「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

A second MOSFET comprises a second n-type gate electrode 15A formed on a second gate insulating film 14 of a relatively thick film while a first lightly-doped layer 19 and second lightly-doped layer 22, which are different in impurity concentration from each other, are provided on the channel region side of a second heavily-doped layer 25.例文帳に追加

第２のＭＯＳＦＥＴは、相対的に大きい膜厚を持つ第２のゲート絶縁膜１４の上に形成された第２のｎ型ゲート電極１５Ａを有すると共に、第２の高濃度不純物層２５のチャネル領域側に、不純物濃度が異なる第１の低濃度不純物層１９及び第２の低濃度不純物層２２を有している。 - 特許庁

To solve the following problems: a depletion layer is formed in an M-type contact layer by an n-type compound semiconductor contact layer of a field-effect transistor and interface charge existing in the interface with an insulating film provided on it, and in association with this a part serving passage of current is narrowed to lower a cutoff frequency Ft.例文帳に追加

電界効果トランジスタのｎ型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、Ｍ型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ｆｔが低下するという課題に対する解決手段を提供する。 - 特許庁

N-typed impurities are doped on one surface side of an insulating base 11 comprising a ceramic base to form a lower electrode 12 comprising polycrystalline silicon having conductivity, a strong field drift layer 6 comprising oxidized porous polycrystalline silicon layer is formed on the lower electrode 12, and a surface electrode 7 is formed on the strong field drift layer 6.例文帳に追加

セラミック基板からなる絶縁性基板１１の一表面側にｎ形不純物がドーピングされて導電性を有する多結晶シリコンよりなる下部電極１２が形成され、下部電極１２上に酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

In the VCSEL, an n-type lower DBR 106, an active region 108, a current constricting layer 110, a p-type upper DBR 112, and a p-type GaAs contacting layer 114 are laminated on a substrate 102; and a p-side upper electrode 130 including an opening portion 132 specifying the outgoing region of its laser beam is formed on the contacting layer 114.例文帳に追加

本発明に係るＶＣＳＥＬは、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域１０８、電流狭窄層１１０、ｐ型上部ＤＢＲ１１２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１４を積層し、コンタクト層１１４上にレーザ光の出射領域を規定する開口部１３２を含むｐ側上部電極１３０が形成されている。 - 特許庁

The biaxially stretched polyester film is constituted by laminating a polyester layer (B), of which the melting point is not lower than that of a polyester layer (A), on both sides of the polyester layer (A) with a melting point of 240°C or below containing an ethylene naphthalate unit and a butylene terephthalate unit, wherein the end tear resistance values in the longitudinal and lateral directions of the film are 80 N or below.例文帳に追加

エチレンナフタレート単位およびブチレンテレフタレート単位を含む融点が２４０℃以下のポリエステル層（Ａ）の両面にポリエステル層（Ａ）の融点より高いポリエステル層（Ｂ）を積層したフィルムであり、当該フィルムの長手方向および幅方向の端裂抵抗値が８０Ｎ以下であることを特徴とする二軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

Semiconductor layers of n-type layer and p-type layer are stacked so as to form a light-emitting layer forming section and electrically insulated to form a plurality of light-emitting units 10, the light-emitting units 10 are connected in series and/or parallel by wiring, and a pair of electrode pads 17a, 17b are formed on both ends thereof.例文帳に追加

ｎ形層およびｐ形層の半導体層が発光層形成部を形成するように積層され、電気的に分離して複数個の発光部ユニット１０が形成されると共に、その複数個の発光部ユニット１０が配線により直列および／または並列に接続されてその両端部に一対の電極パッド１７ａ、１７ｂが形成されている。 - 特許庁

Furthermore, potential energy distribution on the surface is uniformized and stable ultrahigh-speed operation is established, by forming a thin layer 2A, where the conductivity is inverted into a first conductive type (p-type), at the exposed surface part of a second conductivity (n-type) of low-concentration semiconductor layer 2 being exposed by narrowing the light absorbing layer 1.例文帳に追加

さらに、光吸収層１を狭幅化するとにより露出する第二の導電型（ｎ型）の低濃度半導体層２の露出表面部分に、その導電型を第一の導電型（ｐ型）に反転させた薄層２Ａを形成することにより、該表面上におけあるポテンシャルエネルギー分布を均一化し、安定な超高速動作を可能にする。 - 特許庁

A method for manufacturing the III nitride semiconductor light- emitting element having the high light-emitting intensity comprises the step of providing the light-emitting part having a barrier layer made of the III nitride semiconductor, containing nitrogen(N) and a group V element other than nitrogen and a light-emitting layer via a buffer layer on the Si substrate and having superior crystallinity of a lattice-matching heterojunction structure.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に緩衝層を介して、窒素（Ｎ）と窒素以外の第Ｖ族元素とを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる障壁層と発光層とからなる格子整合系のヘテロ接合構造の結晶性に優れる発光部を設けることにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

In the organophotoreceptor in which at least an intermediate layer and a photosensitive layer are stacked on a conductive support, the intermediate layer contains n-type semiconductive particles surface-treated with a polymer containing a methylhydrogensiloxane unit, wherein the particles generate ≤2.0 ml/g of hydrogen measured by a gas buret method at 23°C.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも中間層及び感光層を積層する有機感光体において、該中間層がメチルハイドロジェンシロキサン単位を含む重合体で表面処理を施され、２３℃の条件で、ガスビュレット法により測定した水素発生量が２．０ｍｌ／ｇ以下であるＮ型半導性粒子を含有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

The exposure of surroundings of the channels 16a, 17a is prevented by forming the drain electrode 16 and the source electrode 17 in a shape to overhang the surface of the undoped gallium arsenide (GaAs) layer 15a as a cap layer, and the effect can be reduced that the variation of surface level at this position gives to the n-type gallium arsenide (GaAs) layer 13.例文帳に追加

また、ドレイン電極１６及びソース電極１７を、キャップ層としてのアンドープガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１５ａの表面に張り出すような形状に形成して、溝１６ａ及び１７ａの周縁部の露出を防ぎ、この部位における表面準位の変動がチャネル層としてのｎ型ガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１３に及ぼす影響を減らす。 - 特許庁

The dicing sheet includes a single-layer or multilayer base and an adhesive layer formed on its one surface, and is characterized in that its total light-beam transmissivity of at least one layer of the base at 300 to 400 nm is ≥40% and the product of the square of the thickness of the base and the Young's modulus of the base is 0.3 to 6.5 N.例文帳に追加

本発明のダイシングシートは、単層又は複層の基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなり、該基材の少なくとも１層の３００〜４００ｎｍにおける全光線透過率が４０％以上であって、該基材の厚みの二乗と該基材のヤング率との積が０．３〜６．５Ｎであることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

The thickness of the oxide layer in the first zone is larger than that of the oxide layer in the second zone, the thickness of the oxide layer in a transition region 108 between the first and second zones gradually decreases from the first zone toward the second zone, and a p-n junction part 114 between the first and second regions terminates at the trench adjacent to the transition region of the oxide layer.例文帳に追加

第１の区域における酸化物層の厚さは第２の区域における酸化物層の厚さよりも厚く、第１及び第２区域の間の遷移領域１０８における酸化物層の厚さは、第１の区域から第２の区域へと徐々に薄くなり、第１の領域と第２の領域との間のＰＮ接合部１１４は、酸化物層の遷移領域に隣接したトレンチで終端をなす。 - 特許庁

The surface of the substrate 2 is formed in irregularity by etching, the epitaxial layer 3 is formed with its surface formed by allowing epitaxial growth to be performed on the principal plane of the substrate 2, the pn-composition plane 6 of the layer 4a and the layer 5 formed by ion implanting n-type and p-type impurities from the surface of the layer 3 is formed into irregularity.例文帳に追加

エッチングにより半導体基板２の表面を凹凸状に形成し、半導体基板２の主面上でエピタキシャル成長することにより表面が凹凸状のエピタキシャル層３を形成し、Ｎ型およびＰ型の不純物をエピタキシャル層３の表面からイオン注入することにより形成された半導体層４ａおよび半導体層５のＰＮ接合面６を凹凸状に形成する。 - 特許庁

Using a side wall of the element, a mirror plane 7 with a flat bottom surface 1, or a funny mirror plane 8, the same post-incidence light which was incoming once is reflected regularly and irregularly many times to pass the light from P-type layer to I-type layer and from N-type layer to I-type layer.例文帳に追加

一度入射した入射後の光を高効率良く起電力への変換を行うために、光発電素子のＰＮ型層２，４、若しくは、ＰＩＮ型層半導体２，３，４に透明半導体を使用し、一度入射した光を素子の壁面、底面１の平らな鏡面７、若しくは、凹凸鏡面８で同じ光を何度も反射、乱反射させＰ型層からＩ型層、Ｎ型層からＩ型層へ光を横切らせる。 - 特許庁

On a buffer layer 12 of the infrared semiconductor laser device 2A, a height-adjusting buffer layer 20 of n-type GaAs is provided which is sequentially formed with an interval from the infrared semiconductor laser device 1A and is adjusted in film thickness for improved crystallinity of semiconductor layers on the substrate 11 as well as for conformity between heights from the substrate surface of a first active layer 14 and a second active layer.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子２Ａには、バッファ層１２上に、赤外半導体レーザ素子１Ａと間隔をおいて順次形成され、基板１１上の各半導体層の結晶性を向上させると共に第１活性層１４と第２活性層との基板面からの高さが一致するように膜厚が調整されたｎ型のＧａＡｓからなる高さ調整用バッファ層２０を有している。 - 特許庁

In the thermosensitive recording medium comprising a support overlaid with a thermosensitive recording layer including colorless or light-colored basic leuco dye and electron acceptive developer and a protective layer, 3-(N-ethyl-p ethylphenol amino)-6-methyl-7-anilinofluoran is included as the electron donative lueco dye in the thermosensitive recording layer and, at the same time the protective layer includes powdered cellulose in order to manifest excellent effects.例文帳に追加

支持体上に、無色又は淡色の塩基性ロイコ染料及び電子受容性顕色剤を含有する感熱記録層と保護層とを設けた感熱記録体であって、該感熱記録層が、電子供与性ロイコ染料として、３−（Ｎ−エチル−ｐメチルフェニルアミノ）−６−メチル−７−アニリノフルオランを含有し、且つ該保護層中が粉末セルロースを含有させることにより優れた効果が発現する。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁

An organic solar cell 1 includes: a first electrode 3 formed on a substrate; a photoelectric conversion layer 5 formed on the first electrode 3 and provided with a p-type semiconductor layer 5a whose material is a molybdenum oxide and an n-type semiconductor layer 5b whose material is an electron-accepting organic semiconductor; and a second electrode 7 formed on the photoelectric conversion layer 5 and paired with the first electrode 3.例文帳に追加

有機太陽電池１は、基板上に形成された第１電極３と、その第１電極３上に形成されており、モリブデン酸化物を材質とするｐ型半導体層５ａ及び、電子受容性有機半導体を材質とするｎ型半導体層５ｂを有する光電変換層５と、その光電変換層５上に形成されており第１電極３と対をなす第２電極７と、を有する。 - 特許庁

A VCSEL 10 includes: an n-type GaAs substrate 100; an n-type lower DBR 102 formed on the substrate 100; an active region 104; a p-type upper DBR 106 formed on the active region; a p-type current constriction layer 108 formed in the upper DBR 106; a p-side electrode 112 electrically connected to the upper DBR 106; and an n-side electrode 120.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、基板１００上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６内に形成されたｐ型の電流狭窄層１０８と、上部ＤＢＲ１０６と電気的に接続されたｐ側電極１１２と、ｎ側電極１２０とを有する。 - 特許庁

The adhesive layer is formed from a cured material layer of the active energy ray-curable resin composition containing as a curable component an N-substituted amide-based monomer and an acid group-containing (meth)acrylate-based monomer in which a (meth)acryloyl group is bonded to an acid group through a 1-10C organic group.例文帳に追加

硬化性成分として、Ｎ−置換アミド系モノマー、および（メタ）アクリロイル基と酸基とが炭素数１〜１０の有機基を介して結合した酸基含有（メタ）アクリレート系モノマーを含有する活性エネルギー線硬化型樹脂組成物の硬化物層により接着剤層を形成する。 - 特許庁

The photodetector 20 is constructed to include a pin diode having a p-type semiconductor layer 22, a sensitive area 24, and an n-type semiconductor layer 26, and out of these, the sensitive area 24 is formed at least in a region which adjoins and surrounds each light-emitting element 2 in plan view.例文帳に追加

光検出素子２０は、ｐ型半導体層２２、有感領域２４、ｎ型半導体層２６を有するｐｉｎダイオードを含んで構成され、このうち有感領域２４は、平面視で各発光素子２に隣接し、かつ囲む領域に少なくとも形成されている。 - 特許庁

A VCSEL 100 is obtained by sequentially laminating semiconductor layers on a substrate 102 including an n-type lower DBR 106, an active layer region 108, a p-type upper DBR 112 constituting a resonator together with the lower DBR, and a p-type GaAs contact layer 114.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１００は、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性層領域１０８、下部ＤＢＲとともに共振器を構成するｐ型の上部ＤＢＲ１１２、及びｐ型のＧａＡｓコンタクト層１１４を含む半導体層を順次積層する。 - 特許庁

In NMISQN and PMISQP each equipped with the gate insulating film 7 made of high-k material, channels are made at a position deeper than a contacting interface between the gate insulating film 7 and a p-type semiconductor layer 2a or an n-type semiconductor layer 2b.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ材料で形成されるゲート絶縁膜７を有するＮＭＩＳＱＮとＰＭＩＳＱＰにおいて、その動作時にチャネルがゲート絶縁膜７とＰ型半導体層２ａまたはＮ型半導体層２ｂとの接触界面よりも深い位置に形成されるようにする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is composed of a semiconductor light emitting chip made of an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer laminated on the one main surface of a substrate with a pair of opposed main surfaces and a package equipped with a housing hole where the light emitting chip is housed.例文帳に追加

半導体発光装置を、対向する一対の主面を有する基板の一方の主面上にｎ型半導体層とｐ型半導体層を積層して成る半導体発光チップと、該半導体発光チップを収納する収納孔を有するパッケージ体と、から構成する。 - 特許庁

A translucent negative pole electrode pad 13a is stacked on the external periphery of the n-type semiconductor layer 121a and a translucent negative pole electrode pad 14a is stacked on the top surface of the p-type semiconductor layer 123a so as to cover the entire top surface, and each of the electrode pads is connected to transparent electrodes.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２１ａの外周部上には、透光性の負極電極パッド１３ａが、ｐ型半導体層１２３ａの上面には、全体を覆うように透光性の正極電極パッド１４ａが積層され、各電極パッドは更に透明電極に接続する。 - 特許庁

When the cathode Cath has a positive potential and electrons are attracted thereto, the depletion layer spreads on the interface 4a of the channel layer 2 composed of n-GaN and the p-GaN region 4 to block the two-dimensional electron gas, and thereby no current flows between the cathode Cath and the anode An.例文帳に追加

陰極Ｃａｔｈが正電位となり電子が吸引されると、ｎ−ＧａＮから成るチャネル層２とｐ−ＧａＮ領域４との界面４ａには空乏層が拡大して２次元電子ガスが阻止され、陰極Ｃａｔｈと陽極Ａｎとの間には電流が流れない。 - 特許庁

A layer for ohmic contact layer formation composed of n-type amorphous silicon between a source electrode 17 and the drain electrode 18 is removed by performing just etching by dry etching, and the ohmic contact layers 15 and 16 are formed on both sides of the upper surface of the semiconductor thin film 14 for the device composed of true amorphous silicon.例文帳に追加

ソース電極１７とドレイン電極１８との間のｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用層をドライエッチングによりジャストエッチングして除去し、真性アモルファスシリコンからなるデバイス用半導体薄膜１４の上面の両側にオーミックコンタクト層１５、１６を形成する。 - 特許庁

The metal 312 supplying the n-well voltage VDDB is composed of a metal of the first metal wiring layer, so that a piling region to a lower layer is not required and it is necessary to secure only a piling region of the p-well voltage VSSB to lower layers of the metals 332, 333.例文帳に追加

Ｎウェル電圧ＶＤＤＢを供給するメタル３１２は、第１の金属配線層のメタルを用いた構成としているため下層へのくい打ち領域を必要とせず、Ｐウェル電圧ＶＳＳＢのメタル３３２，３３３の下層へのくい打ち領域のみ確保すればよい。 - 特許庁

The photoelectric conversion agent composed of the azine-based compound, partially substituted with N-aryl, expressed by formula (I), the photosensitive body of the electrophotography having the agent in the charge- generating layer, and the organic solar cell having the agent in the optical current layer, are provided.例文帳に追加

本発明の光電変換剤は、物質の光電変換作用を本質的に利用する素子、すなわち電子写真感光体の電荷発生層、有機太陽電池の光電流発生層、光センサー、光スイッチング素子などにおける光活性物質として有効に利用できるものである。 - 特許庁

A semiconductor detector detecting a radiation from an electronic positive hole couple, which is generated when the radiation is made incident on a depletion layer generated in the semiconductor substrate by the application of inverse direction voltage between the P+ layers 102 and 103 and the N+ layer 104 when it is applied, is provided.例文帳に追加

Ｐ^+層１０２，１０３とＮ^+層１０４との間に逆方向電圧を印加したとき、これにより半導体基板内に生じる空乏層中に放射線が入射した際に発生する電子正孔対から放射線を検出する半導体検出器を提供する。 - 特許庁

Then, GaN:Zn nanocolumns 6 are grown using the n-type GaN layer 2 exposed in the opening portions 5 as seed crystal as shown in (b), and then a solution containing organic metal PEDOT:PSS is spin-coated and baked to form a p-type layer 7 as shown in (c).例文帳に追加

その後、（ｂ）で示すように前記開口部５内で露出したｎ型ＧａＮ層２を種結晶としてＧａＮ：Ｚｎナノコラム６を成長させた後、有機金属ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む水溶液をスピンコートし、ベークすることで、（ｃ）で示すようにｐ型層７を形成する。 - 特許庁

Moreover, p-type well regions, which are respectively formed selectively within the main surfaces of a gate oxide film 7 and an N-type drift layer 3, which are the base film and the base layer of the electrodes 8a and 8b, are also respectively formed in an annular shape so as to encircle the region 10c.例文帳に追加

また、ゲート電極８ａ，８ｂの下地であるゲート酸化膜７、及びｎ型ドリフト層３の主面内に選択的に形成されているｐ型ウェル領域４ａ，４ｂも、ｐ^+型不純物領域１０ｃを取り囲むようにそれぞれ円環状に形成されている。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium wherein crystal orientation of a magnetic recording layer is enhanced without enlarging a space between a head for recording and reproduction and a soft magnetic layer, a high S/N ratio and coercive force Hc can be maintained, and high recording density can be attained even when magnetic grains are refined.例文帳に追加

記録再生用ヘッドと軟磁性層との間のスペースを大きくすることなく、磁気記録層の結晶配向性を向上させ、磁性粒を微細化しても高いＳ／Ｎ比と保磁力Ｈｃを維持し、高記録密度化を図ることが可能な磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the mold releasing film, a silicone resin layer is formed on at least one side of a polyester film, the peeling force of an acrylic adhesive is 0.15 N/50 mm or below, a residual adhesion ratio is 90% or above, and the amount of Si of the surface of the substrate in contact with the layer does not increase by 110% or above.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面にシリコーン系樹脂からなる層を設け、アクリル系粘着剤の剥離力が０．１５Ｎ／５０ｍｍ以下、残留接着率が９０%以上で該層に接触した基材表面のＳｉ量が１１０%以上増加しない離型フィルムとする。 - 特許庁

In the thermal recording material comprising a heat sensitive color developing layer containing a normally colorless or pale color developable compound and a developable compound capable of color developing the color developable compound at a heat time on a support, the developing layer contains a compound represented by formula (1) as the color developable compound and an N-acetylxylidine as a sensitizer.例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、該感熱発色層が顕色性化合物として下記の一般式（１） - 特許庁

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than 1×10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｌＡｓ系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、ＰＢＮコーティングを施したグラファイト治具を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３中のカーボン濃度を１×１０^17cm^-3以下にする。 - 特許庁

According to this constitution, it is possible to prevent a leakage current from flowing in a P-N junction by the second gate region 6 and the channel layer 4 by means of the high resistance layer 6b and to realize good operation of a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

このような構成とすることで、高抵抗層６ｂによって第２ゲート領域６とチャネル層４とによるＰＮ接合部にリーク電流が流れることを防止することが可能となり、炭化珪素半導体装置の動作が良好に行えるようにすることが可能である。 - 特許庁

An oxide layer 14 as an insulator is arranged at a position where it comes into contact with a bottom wall 13A as a bottom portion of the groove 13, and the groove 13 is filled with a metal film 15 capable of coming into Schottky contact with the n-type layer 12 so as to contact a sidewall 13B of the groove 13.例文帳に追加

溝１３の底部である底壁１３Ａに接触する位置には絶縁体としての酸化物層１４が配置されており、かつ溝１３の側壁１３Ｂに接触するようにｎ型層１２とショットキー接触可能な金属膜１５が溝１３を埋めるように形成されている。 - 特許庁

A P-type well 12 is formed at the upper part of a semiconductor substrate 11, an STI13 is provided selectively at the well 12, and an N^+-type source layer 17 and a drain layer 18 are formed in an opening 14 of the STI13 to touch the side surface 13a of the STI 13 and to be separated from each other.例文帳に追加

半導体基板１１の上部にＰ型のウェル１２を形成し、ウェル１２にＳＴＩ１３を選択的に設け、ＳＴＩ１３の開口部１４内にＳＴＩ１３の側面１３ａに接するようにＮ^＋型のソース層１７及びドレイン層１８を相互に離隔して形成する。 - 特許庁

The hook-and-loop fastener laminate has a structure in which a resin layer and cloth layer are successively laminated on the reverse side of a hook-and-loop fastener having a large number of locking elements on the surface of a base cloth, wherein the elongation rate of the laminate under a load of 9.8 N is 0.5-3% and the recovery rate is not less than 95%.例文帳に追加

基布の表面に多数の係合素子を有する面ファスナーの裏面に、樹脂層、布帛層が順に積層されてなる面ファスナー積層体であって、該積層体の９．８Ｎ荷重時の伸長率が０．５〜３％、回復率が９５％以上である面ファスナー積層体。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Next, a conductive paste having a conductive material dispersed in a resin is applied onto the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer under an atmospheric pressure at a normal temperature and is dried to form another electrode facing the one electrode.例文帳に追加

次に、樹脂中に導電性物質を分散させた導電性ペーストを、大気圧及び常温の環境下において、前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層の上に塗布、乾燥させることによって、一方の前記電極に対向する他方の電極を形成する。 - 特許庁

In the electrophotographic image forming device of the tandem system, the intermediate layer of a photoreceptor used for each image forming unit is an insulated layer incorporating N-type semiconductive particles and binder and also having a Bernard cell structure.例文帳に追加

タンデム式の電子写真画像形成装置において、各画像形成ユニットに用いられる感光体の中間層が、Ｎ型半導体粒子とバインダーを含有し、ベナードセル構造を有する絶縁層であることを特徴とする電子写真画像形成装置により達成される。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium having a magnetic layer containing ferromagnetic powder and a binder on a non-magnetic substrate or a non-magnetic layer containing non-magnetic powder and a binder, maintaining a high C/N ratio and capable of maintaining a low error rate under various circumstances.例文帳に追加

非磁性支持体又は非磁性粉末及び結合剤を含んだ非磁性層上に強磁性微粉末と結合剤を含んだ磁性層を有する磁気記録媒体であって、高Ｃ／Ｎ比を保ち、各環境下で低いエラーレートを維持できる磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁