「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

The diode has a p-type nitride semiconductor layer 17 that is selectively formed on the element forming layer 10 and an ohmic electrode 18, with a two-dimensional electronic gas generated by a heterojunction interface as an n-type region and the p-type nitride semiconductor layer 17 as a p-type region.例文帳に追加

ダイオードは、素子形成層１０の上に選択的に形成されたｐ型の窒化物半導体層１７及びオーミック電極１８を有し且つヘテロ接合界面により生じた２次元電子ガスをｎ型領域とし且つｐ型の窒化物半導体層１７をｐ型領域とする。 - 特許庁

This olefinic resin film for the dicing is obtained by laminating a polypropylene resin layer, an ethylenic copolymer resin layer and a polypropylene resin layer one by one, and has 10-40 N/25 mm 25%-tensile stress, and preferably 300-1,000% elongation.例文帳に追加

ポリプロピレン樹脂層、エチレン系共重合体樹脂層およびポリプロピレン樹脂層を順次積層してなり、２５％引っ張り応力が１０〜４０Ｎ／２５ｍｍであるダイシング用オレフィン系樹脂フィルムであり、特に、その伸び率が３００〜１０００％であるダイシング用オレフィン系樹脂フィルム。 - 特許庁

Following to the epitaxial growth of an n^+-GaAs layer 8 of GaAs single crystal 10, an Si layer 11 is grown epitaxially in the same epitaxial growth furnace and then an aluminum electrode 12 is formed, as an ohmic electrode, on the Si layer 11.例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶１０のｎ^＋ −ＧａＡｓ層８をエピタキシャル成長により成膜した後、引き続きＳｉ層１１を同一のエピタキシャル成長炉内においてエピタキシャル成長させ、しかる後アルミニウムの電極１２をオーミック電極としてＳｉ層１１上に形成する。 - 特許庁

The waveguide optical element includes a waveguide optical element having an n-type semiconductor layer 102, a p-type semiconductor layer 104, an active layer 103 formed therebetween, and an ESD protector 114 electrically connected to the waveguide optical element in parallel.例文帳に追加

本発明に係る導波路型光素子は、ｎ型半導体層１０２と、ｐ型半導体層１０４と、その間に形成された活性層１０３と、を有する導波路型光素子部と、導波路型光素子部と電気的に並列に接続されたＥＳＤ保護部１１４と、を備える。 - 特許庁

The n-type contact layer 16 is an InGaN and its band gap energy is smaller enough than that of a band gap of the light emitting layer 20 and its film thickness is not less than 200 nm, so that the light emitted downward from the light emitting layer 20 is absorbed to narrow a half-power bandwidth of the emission spectrum.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層１６をＩｎＧａＮとし、そのバンドギャップエネルギを発光層２０のバンドギャップよりも十分小さくし、かつ、その膜厚も２００ｎｍ以上とすることで発光層２０から下方に射出される光を吸収し、発光スペクトルの半値幅を狭くする。 - 特許庁

Since the returned luminous flux from which ±1st order diffraction light in the recording layer L1 having a risk to affect the signal light when the targeted recording layer is the recording layer L0 is removed is received by the light reciever, an S/N of a signal formed at the light reciever can be enhanced.例文帳に追加

すなわち、対象記録層が記録層Ｌ0の場合に、信号光に悪影響を及ぼすおそれがある記録層Ｌ1での±１次回折光が除かれた戻り光束が受光器で受光されるため、受光器で生成される信号のＳ／Ｎ比を向上させることができる。 - 特許庁

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer.例文帳に追加

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device includes a drift layer 2 having an n-type and formed on a silicon carbide substrate 1, a base region 3 having a p-type formed adjacent to the drift layer 2, and a re-combination region 7 in which the drift layer 2 is formed and into which a re-combination center has been introduced.例文帳に追加

本発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１上に形成されたｎ型を有するドリフト層２と、ドリフト層２に接して形成されたｐ型を有するベース領域３と、ドリフト層２に形成され、再結合中心が導入された再結合領域７とを備える。 - 特許庁

An n-type GaN layer 15, an active layer 16, and a p-type GaN layer 17 are grown on a substrate in order, and after a p-side electrode 18 is formed thereon, these semiconductor layers are etched while the electrode 18 is used as a mask so as to form micro light emitting diodes of 20 μm or less in size.例文帳に追加

基板上にｎ型ＧａＮ層１５、活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、その上にｐ側電極１８を形成した後、これをマスクとしてこれらの半導体層をエッチングすることで大きさが２０μｍ以下の微小発光ダイオードを形成する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor includes a charge generating layer containing charge generating materials which are an N type pigment and a P type pigment on a conductive support and a charge transport layer containing a charge transport material having a molecular weight of 550-2,000 on the charge generating layer.例文帳に追加

導電性支持体上に、Ｎ型顔料及びＰ型顔料の電荷発生物質を含有する電荷発生層及び該電荷発生層上に分子量５５０〜２０００の電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The high resistance layer contacts the p-type semiconductor layer and covers the p-side electrode on the first main surface, includes a portion overlapping with the n-side electrode outside the p-side electrode in a planar view, and is formed of metal having a higher contact resistance to the p-type semiconductor layer than to the p-side electrode.例文帳に追加

高抵抗層は、第１主面上でｐ型半導体層に接しｐ側電極を覆い、平面視においてｐ側電極の外側でｎ側電極と重なる部分を有し、ｐ型半導体層との接触抵抗がｐ側電極よりも高く金属である。 - 特許庁

This adhesive sheet having an intermediate layer and an adhesive layer in this order on the one side surface of a substrate is provided with that the intermediate layer has ≤0.5 N/mm^2 initial elastic modulus, ≥0.4 loss tangent (tan δ) at 20-70°C and also ≥30% gel portion.例文帳に追加

粘着シートは、基材の片面に中間層と粘着剤層とをこの順に有する粘着シートであって、中間層は初期弾性率が０．５Ｎ／ｍｍ^２以下であり、２０℃〜７０℃における損失正接（ｔａｎδ）の値が０．４以上であり、かつ、ゲル分が３０％以上である。 - 特許庁

To provide a hologram recording medium which has a reflecting layer and a recording layer formed on a sheet member of non-optical quality such as paper and a plastic card, the hologram recording medium being characterized in that information recorded as a hologram in the recording layer can be reproduced at high S/N while suppressing scattering light.例文帳に追加

紙、プラスチック・カード等の非光学品質のシート部材上に反射層及び記録層が形成されたホログラム記録媒体において、光の散乱を抑制し、記録層にホログラムとして記録された情報を高いＳ／Ｎ比で再生することができるホログラム記録媒体を提供する。 - 特許庁

The organic semiconductor part 5 comprises a p-type organic semiconductor material layer 7 and an n-type organic semiconductor material layer 6 having a pn-junction zone 12 in an approximate intermediate part 11 of the interelectrode region 10, and an organic light emitting material layer 8 arranged in the pn-junction zone 12.例文帳に追加

有機半導体部５は、電極間領域１０のほぼ中間部１１にＰＮ接合域１２を有するＰ型有機半導体材料層７およびＮ型有機半導体材料層６と、ＰＮ接合域１２に配置された有機発光材料層８とを備えている。 - 特許庁

One pixel is constituted by providing N type diffused layers 14a-14d, a P type diffused layer 15, insulating layers 16a, 16b, insulating films 17a, 17b, polysilicons 18a, 18b and a shielding film 19 on a P type silicon layer 13 of an SOI substrate 10 having an insulating layer 12.例文帳に追加

絶縁層１２が設けられたＳＯＩ基板１０のＰ型シリコン層１３に、Ｎ型拡散層１４ａ〜１４ｄ、Ｐ型拡散層１５、絶縁層１６ａ，１６ｂ、絶縁膜１７ａ，１７ｂ、ポリシリコン１８ａ，１８ｂ、遮蔽膜１９を設けて１つの画素を構成する。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of this P-type well area 52 is formed, and an N-type embedded layer 56 which is formed partially interposed with this (P^+)-type embedded layer 55 and electrically separates the P-type well area 52 from the P-type single crystal silicon substrate 50 is formed.例文帳に追加

このＰ型ウエル領域５２の底部に接するＰ＋型埋め込み層５５、このＰ＋型埋め込み層５５に部分的に重畳して形成され、Ｐ型ウエル領域５２を単結晶シリコン基板５０から電気的に分離するＮ型埋め込み層５６を設ける。 - 特許庁

The non-stretched laminated film is formed by laminating an adhesive resin layer containing an ethylenic copolymer with a melting point of 70-105°C and an antistaining thermoplastic resin layer with a melting point higher than that of the adhesive resin layer, and designed so that the modulus value thereof at the time of 20% elongation becomes 0.5-7.0 N/10 mm.例文帳に追加

融点が７０〜１０５℃のエチレン系共重合体を主成分とする接着性樹脂層と接着性樹脂層よりも高融点の、防汚性の熱可塑性樹脂層が積層し、２０％伸張時のモジュラス値が０．５〜７．０Ｎ／１０ｍｍとなるように設計する。 - 特許庁

On the end face of the wire-shaped body 2001 having a central electrode 2007 whose periphery is covered with an insulating film 2008, an n-type semiconductor layer 2004 and a p-type semiconductor layer 2003 are formed in order, and then the p-type semiconductor layer 2003 is covered with a transparent electrode 2006.例文帳に追加

外周を絶縁膜２００８で覆われた中心電極２００７を有する線状体２００１の端面に、ｎ型半導体層２００４、ｐ型半導体層２００３を順次形成し、次いで、ｐ型半導体層２００３を透明電極２００６で被覆する。 - 特許庁

A synthetic resin sheet 4 or glass sheet 4 is bonded to the surface of the silicone hard coat layer 3 of a polycarbonate sheet 2 provided with the silicone hard coat layer 3, of which the surface wettability is set to 3.0×10-4 N or more by corona discharge treatment, through a bonding layer 5 comprising a polyurethane resin.例文帳に追加

コロナ放電処理されることによって表面の濡れ性が３．０×１０^^-4Ｎ以上となされたシリコーンハードコート層３が設けられたポリカーボネート板２の該コート層３表面に、ポリウレタン系樹脂からなる接合層５を介して合成樹脂板４又はガラス板４を接合する。 - 特許庁

A plurality of thin light-emitting chips 13 each of which is configured by laminating an n-type compound semiconductor layer 16, an active layer 17 and a p-type compound semiconductor layer 18 are bonded on a wafer 11 through lower surface wiring 12 by using the p-type compound semiconductor layers 18 as bonding surfaces.例文帳に追加

ｎ型化合物半導体層１６,活性層１７およびｐ型化合物半導体層１８が積層された薄型の発光チップ１３を、複数個、ｐ型化合物半導体層１８を接合面として、ウェハ１１上に、下面配線１２を介して接合する。 - 特許庁

Since an electric potential of the N- epi-layer 2 of the ineffective region can be made equal to that of the P+ diffusion layer 3, even when electrons are injected into the element formation region by the back electromotive force of the load of the inductance L, supplying of the electrons from the P+ diffusion layer 3 to the ineffective region is restrained.例文帳に追加

無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３を同電位にすることができるため、インダクタンスＬの負荷の逆起電力により素子形成領域に電子が注入された場合であっても、Ｐ＋拡散層３から無効領域への電子の供給を抑止できる。 - 特許庁

Among them, in the area where the CMOS 20 is mounted, an n-type diffusion layer 15a and a p-type diffusion layer 16a as an element isolation layer are formed on an area just below a field oxide film 12c, 12d in such manner that the impurity concentration of the above area is increased.例文帳に追加

このうち、ＣＭＯＳ２０が搭載される領域では、フィールド酸化膜１２ｃ、１２ｄの直下の領域に同領域の不純物濃度が高められるかたちで素子分離層としてのＮ型拡散層１５ａ及びＰ型拡散層１６ａが形成されている。 - 特許庁

There is provided the gas barrier film having a base film, at least one organic layer and an inorganic layer adjacent to the organic layer where a dimensional change rate in a longitudinal and lateral directions of N-methylpyrrolidone of the gas barrier film after immersed at 30°C and for 5 minutes is 30 ppm or below, respectively.例文帳に追加

基材フィルムと、少なくとも１層の有機層と、該有機層に隣接する無機層を有するガスバリアフィルムであって、該ガスバリアフィルムのＮ−メチルピロリドンに、３０℃で、５分浸漬後の縦方向と横方向の寸法変化率が、それぞれ、３０ｐｐｍ以下である、ガスバリアフィルムを用いる。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by the compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on the surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０面上の対をなす裏面電極層１２０に亘って積層したカルコパイライト構造化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

The product of the refractive index (n) and the layer thickness(d) of the second dielectric layer 16 satisfies (nd)>130 nm so that the reflectance Ra of the amorphous phase region and the reflectance Rc in the crystal phase region in the recording layer 14 always have the relation of Ra>Rc.例文帳に追加

ここでは、第２誘電体層１６の屈折率ｎとその層厚ｄとの積ｎｄが ｎｄ＞１３０ｎｍ を満足するため、記録層１４のアモルファス相領域の反射率Ｒａと結晶相領域の反射率Ｒｃとの間には、 Ｒａ＞Ｒｃ が常に成立している。 - 特許庁

When a base diffusion layer 12 for a bipolar type transistor 10 formed to the semiconductor device 1 is formed, acceleration energy and a dosage are changed to a prearranged region as a base diffusion layer 12 for an n-type epitaxial layer 13, and impurity ions are implanted at a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置１に備わるバイポーラ型トランジスタ１０のベース拡散層１２を形成する際に、Ｎ型エピタキシャル層１３のベース拡散層１２となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。 - 特許庁

The upper surface of the most upper layer of this layered product is processed in irregular surface S in partial or whole area, and a p-side electrode P102 is formed for filling hole into the p-type nitride semiconductor layer 104 in the second n-type nitride semiconductor layer 105.例文帳に追加

前記積層体の最上層の上面は一部または全部が凹凸面Ｓとされており、かつ、前記第２のｎ型窒化物半導体層１０５には、前記ｐ型窒化物半導体層１０４へ正孔を注入するためのｐ側電極Ｐ１０２が形成されている。 - 特許庁

More specifically, the structure of the bipolar transistor has an emitter region 4 formed on an N^+ type buried layer 3 in the element region, a base region 6 formed in the surface layer of the emitter region 4, and a collector region 7 formed in the surface layer of the base region 6.例文帳に追加

すなわち、そのバイポーラトランジスタを素子領域にてＮ^＋型埋め込み層３の上に形成されたエミッタ領域４と、エミッタ領域４の表層内部に形成されたベース領域６と、ベース領域６の表層内部に形成されたコレクタ領域７とを有する構造とする。 - 特許庁

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed.例文帳に追加

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 - 特許庁

Since no impurities are present in the di-electric layer of the auxiliary capacitance semiconductor layer 37, deterioration in the characteristics of thin film transistors 23 for pixels, thin film transistors 25 for a p-type driving circuit, and thin film transistors 26 for an N-type driving circuit does not occur.例文帳に追加

補助容量半導体層37の誘電体層には不純物が存在しないため、画素用薄膜トランジスタ23、Ｐ型駆動回路用薄膜トランジスタ25およびＮ型駆動回路用薄膜トランジスタ26の特性劣化を発生させない。 - 特許庁

For the thermoelectric conversion member 1, a p-type thermoelectric element layer 5 and an n-type thermoelectric element layer 7 are formed on the surface of a flexible substrate 3 by sputtering, and the thermoelectric conversion member 1 itself is provided with flexibility.例文帳に追加

熱電変換部材１は、柔軟性を有する基板３の表面上に、スパッタリングにより、ｐ型熱電素子層５とｎ型熱電素子層７とを形成したものであり、熱電変換部材１自体、柔軟性を有している。 - 特許庁

In addition, in case when the light emitting device is applied to an electronic device, the n-type AlN layer extremely superior in electrical conductivity can be obtained thanks to the undoped AlN layer having less defect, so that Schottky barrier height or breakdown voltage can be increased.例文帳に追加

また、電子素子に適用した場合は、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。 - 特許庁

An N+type layer 7a having a smaller width than the variation width of a mask alignment accuracy in a photolithography process, is formed on the bottom surface of the first contact hole 9 and the first and second holes 9, 10 are filled with a tungsten layer 12 and so on.例文帳に追加

第１のコンタクトホール９の底面にフォトリソグラフィ工程のマスク合わせ精度のばらつき幅より小さい幅のＮ＋型層７ａを形成し、第１、第２のコンタクトホール９、１０内をタングステン層１２等で埋設する。 - 特許庁

Accordingly, the amount of light reflected by the top layer can be made larger than that reflected by the base portion, by using the S polarization for the illumination, thereby enabling the defect of the top layer to be inspected with the high S/N ratio.例文帳に追加

従って、Ｓ偏光で照明を行うことにより、表層から反射される光量を、下地で反射される光量より多くすることができ、表層の欠陥をＳ／Ｎ比の良い状態で検査することができる。 - 特許庁

In power MOSFETs, the total amount of impurities in an n pillar layer 3 having a super junction structure and that of impurities in a p pillar layer 4 is set to be smaller than that at the center in the longitudinal direction at the edge of the side of a source electrode 9.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴにおいて、スーパージャンクション構造をなすｎピラー層３の不純物量とｐピラー層４の不純物量との和を、ソース電極９側の端部において縦方向中央部よりも低くする。 - 特許庁

In a region Z2 of an LDMOS, which is different from a formation region Z1 of an IGBT inside a chip, a P-type well region 13 and an N+-type impurity diffusion regions 14, 15 are formed in a surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

チップ内でのＩＧＢＴの形成領域Ｚ１とは異なるＬＤＭＯＳの領域Ｚ２において、エピタキシャル層３の表層部にＰ型ウエル領域１３およびＮ^+ 型不純物拡散領域１４，１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a GaN-based LED chip excellent in light extracting efficiency which can be configured by subsequently laminating an n-type layer and a p-type layer on a substrate to form a laminate structure including a light emitting portion of pn-junction type.例文帳に追加

基板上にｎ型層とｐ型層を順次積層してｐｎ接合型の発光部を含む積層構造体を形成することにより構成される、光取出し効率に優れたＧａＮ系ＬＥＤチップを提供すること。 - 特許庁

The lower semiconductor multilayer 4 further includes an extension strain stress addition layer 14 that has tensile strain and is provided between the active layer 12 and the ridge 5, and has a negative lattice mismatch degree with respect to the n-type InP substrate 3.例文帳に追加

下部半導体積層部４は、引っ張り歪みを有し活性層１２とリッジ部５との間に設けられた伸張歪応力付加層１４を更に含み、ｎ型ＩｎＰ基板３に対して負の格子不整合度を有する。 - 特許庁

According to the magnetic recording medium 10 provided with the soft magnetic backing layer, the soft magnetic backing layer having high corrosion resistance and high Bs is formed and the magnetic recording medium achieving high Hc recording and having high S/N performance can be achieved.例文帳に追加

このような軟磁性裏打層を備えた磁気記録媒体１０によれば、高耐食性及び高Ｂｓを有した軟磁性裏打層が形成され、高Ｈｃ記録で、且つ高いＳ／Ｎ性能を有する磁気記録媒体が実現できる。 - 特許庁

A P^+ type channel stop layer under the source and drain region of a transfer transistor 103 is arranged such that it contacts a depletion region 208, which is formed around the floating diffusion region 106, i.e. an N^+ diffusion layer, only at E point.例文帳に追加

転送トランジスタ１０３のソースドレイン領域の下のＰ＋チャネルストップ層がＮ＋拡散層であるフローティングディフュージョン領域１０６の周りに形成される空乏層２０８と概ね点Ｅのみで接触するようにする。 - 特許庁

Wiring 28 for etching is arranged between one end section 28a that is electrically connected to the n-type epitaxial layer on a chip inner circumference and the other 28b extended to a tip end section without straddling the p^+ impurity diffusion layer 27.例文帳に追加

エッチング用配線２８は、チップ内周にてｎ型エピタキシャル層に電気的に接続された一端部２８ａとチップ端部にまで延長された他端部２８ｂとの間で、ｐ^+不純物拡散層２７を跨がないように配置されている。 - 特許庁

After an n-type GaN layer is grown, a process 109 which supplies an Si source gas without supplying a group III material gas as well as a process to stop supplying the Si source gas are provided before a process 113 where a light-emitting layer is grown.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層を成長後、発光層を成長する工程１１３の前に、III族原料ガスを供給せずにＳｉ源ガスを供給する工程１０９およびＳｉ源ガスの供給を停止する工程を設ける。 - 特許庁

Thereby, an SiON film in a part which is subjected to ion implantation turns into an Si layer containing a very small amount of N, and the projection part 23 of the island-like Si thin-film layer 33 and the polycrystalline Si film 6 for a gate electrode are connected electrically.例文帳に追加

これによりイオン注入された部分のＳｉＯＮ膜はＮを微量に含んだＳｉ層となり、島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３とゲート電極用の多結晶Ｓｉ膜６は電気的に接続される。 - 特許庁

Then, Hall currents IH components crossing the N-type layer 1 in the neighborhood of the source wiring layer 8a, in the trench 20 in which the high magnetic flux density B is generated, are increased so that the Hall-voltage VH generated in a Hall-element H can be increased.例文帳に追加

この高い磁束密度Ｂが発生しているトレンチ２０内のソース配線層８ａ近傍のＮ型層１を横切るホール電流ＩＨ成分を増やし、ホール素子Ｈに発生するホール電圧ＶＨを高くする。 - 特許庁