「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

A strong electric field drift layer 6 made of an oxidized porous polycrystalline silicon layer is deposited on the main surface of a conductive n-type silicon substrate 1, having a surface electrode 7 formed thereon.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化された多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、該強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

As a consequence, an n-type impurity is not implanted into the part of the p-type silicon layer 3 positioned between the bottom face of an element-isolation insulation film 5 and the upper face of a box layer 2, and therefore it is possible to avoid the reduction of the isolation withstand voltage.例文帳に追加

従って、素子分離絶縁膜５の底面とＢＯＸ層２の上面との間に位置している部分のｐ型のシリコン層３内に、ｎ型の不純物が注入されないため、分離耐圧が低下することを回避できる。 - 特許庁

In the semiconductor device, while the contact width in a P+ type body layer 6 of a sense cell Se is C1 identical to that of a main cell Ma, the contact width C2 in an N+ type source layer 7 is smaller than the contact width C1 of the main cell Ma (C2<C1).例文帳に追加

センスセルＳｅのＰ＋型ボディ層６におけるコンタクト幅はメインセルＭａと同じＣ１であるが、Ｎ＋型ソース層７におけるコンタクト幅Ｃ２が、メインセルＭａのコンタクト幅Ｃ１よりも狭くなっている（Ｃ２＜Ｃ１）。 - 特許庁

When the film thickness of the light-transmissive material layer is T (nm), the wavelength of incident light is λ (nm) and the refractive index of the light-transmissive material layer is (n), the film thickness T satisfies the relation T<λ/(2n).例文帳に追加

前記透光材料層の膜厚をＴ（nm）、入射する光の波長をλ（nm）、前記透光材料層の屈折率をｎとするとき、前記膜厚（Ｔ）が、Ｔ＜λ／(2ｎ)の関係式を満足する偏光子を提供する。 - 特許庁

This pneumatic tire includes the belt reinforcing layer 8 of spirally winding an organic fiber cord of setting tensile strength less than 400 N and setting an elastic modulus to 70 GPa or less, in the tire peripheral direction on the outer peripheral side of a belt layer 7.例文帳に追加

ベルト層７の外周側に引っ張り強度を４００Ｎ未満、弾性率を７０ＧＰａ以下にした有機繊維コードをタイヤ周方向に螺旋状に巻回したベルト補強層８を配設した空気入りタイヤである。 - 特許庁

An n-type single crystal semiconductor layer is formed on the intrinsic base area 9 within the opening 101, and a p-type outer base area 14 is formed on the outer peripheral part by introducing a p-type impurity from a BSG layer 13.例文帳に追加

開口１０１の内部で真性ベース領域９の上にｎ型の単結晶半導体層を形成し、その外周部にＢＳＧ層１３からｐ型不純物を導入してｐ型の外部ベース領域１４を形成する。 - 特許庁

The photo-detector 15 has a p-type first impurity region (surface inversion layer) 6 formed on the semiconductor substrate 1 and an n-type second impurity region (photoelectric conversion region) 4 formed under the surface inversion layer 6.例文帳に追加

受光部１５は、半導体基板１に形成されたｐ型の第１不純物領域（表面反転層）６と、表面反転層６の下に形成されたｎ型の第２不純物領域（光電変換領域）４とを有している。 - 特許庁

This radiation detector 1 comprises a scintillator 2 formed of a first scintillator crystal layer (m) and a second scintillator crystal layer (n), and a PMT group 3 that is disposed on the lower surface of the scintillator 2 and detects fluorescence emitted from the scintillator 2.例文帳に追加

本発明に係る放射線検出器１は、第１シンチレータ結晶層ｍと第２シンチレータ結晶層ｎからなるシンチレータ２と、シンチレータ２の下面に設けられ、シンチレータ２から発する蛍光を検知するＰＭＴ群３を備える。 - 特許庁

A second groove 111 so deep as to reach the auxiliary electrode 109 is formed on a surface opposite from the active layer 105 side of the n-type layer 106 in a region facing a part of the auxiliary electrode 109.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６の活性層１０５側とは反対側の表面であって、補助電極１０９の一部と対向する領域に、その補助電極１０９に達する深さの第２の溝１１１が形成されている。 - 特許庁

A gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11, and a gate electrode 14 of polycide structure including a silicide layer 19 is formed on the gate insulation film 13.例文帳に追加

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上にシリサイド層１９を含むポリサイド構造のゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

On a semiconductor photodetector 1 composed by laminating an n-type semiconductor layer 14 and the optical absorption layer 11 in the order, a surface light-emitting semiconductor laser 2 is provided with a semiconductor laminated structure 20 including a light emitting region 23A.例文帳に追加

ｎ型半導体層１４および光吸収層１１をこの順に積層してなる半導体光検出器１の上に、発光領域２３Ａを含む半導体積層構造２０を有する面発光型半導体レーザ２を備える。 - 特許庁

Since inert C ion species enter voids of carbon site to eliminate the voids, diffusion of B is suppressed and a stepwise junction of the deep base layer 30 and the n- epi layer 2 is formed.例文帳に追加

このように、Ｃを注入することにより、炭素サイトの空孔に不活性なイオン種が入り込み、空孔を無くすことができるため、Ｂの拡散が抑制され、ディープベース層３０とｎ^- 型エピ層２との接合部が階段型接合となる。 - 特許庁

A photodiode 12 is formed on a P-type silicon substrate 11 with an N-type epitaxial layer 14 as its cathode zone and a P-layer 30 formed thereon as its anode zone through a process same as that of an npn transistor 12.例文帳に追加

シリコンのＰ型基板11の上に形成されたフォトダイオード12は、Ｎ型エピタキシャル層14をカソード領域、その上に形成されたＰ層30をアノード領域として、ＮＰＮトランジスタ13と同じプロセスでＰ型基板11上に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device which is excellent in preventing short-circuiting from occurring between the electrodes and between the n-type compound semiconductor layer and p-type compound semiconductor layer of a light emitting element when the light emitting element and a support are connected together in a flip chip manner.例文帳に追加

発光素子と支持体をフリップチップ接続する際に、発光素子の両電極及びｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層の短絡を防止するのに優れた半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

An IGBT is structured in a main cell part MC so that a p^+-type body layer 5 is terminated in an n^+-type emitter region 4, and the IGBT is structured in a sense cell part SC so that p^+-type body layer 5 is terminated in a channel region.例文帳に追加

メインセル部ＭＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がｎ^+型エミッタ領域４内で終端する構造とされ、センスセル部ＳＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がチャネル領域内で終端する構造とされるようにする。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor layer of compounds of group III-V by which the composition ratio of N in the semiconductor layer of compounds of group III-V can be uniformized in the direction of its thickness, and to provide a method for manufacturing a semiconductor light element.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層中のＮ組成比を、層厚方向において均一化することができるIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法及び半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light-emitting composition containing a fluorescent material is characterized in that at least one part of the surface of the fluorescent material 22 is covered with a protective layer and the protective layer has a first protective film 23 containing nitrogen (N) or fluorine (F).例文帳に追加

蛍光体を含む発光性組成物であって、蛍光体２２の表面の少なくとも一部が、保護層によって覆われ、保護層が窒素（Ｎ）またはフッ素（Ｆ）を含む第１保護膜２３を有する発光組成物である。 - 特許庁

On an n-type or p-type epitaxial layer for which an element region side face is separated by a dielectric by a trench type dielectric separation layer, a semiconductor element such as a horizontal type MOSFET or a vertical type bipolar transistor or a vertical type diode is formed.例文帳に追加

トレンチ型誘電体分離層により素子領域側面が誘電体で分離されたｎ型又はｐ型のエピタキシャル層に、横型のＭＯＳＦＥＴあるいは縦型バイポーラトランジスタ、縦型のダイオード等の半導体素子を形成する。 - 特許庁

Then, the gap between the recording layer 3 of a recording medium 1 and the light-emitting surface 12c is set to be equal to or smaller than the fourth of the wavelength of the light and the recording layer 3 is irradiated with the oozed-out proximity field light N to form a recorded pit 3a.例文帳に追加

記録媒体１の記録層３と出射面１２ｃとのギャップは光の波長の１／４以下に設定されており、染み出した近接場光Ｎが記録層３を照射し、記録ピット３ａを形成する。 - 特許庁

Then p-type areas 7 to be channels, n^+-type areas 8 to be sources and body p-type areas 9 are formed on the surface layer of the semiconductor substrate 3 and an inter-layer insulating film 10, a metallic film 11 to be a source electrode, and so on are formed.例文帳に追加

その後、半導体基板３の表層にチャネルとなるＰ型領域７、ソースとなるＮ^＋型領域８、ボディＰ型領域９を形成し、さらに層間絶縁膜１０、ソース電極となる金属膜１１等を形成する。 - 特許庁

The varibale capacitance element VAR is provided with an N^+ type layer 56 containing a variable capacitance region 56a, P^+ type layers 61 epitaxially grown on the layer 56 and composed of SiGe and Si films, and P-type electrodes 62.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲは、可変容量領域５６ａを含むＮ^+ 層５６と、Ｎ^+ 層５６の上にエピタキシャル成長により形成されたＳｉＧｅ膜及びＳｉ膜からなるＰ^+ 層６１と、Ｐ型電極６２とを備えている。 - 特許庁

An electrically floating p float body 9 is formed, separated by a distance w from the side of a channel p well 6, so that it is possible to form a depletion layer in the vicinity of a boundary between the p float body 9 and an n-layer 4.例文帳に追加

チャネルｐウェル６の側方から距離ｗを隔てて電気的に浮遊な状態のｐフロートボディ９が形成されているため、ｐフロートボディ９とｎ−層４との境界近傍に空乏層を形成することができる。 - 特許庁

Further, the P^---type impurity layer 12 is so formed as to be joined with an N^--type impurity layer 2 and has a concentration profile such that the density of P-type impurities (the amount of included impurities) becomes larger with the distance from the junction part.例文帳に追加

また、Ｐ^−−型不純物層１２は、Ｎ^−型不純物層２と接合するように、かつ接合部から離れるほどＰ型不純物の濃度（含まれる不純物の量）が大きくなる濃度プロファイルとなるように、形成する。 - 特許庁

In an n-type lower clad layer 4, thin buffer layers 5 of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) are formed, and in a p-type upper clad layer 7, thin buffer layers 8 of Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are formed.例文帳に追加

ｎ型下部クラッド層４中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層５が形成され、ｐ型上部クラッド層７中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層８が形成されている。 - 特許庁

Since layers (first insulation layer 132 and second insulation layer 152) consisting of an insulation material, i.e.例文帳に追加

本発明に係る薄膜太陽電池１０では、n型a-Si領域１３１とp型a-Si領域１５１とが、μc-Si層１４を挟んで互いに重なり合わないように、各層に平行な平面において所定の距離をおいて配置される構造を有している。 - 特許庁

The coating film for the drawn can is constituted by forming a water dispersible type polymeric urethane resin coating layer on one side of a polyester film, and the adhesion strength of the resin coating layer and the metal sheet is 18 N/15 mm or above.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの片面に水分散型高分子ウレタン樹脂塗布層を形成してなる絞りしごき缶被覆用フィルムであって、該樹脂塗布層と金属板との密着強度が１８Ｎ／１５ｍｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist lower layer film material for a three-layer resist process having an optimal n-value and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching conditions and excellent embedding characteristics on a stepped substrate.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性と段差基板上での埋めこみ特性にも優れている、３層レジストプロセス用レジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element where not only there is a small possibility of causing defects of a p-type semiconductor layer which are resulted from dopant used when forming an n-type semiconductor layer but also high output is obtained.例文帳に追加

ｎ型半導体層を形成する際に用いたドーパントに起因するｐ型半導体層の不良が生じにくく、しかも、高い出力の得られる半導体素子を製造できる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This lightweight unburned tile is obtained by integrally molding a cement-based base layer part including a lightweight aggregate, and a cement- based surface layer part comprising a pozzolanic material, a fine fibrous material and/or a fine flaky material, and having ≥100 N/mm2 compressive strength.例文帳に追加

軽量骨材を含むセメント質基層部と、ポゾラン質物と微細繊維状物及び/又は微細薄片状物を含み圧縮強度が１００Ｎ／ｍｍ^2以上のセメント質表層部とを一体成形することとした。 - 特許庁

In an interlayer insulating film 22, a contact plug 24b is formed so as to serve as the shared contact which connects to a silicide layer 20b on an n-type source/drain region 19b, and to the silicide layer 20d on the gate electrode wiring 14b.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜２２には、Ｎ型ソース・ドレイン領域１９ｂ上のシリサイド層２０ｂ及びゲート電極配線１４ｂ上のシリサイド層２０ｄに接続するシェアードコンタクトとなるコンタクトプラグ２４ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide an optical recording medium, wherein adhesion between a transparent resin substrate and a transparent dielectric layer is high, the C/N ratio is increased because of the transparent dielectric layer of a high refractive index, and the danger of firing or the like during film formation by a sputtering method is eliminated.例文帳に追加

透明樹脂基板と透明誘電体層との密着性が高く、高屈折率の透明誘電体層となるためＣ／Ｎ比が向上し、またスパッタリング法によって成膜する際に発火等の危険がないものとする。 - 特許庁

Gas containing N_2 or NH_3 is introduced therein after or during film formation for the SiO_2 film of the uppermost surface layer to add N at least in the SiO_2 film of the uppermost surface layer of the reflection preventing film on the surface.例文帳に追加

その際、最表層のＳｉＯ_2膜の成膜後あるいは成膜中にＮ_2あるいはＮＨ_3を含むガスを導入して、少なくとも表面の反射防止膜の最表層のＳｉＯ_2膜中にＮを含有させたことを特徴とする。 - 特許庁

The reflective layer contains Ag as a main component, and contains at least one additional element selected from Al, Au, Bi, Ca, Ce, Co, Ga, La, Mg, N, Ni, Nd, Pd, Y, W, and Zr, thereby the prevention layer is formed.例文帳に追加

防止層は、反射層の主成分をＡｇとし、Ａｌ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｐｄ、Ｙ、Ｗ、Ｚｒから選ばれる少なくとも１種類の添加元素を含有させることにより形成される。 - 特許庁

A Schottky junction region 104 is formed on a region where an anode P layer 103 is not formed at an upper portion of the N- layer 102 by injecting impurities such as platinum of a barrier height lower than that of silicon.例文帳に追加

Ｎ−層１０２上部でアノードＰ層１０３が形成されていない領域に、シリコンに比べてバリアハイト（障壁の高さ）の低い、白金等の不純物を注入することにより、ショットキー接合領域１０４が形成されている。 - 特許庁

In a photo diode 40 formation region, the first p-type semiconductor layer 12 constitutes part of an anode region, and the n-type semiconductor layer 14 constitutes a cathode region 42 and a high concentration cathode region 45.例文帳に追加

フォトダイオード４０が形成される領域において、第１のｐ型半導体層１２はアノード領域の一部分を構成し、ｎ型半導体層１４はカソード領域４２及び高濃度カソード領域４５を構成している。 - 特許庁

This semiconductor comprises (Al, Ga, In) N compound semiconductor layer grown on a substrate, and an electrode formed of at least one metal selected from a group comprising Pt, Pd and Au, or an alloy of them on the semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に成長された（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体層と、半導体層上にPt、Pd及びAuを含む群から選ばれた少なくとも一つの金属、あるいは、それらの合金で形成された電極とを含む。 - 特許庁

Thereby, the junction surface area in the bonding interface of the p^+ type bonding layer 4a and the n^+ type bonding layer 4b can be increased as compared with a flat structure like a conventional one, and carriers are made easy to pass therethrough by that amount.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型接合層４ａとｎ^+型接合層４ｂとの接合界面での接合面積を従来のような平坦構造と比較して増大させることが可能となり、その分キャリアを通過させ易くなる。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion region 7 is formed on the surface of the epitaxial layer 2 within the bottom surface of the opening 6, and then a surface electrode 10 made of a metal film in contact with the epitaxial layer 2 at the bottom of the opening 6 is formed.例文帳に追加

次いで、開口部６の底面内でエピタキシャル層２の表面にｎ型拡散領域７を形成した後、開口部６の底部でエピタキシャル層２と接触する金属膜からなる表面電極１０を形成する。 - 特許庁

An SiNx film 12a is formed on an electrode forming surface 11 except a part side surface of a first contact layer 4 and an n-side electrode 132, side surfaces of layers 5-8, an upper surface of a second clad layer 8 and the side surface of a ridge part 10.例文帳に追加

第１コンタクト層４の一部側面およびｎ側電極１３２を除く電極形成面１１、各層５〜８の側面、第２クラッド層８の上面ならびにリッジ部１０の側面にＳｉＮ_x 膜１２ａが形成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type diffusion region 17 which functions as a cathode of the photodiode PD and the source of a MOS transistor MT, and is constituted from two diffusion layers of a relatively deep first diffusion layer 15 and a relatively second shallow diffusion layer 16.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤのカソード、および、ＭＯＳトランジスタＭＴのソースとして機能するＮ型拡散領域１７を、比較的深い第１拡散層１５および比較的浅い第２拡散層１６の２つの拡散層で構成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a rapid thermally oxidized porous polysilicon layer 6 is formed on the surface side of an n-type silicon board 1 as a conductive board, and a gold thin film 7 of a metallic thin film is formed on the quick thermally oxidized porous polysilicon layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６を形成し、急速熱酸化した多孔質ポリシリコン層６上に金属薄膜たる金薄膜７を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide n channel MOS semiconductor device whose ON resistance is low and which can be manufactured easily by improving the mobility of an inverse layer therein.例文帳に追加

ＳｉＣのｎチャネルＭＯＳ半導体素子において、反転層の移動度を向上させて、オン抵抗が低く、しかも製造の容易なＭＯＳ半導体素子を提供する。 - 特許庁

The n-type impurity injected before the wafer is adhered is diffused by a heat history when the structure 44 is manufactured to form a deeper field stop layer.例文帳に追加

表面構造４４を作製する際の熱履歴によって、ウェハの貼り合わせ前に注入されたｎ型不純物が拡散し、より深いフィールドストップ層が形成される。 - 特許庁

A puzzle base paper 8, on the surface 81 of which an image accepting layer 82 suitable for a printing with water-based ink is formed, is prepared so as to be divided into respective puzzle pieces 8(n).例文帳に追加

パズル原紙８を用意し、この表面８１に水性インクによる印刷に適した受像層８２を形成し、次に、パズル原紙８を各パズル片８（ｎ）に分断する。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording medium wherein a perpendicular magnetic recording layer is formed, capable of obtaining a high S/N ratio to a signal of high recording density (a signal of a high frequency).例文帳に追加

記録密度の高い信号（周波数の高い信号）に対して高いＳ／Ｎ比が得られる垂直磁気記録層を成膜した垂直磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁