「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

Holes 101h are formed in the substrate 101 to extend from a second main surface 101b to the first main surface 101a, and reach the GaN buffer layer 102 and the n-type GaN layer 103.例文帳に追加

サファイヤ基板１０１には、第２の主表面１０１ｂから第１の主表面１０１ａへ延び、かつＧａＮバッファ層１０２およびｎ型ＧａＮ層１０３に到達する孔１０１ｈが形成されている。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor transistor including a semiconductor layer excelling in temporal stability of charge mobility compared with an organic semiconductor transistor including an organic semiconductor layer using 13, 6-N-sulfinyl acetamide pentacene.例文帳に追加

１３，６−Ｎ−サルフィニルアセトアミドペンタセンを用いた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタに比べ、電荷移動度の経時安定性に優れた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタを提供する。 - 特許庁

A reverse conducting IGBT 100 has an n^+-type floating layer 16 formed over trench gate electrodes 6a and 6b which are formed in a middle depth of a surface layer 4 and adjacent to each other.例文帳に追加

逆導通ＩＧＢＴ１００は、表面層４の中間深さに形成されているとともに隣接するトレンチゲート電極６ａ、６ｂ間に亘って形成されているｎ^＋型のフローティング層１６を備えている。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 1 is formed as a drain region, a P type body diffusion region 2 is formed in the epitaxial layer 1, and a hollow gate electrode 3 is formed so that the plane shape is polygonal.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層１をドレイン領域とし、そのエピタキシャル層１内にＰ型のボディー拡散領域２を形成し、平面形状が多角形となるように中抜きされたゲート電極３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a III-V compound semiconductor layer can improve crystallinity of the III-V compound semiconductor layer containing N atoms, to provide a method of manufacturing a semiconductor photonic device, and to provide the semiconductor photonic device.例文帳に追加

Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層の結晶性をより向上させ得るIII−Ｖ族化合物半導体層の製造方法、半導体光素子の製造方法、および半導体光素子を提供する。 - 特許庁

In the inkjet recording material having at least one ink accepting layer including a hydrophilic binder on a support, the ink accepting layer includes an N-hydroxy alkylaled chitosan.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも１層の親水性バインダーを含有するインク受容層を有するインクジェット記録材料において、該インク受容層がＮ−ヒドロキシアルキル化キトサンを含有することを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁

By raising the acceleration voltage of nitrogen ions on the Cu 1 as a base body, a mixing layer 2 of Al, Cu, and N is formed, and an AlN film 3 is formed on the mixing layer 2 by lowering acceleration voltage of the nitrogen ions.例文帳に追加

基体としてのＣｕ１上に窒素イオンの加速電圧を高くし、Ａｌ，Ｃｕ，Ｎのミキシング層２を形成し、そのミキシング層２上に窒素イオンの加速電圧を低くしてＡｌＮ膜３を形成する。 - 特許庁

The gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device allows the n-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and gallium nitride-based compound semiconductor layer containing the p-type impurities to grow on a substrate by the vapor growth method.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、気相成長法により、基板上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｐ型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる。 - 特許庁

A nitride semiconductor light emitting device 20 includes n-type nitride semiconductor layers 24a and 24b and a p-type nitride semiconductor layer 28 formed on a sapphire substrate 21, and an active layer 27 formed therebetween.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子２０はサファイア基板上２１に形成されたｎ型窒化物半導体層２４ａ、２４ｂ及びｐ型窒化物半導体層２８とその間に形成された活性層２７を含む。 - 特許庁

The visible light responsive photocatalyst composite is constituted by stacking a plurality of sheets of a visible light responsive photocatalyst formed of a layer containing a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor onto an absorbent layer.例文帳に追加

吸着材層上に、ｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体を含む層が形成された可視光応答型光触媒を複数枚積み重ねて構成される可視光応答型光触媒複合体。 - 特許庁

The first transistor 10 has a gate electrode 14 formed above the SOI layer via an insulating film, and an N-type source 15a or a drain 15b formed in the SOI layer below both sides of the gate electrode 14.例文帳に追加

第１トランジスター１０は、ＳＯＩ層上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極１４と、ゲート電極１４の両側下のＳＯＩ層に形成されたＮ型のソース１５ａ又はドレイン１５ｂとを有する。 - 特許庁

A Pd layer 15a is formed as a contact layer on one surface of a silicon semiconductor substrate(n-type semiconductor substrate area 16a) having relatively low impurity concentration constituting a power bipolar transistor.例文帳に追加

電力用バイポーラトランジスタを構成する、比較的低い不純物濃度を有するシリコン半導体基体（Ｎ型半導体サブストレート領域１６ａ）の一面上に、接触層としてのＰｄ層１５ａを形成する。 - 特許庁

The n-side wire bonding electrode 3 is arranged in a region apart from a region where the nitride semiconductor layer 2 is formed, so that neither a shock nor stress during wire bonding is applied to the nitride semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ側ワイヤボンディング用電極３は、窒化物半導体層２が形成されている領域と離れた領域に配置されているので、ワイヤボンディング時の衝撃やストレスが窒化物半導体層２に加わらない。 - 特許庁

A photodiode 101 has a structure in which an n-type charge accumulation layer 115 and a p-type surface layer 116 are laminated one after another toward the surface side from the inside in the thickness direction of a p-type well region 112.例文帳に追加

フォトダイオード１０１は、ｎ型の電荷蓄積層１１５と、ｐ型の表面層１１６とが、ｐ型ウェル領域１１２の厚み方向の内側から表面側に向けて順に積層された構成を有する。 - 特許庁

The n-side intermediate layer 12 and p-side intermediate layer 14 may have a structure, consisting of a single composition and may have a gradient structure, in which Al composition and In composition are changed in the thickness direction.例文帳に追加

ｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４は、単一の組成からなる構造を有していても良いし、厚さ方向にＡｌ組成およびＩｎ組成を変化させた傾斜構造を有していても良い。 - 特許庁

To provide an element wherein when directly joining a semiconductor layer such as n^+-Si and an Al-Ni-based alloy layer, the mutual diffusion of Al and Si can be so prevented as to be able to maintain the ohmic characteristic of the element.例文帳に追加

ｎ^＋−Ｓｉなどの半導体層とＡｌ−Ｎｉ系合金層を直接接合させる場合、ＡｌとＳｉとの相互拡散が防止でき、オーミック特性を維持することが可能な素子を提供する。 - 特許庁

The impurity concentration (specific resistance) of the N- layer 101 is set, so that electric field on the depletion layer becomes not more than silicon maximum electric field intensity at setting of inverse bias voltage which is similar to voltage inhibition ability.例文帳に追加

さらに、電圧阻止能力と同等の逆バイアス電圧設定時に空乏層にかかる電界がシリコン最大電界強度以下になるように、Ｎ^-層１０１の不純物濃度（比抵抗）を設定している。 - 特許庁

After it is filled with a gate insulation film 12, a polysilicon layer 14 and a tungsten layer 15, upper part of an implanted part 18 for extending the source-drain is opened by etching, a spacer 19 is formed therein and contact implantation appropriate to P or N type is carried out.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２ポリシリコン層１４タングステン層１５を充填した後、ソースドレイン拡張注入部１８の上部をエツチング開口し、スペーサ１９を形成してＰ．Ｎ適宜のコンタクト注入を行う。 - 特許庁

To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加

内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁

Reduction in the ON resistance of the pin diode 1 can be realized by forming the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 such that the interval W therebetween is shortened.例文帳に追加

また、ｐ^+型拡散層５とｎ^+型拡散層６との間隔Ｗが小さくなるようにｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６を形成することによりｐｉｎダイオード１の低オン抵抗化を実現する。 - 特許庁

The interconnect lines of gradient potentials V3 and V7 which are supplied to the N type regions 64 and 66 of the same column respectively are formed in the same column of third metal layer and second metal layer, respectively, and adjacently located up and down.例文帳に追加

同一行のＮ型領域６４及び６６にそれぞれ供給される階調電位Ｖ３とＶ７の配線は、それぞれメタル第３層及びメタル第２層の同一行に形成されて、上下に隣り合っている。 - 特許庁

A light emitting element 1 has a n-type semiconductor layer 2 composed of an n-type nitride semiconductor material and a p-type semiconductor layer 3 composed of a p-type nitride semiconductor material, and equipped with a light emitting diode A where electrodes 22 and 23 for injecting currents are laminated respective semiconductor layers 2 and 3, and an insulation layer 4 holding a light emitting part B of the light emitting diode A.例文帳に追加

発光素子１は、ｎ形窒化物半導体材料からなるｎ形半導体層２およびｐ形窒化物半導体材料からなるｐ形半導体層３を有し各半導体層２，３それぞれに電流注入用の電極２２，２３が積層された発光ダイオード部Ａと、発光ダイオード部Ａの発光部Ｂを保持した絶縁層４とを備えている。 - 特許庁

For example, the semiconductor substrate 101 is composed of monosilicon and the n-type region 102 is composed of an n-type impurities introducing region where phosphorus is introduced by ion implantation and the insulating layer 103 is composed of silicon oxide and the electron emission layer 104 is composed of poly-silicon where impurities are introduced in a high concentration and the electrode layer 105 is composed of aluminum.例文帳に追加

例えば、半導体基板１０１は、単結晶シリコンから構成され、ｎ型領域１０２は、イオン注入によりリンが導入されたｎ型不純物導入領域から構成され、絶縁層１０３は酸化シリコンから構成され、電子放出層１０４は、高濃度に不純物が導入されたポリシリコンから構成され、電極層１０５は、アルミニウムから構成されたものである。 - 特許庁

The CMOS is constituted such that p-type impurity diffused electrodes 310 constituting source and drain regions of pMOSs are electrically connected to a metal wiring layer 600 through a p-type polycrystalline silicon- made leading layer 300, and n-type impurity diffused electrodes 410 constituting source and drain regions of nMOSs are electrically connected to the metal wiring layer 600 through an n-type silicon-germanium mixed crystal-made leading layer 400.例文帳に追加

ｐＭＯＳのソース、ドレイン領域を構成するｐ型不純物拡散層電極３１０と金属配線層６００とがｐ型多結晶シリコンからなる引き出し層３００を介して電気的に接続され、ｎＭＯＳのソース、ドレイン領域を構成するｎ型不純物拡散層電極４１０と金属配線層６００とがｎ型シリコン・ゲルマニウム混晶からなる引き出し層４００を介して電気的に接続されたＣＭＯＳである。 - 特許庁

To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加

短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁

After an N type LDD region is formed by implanting N type impurities into the semiconductor layer using the first and second gate electrodes as masks (step S6), the N type LDD region is inverted into a P type high concentration impurity layer by implanting P type impurities into the region for forming the P type TFT using the first and second gate electrodes as masks (step S7).例文帳に追加

そして、第１のゲート電極と第２のゲート電極とをマスクにして半導体層にＮ型不純物を注入してＮ型ＬＤＤ領域を形成した後に（ステップＳ６）、Ｐ型ＴＦＴを形成すべき領域に第１のゲート電極と第２のゲート電極とをマスクにしてＰ型不純物を注入し、Ｎ型ＬＤＤ領域をＰ型高濃度不純物層に反転する（ステップＳ７）。 - 特許庁

A packaging material for the insecticide for clothes used for packaging the insecticide for clothes containing the insect proof component comprises an olefinic resin layer and a gas barrier layer formed adjoined to the olefinic resin layer and has a peel strength between the olefinic resin layer and the gas barrier layer in a range of 0.1-3 N/15 mm width.例文帳に追加

防虫成分を含む衣料用防虫剤を包装する衣料用防虫剤用包装材料であって、該衣料用防虫剤用包装材料が、オレフィン系樹脂層と該オレフィン系樹脂層に隣接されてなるガスバリア層とを有し、オレフィン系樹脂層とガスバリア層との剥離強度が０．１〜３Ｎ／１５ｍｍ幅である衣料用防虫剤用包装材料。 - 特許庁

This lid materials comprises a substrate layer 2 formed of low thermal expansion metal, an intermediate metal layer 3 laminated on one surface of the substrate layer 2, and formed of low yield strength metal having a yield strength of 110 N/mm^2 or less, and a brazing material layer 4 laminated on the intermediate metal layer 3 and formed of a silver brazing alloy containing silver as a main component.例文帳に追加

本発明の蓋材は、低熱膨張金属によって形成された基材層２と、この基材層２の一方の表面に積層され、耐力が１１０Ｎ／mm^2 以下の低耐力金属によって形成された中間金属層３と、この中間金属層３に積層され、銀を主成分とする銀ろう合金によって形成されたろう材層４とを備える。 - 特許庁

Al is contained in at least one recording layer of the recording layers containing Pd, O, M, in the recording layer containing Al in the case the recording layer is nth recording layer from the opposite side of the incident side of light for recording, the content of Al to the sum of the contents of Pd and M is more than the content of Al in n-1th recording layer.例文帳に追加

Ｐｄ、Ｏ、Ｍを含む記録層のうち、少なくとも１以上の記録層にＡｌが含まれ、Ａｌを含む記録層については、この記録層が記録用光の入射側とは反対側から数えてｎ番目の記録層である場合、そのＰｄ及びＭの含有量の総和に対するＡｌの含有量が、ｎ-１番目の記録層におけるＡｌの含有量以上とされる。 - 特許庁

In an electrostatic charging member that a core bar, a foamed elastic body layer on the core bar periphery, and an functional multiple layer tube obtained by simultaneously forming the functional layer of plural layers are coated on the foamed elastic body layer periphery, the close contact force between the respective layers of the functional plural layer tubes is ≥200 N/m.例文帳に追加

芯金と、該芯金外周上の発泡弾性体層と、複数層の機能性膜を同時成形して得られた機能性複層チューブが該発泡弾性体層外周に被覆されている帯電部材において、該機能性複層チューブの各層間の密着力が２００Ｎ／ｍ以上であることを特徴とする帯電部材、その帯電部材を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置。 - 特許庁

The double-layer cleansing cosmetic product is composed of two layers comprising a liquid water layer containing benzalkonium chloride or N-coconut oil fatty acid acyl-L-arginine ethyl-DL-pyrrolidonecarboxylic acid salt and a liquid oil layer, wherein the water layer contains an amphoteric surfactant and a polyhydric alcohol and the oil layer contains a liquid oil agent.例文帳に追加

塩化ベンザルコニウム又はＮ−ヤシ油脂肪酸アシル−Ｌ−アルギニンエチル・ＤＬ−ピロリドンカルボン酸塩を含有する液状水層と、液状油層の二層からなる二層式クレンジング化粧料であって、前記水層には両性界面活性剤および多価アルコールを含有し、且つ、前記油層には液状油剤を含有することを特徴とする二層式クレンジング化粧料とする。 - 特許庁

The adhesive sheet comprises an adhesive layer (A) and an adhesive layer (B) which are laminated directly or through other layers, wherein an initial adhesion force to a soda glass plate of the adhesive layer (A) is at least 10 N/25 mm, and an adhesion force after 24 hours to a soda glass plate of the adhesive layer (B) is smaller than that of the adhesive layer (A).例文帳に追加

粘着剤層（Ａ）と粘着剤層（Ｂ）が、直接もしくは他の層を介して積層された粘着シートであって、前記粘着剤層（Ａ）のソーダガラス板に対する初期密着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以上で、かつ前記粘着剤層（Ｂ）のソーダガラス板に対する２４時間後の密着力が前記粘着剤層（Ａ）より小さいことを特徴とする、粘着シート。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element comprises the steps of dry etching a group III-V nitride-based semiconductor layer 10 of a laminated structure of an n type semiconductor layer 3, a luminous layer 4, and a p type semiconductor layer 5 at a relatively low first rate, and thereafter etching the group III-V nitride-based semiconductor layer 10 at a final rate faster than the first rate.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法では、ｎ型半導体層３と、発光層４と、ｐ型半導体層５の積層構造からなるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０を相対的に遅い第１速度でドライエッチングした後に、最終的に第１速度よりも速い第２速度でＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０をエッチングする。 - 特許庁

The transparent barrier film has the barrier layer made by successively laminating at least two layers of silicon oxide film from first layer to n-th layer on one surface or both surfaces of a plastic substrate, wherein a film density of the silicon oxide film of the first layer is higher as compared to the film density of the silicon oxide film other than the first layer.例文帳に追加

本発明の透明バリアフィルムは、プラスチック基材の片面または両面に、少なくとも２層以上の酸化珪素膜を第１層から第ｎ層まで順次積層してなるバリア層を有する透明バリアフィルムであって、前記第１層目の酸化珪素膜の膜密度が、第１層目以外の酸化珪素膜の膜密度に比べて高密度であることを特徴とする。 - 特許庁

Recessed alignment marks are formed for making the position of an n-type buried region accurately identifiable on the p-type silicon substrate of a semiconductor device after an n-type epitaxial layer is grown on the substrate.例文帳に追加

ｎ型埋め込み領域７ａ〜７ｃを形成した部分のｐ型シリコン基板５の上面を熱酸化してシリコン酸化膜１７ａ〜１７ｃをそれぞれ形成した後、シリコン酸化膜１７ａ〜１７ｃを除去して凹部１８ａ〜１８ｃ（深さｄ１）を形成する。 - 特許庁

A GaN semiconductor layer 2 is formed on one main surface of a sapphire board 1, and a p-side electrode 3 and an n-side electrode 4 are formed thereon to form a laser chip, wherein the p-side electrode 3 and the n-side electrode 4 are bonded on a sub-mount 5.例文帳に追加

サファイア基板１の一方の主面上にＧａＮ系半導体層２を形成し、その上にｐ側電極３およびｎ側電極４を形成したレーザチップのｐ側電極３およびｎ側電極４側をサブマウント５上に接着する。 - 特許庁

The atmosphere to come into contact with a blue light-emitting phosphor constituting a phosphor particle layer 3 contains argon (Ar) and neon (Ne), and when the mole fraction of argon (Ar) is made A, and the mole fraction of neon is made N, the atmosphere is made that A/(A+N)≥0.04 is obtained.例文帳に追加

蛍光体粒子層３を構成する青色発光蛍光体に接する雰囲気を、アルゴン（Ａｒ）とネオン（Ｎｅ）とを含み、かつ、アルゴン（Ａｒ）のモル分率をＡとし、ネオンのモル分率をＮとすると、Ａ／（Ａ＋Ｎ）≧０．０４となる雰囲気とする。 - 特許庁

The channel length direction size of the epitaxial layer, where the channel region of the second n channel type MOS transistor is formed, is smaller than the channel lengthwise direction size of the element region A1, where the first n channel MOS transistor channel region is formed.例文帳に追加

第２のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域が形成されているエピタキシャル層のチャネル長方向サイズは、第１のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域が形成されている素子領域Ａ１のチャネル長方向サイズよりも小さい。 - 特許庁

Consequently, a thyristor comprising a p^+ diffusion PD1 as the anode of the diode, the n-well NW1, a p well PW1, and an n^+ diffusion layer ND2 as the source of a transistor NMOS operates, to discharge the electrostatic surge to the ground terminal GND.例文帳に追加

この結果、ダイオードのアノードであるＰ^＋拡散層ＰＤ１、ＮウェルＮＷ１、ＰウェルＰＷ１及びトランジスタＮＭＯＳのソースであるＮ^＋拡散層ＮＤ２で構成されるサイリスタが動作し、静電サージは接地端子ＧＮＤへ逃がされる。 - 特許庁

The semiconductor laser has a waveguide structure by which oscillation in lateral mode and in multimode can be performed and has an absorption layer for increasing the loss in modes other than the (n) order mode (n≥1) or a refraction grating for selectively reducing the gain which is formed in a specified position of a resonator.例文帳に追加

横モードで多モードでの発振が可能な導波路構造を有し、その内ｎ次モード（ｎ≧１）以外のモードでの損失を大きくする吸収層又は選択的に利得を減ずる回折格子を共振器の特定位置に形成する。 - 特許庁

To provide a method for reducing the lattice defects on an n-type nitride semiconductor layer and growing an n-type nitride semiconductor at the time of growing it on the surface of a substrate for which lattice coherence is not obtained by a vapor growth method such as MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供する。 - 特許庁

The electrode interconnection 49 is extended into a first contact hole 50a formed on an n^+-type region 42, where signal charge is stored, and connected to the n^+-type region 42 through a metal layer 51 embedded in the first contact hole 50a.例文帳に追加

電極配線４９は、信号電荷を蓄積するｎ^＋型領域４２上に形成された第１コンタクト孔５０ａ内へ延在するとともに、第１コンタクト孔５０ａに埋入されたメタル層５１を介してｎ^＋型領域４２に接続されている。 - 特許庁

The first thin film transistor 3 is provided with the p-type organic semiconductor layer (working as a p-channel) 33, and the second thin film transistor 4 is provided with the n-type thin film transistor 45 (working as an n-channel).例文帳に追加

回路基板１は、第１の薄膜トランジスタ３が、ｐ型有機半導体層（ｐチャネルとして動作する有機半導体層）３３を備え、第２の薄膜トランジスタ４が、ｎ型有機半導体層（ｎチャネルとして動作する有機半導体層）４５を備える。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a vertical structure in which an N^+-type source region 15 and an N^--type drift region 13 are arranged spaced apart from each other across a P-type body region 12 in a vertical direction perpendicular to a surface 9 (main surface) of an epitaxial layer 8.例文帳に追加

半導体装置１は、Ｎ^＋型ソース領域１５とＮ^−型ドリフト領域１３とがエピタキシャル層８の表面９（主面）に垂直な縦方向にＰ型ボディ領域１２を介して離間して配置された、縦型構造を有する。 - 特許庁

A plurality of p-type semiconductor layers are formed on the second region of the n-type semiconductor layer to form a mesa structure that the corners of at least a pair of diagonal directions are rounded at the inside, and curved inward to form a first basin.例文帳に追加

上記n型半導体層の第2領域上には複数のp型半導体層が形成されメサ構造を夫々成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入し第1盆地を形成する。 - 特許庁