「P-So」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The offset value is controlled so that the outputted detected phase difference falls within a phase difference range from a predetermined lower limit value (P_L) to a predetermined upper limit value (P_H).例文帳に追加

出力された検出位相差が所定の下限値（Ｐ_L ）以上、上限値（Ｐ_H ）以下の位相差範囲となるように、前記オフセット値が制御される。 - 特許庁

A problem of NP is reduced to P by a fact N=P, which is indicated by the inventor for the first time, so as to enable a linear algorithm.例文帳に追加

Ｐ＝ＮＰという私によって初めて示された事実によりＮＰの問題がＰに還元され線型なアルゴリズムが可能になる。 - 特許庁

A work function difference between the end 20a and the P well 12 is smaller than that between the center 20b and the P well, so that the threshold voltage VT of the semiconductor device 10 can be set high.例文帳に追加

端部２０ａにおいて、Ｐウェル１２との仕事関数差を中央部２０ｂに比べて小さくできるので、しきい値ＶＴを高くできる。 - 特許庁

P type dopants are executed so that the peak position of the concentration of the P type dopants becomes deeper than the peak position of the concentration of the N type dopants.例文帳に追加

Ｐ型ドーパントの濃度のピーク位置がＮ型ドーパントの濃度のピーク位置よりも深くなるようにＰ型ドーパントを施す。 - 特許庁

The floor panel P is supported via the vibration-proof supporting implement 10 which is installed on a slab S so as to support the undersurface side of the floor panel P.例文帳に追加

床パネルＰは、スラブＳ上に設置されて床パネルＰの下面側を支持する防振支持具１０を介して支持されている。 - 特許庁

On the first P-well area 55a, N-type diffusion areas 53d and 53s are formed so as to sandwich parts of the first P-well area 55a.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aの上層には、第1Pウェル領域55aの一部を挟んで形成されたN型拡散領域53dおよびN型拡散領域53sを有する。 - 特許庁

A rotary valve 6 is arranged in the cylinder 2 so that it can rotate around the central axis P of the cylinder 2 and is apart from the central axis P.例文帳に追加

シリンダ２内には、シリンダ２の中心軸Ｐの回りを回転可能であり、かつ中心軸Ｐから離れた回転弁６が配置されている。 - 特許庁

The first P-type conductive regions 4, 5 and 6 and the second P-type conductive regions 7, 8 and 9 are arranged so as to pile up ends respectively in plane view.例文帳に追加

第１Ｐ型導電領域４，５，６と第２Ｐ型導電領域７，８，９とは、平面的に見てそれぞれ端部が重なり合うように配置する。 - 特許庁

Edges of the p-type semiconductor layers are exposed, so that the parasitic capacitance in the edge of the p-type semiconductor layer will not be formed.例文帳に追加

ｐ型半導体層のエッジ部が露出しているので、ｐ型半導体層のエッジ部分での寄生容量がなくなる。 - 特許庁

When a leaflet P is transferred from the delivery belts 15a to a tongue-shaped holder 14 of the leaflet tongue chain 13, the stoppers 17 are adjusted so that the leaflet P can be arranged precisely in the direction of transfer.例文帳に追加

止めベルトは、好ましくは、複数の止めを予め定められた間隔に保持し、リーフレット移送装置と同期して駆動される。 - 特許庁

The base sheet part 22 is fixed to a flange part F of an exhaust pipe P so that the holding sheet part 23 is extended horizontally along an outer circumferential surface on a lower side of the exhaust pipe P.例文帳に追加

保持板部２３が排気管Ｐの下側の外周面に沿って水平に延びるよう、基板部２２を排気管Ｐのフランジ部Ｆに固定する。 - 特許庁

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film.例文帳に追加

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。 - 特許庁

A toner image on the paper P is heated and melted by the belt 54 heated with the lamp 55 and pressed to the paper P so that the toner image is fixed on the paper P.例文帳に追加

ハロゲンランプ５５によって加熱された定着ベルト５４によって用紙Ｐ上のトナー像が加熱溶融されて用紙Ｐに押圧され、トナー像が用紙Ｐ上に定着される。 - 特許庁

By rotating the plurality of blades 5 through each corresponding path P, air for cooling is forced to be fed in each path P, so that air for cooling can be passed through each path P.例文帳に追加

複数の羽根５がそれぞれ対応する通路Ｐを通って回転することにより各通路Ｐに冷却用空気が強制的に送り込まれ、これにより、それぞれの通路Ｐに冷却用空気を流すことができる。 - 特許庁

A wafer is etched to form a trench of the p-type layer and expose the p-type layer so that hydrogen can be diffused outside the p-type layer of a semiconductor of a buried-type III group nitride compound.例文帳に追加

水素を埋込み型のIII族窒化物化合物半導体のｐ型層から外方拡散できるようにするために、ウェハはｐ型層のトレンチを形成してｐ型層を露出させるべくエッチングされる。 - 特許庁

The amorphous p-i-n thin film light emitting diode has an emission layer on the p-i interface so that emission intensity of a device is increased while lowering a required operating voltage.例文帳に追加

本発明の非晶質ｐ−ｉ−ｎ薄膜発光ダイオードの発光層はp-iの界面にあり、デバイスの発光光度を上げ、必要な操作電圧を下げる。 - 特許庁

The flow property of the powders P is accelerated by giving vibration to the powders P in the cavity C through the lower die 9, so that the powders P reliably fills every corners of the cavity C.例文帳に追加

つまり、下型９を介してキャビティＣ内の粉体Ｐに振動を与えることにより、粉体Ｐの流動性を促進し、キャビティＣの隅々まで確実に粉体Ｐを充填させる。 - 特許庁

A p-type high-density emitter region 106 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 deeper than the p-type collector region 103 so as to be adjacent with the n-type source region 105.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部に、ｎ型ソース領域１０５と隣接するようにｐ型コレクタ領域１０３よりも深くまでｐ型高濃度エミッタ領域１０６が形成されている。 - 特許庁

The p-type region 11 is formed by diffusing a p-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 and high-concentration n-type region 9 as seen from the front side.例文帳に追加

ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

The foreign matter removing roller 57 is arranged in the edge aligning guide member 54 for regulating the position of the paper P in the crossing direction with the carrying direction of the paper P so as to abut on the paper P in the paper feeding cassette body 53.例文帳に追加

異物除去ローラ５７は、給紙カセット本体５３内の用紙Ｐに当接するように、用紙Ｐの搬送方向と交差する方向の用紙Ｐの位置を規制する幅寄ガイド部材５４に設けられる。 - 特許庁

The bypass conveying mechanism 60 defines a bypass path that is connected at a position between the first and second units 41 and 51, for permitting paper P to be conveyed so as to bypass the position where the paper P is opposed to the head 2b.例文帳に追加

迂回搬送機構６０は、これら第１及び第２ユニット４１，５１間に合流され、用紙Pがヘッド２ｂと対向する位置を迂回して搬送される迂回経路を規定する。 - 特許庁

When the measured length of the recording sheet P is shorter than the set length of the recording sheet P as shown by the calculation result, the start position of printing is corrected so as to make the margin of the top end of the other surface of the recording sheet P smaller.例文帳に追加

この算出結果により、記録紙Ｐの測定長さの方が短ければ、記録紙Ｐの他側の面の先端の余白が小さくなるように印刷の開始位置を補正する。 - 特許庁

Meanwhile, when the measured length of the recording sheet P is longer than the set length of the recording sheet P, the start position of printing is corrected so as to make the margin of the top end of the other surface of the recording sheet P larger.例文帳に追加

一方、記録紙Ｐの測定長さの方が長ければ、記録紙Ｐの他側の面の先端の余白が大きくなるように印刷の開始位置を補正する。 - 特許庁

A plurality of p-type wells 103 are provided at the outside of the p-type annular well 181, and an n-type well 101 is provided so as to surround respective outside surfaces of the p-type wells 103.例文帳に追加

Ｐ型環状ウェル１８１外側には、Ｐ型ウェル１０３が複数設けられており、Ｐ型ウェル１０３の各々の外部の側面を囲むようにＮ型ウェル１０１が設けられている。 - 特許庁

The development processing liquid L which is kept stirred at all times comes into contact with the front end of the photosensitive material P when the photosensitive material P advances into the development processing liquid L and, therefore, the so-called front end unevenness of the photosensitive material P is eliminated.例文帳に追加

感光材料Ｐが現像処理液Ｌに進入するときに、常に攪拌された状態の現像処理液Ｌが感光材料Ｐの先端部に接するので感光材料Ｐのいわゆる先端ムラが解消される。 - 特許庁

A suction head is moved above a mark P (xj, yk) which indicates a target mounting position at which a part should be mounted, and the mark P is detected so as to obtain a misregistration volume Δjk of the mark P deviating from its regular position.例文帳に追加

吸着ヘッドを部品が搭載されるべき目標搭載位置を示すマークＰ（ｘｊ、ｙｋ）上に移動させ、該マークを検出して該マークの正規位置からの位置ずれ量Δｊｋを求める。 - 特許庁

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction.例文帳に追加

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。 - 特許庁

Then, n-type TFT forming region and a pixel electrode forming region are covered by a resist film, and p-type impurities are injected to the polysilicon film 123 of the p-type TFT forming region so as to form a p-type source/drain region.例文帳に追加

次いで、ｎ型ＴＦＴ形成領域及び画素電極形成領域をレジスト膜で覆い、ｐ型ＴＦＴ形成領域のポリシリコン膜１２３にｐ型不純物を注入して、ｐ型ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Rh layers 27A are provided in a lattice pattern on a surface of a p-type GaN contact layer, so that a p-type GaN contact layer 25 and a p-side multilayer electrode 27 make ohmic contact to each other with an excellent bonding property.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層２５の表面にＲｈ層２７Ａを格子状に設けることで、ｐ型ＧａＮコンタクト層２５とのｐ側多層電極２７とがオーミック接触し、良好な接合性が得られる。 - 特許庁

The device is provided with a p-side electrode 10 formed so that it is brought into contact with the exposed upper face of a ridge part and a p-side pad electrode 11 which is formed on the p-side electrode 10 and has the large thickness of about 3 μm.例文帳に追加

リッジ部の露出された上面に接触するように形成されたｐ側電極１０と、そのｐ側電極１０上に形成された約３μｍの大きな厚みを有するｐ側パッド電極１１とを備える。 - 特許庁

When the recording body P comes into contact with the static elimination brush 110, a charge having positive polarity on the recording body P escapes to the static elimination brush 110, so that the charge on the recording body P is removed.例文帳に追加

記録体Ｐが除電ブラシ１１０と接触すると、記録体Ｐ上のプラス極性の電荷が除電ブラシ１１０へ逃げ、記録体Ｐの電荷が除電される。 - 特許庁

The N^+ layer 10 is provided at the left side end part of the element formation region 20 so as to be surrounded by the element isolation region, the P^+ source layer 9, and the P^+ source layer 11 and also provided at the bottom of the P^+ source layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋層１０は、素子分離領域、Ｐ^＋ソース層９、及びＰ^＋ソース層１１に取り囲まれるように素子形成領域２０の左側端部に設けられ、Ｐ^＋ソース層１１の底部にも設けられる。 - 特許庁

Thus, a current path Itr is formed via the recording material P so that the current flows into the photoreceptor drum 1 via the recording material P and unnecessary current doesn't flow in the area where the recording material P doesn't pass through.例文帳に追加

これにより、記録材Ｐを介して電流経路Ｉｔｒが形成され、転写時には、記録材Ｐを介して感光ドラム１に電流が流れるので、非通紙部に不要な電流が流れない。 - 特許庁

Alternatively, if p={g/(30f)} without completely synchronizing them by using the luminance variation frequency g, the luminance variation frequency G of the light source means 4 is set so as to have a relation containing {g+p≥G≥g-p} and a permissible width.例文帳に追加

あるいは、輝度変化周波数ｇを用いて互いに完全には同期させることなく、ｐ＝｛ｇ／（３０ｆ）｝とした時、光源手段４の輝度変化周波数Ｇを｛ｇ＋ｐ≧Ｇ≧ｇ−ｐ｝と許容幅を含む関係とする。 - 特許庁

Thus, even when a user tries to remove the jammed recording paper P by pulling, the recording paper P can be prevented from being torn by load of a driving system, so that the jammed recording paper P can be favorably removed.例文帳に追加

これにより、ユーザが詰まった記録紙Ｐを引っ張って取り除こうとした場合であっても、駆動系の負荷により記録紙Ｐが破れるのを防止することができるので、詰まった記録紙Ｐをより良好に取り除くことができる。 - 特許庁

To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加

所定の基板上において、ｐ型半導体層群及びｎ型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記ｐ型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁

To suppress the skew of a paper P due to the formation of a loop, and to prevent the paper P from oblique motion, in an image forming apparatus A constituted so that the loop formed at a part of the paper P is made to function as a post-exposure buffer.例文帳に追加

ペーパーＰの一部にループを形成して、露光後バッファとして機能させるようにした画像形成装置Ａにおいて、そのループの形成に起因するペーパーＰの傾きを抑制し、ペーパーＰの斜行を防止する。 - 特許庁

Besides, as to linear pressure (p) to the drum 1, original effect may not be obtained when the value of the linear pressure (p) is set extremely high or low, so that the value has to be adequately set to about 0.1<p<0.7 (g/mm).例文帳に追加

尚，感光体ドラム１への線圧ｐについては，極端に高い値や低い値に設定すると本来の効果を得られない可能性があり，０．１＜ｐ＜７．０（ｇ／ｍｍ）程度の間で適切な値に設定する必要がある。 - 特許庁

The bypass conveying mechanism 60 defines a bypass path that is connected at a position between the first and second units 41 and 51, for permitting paper P to be conveyed so as to bypass the position where the paper P is opposed to the head 2b.例文帳に追加

迂回搬送機構６０は、これら第１及び第２ユニット４１，５１間に合流され、用紙Pがヘッド２ｂと対向する位置を迂回して搬送される迂回経路を規定する。 - 特許庁

Thus, the paper P is closely stuck to the paper guide surface 31 of the platen guide plate 30 to inhibit the curling of the paper P in a printing region A, so that the plane accuracy of a surface of the paper P (horizontal surface) can be secured.例文帳に追加

これにより、印字領域Ａでは、用紙Ｐにカールが生じないように用紙Ｐをプラテンガイド板３０の用紙ガイド面３１に密着させ、用紙Ｐの表面の平面精度（水平面）を確保できる。 - 特許庁

A p-type diffusion area 17 is formed in a part of a p well area 9 in which an NMOS (N-channel Metal-Oxide Semiconductor) transistor is formed and a GND power supply wire 16 is formed on the p-type diffusion area 17 so as to be electrically connected.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタが形成されるＰウェル領域９内の一部にはＰ型拡散領域１７が形成され、Ｐ型拡散領域１７上に電気的に接続してＧＮＤ用電源配線１６が形成される。 - 特許庁

A bit-shift-add- reducing part 10 transacts several kinds of bit-shift to an output data of the bit-shift-reducing part, and processes so that an input signal is changed to be an output of (2p-1)/2p-2p-(2p-1-1)/2p by adding each of the outputs.例文帳に追加

ビットシフト加算減衰部１０はビットシフト減衰部２の出力データに対して数種類のビットシフトを行い、それぞれの出力を加算することにより入力信号を(2^p-1)/2^p〜2^p-(2^p-1-1)/2^pの出力となる処理をする。 - 特許庁

A pipe jacking guide implement 10 is used for a jacking method in which a pipeline is newly constructed in the sleeve P' while a spigot 1 of a pipe P is inserted into a socket 2 of the preceding pipe P so as to be joined to it.例文帳に追加

管Ｐの挿し口１を先行する管Ｐの受口２に挿入して継合わせつつさや管Ｐ’内に管路を新設する推進工法に使用する管推進案内具１０である。 - 特許庁

When a print face P is formed on a base material B using a soft UV ink forming a soft film, an adhesive roller A is attached to the print face P so as to remove foreign matter such as dust adhering to the print face P.例文帳に追加

柔軟な皮膜が形成される柔軟ＵＶインクにより基材Ｂに印字面Ｐが形成されると、粘着ローラＡを印字面Ｐに付着させて、印字面Ｐに付着した埃などの異物を除去する。 - 特許庁

The glass pipe 2 and the glass rod 3 are unified while setting the pressure P[kPa] to the atmosphere in the glass pipe 2 so that the pressure P satisfies following relation: -10kPa≤P<0kPa.例文帳に追加

ガラスパイプ２内の大気圧に対する圧力Ｐ［ｋＰａ］を、−１０ｋＰａ≦Ｐ＜０ｋＰａを満たすように設定して、ガラスパイプ２とガラスロッド３との一体化を行う。 - 特許庁