「PLATING PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a first plating process is conducted, and an intermediate copper plated layer 21 is formed on the region excluding the part covered by the masks 20 as shown in (c).例文帳に追加

次いで、第１のめっき工程を実行し、導体パターン１２の表面に、マスク２０で覆われた部分を除いて中間銅めっき層２１を形成する（ｃ）。 - 特許庁

Since both the plating resist films 11, 13 are exfoliated simultaneously, the manufacturing process number can be reduced as compared with a case that individual exfoliation is performed.例文帳に追加

このように、両メッキレジスト膜１１、１３を同時に剥離しているので、別々に剥離する場合と比較して、製造工程数を少なくすることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of molded goods for plating, which affords molded goods exhibiting excellent adhesion to a plated layer, even though they are formed by the injection molding.例文帳に追加

射出成形法で成形しながらもメッキの密着性に優れたメッキ用成形品を得ることができるメッキ用成形品の製造方法を提供する。 - 特許庁

Using a DC plating process having high productivity, the magnetic film 13 is deposited and grown, and the abnormal deposition 14 which frequently occurs is removed.例文帳に追加

生産性の高いＤＣめっき法を用いて磁性膜１３を析出、成長させて、このときに、生ずることがある異常析出１４を除去する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board manufacturing method having an electroless copper plating process capable of preventing generation of voids in a wall surface of a through hole by modifying the surface of filler substance.例文帳に追加

フィラー物質の表面を改質し、スルーホール壁面にボイドが生じない無電解銅メッキプロセスを持つプリント基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since the projections 105 and a supporting base 106 therefor are integrally molded by a continuous plating process, the fine projections 105 are hard to fall out from the supporting base 106.例文帳に追加

突起１０５とその支持基台１０６とを連続したメッキプロセスで一体成型するので微細な突起１０５は支持基台１０６から抜け落ち難い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for at least reducing a level difference at a conductive surface formed in a copper plating process.例文帳に追加

銅のめっき工程で形成される導電層表面の高低差を少なくとも低減する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a threaded electro plated tool for performing a tooth shape process for a gear with high accuracy even when the plating layers on both ends of a threaded part become thicker than a center part.例文帳に追加

ネジ状部の両端部で中央部よりめっき層が厚くなっても、高い精度で歯車の歯形加工が可能なネジ状電着工具を提供する。 - 特許庁

The resin film with a metallic layer can be obtained by making the conductive substance absorbing resin layer adsorb the metal and applying a plating process to the conductive substance adsorbing resin layer.例文帳に追加

この導電性物質吸着性樹脂層に金属を吸着させ、めっき処理を行うことで金属層付き樹脂フイルムを得ることができる。 - 特許庁

Next, the metal test piece 2 in which the plating layer 3 is formed is embedded in resin 4 to obtain a metal test piece 2 in a resin embedding and grinding process.例文帳に追加

次いで、メッキ層３を形成した金属試験片２を樹脂埋め込み・研磨工程により樹脂４に埋め込んだ金属試験片３をうる。 - 特許庁

A first metal layer 3 of positive electrification is then deposited through a plating process on the nano surfactant 2, which is thin in thickness and easily forms a joint with ceramics.例文帳に追加

次に、めっき工程を通じてナノ界面活性剤２上に厚さが薄く、セラミックと接合させやすい正帯電の第１の金属層３を析出させる。 - 特許庁

To provide a method for forming a nickel bump usable as a contact probe requiring fining and the narrowing of pitches using a wet type plating process.例文帳に追加

微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。 - 特許庁

An electrode 7 is formed by electroless plating wet process on the surface in a groove 5 formed on a laminated substrate 4 comprising piezoelectric members 2, 3 attached with each other.例文帳に追加

圧電部材２，３を張り合わせた積層基板４に形成されている溝５内の表面には電極７をウエットプロセスの無貫解メッキ法により形成する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a wiring circuit board for obtaining wiring patterns of uniform thickness without process of film resist (DFR) even if plating thickness fluctuates.例文帳に追加

めっき厚にバラツキがあっても、フィルムレジスト（ＤＦＲ）を加工することなく、均一な厚さの配線パターンを得ることのできる配線基板の製造方法を得る。 - 特許庁

In a following second plating process, copper electroplating is carried out to form a head part 224 of the coupling post 222 outside the molding hole 34.例文帳に追加

その後の第２のめっき工程では、電気銅めっきを施すことにより、成型孔３４の外側に結合用ポスト２２２の頭部２２４を形成する。 - 特許庁

Masks 11 are formed on the thin plated layers 7, and thick plated layers 8 are formed at the parts exposed from the openings by a second plating process.例文帳に追加

第２のめっき工程にて、薄付けめっき層７上にマスク１１を形成し、その開口部１２から露出する箇所に厚付けめっき層８を形成する。 - 特許庁

To provide a wiring substrate which does not include unfilled portion in a through-hole conductor formed by filling a through-hole with metal plating process and has higher connection reliability.例文帳に追加

貫通孔を金属めっきによって充填して成る貫通孔導体に未充填部分がなく、高い接続信頼性を有する配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a structure where a columnar structure can be easily formed on a large area using a substitution plating process at low cost.例文帳に追加

置換めっき法を用いて、低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができる構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A terminal base body in which a first material to be plated and a second material not to be plated are two-color molded is subjected to the plating process.例文帳に追加

メッキが付着する第１の材料と、メッキが付着しない第２の材料とが２色成型された端子基体にメッキ加工が施されてなる。 - 特許庁

To provide a method for plastic pre-treatment without exhausting an environmental pollutant and capable of treating by a simple process, and provide a method for plating the plastic.例文帳に追加

環境汚染物質を排出することなく、簡単な工程で処理可能なプラスチックの前処理方法、及びプラスチックのメッキ方法を提供する。 - 特許庁

The substrate is then treated with a conductive film, subjected to the final thick electroforming process (secondary plating 15) on all over the face (Figure 5 (C)), and separated from the glass master 17.例文帳に追加

しかる後に、導電皮膜処理を行い、最終の厚づけ電鋳処理（２次メッキ１５）を全面に施し（図５（Ｃ））、ガラス原盤１７から分離する。 - 特許庁

To provide an electroless plating process for forming a barrier film such as cobalt-tungsten-boron film on copper interconnecting line in a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハにおける銅相互接続線上にコバルト−タングステン−ホウ素膜のような障壁膜を形成するための無電解めっき処理方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor process uses a plating bath of morpholine borane which provides higher thermal stability and range, allowing for greater compatibility with low k dielectric material.例文帳に追加

ｌｏｗ ｋ絶縁物質とのより優れた適合を可能にする、高い熱的安定度及び範囲を備えたモルホリンボランめっき浴を使用する。 - 特許庁

A glass master disk having information recording grooves and treated with a conductive film is subjected to an electroforming process (primary plating 11) to specified thickness on all over the surface (Figure 5 (A)).例文帳に追加

情報記録溝を有する導電皮膜処理済みガラス原盤１７に、全面にわたり所定の厚さだけ電鋳処理（１次メッキ１１）を施す（図５（Ａ））。 - 特許庁

To provide a method of forming a wiring by which a wiring can be formed by a simple manufacturing process and at low cost by using an electroless plating method.例文帳に追加

無電解めっき法を用いることにより、簡易な製造工程で且つ低コストで配線を形成できる配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for ion plating whereby the evaporation surface of a vapor deposition material is almost uniformly decreased in a film formation process.例文帳に追加

蒸着材料の蒸発面を成膜過程において略均一に減少させることができるイオンプレーティング方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

A conductor plug is formed after high temperature heat treatment in oxidizing atmosphere of the ferroelectric film, and the multilayer wiring structure is formed by a plating process.例文帳に追加

導体プラグの形成を強誘電体膜の酸化雰囲気中での高温熱処理の後に行い、多層配線構造を、めっき工程により行う。 - 特許庁

To provide a formation method for wiring wherein a wiring formation time is shortened by shortening a CMP process using an electroless plating method.例文帳に追加

無電解めっき法を用いてＣＭＰ工程を短時間化することにより配線形成時間を短縮できる配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

The pretreatment method for electroless plating is comprised of a process making the surface of a plastic formed product 3 coarse by using an aqueous solution of a hydrogen carbonic acid compound and ozone.例文帳に追加

無電解めっきの前処理方法は、炭酸水素化合物水溶液とオゾンとを用いてプラスチック成形品３の表面を粗化処理する。 - 特許庁

To easily form a high-hardness metallic layer on a desired part without performing a plating process when a core of an electromagnetic fuel injection valve is manufactured.例文帳に追加

電磁式燃料噴射弁のコアを製造する際，メッキ工程を行わずとも，所望部位に高硬度の金属層を容易に形成し得るようにする。 - 特許庁

A resin molded article using the composition can be plated in an ordinary metal plating treatment process used for ABS resins and the like.例文帳に追加

この組成物を用いた樹脂成型品は、例えばＡＢＳ樹脂などに用いられる通常の金属メッキ処理工程を用いることによりメッキが可能となる。 - 特許庁

The hydrophobic particulates and large surface area electrically conductive particulates are desirably fixed so as to be dispersed over the surface of the electrode base material by a composite plating process.例文帳に追加

疎水性微粒子および大表面積導電性微粒子は、複合めっき法により電極基材の表面に分散して固定するのが望ましい。 - 特許庁

To provide a method for producing a two layer circuit board by a plating process in a type where both sides have electrically conductive layers in which rugged defects are reduced in the plated surfaces.例文帳に追加

めっき表面に凹凸欠陥が少ない両面に導電層を有するタイプのめっき法２層回路基材の製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, a manufacturing process of plating is used, first, the ceramic substrate 1 is washed, and a surface of the ceramic substrate 1 is subjected to roughening treatment by micro etching.例文帳に追加

従って、めっきの製造工程を利用し、先ず、セラミック基板１を洗浄し、マイクロエッチングにより、セラミック基板１の表面に粗面化処理を行う。 - 特許庁

Further, as a manufacturing method suitable for manufacturing this screen printing plate 20, the manufacturing method for completing a metal mask screen plate 4 consists of two stages of a plating treatment process or a first plating layer of the formation of some part of the metal plate 2 and the mesh 4 and a second plating layer or the lamination of the metal plate 2.例文帳に追加

および、本発明のスクリーン印刷版２０を製造するのに適した製造方法であって、２段階のメッキ処理の工程により１層目のメッキ層で金属板２の１部およびメッシュ４を形成し、２層目のメッキ層で金属板２を積層して完成させるメタルマスクスクリーン版の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method and a device for plating a substrate where, in a process of closely and uniformly plating fine cavities such as fine grooves for wiring formed on a substrate with copper, a copper alloy or the like, the abnormal rising phenomenon (over plate) of a plating film as the harmful effect of bottom up film deposition (preferential growth from trench or via bottoms) can be suppressed.例文帳に追加

基板に形成された微細な配線用の溝等の微細窪みに銅または銅合金等を隙間なく均一にめっきするプロセスにおける、ボトムアップ成膜（トレンチやビア底からの優先成長）の弊害である、めっき膜の異常盛り上がり現象（オーバープレート）を抑える基板のめっき方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a hot dip galvanized steel which has high corrosion resistance and has excellent plating adhesion upon working by optimizing the structure of a plating layer in a two step plating process where the surface of a steel is subjected to hot dip galvanizing, and is thereafter subjected to hot dip Zn-Al-Mg alloy coating, and to provide a method for producing the hot dip galvanized steel.例文帳に追加

鋼材表面に溶融亜鉛めっきを施した後、溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ合金めっきを行う２段めっき方法において、めっき層の構造を最適化することにより、高耐食性を有し、加工時のめっき密着性に優れた溶融亜鉛めっき鋼材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this structure, in view of forming the ultra-fine line circuit layer with an electrolytic plating process without use of the etching means, a carrier body and a metal shielding layer required to form the ultra-fine line circuit layer are removed during the manufacturing process or at the ending time of manufacturing process.例文帳に追加

本発明中では、電解メッキによりエッチング手段を用いず上記超細線回路層を形成するため、製造工程中、或いは終了時には、該超細線回路層を形成するために必要なキャリア体、金属阻隔層を除去する。 - 特許庁

To provide a masking adhesive tape which simultaneously satisfies a masking property in a treating process for applying a treatment such as a plating treatment to lead frames and the metal plates of the lead frames and a removing property (paste-leaving property) of a masking tape-peeling process after the treating process.例文帳に追加

リードフレームおよびリードフレームの金属板に対して、メッキ等の処理を行う際の処理工程におけるマスキング性と、この工程後のマスキングテープ剥離工程の除去性（糊残り性）の両者を同時に満足させる、マスキング用粘着テープを提供。 - 特許庁

The battery case is obtained by shaping the surface treated steel sheet having an iron - nickel alloy plated layer on the outermost layer corresponding to the inside surface of the battery case made from a plating original sheet composed of the steel sheet by a deep drawing process, a drawing and ironing process (DI) or drawing thin and redraw process (DTR).例文帳に追加

電池ケースは、鋼板からなるめっき原板の電池ケース内面に相当する最表層に鉄−ニッケル合金めっき層を有する表面処理鋼板を、深絞り成形法、ＤＩ成形法又はＤＴＲ成形法によって成形して得られる。 - 特許庁

The plating method includes a process for forming a resist pattern 16 in which an opening 16a is formed and the inner peripheral surface of the opening 16a protrudes more largely to the opening side as it approaches to the surface side from the rear surface side and a process for forming metal plating 18 for filling the opening formed in the resist pattern.例文帳に追加

開口１６ａが形成されるとともに、前記開口１６ａの内周面が裏面側から表面側に向かうほど前記開口側に大きく迫り出すレジストパターン１６を形成する工程と、前記レジストパターンに形成される前記開口を充填する金属めっき１８を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the ITO multilayer film comprises a process of forming a first ITO film on an upper part of a plastic body at a base plate temperature of 20 to 120°C with the use of an ion plating method, and a process of forming a second ITO film on the first ITO film at a base plate temperature of 150 to 250°C with the use of the ion plating method.例文帳に追加

プラスチック体上方に、イオンプレーティング法を用い、基板温度２０℃〜１２０℃で、第１のＩＴＯ膜を成膜する工程と、前記第１のＩＴＯ膜上に、イオンプレーティング法を用い、基板温度１５０℃〜２５０℃で、第２のＩＴＯ膜を成膜する工程とを有するＩＴＯ多層膜の製造方法が提供される。 - 特許庁

Regarding the method for recycling copper resources in a production process, when a copper-containing acid etching waste liquid is generated in an etching process, the copper-containing acid etching waste liquid is treated mainly utilizing an alkaline solution, thus a copper-containing plating solution for electroplating is formed, and also, it is charged to a copper plating stage once more.例文帳に追加

本発明の製造プロセスにおける銅資源の循環再生方法は、エッチング工程で銅を含む酸性エッチング廃液を発生するとき、主にアルカリ性溶液を利用して銅を含む酸性エッチング廃液を処理し、電気めっき用の銅を含むめっき溶液を形成し、且つ銅めっき工程に再度投入する。 - 特許庁

This producing method of the substrate comprises: a process for preparing a base material wherein a nickel layer is formed on a copper layer by a plating method; a process for heat-treating the nickel layer at 800 to 1,000°C; and a process for epitaxially growing a coating layer on the nickel layer after the process for heat-treating the nickel layer.例文帳に追加

本発明は、めっき法を用いて銅層上にニッケル層が形成された基材を準備する工程と、前記ニッケル層を８００〜１０００℃で熱処理する工程と、前記ニッケル層を熱処理する工程の後に前記ニッケル層上に被覆層をエピタキシャル成長させる工程とを備えた、基板の製造方法に関する。 - 特許庁

In an electrolytic-plating-start-metal-layer formation process 102', a metal layer having an opening is formed on a semiconductor layer; in a metal-support-electrolytic-plating process 103', a metal support is formed on the metal layer having the opening; and, in an element division process 107', a part of the metal support exposed to the opening of the metal layer is removed by an electrolytic etching method.例文帳に追加

電解めっき開始金属層形成工程１０２’において、開口を有する金属層を半導体層上に形成し、金属支持体電解めっき工程１０３’において、開口を有する金属層上に金属支持体を形成し、素子分割工程１０７’において、金属支持体の金属層の開口に露出する部分を電解エッチング法によって除去した。 - 特許庁