「PLATING PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

So, no process for grinding the semiconductor substrate when forming a through-electrode by a conventional plating method is required, and the semiconductor device is prevented from contaminated with metal.例文帳に追加

それゆえ、従来のめっき法による貫通電極を形成する時の半導体基板を研削する工程を必要とせず、半導体装置が金属で汚染されることを防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a plastic member having a plated film, which can form an electroless-plated film having high adhesion strength by electroless-plating treatment suitable for a continuous production process.例文帳に追加

連続生産プロセスに適した無電解めっき処理により、高い密着強度を有する無電解めっき膜を形成できる、めっき膜を有するプラスチック部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of facilitating the integration of an electronic circuit, saving the consumption of noble metals incorporated in a catalyst, and forming a precise conductive circuit by an electroless plating process.例文帳に追加

電子回路の集積化を容易にすると共に、触媒に含まれる貴金属の省資源化を図り、更に無電解めっきによる精密な導電性回路を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a printed wiring board provided with a land on the periphery of an interlayer connection via and a flat interlayer connection via and having no plating protrusion occurring at the time of forming an interlayer connection via, and to provide its production process.例文帳に追加

層間接続ビアを形成する際に生じるめっき凸部がなく、層間接続ビア周辺のランド部と平坦な層間接続ビアを備えたプリント配線板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a rotary nut caving no deformation in an end part of a female screw in a process of polishing or plating a screw hole provided in a nut of the rotary nut and needing no particular consideration in forming the female screw.例文帳に追加

回転ナットのナットに設けたねじ孔に、磨きやメッキの工程でめねじの端部に変形の発生がなく、めねじの形成に特段の考慮を払う必要のない回転ナットを提供する。 - 特許庁

After the articles have been plated, many plated articles 2 can be heat-treated in the state of being held in the electroconductive porous plates 31, so that the labor for the rackwork is eliminated and the plating process is simplified.例文帳に追加

めっき処理後は、多数の被めっき物２を導電性多孔板３１に保持された状態で、熱処理を行うことができるので、掛け外しの手間を省略し、めっき工程が簡略化できる。 - 特許庁

A solder resist layer 42 is formed on the pad 31a and the distribution layer 31b to form a solder resist pattern 42a through patterning process and plating is effected on the pad 31a and the ball lands 31c to obtain a substrate 100 for semiconductor device having ball lands 51 and pad 52, on which a plating film is formed.例文帳に追加

パッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にソルダーレジスト層４２を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン４２ａを形成し、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド５１及びパッド５２を有する半導体装置用基板１００を得る。 - 特許庁

Especially, on the tip part of the spray nozzle for secondary cooling used for water-cooling the surface of the cast slab in the continuous casting process, the excellent preventive effect for clogging of the water-cooling spray nozzle, is obtained by applying the metallic surface film having 10-50 μm film thickness with electrolytic plating or non-electrolytic plating processing.例文帳に追加

とりわけ、連続鋳造工程において鋳片の表面を水冷却するために用いる二次冷却用スプレーノズルのチップ部に、電解めっきまたは無電解めっき処理により、皮膜厚さが１０〜５０μｍの金属の表面皮膜を施すことにより、水冷却スプレーノズルの優れた閉塞防止効果が得られる。 - 特許庁

The resinous film layer 3 is comprised of at least two layers of an inner layer 32 and an outer layer 33 which concurrently contain the powder to be eliminated and the two or more types of the powder to be eliminated are eliminated in a process to apply the electroless plating for the priming so that the metal of the electroless plating for the priming penetrates into the eliminated portion as an anchor.例文帳に追加

上記の樹脂皮膜層4は、被除去粉粒体を共に含んだ内層32と外層33の少なくも２層からなり、下地用無電解めっきを施す工程中にて当該複数種類の被除去粉粒体が除去され、この除去された部分に下地用無電解めっきの金属がアンカーとして侵入する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a layer to be plated, which enables the improvement in plating rate in electroless plating and also enables the production of a metal film having further improved adhesion to a substrate, and a process for producing a laminate having the metal film, which is achieved using the composition.例文帳に追加

本発明は、無電解めっき時におけるめっき速度が向上すると共に、基板に対する密着性がより向上した金属膜を得ることができる被めっき層形成用組成物、および、該組成物を用いて実施される金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The plating treatment is independently applied to the plurality of semiconductor forming area respectively by coming into contact with an independent plating process tool to correspond to the plurality of the semiconductor element forming areas on the semiconductor substrate where the plurality of the semiconductor forming areas are defined to correspond to the plurality of types.例文帳に追加

複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。 - 特許庁

In the production process for mounting the semiconductor device 13 through the brazing material 19, the brazing material 19 flows out from a first plating film 14A when the semiconductor device 13 is mounted on the fused brazing material 19, but the second plating film 14B functions as a region for preventing outflow.例文帳に追加

半導体素子１３をロウ材１９を介してダイパッド１１に実装する工程では、半導体素子１３を融解したロウ材１９上部に載置することにより、ロウ材１９が第１のメッキ膜１４Ａから流出するが、第２のメッキ膜１４Ｂが流出を防止する阻止領域として機能する。 - 特許庁

A process for discharging polysilane solution on the prescribed pattern of the substrate, using an ink jet device and forming a polysilane thin film pattern, a process for depositing the fine particles of noble metal on the formed polysilane thin pattern, and a process for forming a metal film pattern through electroless plating with the deposited fine particles of noble metal as a catalyst, are installed.例文帳に追加

基板上にインクジェット装置を用いてポリシラン溶液を所定のパターンに吐出し、ポリシラン薄膜パターンを形成する工程と、形成されたポリシラン薄膜パターン上に貴金属の微粒子を析出させる工程と、析出された貴金属の微粒子を触媒として無電解メッキにより金属膜パターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

The screen mesh constituting the separate frame comprises a process of carrying out a twill weave of SUS wire rods having a wire diameter of about 25 μm so as to make the opening about 25 μm, to form a material mesh, a process of forming the screen mesh by subjecting the material mesh to a nickel plating treatment, and a process of attaching the screen mesh to the frame.例文帳に追加

分離枠を構成する篩網は、線径が約２５μｍのＳＵＳ製の線材を目開きが約２５μｍとなるように綾織りすることにより素材網を成形する工程と、前記素材網にニッケルめっき処理を施すことにより篩網を形成する工程と、前記篩網をフレームに取付ける工程から構成されている。 - 特許庁

To provide a deflash technique for removing flash from a portion to be plated before a plating process and after a sealing process by resin molding in a process of manufacturing a semiconductor package, and to provide a technique for removing side flash formed on a side of a lead frame where the deflash processing is difficult to be performed.例文帳に追加

半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行う前にメッキする部位に対して予めフラッシュ(flash)を除去するための半導体パッケージのデフラッシュ(deflash)技術を提供し、特に、デフラッシュ処理が困難な部位であるリードフレームの側方に形成されたサイドフラッシュ(side flash)を除去する技術を提供する。 - 特許庁

This process for producing an electrostatic capacitance-type acceleration sensor comprising a movable electrode 6 also serving as a weight, a beam 5, and a supporting section 4 made of metals, includes the steps of forming a space between a fixed electrode 2 and the movable electrode 6 by photoresist, and forming the supporting section 4, the beam 5, and the movable electrode 6 by photolithography, wet plating process, and etching process.例文帳に追加

錘を兼ねた可動電極６、梁５、および支持部４が金属からなる静電容量型加速度センサの製造方法であって、固定電極２と可動電極６との間隙をフォトレジストにより形成し、支持部４、梁５、および可動電極６をフォトリソグラフィー、湿式めっき法、およびエッチング法により形成する工程を備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic body includes: a primary process of leveling ferrites which are particles with a magnetism and insulation; a secondary process of carrying out a crimping forming so as to make spaces among the particle and plural adjacent particles; and a tertiary process of performing a plating by the ferrites which are materials with the magnetism and the insulation among the formed particles.例文帳に追加

磁性及び絶縁性を有する粒子であるフェライトを均す第１の工程と、前記粒子と隣接する複数の前記粒子間に空間ができるように圧着成形する第２の工程と、成形した前記粒子間に磁性及び絶縁性を有する材料であるフェライトによりめっきを施す第３の工程とからなる。 - 特許庁

A re-wiring 8 through which a signal of ≥800MHz is transmitted is formed by a process where a metal sputter layer or a metal vapor-deposition layer 23 is formed on a passivation film 5 on a completed wafer 21 prepared through a predetermined process and a process where a metal plating layer 29 is laminated on the metal sputter layer or the metal vapor-deposition layer 23.例文帳に追加

８００ＭＨｚ以上の信号を伝送する再配線８の形成を、所定のプロセスを経て作製された完成ウエハ２１のパッシベーション膜５上に金属スパッタ層又は金属蒸着層２３を形成する工程と、当該金属スパッタ層又は金属蒸着層２３上に金属めっき層２９を積層する工程とを含んで行う。 - 特許庁

A metal film having excellent adhesion is formed on a prescribed surface in a ceramic structure by a high melting point metal process, a nickel plating layer as an intermediate protective layer is formed on the metal film by a plating process, a nickel-molybdenum disulfide deposition film layer is formed on the intermediate protective layer, and a self-lubricating film having excellent adhesion is formed on the surface of the ceramic structure.例文帳に追加

セラミックス構造体の所定の表面に高融点金属法により密着性に優れた金属皮膜を形成し、前記金属皮膜上にめっき法により中間保護層としてニッケルめっき層を形成し、前記中間保護層上にめっき法によりニッケル・二硫化モリブデン共析物皮膜層を形成して、セラミック構造体の表面に密着性に優れた自己潤滑性皮膜を形成する。 - 特許庁

This method comprises: a previous process where a chromium layer is deposited on the basis material in a magnetron sputtering system; and an after process where the temperature of the basis material is held at 100-200°C and a CrN layer is deposited on the above Cr layer in an arc discharge ion plating system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロンスパッタ装置において基材上にクロム層を形成する前行程と、アーク式イオンプレーティング装置において基材の温度を１００〜２００℃に保持して前記Ｃｒ層の上にＣｒＮ層を形成する後行程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, the structural body is formed on the substrate 1 by performing at least a process for forming the coating film 21 including the metal layer formed by electroless plating on the surface of the template 11 provided on the substrate 1 and a process for removing a part of the coating film 21.例文帳に追加

または、少なくとも、基材上に設けられた鋳型の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜の一部を除去する工程とを行うことにより、前記基材上に構造体を形成する。 - 特許庁

In a washing process step after a polishing process step of the aluminum substrates subjected to Ni-P plating, the aluminum substrates are treated for a required time by function water of plus or minus oxidation reduction potential, by which the surfaces of the substrates are reformed and the corrosion resistance is improved.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐメッキを施したアルミニウム基板の研摩工程を経た後の洗浄工程において、酸化還元電位がプラス又はマイナスの機能水により所要時間処理することにより、前記基板の表面を改質し、耐食性能を向上させるようにした。 - 特許庁

To provide: a light emitting diode package the manufacturing process of which is simple and which has been improved in heat dissipation efficiency by, after forming an insulating layer on part of a substrate capable of heat conduction by the anodizing process, plating it with a conductive substance; to provide a circuit substrate; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、熱伝導が可能な基板の一部にアノダイジング工法により絶縁層を形成した後、導電性物質でメッキすることにより製造工法が簡単で、かつ放熱効率が改善された発光ダイオードパッケージ及び回路基板並びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can suppress damage to a wire in a catalyst process carried out in an electroless plating process using a Co-based material etc., when manufacturing a semiconductor device having wires of Cu etc., and a semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加

Ｃｕなどの配線を有する半導体装置の製造においてＣｏ系材料などの無電解メッキ処理において行われる触媒プロセスでの配線へのダメージを抑制できる半導体装置の製造方法とその方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the soft magnetic compact comprises a process for compression mold of ferrite plating soft magnetism particles; and a process for rapid thermal treating of the obtained compression mold with thickness of 0.05-1 mm in the nitrogen gas, inert gas, or mixed nitrogen and inert gas.例文帳に追加

フェライトめっき軟磁性粒子を圧縮成形する工程と、得られた厚み０．０５〜１ｍｍの圧縮成形品を窒素ガス、不活性ガスあるいは窒素と不活性ガスの混合ガス中で急速熱処理を行う工程とを有することを特徴とする軟磁性成形体の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method includes a sputtering process for forming a metal coating film on a surface of a polyimide film and an electroplating process for forming a metal conductor on the acquired metal coating film by using a continuous plating device, and satisfies following requirements of (1) and (2).例文帳に追加

ポリイミドフィルムの表面に金属被膜を形成するスパッタリング工程、及び得られた金属被膜上に、連続めっき装置を用いて、金属導電体を形成する電気めっき工程を含む製造方法であって、 下記の（１）及び（２）の要件を満足することを特徴とする。 - 特許庁

At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid.例文帳に追加

多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。 - 特許庁

To provide a modified molded article applicable to e.g. whole or selective surface electroless plating with a simple process without roughening the surface and thus without using a large amount of a harmful substance, a molding process therefor and a molding apparatus used for production of molded article.例文帳に追加

簡単な工程で、表面を粗面化することなく、したがって多量の有害物質を使用することなく、表面を全体的又は選択的に、例えば、無電解メッキに適用可能に改質した成形品、その成形方法、それに使用される成形装置を提供すること。 - 特許庁

In the flexible printed circuit board (FPC), a reinforcing plate 5 provided to the terminal 4 coupled with the connector is formed of complete aromatic polyester and the surface process of the terminal 41 is the plating process using tin or an alloy obtained by adding a kind of element or two or more kinds of elements selected from copper, bismuth, silver, and zinc to tin.例文帳に追加

コネクタと嵌合される端子部４に設ける補強板５の材質を全芳香族ポリエステルとし、端子４１の表面処理は、錫又は錫に銅、ビスマス、銀、亜鉛から選択される１種又は２種以上を添加した合金を用いてめっき処理したＦＰＣ。 - 特許庁

In order to provide the plastic molding in which the adhesion between the plastic molding substrate and the metallic film is improved and an article using the plastic molding, a process (a) for forming a monomolecular film on the surface of the plastic molding substrate and a process (b) for forming the metallic film on the monomolecular film by plating are implemented.例文帳に追加

しかしながら、シランカップリング剤の塗布方法を用いると、前記プラスチック成形体基材表面に余分なシランカップリング剤が残り、残った前記シランカップリング剤が前記密着性の向上を邪魔し、適切に前記密着性を向上させることが出来ないという課題があった。 - 特許庁

The method for manufacturing the micrometallic structures which forms the conductive layer film on the surface of the PMMA matrix 3 formed with X-ray patterns includes an etching process of roughening the surface of the PMMA matrix 3 by a high chromium acid bath, a sensitizing process, an activating process and an electroless plating process for forming the conductive layer film.例文帳に追加

Ｘ線パターンが形成されたＰＭＭＡ母型３の表面上に導電層膜を形成し電鋳を行う微細金属構造体の製造方法において、ＰＭＭＡ母型３の表面を高クロム酸浴により粗化するエッチング工程と、センサタイジング工程と、アクチベーティング工程と、導電層膜を形成する無電解めっき工程と、を含むことを特徴とする微細金属構造体５の製造方法。 - 特許庁

In the method for producing a circuit board, production process is simplified and manufacturing cost is reduced by forming a seed layer of a circuit on a base film through deposition, chemical plating or sputtering.例文帳に追加

かゝる本発明は、ベースフイルム上に回路のシード層を、蒸着、化学メッキ、又はスパッタによって形成する回路基板の製造方法にあり、これによって、工程の簡略化が図られ、コストダウンが達成される。 - 特許庁

Plating is carried out, while closing a first pin fastening hole 51 by means of a closing body 55, and a conductor layer formation process for selectively forming a conductor layer 36 on the insulating layers 33, 34, 35, 40, 41, 42 is carried out.例文帳に追加

次に、閉塞体５５にて第１ピン止め用孔５１を閉塞した状態でめっきを行い、絶縁層３３，３４，３５，４０，４１，４２上に導体層３６を選択的に形成する導体層形成工程を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing roll body of an electromagnetic wave shielding material by a photography silver-plating method in which the productivity of an exposure process is enhanced and electromagnetic wave shielding performance is stabilized by suppressing a partial variation.例文帳に追加

写真銀−メッキ法において、露光工程の生産性を高めるとともに、電磁波シールドの性能の部分的なばらつきが少なく性能の安定した電磁波シールド材ロール体の製造方法の提供。 - 特許庁

Then a boss plating layer 13 is formed by an electroforming process so as to form a protruding part only in a specified region included in the mirror face region inside of the recording region and/or in the outside mirror face (Figure 5 (B)).例文帳に追加

次に、記録領域内側のミラー面領域及び／又は外側ミラー面に含まれる所定の範囲に限定して凸部が形成されるべく電鋳処理でボス形状メッキ層１３を形成する（図５（Ｂ））。 - 特許庁

The metal surface treatment method comprises: a process where a metal work is subjected to the conventional type bottom face lacquer treatment, and, thereafter, a vacuum plating film stage is introduced, thus a metal thin film layer is applied thereto, and transparent hard film lacquer protection is performed.例文帳に追加

金属ワークに対し、従来式の底面ラッカを経た後、真空めっき膜工程を導入することによって、金属薄膜層を被覆し、透明硬膜ラッカ保護を施す工程を含む金属表面処理方法。 - 特許庁

To provide a wide copper clad laminated board having a copper plating film formed thereon without using a heat-resistant adhesive or the like at all, enabling the formation of a fine wiring pattern and reducing the occurrence of trouble in a post-processing process.例文帳に追加

耐熱性接着剤等を全く使用することなく銅メッキ膜が形成されており、微細な配線パタ−ンが可能で後加工工程で不具合が発生することの少ない銅張り積層基板を提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing a wiring circuit board in which stripping of a conductor layer from a base insulation layer can be prevented even if a side etching portion arises in the conductor layer due to skirting portion of plating resist.例文帳に追加

めっきレジストの裾引き部に起因して、導体層にサイドエッチング部が生じても、ベース絶縁層から導体層が剥離することを防止することができる、配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having particularly superior adhesion, resolution and film strength as an etching or plating resist used in the production of printed wiring board, the precision working of a metal or another process.例文帳に追加

プリント配線板の製造や金属の精密加工等に用いられるエッチングレジスト又はめっきレジストとして、特に優れた密着性、解像性及び膜強度を有する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The method is characterized by spraying an aqueous surfactant solution on the metal strip moving at the above strip speed after the plating process to thereby enable reduction of the friction coefficient of the surface of plated metal strips.例文帳に追加

メッキ装置の帯速度が高い場合でも、メッキ工程後、所定の帯速度で走行する帯状金属に界面活性剤水溶液をスプレーすることによってメッキ表面の摩擦係数を低下させることができる。 - 特許庁

An insulating annular shielding plate 5 having an elliptical center aperture 9 is arranged between an anode electrode 4 and the wafer 1 in regard to the formation of the gold bump on the semiconductor wafer 1 by the electric plating process.例文帳に追加

半導体ウエハ１上に金バンプを電気メッキで形成するに当たり、アノード電極４とウエハ１の間に、楕円型の中央開口部９を有する絶縁性環状遮蔽板５を配置するものである。 - 特許庁

To provide an electroless copper plating bath composition with which a copper layer having excellent adhesion to an Ni layer can be formed on the Ni layer at a higher forming rate by an electroless copper platingin process.例文帳に追加

Ｎｉ層上に無電解銅めっきにより銅層を形成するにおいて、Ｎｉ層との密着性に優れた銅層を、より大きな形成速度で形成することのできる無電解銅めっき浴組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a process for forming a catalyst metallization layer by substitution plating without causing any pit in the copper grain boundary and without enlarging its pit when a barrier film for preventing the spread of copper is formed on the copper surface.例文帳に追加

銅表面に銅の拡散を防止すバリア膜を形成する際に、銅の結晶粒界にピットを発生させることなく、そのピットを拡大することなく、置換メッキにより触媒金属層の形成を図る。 - 特許庁

A bump electrode is grown with the plating process on the electrode pads 5a, 15a, respectively, formed by the semiconductor chip 11 and the circuit substrate 1 having completed the alignment in order to connect the electrode pads 5a, 15a.例文帳に追加

位置合わせを行った半導体チップ１１と回路基板１とにそれぞれ形成された電極パッド５ａ，１５ａ上にメッキ処理によって突起電極を成長させ、電極パッド５ａ，１５ａ間を接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed wiring board which eliminates the need of a quick etching process for removing an unnecessary part of a foundation metallic layer while using a plating method, and can supply electric power even by a continuous transfer type method.例文帳に追加

めっき法を用いながら、下地金属層の不要な部分を除去するクイックエッチング工程を不要とし、また連続搬送型製法にしても給電できるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁