「PLATING PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, the glass insulating film 13 does not erode in the plating process after protective film formation, and the zinc oxide based laminated chip varistor 10 having good insulation can be obtained with good productivity.例文帳に追加

これにより、保護膜形成後の工程であるメッキ工程にて、ガラス絶縁膜１３が浸食される事が無く、良好な絶縁性を有する酸化亜鉛系積層チップバリスタ１０を良好な生産性で得る事ができる。 - 特許庁

Here, the resist film 10 is removed, the Ni film 2 exposed by the removal of this resist 10 is then removed by an etching process to selectively form a Cu film 4 on the Au film with the electrolytic or non-electrolytic plating.例文帳に追加

上記レジスト膜１０を除去し、このレジスト１０の除去によって露出したＮｉ膜２をエッチングで除去し、上記Ａｕ膜３上に選択的に電解もしくは無電解メッキによりＣｕ膜４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for pretreating a special copper alloy material in which smut generated by chemical polishing or an Ag coating stripped from Cu base can be removed surely in the solder plating process of semiconductor.例文帳に追加

半導体の半田メッキ工程において、化学研磨処理により発生したスマットやＣｕ素地から剥離したＡｇ被膜を確実に除去することの出来る特殊銅合金材の前処理方法を提供する。 - 特許庁

In the solder plating process of semiconductor, smut deposited on the surface of the special copper alloy material at the time of treatment with an etching agent of fluoride free sulfuric acid-hydrogen peroxide is removed by jetting hydraulic jet water.例文帳に追加

半導体の半田メッキ工程において、フッ化物フリーの硫酸−過酸化水素のエッチング剤で処理したとき特殊銅合金材の表面に堆積するスマットを水圧ジェット水の噴射により除去する。 - 特許庁

To provide a high-efficiency and high-reliability solar cell in which a plated projection part caused by characteristic degradation in a high-humidity environment in the solar cell after an optical silver plating process is removed; and its method for manufacturing.例文帳に追加

光銀めっき処理後の太陽電池における、高湿環境下での特性劣化に起因するめっき張り出し部を除去した高効率でかつ高信頼性の太陽電池およびその製造方法を提供。 - 特許庁

To prevent a light leakage preventing device for electronic apparatus capable of preventing the light leakage from the circumference of an operating member without providing a secondary process such as painting of light shielding color or plating on the operating member.例文帳に追加

操作部材と操作部材との間の距離間隔を狭くしようとして、操作部材の側部のフランジをなくすと、操作部材の周囲から光が漏れ出して電子機器本体の外観上の品位が損なわれてしまう。 - 特許庁

To eliminate the enlargement of a device or the complication of a process and to form electroless plating films having excellent adhesion on both the surface and back faces by using a method where the surface of a nonconductor is roughened by the application of light.例文帳に追加

光の照射によって不導体表面を粗化する方法を用い、装置の大型化あるいは工程の複雑化を排除して、表裏両面に密着性に優れた無電解めっき被膜を形成する。 - 特許庁

Since a press-fit jig 50 and a connector terminal 1 are in contact at the terminal 2 and a supporting part 4, the coat of a sealing agent and plating or the like are likely to be scratched at those contact portions in an assembling process.例文帳に追加

組立工程においては端子部２並びに保持部４のところで圧入治具５０とコネクタ端子１とが接触しているために当該接触部位にて封孔処理剤の被膜やめっき等に傷が付きやすい。 - 特許庁

The tin alloy plated material for a terminal and a connector is obtained by a process of electroplating an alloy consisting of 0.3-15% copper and the balance substantially tin, on copper or a copper alloy as the base material, without carrying out a primary plating, and then by reflowing the product.例文帳に追加

銅または銅合金を被めっき材とし、下地めっきを行わず、銅０．３〜１５％、残部は実質的に錫から成る合金組成で電気めっきした後、リフロー処理する端子・コネクター用錫合金めっき材。 - 特許庁

The method for manufacturing the plated substrate 100 is based on an electroless plating method and includes a process for forming a catalyst layer on a substrate by dipping the substrate into a catalyst solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid and a process for forming a metal layer by depositing a metal on an area, where the catalyst layer is not formed, by dipping the substrate in an electroless plating solution.例文帳に追加

本発明にかかるめっき基板１００の製造方法は、無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、パラジウム、過酸化水素および塩酸を含む触媒溶液に基板を浸漬することにより、当該基板上に触媒層を設ける工程と、無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒層の形成されていない領域に金属を析出させて金属層を設ける工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the electronic device includes a process for forming concave-convex parts on the surface of the substrate; a process for forming a conductive seed layer on a surface to be plated of the substrate; and a process for selectively forming an electroplating inhibitor in the convex part of the substrate, performing the electroplating processing on the seed layer as a common electrode, and forming the plating film.例文帳に追加

基材の表面に凹凸部を形成する工程と、 前記基材のめっきすべき表面に導電性のシード層を形成する工程と、 前記基材の凸部に選択的に電解めっき阻害物質を形成し、前記シード層を共通電極として電解めっき処理を施してめっき膜を形成する工程とを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 特許庁

In a process to form a first metal plating film made of such metal as Ni (nickel) as a conductor for connection between a metal substrate and a wiring, the first metal plating film is formed on at least a part of one or both sides of a wiring exposed at a flying lead part, as a reinforcing film to increase physical strength.例文帳に追加

Ｎｉ（ニッケル）等からなる第１の金属めっき膜を、金属基板と配線との接続用導体として形成する工程において、フライングリード部で露出する配線の両面もしくは片面の少なくとも一部にも、物理的強度を増すための補強膜として、前記第１の金属めっき膜を形成することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

A polymer having a carboxyl group is made to coexist in a ferrite plating reaction system in a ferrite plating reaction by a cold stirring process, thus the production of free ferrite particulates is suppressed, and consequently the method for producing the ferrite-coated metal magnetic particulates can employ a separation step by filtering or the like, a cleaning step by stirring and a drying step by vacuum drying or the like.例文帳に追加

常温撹拌法によるフェライトめっき反応において、前記フェライトめっき反応系に、カルボキシル基を有するポリマーを共存させることにより、遊離のフェライト微粒子の生成が抑制され、ろ過などの分離工程、撹拌による洗浄工程、真空乾燥などによる乾燥工程を採用したフェライト被覆金属磁性微粒子の製造方法。 - 特許庁

To obtain a plated layer with a uniform film thickness, by improving a setting of a rotation speed of a semiconductor wafer W and a circulation flow rate of a plating solution 3 for driving out bubbles A without fail, in a plating process in which bubbles A are driven out from a treated surface of the semiconductor wafer W not to influence on the surface.例文帳に追加

半導体ウエハＷの被処理面から気泡Ａを確実に追い出し気泡Ａの影響を排除して銅メッキを施すようにしているが、気泡Ａを確実に追い出す際の半導体ウエハＷの回転速度やメッキ液３の循環流量の設定が難しく、均一な膜厚のメッキ層を得ることが極めて難しい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an outdoor electrical equipment case capable of thoroughly bonding a spraying metal to a case member, avoiding a warp in a case member cased by heat generated in a plating process, or avoiding uneven plating layer, in attaching a case body with a case fitting member manufactured by a case material formed in a predetermined shape to the case member by welding.例文帳に追加

ケース素材を所定の形状に成形して作製したケース付属部材をケース部材に溶接により取り付けて構成されるケース本体の製作に際し、溶射される金属を良好に付着させ、かつケース部材に対してめっき処理時の熱により歪みが発生することを回避させ、またはめっき層が均一に形成されないことを回避させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing printed circuit board by which the deposition characteristics in electrolytic pattern plating when the wiring pattern has roughness and fineness is made equal to or better than that in panel plating, a printed circuit board having a pattern having great roughness and fineness is manufactured by a pattern process, and a fine pattern is easily formed, and its electroplating device used in the electroplating.例文帳に追加

配線パターンに疎密がある場合の電解パターンメッキにおける析出特性をパネルメッキと同等以上にでき、疎密の大きなパターンを有するプリント配線板をパターン法で製造することを可能とし、微細なパターンを容易に形成できるプリント配線板の製造方法とその電解メッキ工程に用いる電解メッキ装置を提供する。 - 特許庁

In the process for producing an electronic component, an Sn-Bi alloy plating layer constituting a connection conductive layer 8 formed on the surface of a lead 2 is melted by immersing it, for a very short time of 0.2-5 sec, into a fluorine based inactive chemical liquid heated at 220-280°C which is higher than the melting point of the Sn-Bi alloy plating layer.例文帳に追加

開示される電子部品の製造方法は、リード２の表面に形成した接続用導電層８を構成するＳｎ−Ｂｉ合金めっき層を、Ｓｎ−Ｂｉ合金めっき層の融点以上である２２０〜２８０℃に加熱したフッ素系不活性化学液内に０．２〜５秒間のごく短時間浸漬することで溶融させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the electronic parts has a process for forming a Ni-B film 2 on a ceramic base or a ceramic base 1 for a dielectric resonator by electroless plating and a process for forming a Cu film 3 or a Ag film 4 on the surface of the Ni-B film 2.例文帳に追加

本発明に係る高周波用電子部品の製造方法は、セラミック素体または誘電体共振器用セラミック素体１の表面上にＮｉ−Ｂ膜２を無電解めっきによって形成する工程と、Ｎｉ−Ｂ膜２の表面上にＣｕ膜３またはＡｇ膜４を形成する工程とを有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate for magnetic recording medium which enables efficient removal of alumina abrasive grain pierced in a grinding process of a preceding stage in a grinding process of a latter stage, when grinding the substrate for magnetic recording medium in which an NiP plating film is formed on the surface of aluminum alloy substrate.例文帳に追加

アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板を研磨する際に、前段の研磨工程で突き刺さったアルミナ砥粒を後段の研磨工程で効率良く除去することを可能とした磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface treatment method for the ornament has a process step (2b) for forming a ground surface layer 40 in at least a portion (1b) on the surface of a base material 2 and a step (3b) for forming a film 3 composed of an Au-In alloy containing In 0.1 to 15 wt.% by a wet plating process.例文帳に追加

本発明の装飾品の表面処理方法は、基材２の表面の少なくとも一部に（１ｂ）、下地層４０を形成する工程（２ｂ）と、湿式めっき法により、０．１〜１５ｗｔ％のＩｎを含むＡｕ−Ｉｎ系合金で構成される被膜３を形成する工程（３ｂ）を有することを特徴とする。 - 特許庁

This method of stably manufacturing the electrogalvanized steel plate having the excellent electrical conductivity, corrosion resistance has a process step of electrogalvanizing a steel plate by a chloride plating bath of a pH 4 to 5 and a process step of coating the steel plate with corrosion resistant films at a coating weight of 0.9 to 1.5 g/m^2 per one surface of the steel plate.例文帳に追加

鋼板をｐＨ４〜５の塩化物めっき浴により電気亜鉛めっきする工程と、その後、耐食性皮膜を鋼板の片面あたり０．９〜１．５ｇ／ｍ^2 の付着量で被覆する工程とを具備する、導電性、耐食性および外観に優れる電気亜鉛めっき鋼板の製造方法。 - 特許庁

The method for combined anti-corrosion treatment of automobile parts includes carrying out a consecutive treatment of works by hanging the works in the same rack, the consecutive treatment including two treatments of a zinc-nickel alloy plating process (1) and a cathodic electrodeposition coating process (2).例文帳に追加

自動車部品の耐食処理方法であって、ワークを、亜鉛−ニッケル合金めっき処理工程（１）と、カチオン電着塗装処理工程（２）とのこれら２つの処理工程を、同一のラックに吊掛けを用いて連続処理することを特徴とする自動車部品の複合耐食処理方法から構成されるものである。 - 特許庁

This process for producing an electrostatic capacitance-type acceleration sensor comprising a fixed electrode 4, a movable electrode 6 also serving as a weight, and a beam 5 made of metals and placing them in the direction perpendicular to a substrate, includes the step of forming the fixed electrode 4, the movable electrode 6, and the beam 5 by wet plating process.例文帳に追加

固定電極４、錘を兼ねた可動電極６、および梁５が金属からなり、基板に対して垂直方向にこれらが配置されている容量型加速度センサの製造方法であって、固定電極４、可動電極６、および梁５を湿式めっき法により形成する工程を備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices has a process step of selectively removing the build-up segments (projecting parts) of the projecting shape produced on the surface of the metallic film (copper plating film 15) by electrolytic etching and a process step for chemicomechanically polishing the surface of the metallic film 15.例文帳に追加

電解エッチングによって金属膜（銅メッキ膜１５）の表面に生じている該金属膜の凸状の盛り上がり部（凸状部）を選択的に除去する工程と、前記金属膜１５の表面を化学的機械研磨する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Alternatively, at least a process where a coating layer including a metallic layer formed by electroless plating is formed on the surface of a mold provided on a base material, and a process where a part of the coating film is removed are performed, so as to form a structure on the base material, and the base material and the structure are separated.例文帳に追加

または、少なくとも、基材上に設けられた鋳型の表面に、無電解めっきにより形成される金属層を含む被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜の一部を除去する工程とを行うことにより前記基材上に構造体を形成し、前記基材と前記構造体とを分離する。 - 特許庁

The thin-film transistor manufacturing method includes a process for so patterning a source electrode 3 and a drain electrode 4 on a substrate 2 by the optical use of a charging controlling agent absorbed in the substrate as to form them thereafter by a selective electroless plating; and includes a process for forming an organic semiconductor, a gate insulator, and a gate electrode.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上に、ソース電極３とドレイン電極４とを、基板に吸着させた帯電制御剤を光を使ってパターニングした後、選択的無電解メッキにより形成する工程と、有機半導体、ゲート絶縁体、ゲート電極とを形成する工程を含むものである。 - 特許庁

The aluminum foil is characterized in that an aluminum foil is used as a substrate, and an aluminum film is formed on at least part of its surface by an electrolytic process in which an electrolytic aluminum plating solution having a water content of 10-2,000 ppm is used.例文帳に追加

アルミニウム箔を基材として用い、その表面の少なくとも一部に、含水量が１０〜２０００ｐｐｍの電解アルミニウムめっき液を用いた電解法によってアルミニウム被膜が形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The composite metal foil is characterized in that an aluminum coating film is formed on the surface of a foil made of a metal better than aluminum in tensile strength by an electrolytic process in which an electrolytic aluminum plating solution having a water content of 20 ppm or less is used.例文帳に追加

アルミニウムよりも引張強度に優れる金属からなる箔の表面に、含水量が２０ｐｐｍ以下の電解アルミニウムめっき液を用いた電解法によってアルミニウム被膜が形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a multi-layer release film improved in plating in the post-process of FPC, which has been unsatisfactory by a conventional multi-layer release film, while excellent characteristics such as releasing properties, shape followability, and uniform moldability are maintained.例文帳に追加

離型性、対形状追従性、均一な成形性に優れた特性を維持しながら、従来の離型多層フィルムでは不満足であったＦＰＣの後工程におけるメッキ付きを向上させた離型多層フィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of removing an Sn oxide coating film by which only the Sn oxide coating film on an Sn-based plated material is surely removed without corroding a plating layer with a simple process without increasing cost.例文帳に追加

Ｓｎ系めっき材に対して、コストを上昇させることがない簡便な方法により、めっき層を侵すことなくＳｎ酸化皮膜のみを確実に除去することが可能なＳｎ酸化皮膜の除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a package for housing a high heat dissipation-type electronic component, the package that allows improvement of reliability in air-tightness, in joining and so on, effectively facilitates design changes and production process changes, and further makes it easy to form a plating film.例文帳に追加

気密信頼性や、接合信頼性等を高くできると共に、設計変更や、段取り換えにも能率的に対処でき、しかも、めっき被膜形成が容易な高放熱型電子部品収納用パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a product in which a lead-free tinning film or a lead-free tin alloy plating film is formed, and which can be produced relatively easily without need of a complicated process while the generation of whiskers is suppressed over a long period.例文帳に追加

鉛を含有しないスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜が形成された製品であって、ウィスカーの発生が長期間抑制され、しかも煩雑な工程を経ること無く比較的容易に製造可能な製品を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device, an insulating film having a contact hole is formed on a semiconductor substrate, a seed layer is formed in the contact hole by an electroless plating process, and a metal wire is formed in the contact hole on the seed layer.例文帳に追加

本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上にコンタクトホールを有する絶縁膜を形成し、無電解メッキ工程によりコンタクトホールにシード層を形成し、シード層上のコンタクトホールに金属配線を形成する。 - 特許庁

To provide a pretreatment method for an electroless plating which employs a wet process low in cost and easy in handleability, can carry a catalyst on the surface of a nonconductive substance while keeping its surface substantially smooth, and can reduce an environmental load.例文帳に追加

安価で取り扱いやすい湿式法で、非導電性物質表面を実質的に平滑のまま密着性良く触媒を担持することができ、しかも環境負荷の少ない無電解めっきの前処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plating method capable of coping with speeding up with a simple equipment configuration which does not require application of an adhesive and application of a flux before and after the application of metallic powder and granular materials to a metal band and an ancillary process, such as compression bonding.例文帳に追加

金属粉粒体の金属帯板への塗布前後に、接着剤の塗布、フラックスの塗布、圧着等の付帯工程の必要ない簡素な設備構成で、高速化へ対応可能なめっき方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an LED mount substrate that enables use of a conventional process without adding any step of plating the end face of an opening and can suppress loss of LED light from teh end face of the opening.例文帳に追加

開口の端面へのめっき工程を追加することなく従来のプロセスを用いることを可能としつつ、開口の端面からのＬＥＤ光の損失を抑制可能なＬＥＤ搭載用基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a printed circuit board capable of reducing time required for processing a via hole, efficiently executing a plating process to the inside of the via hole, and thereby achieving interlayer conduction with high reliability; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ビアホール加工の所要時間を短縮でき、ビアホールの内部に対するメッキ工程を効率的に行うことができるので、層間導通を信頼性よく実現できる印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plating solution which provides a high purity copper-indium-sulfur alloy coating film suitable as a light absorption layer of a CIS based solar battery by a non-vacuum process and in a system containing no selenium generating a poisonous gas.例文帳に追加

非真空のプロセスで、且つ、有毒ガスを発生するセレンを含まない系において、ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層として好適な、純度の高い銅−インジウム−硫黄合金皮膜を得ることができるめっき液を提供する。 - 特許庁

Furthermore, with catalyst particles 6a formed in an activation process as nucleus, a thick Ni-P alloy layer 6b whose P-concentration is 4-8 wt.% is formed through nonelectrolytic plating, and an Au layer 3c is formed over it.例文帳に追加

さらに、活性化処理により形成された触媒粒子６ａを核として、無電解めっきにより、Ｐ濃度が４〜８ｗｔ％である厚いＮｉ−Ｐ合金層６ｂを形成し、さらに、その上にＡｕ層３ｃを形成する。 - 特許庁

By this, in the process of slide connection with the counter connector, the reduction of contact reliability due to the peeling-off of plating can be restrained even if numerous slide connections are performed without the contact of the counter contact to contact with the insulation housing.例文帳に追加

これによって、相手方コネクタとのスライド接続の過程で、相手方コンタクトが絶縁ハウジングに接触することなく、多数回のスライド接続を行った場合でもメッキ剥離による接触信頼性の低下を抑制することができる。 - 特許庁

The recessed hole closing device is press-fitted in a recessed hole 5 in a boss 7 integrated with a resin product such as a radiator grille in the beginning of a plating process, and comprises a core 2 and a press-fit part 3 to cover its outer surface.例文帳に追加

本発明の凹穴閉塞装置１はラジエータグリル６等の樹脂製品に一体的に形成されるボス７の凹穴５内にメッキ工程の初期に圧入されるものであり、心材２とその外面を被覆する圧入部３からなる。 - 特許庁

To provide a plating process for applying a copper film, or the like, onto a semiconductor wafer, or the like, which well embeds a concave part on a substrate, improves the film-forming speed and inhibits void generation and surface roughness in the plated film.例文帳に追加

半導体ウェハ等に銅膜等をめっき処理するに際し、被処理体上の凹部の埋め込み性に優れ、成膜速度を向上でき、しかも、めっき膜中のボイド発生及び表面荒れを防止めっき方法を提供する。 - 特許庁

The electromagnetic-wave shield material manufacturing method has a metal film forming process for forming the metal film on the surface of the fine carbonized-rubber powder, by immersing the fine carbonized-rubber powder derived from the waste tires into an electroless plating solution.例文帳に追加

また、廃タイヤ由来のゴム炭化微粉末を無電界メッキ液に浸漬させて、前記ゴム炭化微粉末の表面に金属被膜を形成する金属皮膜形成工程を有する電磁波シールド材料の製造方法である。 - 特許庁

Thereafter, the seed layer is formed on the blocking layer and then electrolytically polished (36), and after the electrolytic polishing of the seed layer, a copper substance layer is formed on the polished seed layer by using an electric plating process (38) to fill the recess.例文帳に追加

その後、前記シード層を阻止層上に形成した後に電解研磨し（３６）、前記シード層の電解研磨後、銅物質層が電気メッキ工程（３８）を用いて前記研磨されたシード層上に形成されて前記リセスを埋め込む。 - 特許庁

Since voids or the like caused by the trapping of air are generated in a plating layer growing process when the ridgeline part 21 of the piece matrix 20 is an edge, the ridgeline part 21 is formed so as to have an R-shape with a radius of curvature of 0.1-0.01 mm.例文帳に追加

駒母材２０の稜線部２１がエッジであるとめっき層が成長する過程で空気の抱き込みによるボイド等が発生するため、稜線部２１を曲率半径０．１〜０．０１ｍｍのＲ形状とする。 - 特許庁