下部領域の少なくとも一部で受光部Ａより厚くなる。 - 特許庁

To provide a switching element using a high-breakdown-voltage and low-loss silicon carbide layer which is equipped with both a switching function and a diode function (reverse-direction voltage stopping capability) without forming a p-n junction inside the silicon carbide layer and to miniaturize a module so as to be lightweight.例文帳に追加

炭化シリコン層内にｐｎ接合を形成することなく、スイッチング機能とダイオード機能（逆方向の電圧阻止能力）とを兼ね備えた、高耐圧・低損失の、炭化シリコン層を利用したスイッチング素子を実現し、以てモジュールの小型化・軽量化を図る。 - 特許庁

When an independent bias voltage is applied between the second P type heavily doped layer 6 and the N type heavily doped layer 11, undesired carriers generated from other than the light receiving area can be taken out separately from the signal and the effect of undesired carriers can be suppressed.例文帳に追加

第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加することで、受光エリア外から生成する不所望のキャリアを信号とは別に取り出すことができ、不所望のキャリアによる影響を抑えることができる。 - 特許庁

The anode layer 2A is therefore formed of material what is called a high refractive index material with a refractive index n of almost 1.5 or more and simultaneously the material (such as ITO) allowing hole injection into the organic EL layer 3, and further has a sufficient thickness to function as an electrode.例文帳に追加

そのため、陽極層２Ａは、屈折率ｎがほぼ１．５以上のいわゆる高屈折率材料であり、同時に、正孔を有機ＥＬ層３に注入することができる材料（例えばＩＴＯ）で構成され、電極として機能するに十分な厚みとされる。 - 特許庁

Since a length L2 of a silicide layer 20a1 in the structure 4 is as long as to cause a thin wire effect, most (or all) of the current flows not through the silicide layer 20a1 but from an n+ type impurity zone 26a to a p type zone 15a.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ構造体４のシリサイド層２０ａ１の長さＬ２は、細線効果を生じる大きさなので、電流の大部分（または全部）は、シリサイド層２０ａ１を経由することなく、ｎ^+型不純物領域２６ａからｐ型領域１５ａへと流れる。 - 特許庁

The S/N ratio of a signal depends on the oscillation line width of the magnetic oscillation element 21, while a stable magnetic oscillation element having narrow oscillation line width can be obtained by using an artificial antiferromagnetic film or an artificial ferrimagnetic film, or a perpendicular magnetic film for a free layer in the free layer.例文帳に追加

また、信号のＳ／Ｎ比は磁性発振素子２１の発振線幅に依存するが、フリー層に人工反強磁性膜又は人工フェリ磁性膜若しくは垂直磁化膜を用いることにより発振線幅の狭い安定な磁性発振素子が得られる。 - 特許庁

A through hole 11 for connecting upper and lower pads of the double structure is formed by laminating an insulating film 9, and the wirings 12 for connecting second and first layer structure pads 1, 3 of the double structure and both are constituted of an (n+1)-th metal wiring layer.例文帳に追加

さらに絶縁膜９を積層し、２重構造の上下パッドを接続するスルーホール１１を形成し、第ｎ＋１番目の金属配線層で２重構造パッドの２重目１と１重構造パッド３および両者を接続する配線１２を構成する。 - 特許庁

In the P-type silicon layer 3, every memory cell, N-type source and drain diffusion layers 7, 8 extended to the buried oxide film 2 are so formed that the region sandwiched between the source and drain diffusion layers 7, 8 becomes a body region 9 under a gate insulation layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層３には、メモリセル毎に、埋込酸化膜２まで達するＮ型のソース拡散層７及びドレイン拡散層８が形成され、ゲート絶縁膜５の下でソース拡散層７及びドレイン拡散層８に挟まれた領域がボディ領域９となっている。 - 特許庁

In the direct pattern forming waterless planographic printing plate original having at least a heat-sensitive layer and an ink-repellent layer in this order on a substrate, the tensile strength of the substrate is 100-200 N/mm^2.例文帳に追加

基板上に、少なくとも感熱層およびインキ反発層をこの順に有する直描型水なし平版印刷版原版において、該基板の引張強さが１００Ｎ／ｍｍ^2以上、２００Ｎ／ｍｍ^2以下であることを特徴とする直描型水なし平版印刷版原版。 - 特許庁

To provide a laminated SOI substrate and a method for manufacturing it for preventing the generation of the deterioration of the electric characteristics of a device due to the effect of boron contamination when injecting ions, and for preventing the occurrence of dislocation in the n^+ layer of an SOI layer, and for reducing the manufacturing costs.例文帳に追加

イオン注入時のボロン汚染の影響によるデバイスの電気特性の劣化が発生せず、ＳＯＩ層のｎ^＋層中に転位の発生もなく、さらに製造コストも廉価となる貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a pressing roller 2, a resin material-made release layer 2c is arranged, via a rubber material-made elastic layer 2b, on the outer side of a core bar 2a which is an example of a metal rotating body member, and the pressing roller 2 contacts a fixing roller 1 to form the heating nip (N) for a recording material P.例文帳に追加

加圧ローラ２は、金属材料の回転体部材の一例である芯金２ａの外側にゴム材料の弾性層２ｂを介して樹脂材料の離型層２ｃが配置され、定着ローラ１に当接して記録材Ｐの加熱ニップ（Ｎ）を形成する。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element, d which indicates a thickness of the inorganic protective layer 8 satisfies [{(2m+1)/4}-(1/8)]λ<nd<[{(2m+1)/4}+(1/8)]λ, wherein: n indicates a refractive index of the inorganic protective layer 8; λ indicates a maximum peak wavelength of a spectrum of light extracted from the organic electroluminescence element; and m indicates a natural number.例文帳に追加

無機保護層８の膜厚ｄが、無機保護層８の屈折率をｎ、有機エレクトロルミネッセンス素子のから取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長をλ、自然数をｍとした時、［｛（２ｍ＋１）／４｝−（１／８）］λ＜ｎｄ＜［｛（２ｍ＋１）／４｝＋（１／８）］λを満たしている。 - 特許庁

The data line of this non-volatile semiconductor memory device is composed of an inversion layer formed on the main plane of the semiconductor substrate 1 to which the auxiliary gate 9 faces when a desired electric voltage is impressed to the auxiliary gate 9, and the n-type diffusion layer 3.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置のデータ線は、補助ゲート９に所望の電圧を印加した際にその補助ゲート９が対向する半導体基板１の主面部分に形成される反転層と、上記ｎ型拡散層３とで構成される。 - 特許庁

This transcription type pressure-sensitive adhesive tape has a pressure-sensitive adhesive layer on a film base material consisting of an organic polymer wherein separation strength between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is 2.9×10-2-3.4×10-1 N/25 mm.例文帳に追加

有機高分子からなるフィルム基材上に感圧接着層を有する転写式感圧接着テープにおいて、該基材と感圧接着層との間の剥離力が、２．９×１０^^-2〜３．４×１０^-1Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする転写式感圧接着テープ。 - 特許庁

Base paper having an interlayer strength of ≥70 N/m is selected and a depth of a half cut formed along each folding line is controlled within the range of 30-70% of the full thickness of the base paper and within the range of 20-80% of the layer thickness of a layer to which the front edge reaches.例文帳に追加

層間強度が７０Ｎ／ｍ以上の原紙を選択し、折曲線に沿って形成したハーフカットの深さを原紙の全厚の３０〜７０％の範囲内にし、最先端部が達した層の層厚の２０〜８０％の範囲内に制御する。 - 特許庁

The high transparency optical laminated polyester film is a film having a coating layer on at least one side of a biaxially oriented polyester film, and its film base is ≤1.5% and the number (N) of coating omissions in the coating layer surface is 0-20/30 m^2.例文帳に追加

二軸延伸されたポリエステルフィルムの少なくとも片面に塗布層が設けられたフィルムであって、そのフィルムヘーズが１．５％以下であり、塗布層面の塗布ヌケ個数（Ｎ）が０〜２０個/３０ｍ^２であることを特徴とする高透明光学用積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer is formed by stacking a nitride semiconductor lamination structure including at least a p-type conductive layer and an n-type conductive layer, on a substrate wherein the group V polarity surface of a wurtzite or sphalerite type nitride semiconductor is provided on its upper most surface.例文帳に追加

最表面にウルツ鉱型又は閃亜鉛鉱型の窒化物半導体のＶ族極性面を有する基板上に、少なくともｐ型伝導層とｎ型伝導層を含む窒化物半導体積層構造を積層した窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁

This easy tear biaxially stretched polyester film excellent in adhesiveness is characterized in that its adhesive layer comprises a layer having crystallinity composed of a mixture of a crystalline polyester resin and an amorphous polyester resin and its end tear resistance is 70 N or below.例文帳に追加

フィルムの接着層が結晶性ポリエステル樹脂と非晶性ポリエステル樹脂の混合物からなる結晶性を有する層からなり、フィルムの端裂抵抗が７０Ｎ以下であることを特徴とする接着性に優れた易引き裂き性２軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

Since the surface channel layer 5 can be formed of 4H or 6H-SiC and the semiconductor layer 22 which becomes an n^+-type source region 4 can be formed of 3C-SiC, contact resistivity can be reduced and device characteristics can be stabilized.例文帳に追加

これにより、表面チャネル層５を４Ｈまたは６Ｈ−ＳｉＣで形成でき、ｎ^+型ソース領域４となる半導体層２２を３Ｃ−ＳｉＣで形成できるため、コンタクト抵抗率の低減を図ると共にデバイス特性の安定化を図ることができる。 - 特許庁

A chip 1 has a substrate 4, a semiconductor lamination layer part 5 that is provided on the substrate 4 to include a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region, and an electrode 6 that is provided on the semiconductor lamination layer part 5 and is arranged at a position distant from the substrate 4 in an open state.例文帳に追加

チップ１は、基板４と、基板４に設けられ、ｐ形半導体領域及びｎ形半導体領域を含む半導体積層部５と、半導体積層部５に設けられ、かつ基板４から開離されて配置された電極６とを有している。 - 特許庁

It is also preferable that the semiconductor light-emitting element includes: a first electrode electrically connected to the substrate or the n-type semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the current introducing layer, wherein an anode electrode serves as the first electrode and a cathode electrode serves as the second electrode.例文帳に追加

また、基板またはｎ型半導体層に電気的に接続する第１の電極と、電流導入層に電気的に接続する第２の電極とを含み、第１の電極がアノード電極であり、第２の電極がカソード電極であることが好ましい。 - 特許庁

An n-well area 12 is formed shallow at a slit 14 in the surface layer of a p^- substrate, and separated p^- offset areas 13a and 13b are formed, so that no cavity of a depletion layer is produced at the slit 14 and the reduction of withstand voltage can be prevented.例文帳に追加

ｐ^- 基板の表面層に、スリット１４箇所で、ｎウェル領域１２の深さを浅くし、分離したｐ^- オフセット領域１３ａ、１３ｂを形成することで、スリット１４箇所に空乏層の空洞領域が発生しないようにして、耐圧低下を防止できる。 - 特許庁

In a structure and the manufacturing method that forms a relatively thick P-type epitaxial layer on an N-type semiconductor substrate for forming a CMOS in the P-type epitaxial layer, a conventional CMOS technique can be applied as is, and at the same time, the lead connecting to the tab can be used as the Vdd terminal.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板上に比較的厚いＰ型エピタキシャル層を形成し、そこにＣＭＯＳを形成する構造と製造方法により、従来のＣＭＯＳ技術がそのまま適用できかつタブに繋がるリードをVdd端子とすることが可能となる。 - 特許庁

Consequently, the occurrence of leak caused by BPD can be suppressed at a PN junction formed between an n-type drift layer 2 and the lower layer portion 3a of a p-type base region 3, i.e. a PN junction requiring a high voltage holding function.例文帳に追加

これにより、ｎ型ドリフト層２とｐ型ベース領域３の下層部３ａとの間に形成されるＰＮ接合部、つまり高電圧を保持する機能が要求されるＰＮ接合部において、ＢＰＤ起因のリークが発生することを抑制することが可能となる。 - 特許庁

The n-type compound semiconductor layer 16 of either one of the light-emitting chips which are adjacent to each other and the p-type compound semiconductor layer 18 of the other light-emitting chip 13 are electrically connected to each other in series through upper surface wiring 15, vertical wiring 14 and the lower surface wiring 12.例文帳に追加

そして、互いに隣接する発光チップ１３の一方のｎ型化合物半導体層１６と他方のｐ型化合物半導体層１８とを、上面配線１５,上下配線１４及び下面配線１２を介して、電気的に直列に接続する。 - 特許庁

By controlling potentials of the p-type diffusion layer 31 and the n-type diffusion layer 32 via wirings 33 and 34, a decline of the amount of saturated electric charge in the photoelectric conversion region 1 can be suppressed and electric charges generated excessively can be discharged.例文帳に追加

配線３３及び３４を介してｐ型拡散層３１及びｎ型拡散層３２の電位を制御することによって、光電変換領域１の飽和電荷量の低下を抑制したり、過剰に発生した電荷を排出したりすることが可能となる。 - 特許庁

When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.例文帳に追加

ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁

An n-type thin-film transistor is provided on a surface at a liquid-crystal side of at least one of substrates that are arranged oppositely via liquid crystal, and a layer that is subjected to hydrogen treatment or high- condensation doping is formed on the sidewall surface of a semiconductor layer in the thin-film transistor.例文帳に追加

液晶を介して対向配置される基板のうち少なくとも一方の基板の液晶側の面にｎ型薄膜トランジスタを備え、該薄膜トランジスタの半導体層の側壁面には水素処理あるいは高濃度ドープがなされた層が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of evenly forming a silicon layer containing impurities for forming p-n junction on crystalline silicon particles, and easily recovering the crystalline silicon particles with the silicon layer containing the impurities formed on a surface.例文帳に追加

結晶シリコン粒子に対して、ｐｎ接合を形成するための不純物を含むシリコン層を均一に形成することができ、表面に不純物を含むシリコン層が形成された結晶シリコン粒子を容易に回収できる製造装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by forming an I/O buffer circuit pattern 2 on a semiconductor substrate 4, forming a through hole 10 for connecting the I/O buffer circuit pattern and the pad to an interlayer insulating film, and forming a first layer pad 8 of a double structure of an n-th metal wiring layer.例文帳に追加

半導体基板４上にＩ／Ｏバッファ回路パターン２を形成し、層間絶縁膜にＩ／Ｏバッファ回路パターンとパッドを接続するためのスルーホール１０を形成し、第ｎ番目の金属配線層にて２重構造の１重目のパッド８を形成する。 - 特許庁

This fabric for the ink jet printing, on whose at least one side an ink-receiving layer is disposed, is characterized in that the ink-receiving layer comprises a water-soluble polymer and an adhesive having an adhesive strength of 0.5 to 8.0 N/10 mm according to JIS Z0237.例文帳に追加

布帛の少なくとも一方の面にインク受容層が設けられたインクジェット捺染用布帛において、該インク受容層が、水溶性高分子とＪＩＳ Ｚ０２３７における粘着強度が、０．５〜８．０Ｎ／１０ｍｍである粘着剤を含むインクジェット捺染用布帛。 - 特許庁

There are formed as a surface layer on a silicon layer 33 of an SOI substrate 30 an N^+-type well region 34 at a predetermined depth which does not reach a silicon oxide film 32 and a P^+-type base region 35 reaching a silicon oxide film 32, both being separated by a predetermined distance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０のシリコン層３３には、表面層にシリコン酸化膜３２まで到達していない所定深さのＮ^＋型ウェル領域３４とシリコン酸化膜３２まで到達したＰ^＋型ベース領域３５とが所定距離離間して形成されている。 - 特許庁

Each of transistor elements comprises a drain 4 and a source 5 configured with a n-type diffusion layer, a gate 3 formed on a channel region between the drain 4 and the source 5, and the well contact 1 configured of a p-type diffusion layer at a position adjacent to the drain 4.例文帳に追加

各トランジスタ素子は、Ｎ型拡散層により構成されたドレイン４及びソース５と、ドレイン４とソース５との間のチャネル領域上に形成されたゲート３と、ドレイン４に隣接する位置にＰ型拡散層により構成されたウェルコンタクト１とを有する。 - 特許庁

A truncated conical lower electrode 10 composed of a first lower electrode layer 10a and a second lower electrode layer 10b is provided on an Si substrate 1 provided with an n- channel MOS transistor, and a low dielectric constant film 11 is provided on the upper bottom of the lower electrode 10.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタが設けられたＳｉ基板１上に、第１の下部電極層１０ａと第２の下部電極層１０ｂとからなる円錐台状の下部電極１０を設け、下部電極１０の上底上に低誘電率膜１１を設ける。 - 特許庁

A positive bevel structure where the cross section shape of the trench is formed to a downward sectorial trapezoid, and an angle θwhich the down groove wall direction of the trance makes against the boundary line of the p-base diffusion layer and the n-Si layer becomes under 90 degrees, is provided.例文帳に追加

トレンチの断面形状は、下方に向けて末広がりの台形に形成され、トレンチの下向き溝壁方向がｐ−ベース拡散層とｎ−Ｓｉ層との境界線に対して成す角度θは、９０°未満になっている正ベベル構造となっている。 - 特許庁

The frequency is 50 to 300 kHz, a heated processing time by the electromagnetic induction is 0.5 to 5 s, and a peel strength between the inductive core material and the rubber layer is 0.1 N/mm^2 or more.例文帳に追加

該周波数は５０ｋＨｚから３００ｋＨｚであり、該電磁誘導による加熱処理時間が０．５ｓから５ｓであり、該導電性芯材と該ゴム層との剥離強度が０．１Ｎ／ｍｍ^2以上である。 - 特許庁

To provide a power supply circuit device which can improve the S/N ratio of the output signal of a meter, by reducing the noise mixing in the output signal of a sensor, using an electric double layer capacitor.例文帳に追加

電気二重層コンデンサを用いて、センサの出力信号に混入するノイズを低減し、計測器の出力信号のＳ／Ｎ比の向上を図り得る電源供給回路装置を提供すること。 - 特許庁

Here, in the adhesion layer having the thickness of 20 μm and an adhesion area of 100 mm^2, the creep shift amount represents the shift amount after one hour when a tensile shearing force of 4.9 N is applied at 23°C.例文帳に追加

ここで、クリープズレ量は、厚み２０μｍ、接着面積１００ｍｍ^２の接着層において、２３℃で４．９Ｎの引張りせん断力を加えた場合の１時間後のズレ量を示す。 - 特許庁