「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate insulating film 104 is formed covering a gate electrode 103, the poly-Si layer 107 is formed on the gate insulating film 104, and the a-Si layer 108 is formed further thereupon; and an n+Si layer 109 is formed further thereupon, a source/drain electrode 113 is formed, and the whole TFT is covered with a passivation film 116.例文帳に追加

ゲート電極１０３を覆ってゲート絶縁膜１０４が形成され、ゲート絶縁膜１０４上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７が形成され、その上にａ−Ｓｉ層１０８が形成され、さらにその上に、ｎ＋Ｓｉ層１０９、ソース／ドレイン電極１１３が形成され、ＴＦＴ全体はパッシベーション膜１１６によって覆われている。 - 特許庁

A diffused layer 15a under a tunnel oxide film in a EEPROM forming region 1 and a diffused layer 15b for a control gate and a low- concentration diffused layer 16 of an offset portion in an NPG transistor forming region 2 are formed in a batch by implanting an n-type impurity 14 to a silicon substrate with a resist pattern 13 serving as a mask.例文帳に追加

レジストパターン１３をマスクとしてシリコン基板１１にＮ型不純物１４をイオン注入することにより、ＥＥＰＲＯＭ形成領域１におけるトンネル酸化膜下の拡散層１５ａ、コントロールゲート用拡散層１５ｂ及びＮＰＧトランジスタ形成領域２におけるオフセット部の低濃度拡散層１６を一括して形成する。 - 特許庁

To solve the following problems: a depletion layer is formed in an M-type contact layer by an n-type compound semiconductor contact layer of a field-effect transistor and interface charge existing in the interface with an insulating film provided on it, and in association with this a part serving passage of current is narrowed to lower a cutoff frequency Ft.例文帳に追加

電界効果トランジスタのｎ型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、Ｍ型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ｆｔが低下するという課題に対する解決手段を提供する。 - 特許庁

N-typed impurities are doped on one surface side of an insulating base 11 comprising a ceramic base to form a lower electrode 12 comprising polycrystalline silicon having conductivity, a strong field drift layer 6 comprising oxidized porous polycrystalline silicon layer is formed on the lower electrode 12, and a surface electrode 7 is formed on the strong field drift layer 6.例文帳に追加

セラミック基板からなる絶縁性基板１１の一表面側にｎ形不純物がドーピングされて導電性を有する多結晶シリコンよりなる下部電極１２が形成され、下部電極１２上に酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

In the n-type well region 2a, a current channel 13 is blocked by having each region between adjacent trenches 3 in the epitaxial layer 2 covered with a depletion layer formed at the periphery of the trench 3, and the current channel 13 is opened by having a part of the depletion layer formed at the periphery of the trench 3 disappear.例文帳に追加

そして、ｎ型ウェル領域２ａにおいて、トレンチ３の周辺に形成される空乏層でエピタキシャル層２の隣り合うトレンチ３間の各領域が塞がれることにより電流通路１３が遮断される一方、トレンチ３の周辺に形成された空乏層の少なくとも一部が消滅することにより電流通路１３が開くように構成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate that has an uneven structure on its primary surface; a nitride layer of at least either of polycrystal and non-crystal that is formed on the entire primary surface and in which at least either of a p-type impurity and an n-type impurity is doped; and a nitride semiconductor layer that is provided on the nitride layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 - 特許庁

A second MOSFET comprises a second n-type gate electrode 15A formed on a second gate insulating film 14 of a relatively thick film while a first lightly-doped layer 19 and second lightly-doped layer 22, which are different in impurity concentration from each other, are provided on the channel region side of a second heavily-doped layer 25.例文帳に追加

第２のＭＯＳＦＥＴは、相対的に大きい膜厚を持つ第２のゲート絶縁膜１４の上に形成された第２のｎ型ゲート電極１５Ａを有すると共に、第２の高濃度不純物層２５のチャネル領域側に、不純物濃度が異なる第１の低濃度不純物層１９及び第２の低濃度不純物層２２を有している。 - 特許庁

This thin film silicon solar battery where at least a transparent electrode film, p-type, i-type, and n-type microcrystal silicon layers, and a back electrode film are laminated on a transparent insulating substrate is provided with a silicon layer containing carbon on a p/i interface between the p-type microcrystal silicon layer and the i-type microcrystal silicon layer and the neighborhood site.例文帳に追加

透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、ｐ型、ｉ型、ｎ型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された薄膜シリコン太陽電池において、ｐ型微結晶シリコン層とｉ型微結晶シリコン層との間のｐ／ｉ界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有する。 - 特許庁

In the organophotoreceptor in which at least an intermediate layer and a photosensitive layer are stacked on a conductive support, the intermediate layer contains n-type semiconductive particles surface-treated with a polymer containing a methylhydrogensiloxane unit, wherein the particles generate ≤2.0 ml/g of hydrogen measured by a gas buret method at 23°C.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも中間層及び感光層を積層する有機感光体において、該中間層がメチルハイドロジェンシロキサン単位を含む重合体で表面処理を施され、２３℃の条件で、ガスビュレット法により測定した水素発生量が２．０ｍｌ／ｇ以下であるＮ型半導性粒子を含有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

The exposure of surroundings of the channels 16a, 17a is prevented by forming the drain electrode 16 and the source electrode 17 in a shape to overhang the surface of the undoped gallium arsenide (GaAs) layer 15a as a cap layer, and the effect can be reduced that the variation of surface level at this position gives to the n-type gallium arsenide (GaAs) layer 13.例文帳に追加

また、ドレイン電極１６及びソース電極１７を、キャップ層としてのアンドープガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１５ａの表面に張り出すような形状に形成して、溝１６ａ及び１７ａの周縁部の露出を防ぎ、この部位における表面準位の変動がチャネル層としてのｎ型ガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１３に及ぼす影響を減らす。 - 特許庁

The dicing sheet includes a single-layer or multilayer base and an adhesive layer formed on its one surface, and is characterized in that its total light-beam transmissivity of at least one layer of the base at 300 to 400 nm is ≥40% and the product of the square of the thickness of the base and the Young's modulus of the base is 0.3 to 6.5 N.例文帳に追加

本発明のダイシングシートは、単層又は複層の基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなり、該基材の少なくとも１層の３００〜４００ｎｍにおける全光線透過率が４０％以上であって、該基材の厚みの二乗と該基材のヤング率との積が０．３〜６．５Ｎであることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

Using a side wall of the element, a mirror plane 7 with a flat bottom surface 1, or a funny mirror plane 8, the same post-incidence light which was incoming once is reflected regularly and irregularly many times to pass the light from P-type layer to I-type layer and from N-type layer to I-type layer.例文帳に追加

一度入射した入射後の光を高効率良く起電力への変換を行うために、光発電素子のＰＮ型層２，４、若しくは、ＰＩＮ型層半導体２，３，４に透明半導体を使用し、一度入射した光を素子の壁面、底面１の平らな鏡面７、若しくは、凹凸鏡面８で同じ光を何度も反射、乱反射させＰ型層からＩ型層、Ｎ型層からＩ型層へ光を横切らせる。 - 特許庁

In the thermosensitive recording medium comprising a support overlaid with a thermosensitive recording layer including colorless or light-colored basic leuco dye and electron acceptive developer and a protective layer, 3-(N-ethyl-p ethylphenol amino)-6-methyl-7-anilinofluoran is included as the electron donative lueco dye in the thermosensitive recording layer and, at the same time the protective layer includes powdered cellulose in order to manifest excellent effects.例文帳に追加

支持体上に、無色又は淡色の塩基性ロイコ染料及び電子受容性顕色剤を含有する感熱記録層と保護層とを設けた感熱記録体であって、該感熱記録層が、電子供与性ロイコ染料として、３−（Ｎ−エチル−ｐメチルフェニルアミノ）−６−メチル−７−アニリノフルオランを含有し、且つ該保護層中が粉末セルロースを含有させることにより優れた効果が発現する。 - 特許庁

The thickness of the oxide layer in the first zone is larger than that of the oxide layer in the second zone, the thickness of the oxide layer in a transition region 108 between the first and second zones gradually decreases from the first zone toward the second zone, and a p-n junction part 114 between the first and second regions terminates at the trench adjacent to the transition region of the oxide layer.例文帳に追加

第１の区域における酸化物層の厚さは第２の区域における酸化物層の厚さよりも厚く、第１及び第２区域の間の遷移領域１０８における酸化物層の厚さは、第１の区域から第２の区域へと徐々に薄くなり、第１の領域と第２の領域との間のＰＮ接合部１１４は、酸化物層の遷移領域に隣接したトレンチで終端をなす。 - 特許庁

The surface of the substrate 2 is formed in irregularity by etching, the epitaxial layer 3 is formed with its surface formed by allowing epitaxial growth to be performed on the principal plane of the substrate 2, the pn-composition plane 6 of the layer 4a and the layer 5 formed by ion implanting n-type and p-type impurities from the surface of the layer 3 is formed into irregularity.例文帳に追加

エッチングにより半導体基板２の表面を凹凸状に形成し、半導体基板２の主面上でエピタキシャル成長することにより表面が凹凸状のエピタキシャル層３を形成し、Ｎ型およびＰ型の不純物をエピタキシャル層３の表面からイオン注入することにより形成された半導体層４ａおよび半導体層５のＰＮ接合面６を凹凸状に形成する。 - 特許庁

On a buffer layer 12 of the infrared semiconductor laser device 2A, a height-adjusting buffer layer 20 of n-type GaAs is provided which is sequentially formed with an interval from the infrared semiconductor laser device 1A and is adjusted in film thickness for improved crystallinity of semiconductor layers on the substrate 11 as well as for conformity between heights from the substrate surface of a first active layer 14 and a second active layer.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子２Ａには、バッファ層１２上に、赤外半導体レーザ素子１Ａと間隔をおいて順次形成され、基板１１上の各半導体層の結晶性を向上させると共に第１活性層１４と第２活性層との基板面からの高さが一致するように膜厚が調整されたｎ型のＧａＡｓからなる高さ調整用バッファ層２０を有している。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁

An organic solar cell 1 includes: a first electrode 3 formed on a substrate; a photoelectric conversion layer 5 formed on the first electrode 3 and provided with a p-type semiconductor layer 5a whose material is a molybdenum oxide and an n-type semiconductor layer 5b whose material is an electron-accepting organic semiconductor; and a second electrode 7 formed on the photoelectric conversion layer 5 and paired with the first electrode 3.例文帳に追加

有機太陽電池１は、基板上に形成された第１電極３と、その第１電極３上に形成されており、モリブデン酸化物を材質とするｐ型半導体層５ａ及び、電子受容性有機半導体を材質とするｎ型半導体層５ｂを有する光電変換層５と、その光電変換層５上に形成されており第１電極３と対をなす第２電極７と、を有する。 - 特許庁

A VCSEL 10 includes: an n-type GaAs substrate 100; an n-type lower DBR 102 formed on the substrate 100; an active region 104; a p-type upper DBR 106 formed on the active region; a p-type current constriction layer 108 formed in the upper DBR 106; a p-side electrode 112 electrically connected to the upper DBR 106; and an n-side electrode 120.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、基板１００上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６内に形成されたｐ型の電流狭窄層１０８と、上部ＤＢＲ１０６と電気的に接続されたｐ側電極１１２と、ｎ側電極１２０とを有する。 - 特許庁

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than 1×10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｌＡｓ系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、ＰＢＮコーティングを施したグラファイト治具を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３中のカーボン濃度を１×１０^17cm^-3以下にする。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

The diode (20) is formed so as to be brought into contact with the channel region 11 of the thin-film transistor 10 and constituted, so that a p^+-type semiconductor layer 34 (anode) is connected to the channel region 11 and an n^+-type semiconductor layer 34 (cathode) is connected to the gate electrode 15 via body electrode 25.例文帳に追加

ダイオード２０の部分は、薄膜トランジスタ１０のチャネル領域１１に接するように形成され、ｐ＋型半導体層３４（アノード）がチャネル領域１１に接続され、ｎ^＋型半導体層３４（カソード）が、ボディ電極２５を介してゲート電極１５に接続されている。 - 特許庁

For instance, a conductive n^+-type AlGaN layer of the high impurity concentration (Al composition >0) and an AlBGaN layer of the low impurity concentration (Al composition ≥0; B composition ≥0) are sequentially formed on the surface of the conductive SiC substrate, and the ohmic electrode is formed on the back of the conductive SiC substrate.例文帳に追加

例えば、導電性ＳｉＣ基板の表面上に不純物濃度の高い導電性のｎ^＋型ＡｌＧａＮ層（Ａｌ組成＞０）と、不純物濃度の低いＡｌＢＧａＮ層（Ａｌ組成≧０、Ｂ組成≧０）を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成する。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

The MOSFET is a non-punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at an end (channel formation region 3b or terminal region 5), a part having a longer trailing pattern of an p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than a center part (body region 3a).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはノンノンパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）に中央部（ボディ領域３ａ）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

This lithium ion secondary battery 20 has a winding group 6 formed by winding a positive electrode P prepared by forming a positive mix layer containing lithium manganate on an aluminum foil 17; a negative electrode N prepared by forming a negative mix layer containing amorphous carbon on an electrolytic copper foil, and a separator S.例文帳に追加

円筒型リチウムイオン二次電池２０は、マンガン酸リチウムを含有する正極合剤層をアルミニウム箔１７上に形成した正極Ｐと、非晶質炭素を含有する負極合剤層を電解銅箔上に形成した負極Ｎと、セパレータＳとを捲回した捲回群６を備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Next, a conductive paste having a conductive material dispersed in a resin is applied onto the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer under an atmospheric pressure at a normal temperature and is dried to form another electrode facing the one electrode.例文帳に追加

次に、樹脂中に導電性物質を分散させた導電性ペーストを、大気圧及び常温の環境下において、前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層の上に塗布、乾燥させることによって、一方の前記電極に対向する他方の電極を形成する。 - 特許庁

In the electrophotographic image forming device of the tandem system, the intermediate layer of a photoreceptor used for each image forming unit is an insulated layer incorporating N-type semiconductive particles and binder and also having a Bernard cell structure.例文帳に追加

タンデム式の電子写真画像形成装置において、各画像形成ユニットに用いられる感光体の中間層が、Ｎ型半導体粒子とバインダーを含有し、ベナードセル構造を有する絶縁層であることを特徴とする電子写真画像形成装置により達成される。 - 特許庁

The multilayered photoelectric transfer device has a lamination structure, which comprises (a) a first photoelectric transfer layer having a titanium oxide coating electrode, electrolyte and paired electrodes; and (b) a second photoelectric transfer layer having a positive and negative electrode on both faces of a silicon substrate having a p-n junction.例文帳に追加

（ａ）酸化チタン被着電極、電解質および対電極部を有する第一の光電変換層と、（ｂ）ｐ−ｎ接合を有するシリコン基板の両面に正負電極部を有する第二の光電変換層との積層構造を有する多層型光電変換装置。 - 特許庁

The photoelectric conversion agent composed of the azine-based compound, partially substituted with N-aryl, expressed by formula (I), the photosensitive body of the electrophotography having the agent in the charge- generating layer, and the organic solar cell having the agent in the optical current layer, are provided.例文帳に追加

本発明の光電変換剤は、物質の光電変換作用を本質的に利用する素子、すなわち電子写真感光体の電荷発生層、有機太陽電池の光電流発生層、光センサー、光スイッチング素子などにおける光活性物質として有効に利用できるものである。 - 特許庁

A semiconductor detector detecting a radiation from an electronic positive hole couple, which is generated when the radiation is made incident on a depletion layer generated in the semiconductor substrate by the application of inverse direction voltage between the P+ layers 102 and 103 and the N+ layer 104 when it is applied, is provided.例文帳に追加

Ｐ^+層１０２，１０３とＮ^+層１０４との間に逆方向電圧を印加したとき、これにより半導体基板内に生じる空乏層中に放射線が入射した際に発生する電子正孔対から放射線を検出する半導体検出器を提供する。 - 特許庁

Moreover, p-type well regions, which are respectively formed selectively within the main surfaces of a gate oxide film 7 and an N-type drift layer 3, which are the base film and the base layer of the electrodes 8a and 8b, are also respectively formed in an annular shape so as to encircle the region 10c.例文帳に追加

また、ゲート電極８ａ，８ｂの下地であるゲート酸化膜７、及びｎ型ドリフト層３の主面内に選択的に形成されているｐ型ウェル領域４ａ，４ｂも、ｐ^+型不純物領域１０ｃを取り囲むようにそれぞれ円環状に形成されている。 - 特許庁

Then, GaN:Zn nanocolumns 6 are grown using the n-type GaN layer 2 exposed in the opening portions 5 as seed crystal as shown in (b), and then a solution containing organic metal PEDOT:PSS is spin-coated and baked to form a p-type layer 7 as shown in (c).例文帳に追加

その後、（ｂ）で示すように前記開口部５内で露出したｎ型ＧａＮ層２を種結晶としてＧａＮ：Ｚｎナノコラム６を成長させた後、有機金属ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む水溶液をスピンコートし、ベークすることで、（ｃ）で示すようにｐ型層７を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium wherein crystal orientation of a magnetic recording layer is enhanced without enlarging a space between a head for recording and reproduction and a soft magnetic layer, a high S/N ratio and coercive force Hc can be maintained, and high recording density can be attained even when magnetic grains are refined.例文帳に追加

記録再生用ヘッドと軟磁性層との間のスペースを大きくすることなく、磁気記録層の結晶配向性を向上させ、磁性粒を微細化しても高いＳ／Ｎ比と保磁力Ｈｃを維持し、高記録密度化を図ることが可能な磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the mold releasing film, a silicone resin layer is formed on at least one side of a polyester film, the peeling force of an acrylic adhesive is 0.15 N/50 mm or below, a residual adhesion ratio is 90% or above, and the amount of Si of the surface of the substrate in contact with the layer does not increase by 110% or above.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面にシリコーン系樹脂からなる層を設け、アクリル系粘着剤の剥離力が０．１５Ｎ／５０ｍｍ以下、残留接着率が９０%以上で該層に接触した基材表面のＳｉ量が１１０%以上増加しない離型フィルムとする。 - 特許庁

In the thermal recording material comprising a heat sensitive color developing layer containing a normally colorless or pale color developable compound and a developable compound capable of color developing the color developable compound at a heat time on a support, the developing layer contains a compound represented by formula (1) as the color developable compound and an N-acetylxylidine as a sensitizer.例文帳に追加

支持体上に通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を含有する感熱発色層を設けた感熱記録材料において、該感熱発色層が顕色性化合物として下記の一般式（１） - 特許庁

The thermal transfer receiving sheet has a sheet-like support and a receiving layer containing a dyable resin as a main ingredient formed on one face of the support, in which the receiving layer contains an acrylic acid polyoxyalkylene compound/an acrylic acid N-perfluoroalkylsulfonyl amino compound copolymer.例文帳に追加

シート状支持体と、その少なくとも一面上に形成され、かつ染着性樹脂を主成分とする受容層とを有し、前記受容層がアクリル酸ポリオキシアルキレン化合物／アクリル酸Ｎ−パーフルオロアルキルスルホニルアミノ化合物共重合体を含有する熱転写受容シート。 - 特許庁

This easy tear biaxially stretched polyester film excellent in adhesiveness is characterized in that its adhesive layer comprises a layer having crystallinity composed of a mixture of a crystalline polyester resin and an amorphous polyester resin and its thrust strength is 2.0-8.0 N.例文帳に追加

フィルムの接着層が結晶性ポリエステル樹脂と非晶性ポリエステル樹脂の混合物からなる結晶性を有する層からなり、フィルムの突き刺し強度が２．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であることを特徴とする接着性に優れた易引き裂き性２軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

An oxide layer 14 as an insulator is arranged at a position where it comes into contact with a bottom wall 13A as a bottom portion of the groove 13, and the groove 13 is filled with a metal film 15 capable of coming into Schottky contact with the n-type layer 12 so as to contact a sidewall 13B of the groove 13.例文帳に追加

溝１３の底部である底壁１３Ａに接触する位置には絶縁体としての酸化物層１４が配置されており、かつ溝１３の側壁１３Ｂに接触するようにｎ型層１２とショットキー接触可能な金属膜１５が溝１３を埋めるように形成されている。 - 特許庁

A P-type well 12 is formed at the upper part of a semiconductor substrate 11, an STI13 is provided selectively at the well 12, and an N^+-type source layer 17 and a drain layer 18 are formed in an opening 14 of the STI13 to touch the side surface 13a of the STI 13 and to be separated from each other.例文帳に追加

半導体基板１１の上部にＰ型のウェル１２を形成し、ウェル１２にＳＴＩ１３を選択的に設け、ＳＴＩ１３の開口部１４内にＳＴＩ１３の側面１３ａに接するようにＮ^＋型のソース層１７及びドレイン層１８を相互に離隔して形成する。 - 特許庁

The hook-and-loop fastener laminate has a structure in which a resin layer and cloth layer are successively laminated on the reverse side of a hook-and-loop fastener having a large number of locking elements on the surface of a base cloth, wherein the elongation rate of the laminate under a load of 9.8 N is 0.5-3% and the recovery rate is not less than 95%.例文帳に追加

基布の表面に多数の係合素子を有する面ファスナーの裏面に、樹脂層、布帛層が順に積層されてなる面ファスナー積層体であって、該積層体の９．８Ｎ荷重時の伸長率が０．５〜３％、回復率が９５％以上である面ファスナー積層体。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, an n-type silicon layer 2a is formed by an epitaxial growth, and a CoSi2 layer 6 and a silicon oxide film 7 are formed additionally.例文帳に追加

半導体基板１上にｎ型シリコン層２ａをエピタキシャル成長により形成し、さらに、ＣｏＳｉ_2層６および酸化シリコン膜７を形成した後、シリコン層２ａの中央部に開口部８を形成し、開口部８内にタングステン膜等を埋め込むことによりゲート電極１０ａを形成する。 - 特許庁

In a process for growing a first nitride compound semiconductor layer in which a nitride semiconductor substrate is doped with n-type impurities, the main surface of the nitride semiconductor substrate is partially heavily doped and the first semiconductor layer is grown.例文帳に追加

本発明では、窒化物半導体基板上にｎ型不純物をドーピングした第１の窒化物化合物半導体層を成長する工程において、窒化物半導体基板の主面を部分的に前記不純物で高濃度化した後に第１の半導体層を成長する。 - 特許庁