「PLATING PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a new polymer usable as a photoresist in each process in the production of a printed wiring board, i.e., electroplating using an acid, covering pores, acid-alkali etching, gold plating, and electroless nickel immersion gilding (ENIG), and to provide a negative type photographic imaging composition containing the polymer.例文帳に追加

プリント配線板製造における酸を用いた電気メッキ、封孔処理（covering pores）、酸アルカリエッチング、金メッキ、無電解ニッケル浸漬金メッキ（ＥＮＩＧ）の各プロセスにおいてフォトレジストとして使用できる、新規ポリマー及び該ポリマーを含有するネガ型フォトイメージング組成物を提供する。 - 特許庁

The method of cleaning the metallic surfaces to make the stable application of the gold plating for protecting the copper wiring possible by subjecting the insulation layer to plasma cleaning after wet etching thereof in a manufacturing process step for the suspension blanks with wiring for the hard disks is established.例文帳に追加

本発明は、ハードディスク用配線付きサスペンションブランクの製造工程において、絶縁層のウェットエッチング後にプラズマクリーニングを行うことで、銅配線保護の金メッキを安定的に施すことを可能にする、金属表面清浄化方法を確立したものである。 - 特許庁

The printed circuit board includes a base substrate 100, an insulating layer 110 laminated on both surfaces of the base substrate 100 where a trench 120 is formed, and a circuit layer 140 including a circuit pattern 123 and a via 125 which are formed inside the trench 120 by a plating process.例文帳に追加

ベース基板１００と、ベース基板１００の両面に積層され、トレンチ１２０が形成された絶縁層１１０と、トレンチ１２０の内部にメッキ工程によって形成された回路パターン１２３およびビア１２５を含む回路層１４０とを含んでなる。 - 特許庁

To provide a headrest preventing its form in transportation from getting bulky and reducing a physical distribution cost and the like by reviewing an execution order of each process related to a manufacture such as bending and plating of a stay by effectively using the inner structure of a headrest.例文帳に追加

ヘッドレストの内部構造を有効に活用することで、ステーの曲げおよびメッキといった製造に係る各工程の実施順序を見直し、これにより輸送時の形態を嵩張らないようにして物流コスト等の低減をなし得るヘッドレストを提供する。 - 特許庁

The metal film is formed on the surface of the resin substrate by a vapor deposition process or a wet plating after forming a cross-linked layer in which methylene groups are tightly bonding each other, on the surface of the substrate mainly comprising a resin having methylene chain.例文帳に追加

メチレン鎖を有する樹脂を主成分とする樹脂基材表面にメチレン基どうしが架橋反応により強固に結合した架橋層を形成した後に、この樹脂基材表面に気相成長法あるいは湿式めっきにて金属膜を形成する。 - 特許庁

To form a transparent conductive film capable of carrying out electroless plating treatment in a short time, and reducing a defect caused by an adhesion failure of an electroless plated layer continuously by a simple process and inexpensively even in the case of a lengthy transparent conductive film.例文帳に追加

短時間で無電解めっき処理を行うことができ、無電解めっき層の付着不良による欠陥を低減することができ、しかも、長尺の透明導電膜であっても、連続的に簡単な工程で、且つ、安価に透明導電膜を作製できるようにする。 - 特許庁

To provide a structure for improving the lifetime of a product by eliminating poor coating of nickel plating thereby preventing deterioration in adhesion of a solder layer and occurrence of voids, and to provide a substrate for power module, a power module, and their production process.例文帳に追加

ニッケルメッキの被着不良を無くすことによって、はんだ層の密着性の低下やボイドの発生を確実に防止できるようにし、製品寿命の向上を図ることのできる構造体と、パワーモジュール用基板と、パワーモジュール、及び、それらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which includes a wafer precleaning process capable of hydroplilically treating the wafer face, at the same time with suitably removing the Cu metal pollution adhering to the rear, etc., of a wafer when a Cu plating film is made on the surface of the wafer.例文帳に追加

ウェハ表面にＣｕメッキ膜を形成したときにウェハ裏面等に付着するＣｕ金属汚染を好適に除去すると同時に、ウェハ面を親水化処理することが可能なウェハ前洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate comprises subjecting the surface of the liquid crystal polyester film to surface roughening with an etchant composed of an alkali, an aliphatic amino alcohol derivative having a hydroxyl group in the molecule and water, then forming the conductive metallic film by a plating process on the roughened surface then heat treating the same.例文帳に追加

液晶ポリエステルフィルムの表面を、アルカリと分子中に水酸基を有する脂肪族アミノアルコール誘導体と水とで成るエッチング液で粗面化し、次いで、前記粗面上にメッキ法によって導電性金属膜を形成した後、それを加熱処理する。 - 特許庁

At the time of forming the capacitor and inductor element in the printed wiring board in the manufacturing process, the lower electrode 4 of the capacitor is formed by the subtractive method used for etching metal foil 2, and the upper electrode 7 of the capacitor is formed by the additive method or semi-additive method used for plating a metal.例文帳に追加

製造工程内にてキャパシタ及びインダクタ素子を作り込む際に、金属箔２をエッチングするサブトラクティブ法でキャパシタの下部電極４を形成し、金属をめっきするアディティブ法又はセミアディテイブ法でキャパシタの上部電極７を形成すること。 - 特許庁

To provide a press fit cylinder type quartz resonator in which the characteristics are prevented from deteriorating through heat treatment by preventing an organic additive contained in alloy plating from gasifying to expand and break an overplating layer in the heat treatment process of the press fit cylinder type quartz resonator.例文帳に追加

圧入型シリンダータイプ水晶振動子の熱処理工程において、合金メッキに含まれる有機系添加剤がガス化して、オーバーメッキ層が膨張し、破裂するのを防ぎ、熱処理により特性を悪化させない圧入型シリンダータイプ水晶振動子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate for a semiconductor device including a process capable of simply and absolutely removing an electric supply line for plating without constituting a limiting factor of a high-density interconnection, and to provide a high-density substrate for the semiconductor device manufactured by using the method.例文帳に追加

配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって作製される高密度な半導体装置用基板を提供する。 - 特許庁

To prevent a heating process from having a thermal effect on an electronic component up to the interior thereof when a connection conductive layer of a Pb free Sn based alloy plating layer formed on the surface of an external terminal in order to suppress generation of whisker is melted.例文帳に追加

ウィスカの発生を抑制するために外部端子の表面に形成したＰｂフリーのＳｎ系合金めっき層から成る接続用導電層を溶融させる際に、加熱処理によって電子部品の内部まで熱的影響を与えることがないようにする。 - 特許庁

To provide a barrel type drying machine which achieves power saving, space saving, manpower saving, and speeding up of a treatment process, by drying a small component of which the surface has been treated with plating or the like in the barrel and washed in the water, without taking it out once from the barrel.例文帳に追加

バレルにより、めつき等の表面処理を施した小物部品を、水洗いした後、一旦バレルから取り出すことなく、そのまま乾燥を行うことにより、処理工程の省力化、省スペース化、省人化、高速化を図るようにしたバレル型乾燥機。 - 特許庁

The manufacturing method of the electromagnetic wave shielding member has a step in which the metal fine particle binding body having a porosity of 20-80% formed by binding the metal fine particles via a binder resin is formed into a mesh pattern using a printing method, and a step in which the resulted product is subjected to plating process.例文帳に追加

透明基材上に、印刷法を用いて、金属微粒子を樹脂バインダーによって結着した空隙率が２０〜８０％の金属微粒子結着体をメッシュパターンに形成し、このものをめっき処理する電磁波シールド部材の製造方法である。 - 特許庁

A conductive film is thereafter formed at about 50 nm on the master disk formed with such fine rugged patterns by electroless nickel plating or nickel sputtering, etc., without undergoing a developing process and the stamper is so manufactured by nickel electroplating as to attain a thickness of about 300 μm.例文帳に追加

その後、現像過程を経ずに、この微細凹凸パターンが形成された原盤上に、無電解ニッケルメッキまたはニッケルスパッタリング等により導電膜を約５０ｎｍ形成し、電柱ニッケルメッキにて約３００μｍの厚みになるようにスタンパを作製する。 - 特許庁

To meet the request that, as a manufacturing method of a stamper, there is sought one which eliminates preparing an original of a microchip, unnecessitates the plating process and further which is simple, has fewer processes and gives a stamper that is easy to inspect and excellent in durability.例文帳に追加

スタンパの製法としてマイクロチップの原型の作製を排除し、かつメッキ工程が必要ない製法が求められ、しかもその製法も簡単で工程数が少なく、できたスタンパは検査が容易で耐久性などに優れているものが求められている。 - 特許庁

According to the method, a via-hole plugging process carried out in a conventional manufacturing method for a multilayer printed circuit board is made unnecessary by machining a via-hole having a diameter smaller than that of a conventional via-hole upon forming the circuit layer and filling the via-hole by plating.例文帳に追加

本発明によれば、回路層の形成時にビアホールを従来に比べて小さい直径に加工してメッキによってビアホールの内部を充填することにより、従来の多層印刷回路基板の製造方法でのビアホールプラッギング工程を必要としない。 - 特許庁

The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.例文帳に追加

高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the electrode for lithium secondary battery in which a thin film containing an active material is formed on a current collector, and is provided with an interfacial layer forming process of forming an interfacial layer on the current collector by an ion plating method and an active material layer forming process of forming an active material layer on the interfacial layer by a vapor deposition method.例文帳に追加

本発明方法は、活物質を含む薄膜を集電体上に形成するリチウム二次電池用電極の製造方法であって、集電体上にイオンプレーティング法により界面層を形成する界面層形成工程と、界面層上に蒸着法により活物質層を形成する活物質層形成工程とを具えることを特徴とする。 - 特許庁

In the roller manufacturing method, the metallic core body of the roller having a resin coating layer formed through a thermal effect process comprises the steel material with the chromium content of 10% or less not subjected to plating treatment, and rust-proof treatment is applied to at least the outer periphery other than a resin coating range of the resin coating layer during a roller forming process.例文帳に追加

熱による効果過程を経て形成される樹脂製の被膜層を有するローラにおいて、金属性芯体がクロム含有率１０％以下の鋼材でメッキ処理を行なわないものであり、かつ、ローラ形成過程の間に少なくとも樹脂製被服層の被服範囲外の外周に防錆処理を行なうことを特徴とする製造方法で、接着剤塗布工程で防錆処理を行なう。 - 特許庁

The manufacturing method of the three-dimensional metal fine structure having an arbitrary stereoscopic shape comprises a first process for forming a polymer structure having a three-dimensional fine structure by a two-photon absorbing fine shaping method for irradiating a photosetting resin with a short pulse laser beam and a second process for forming a metal film on the polymer structure formed by the first process by electroless plating.例文帳に追加

任意の立体形状を備えた３次元金属微細構造体の製造方法において、光硬化性樹脂に対して短パルスレーザー光を照射して２光子吸収微細造形法により３次元微細構造を備えたポリマー構造体を形成する第１の工程と、上記第１の工程により形成されたポリマー構造体に無電解めっきにより金属膜を形成する第２の工程とを有する３次元金属微細構造体の製造方法である。 - 特許庁

To suppress unevenness in the thickness of a metal wiring film thickness constituted by laminating a substrate film prepared by sputtering and an Au plating layer formed by a low temperature film forming process on the substrate film on the surface of a sealing substrate to form connection with a driving circuit for driving an actuator substrate in a liquid droplet discharge head.例文帳に追加

液滴吐出ヘッドにおいて、アクチュエータ基板を駆動する駆動回路と接続するために封止基板表面に、スパッタによる下地膜と、その上に低温成膜プロセスであるＡｕめっきを重ねて構成される金属配線の膜厚ムラの発生を抑制する。 - 特許庁

In a cleaning process after plating, a fluid 4 is sprayed to a laminated plate 1 while air bubbles are foamed with a fluid sprayer 3 in a cleaning tank 2, to remove the foreign material inside the through hole.例文帳に追加

めっき後の洗浄工程において、洗浄槽２内にて流体噴射部３より気泡を発泡させながら積層板１に流体４を噴射することにより積層板１の貫通孔内部の異物を除去することを特徴としたプリント配線板の製造方法および製造装置である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer ceramic capacitor, which prevents the oxidation of an electrode layer at baking by applying a Cu external electrode on the multilayer ceramic capacitor where the internal electrode is Ni and the dielectric ceramic is barium titanate, and which does not cause nonconformity in a plating process.例文帳に追加

内部電極がＮｉで誘電体セラミックがチタン酸バリウムである積層セラミックコンデンサにＣｕ外部電極を塗布し、焼き付ける際の電極層の酸化を防止するとともに、めっき工程においても不具合を生じない積層セラミックコンデンサの製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for removing copper impurities capable of processing the treatment of the copper impurities dissolved and accumulated in a chrome plating solution in a large amount at a time, stably removing the copper impurities and drastically shortening the process required for removal of the copper impurities.例文帳に追加

クロムめっき液中に溶解蓄積される銅不純物の除去を一度に大量処理でき、安定した銅不純物の除去が可能であるとともに、銅不純物の除去にかかる工程を大幅に短縮させることができる銅不純物の除去方法を提供する。 - 特許庁

At least one small holes 16 or 16' is formed on a suitable position of the pulley for venting air in a space enclosed by the annular end surface wall part, the outer peripheral wall part and the inner circumferential wall part when the pulley is dipped into various kinds of treating liquids in a plating process for the pulley.例文帳に追加

プーリのメッキ処理工程中に該プーリを種々の処理液に浸漬する際に環状端面壁部と、外周壁部と、内周壁部とで囲まれた空間内の空気を逃がすために該プーリの適当な箇所に少なくとも１つの小孔（１６、１６′）が形成される。 - 特許庁

For the production of this surface-treated copper foil, there is employed, for example, a process comprising subjecting a glossy surface of copper foil to electrolysis in a black cobalt plating solution containing cobalt sulfate (heptahydrate) at a current density of 2A/dm^2 or higher so as to form a rustproof treated layer and thereafter carrying out water washing and drying.例文帳に追加

また、当該表面処理銅箔の製造は、銅箔の光沢面上に、硫酸コバルト（７水和物）を含む黒色コバルトメッキ液を用いて、２Ａ／ｄｍ^２以上の電流密度で電解し、防錆処理層を形成し、水洗し、乾燥する手法等を採用する。 - 特許庁

To reduce the peeling-off of plating by the fact that a contact of a connector of one side slidingly contacts with an insulation housing of the counter connector in a process of slide connection, as for a slide connection type connector in which contacts are contacted with each other by letting contact arrangement faces of insulation housing mutually slide.例文帳に追加

絶縁ハウジングのコンタクト配列面どうしをスライドさせてコンタクトどうしを接触させるスライド接続式のコネクタについて、スライド接続の過程で、一方のコネクタのコンタクトが相手方コネクタの絶縁ハウジングと摺動接触することによるメッキの剥離を低減する。 - 特許庁

In the hole 32, a metal layer 38, having at least three metal protrusions 38a to 38c, is formed by plating process only in the inner wall segment of the hole for 50 to 100 μm from the opening end of the guide pin insertion side so that the opening size of the hole 32 increases as going toward the outside.例文帳に追加

孔３２においてガイドピン挿入側の開口端から５０〜１００μｍ程度の内壁区間にのみ孔３２の開口サイズを外方に進むにつれて増大させるように少なくとも３個の金属突起３８ａ〜３８ｃを有する金属層３８をメッキ処理により形成する。 - 特許庁

To efficiently manufacture ceramic electronic parts having high reliability with a high yield by suppressing the generation of failures caused by sticking among materials (ceramic elements) to be plated and reducing the dispersion in the thickness of the plated layer in a process for forming an outer electrode by plating a ground electrode.例文帳に追加

下地電極にめっきを行って外部電極を形成する工程において、被めっき物（セラミック素子）どうしのくっつき不良の発生を抑制し、かつ、めっき層の厚みのばらつきを低減して、歩留まりよく、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造する。 - 特許庁

The plated copper alloy material can be manufactured by forming a Ni-plated layer on the surface of the copper alloy base material, then forming a Sn-plated layer and thereafter executing a reflow treatment or a heating process or by forming the Ni-plated layer on the surface of the copper alloy base material and thereafter executing melted Sn plating on top of it.例文帳に追加

銅合金基材の表面にＮｉめっき層を形成し、続いてＳｎめっき層を形成した後、リフロー処理又は加熱処理を行うか、銅合金基材の表面にＮｉめっき層を形成した後、その上に溶融Ｓｎめっきを行うことにより製造できる。 - 特許庁

For the production of this surface-treated copper foil, there is employed, for example, a process comprising subjecting a surface of a copper foil to pulse electrolysis in a cobalt plating solution containing cobalt sulfate (heptahydrate) at a fixed current density so as to form a blacking-treated surface and to form a rustproof treated layer and thereafter carrying out water washing and drying.例文帳に追加

表面処理銅箔の製造に、銅箔の表面に、硫酸コバルト（７水和物）を含むコバルトメッキ液を用いて、一定の電流密度でパルス電解し黒色化処理面を形成し、防錆処理層を形成し、水洗し、乾燥する手法等を採用する。 - 特許庁

The process for producing an ultra-thin flexible conductive fabric comprises fabricating a synthetic fiber, applying a thermal calendering treatment at least one time to the woven fabric to reduce the thickness and increase the flexibility, and further metal-coating the thermally-calendered woven fabric by electroless plating.例文帳に追加

合成繊維を織布し、厚の減少及び軟性の増加のために少なくとも１回当該織布を熱カレンダー処理し、更に熱カレンダー処理した当該織布を無電解メッキにより金属コーティングする工程を含んでなる、電磁遮蔽効果を有する超薄型軟性導電布の製造方法。 - 特許庁

To widen a hole fillable range which is free of the formation of a void as to a build-up substrate which has a blind via hole of 0.5 to 150 μm in hole diameter, 2 to 100 μm in depth, and ≤6 in aspect ratio (depth/hole diameter) and is formed through a process of filling the blind via hole by electric copper plating.例文帳に追加

穴径が０．５〜１５０μｍ，深さ２〜１００μｍ，アスペクト比（深さ／穴径）が６以下のブラインドビアホールを有し、そのブラインドビアホールを電気銅めっきにより穴埋めする工程を経て作られるビルドアップ基板において、電流密度を低下させずに、ボイドの発生がない穴埋め可能範囲を広げる。 - 特許庁

At least one surface of a rolled copper alloy that is not softened by heating for 1 hour at 300 °C is finished to a gloss surface, to which surface a dry-plating process is applied to yield Ni, Ni alloy, Cr, or Cr alloy of 10 nm or more.例文帳に追加

３００℃で１時間加熱しても軟化しない圧延銅合金箔の少なくとも一方の面を光沢面に仕上げ、その面に１０ｎｍ以上のＮｉ、Ｎｉ合金、ＣｒもしくはＣｒ合金を、乾式めっき法を用いて施すことを特徴とするプリント配線基板用金属材料。 - 特許庁

In the first resist buried pedestal formation process, a first resist plating die 10 is removed (Fig.5C), and a first resist buried pedestal 14 is formed (Fig.5D) by using new resist without absorbing moisture and the method of removing bubbles in the resist body set to conditions differing from conventional ones.例文帳に追加

第１レジスト埋込台座形成工程では、第１レジストめっき型１０を除去し（図５Ｃ）、水分を吸湿していない新規レジストおよび従来と異なる条件に設定された本発明のレジスト体の気泡除去方法を用いて第１レジスト埋込台座１４を形成する（図５Ｄ）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ceramic substrate by a simultaneous baking process employing a restriction sheet, in which firing strain can be reduced furthermore while preventing such problems as the stamping of unnecessary protrusions/recesses on the surface conductor, adhesion of foreign matters, deterioration of plating properties or solder wettability.例文帳に追加

拘束シートを用いた同時焼成工程によるセラミック基板の製造方法において、表面導体に不必要な凹凸をスタンプ（stamp）したり、異物付着を起こしたり、メッキ性や半田濡れ性の低下といった問題の発生を防ぎつつ、焼成ひずみをより小さくできる方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing process of electronic component, expansion of plating can be prevented, when a second metal electrode layer 34 and a third metal electrode layer 36 are formed, by forming a glass layer 40 at an edge of a first metal electrode layer 32 on the front surface of a ceramic raw material 10.例文帳に追加

この電子部品の製造方法では、セラミック素体１０の表面上に第１の金属電極層３２の縁にガラス層４０を形成することで、第２の金属電極層３４及び第３の金属電極層３６を形成する際のめっき伸びを防止できる。 - 特許庁

To provide a primer coat which imparts high adhesive properties to a coating film formed by a vacuum plating process by applying one kind of primer coat without making the applied formation of discrete undercoats, to a resin which does not undergo a surface modification, even when it is merely exposed to a high frequency plasma or a CD plasma.例文帳に追加

単に高周波プラズマや直流プラズマに曝した程度では表面改質されない樹脂に、それぞれアンダーコートを塗り分けることなく、一種類のプラマーコートを塗布することで、真空メッキ法で成膜した膜に、高い密着性が得られるプライマーコートを提供する。 - 特許庁

In the electroplating method for a wire rod, a process where the wire rod A to be plated running inside a plating liquid is used as an anode and oxide on the surface of the wire rod to be plated is removed, and the wire rod to be plated is used as a cathode and electroplating is performed is repeated to form an electroplated film on the surface of the wire rod.例文帳に追加

めっき液内を走行する被めっき線材Ａを陽極として被めっき線材表面の酸化物を除去した後、被めっき線材を陰極として電気めっきする工程を繰り返して、線材表面に電気めっき被膜を形成する線材の電気めっき方法。 - 特許庁

To provide a remarkably simplified method of forming a conductor circuit which does not require plating or resist by solving a problem of complicated process in a conventional method of forming a conductor circuit, and to provide a wiring board to be obtained by this method.例文帳に追加

本発明の目的は、従来の導体回路形成方法における工程の煩雑さという課題を解決し、めっきやレジストを必要としない、大幅に簡略化された、導体回路の形成方法を提供することであり、また、その方法によって得られる配線基板を提供することである。 - 特許庁

An oxide film of 2-20 μm thickness comprising MgO, Al2O3 or ZrO2 is formed on a nitride film formed by cathode arc type ion plating, a TiAlN film is further formed in 2-5 μm thickness on the oxide film and a silicate film is further formed on the TiAlN film by a sol-gel process.例文帳に追加

また、カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に、厚さ２〜２０μｍのＭｇＯ、Ａｌ_2Ｏ_3、または、ＺｒＯ_2からなる酸化膜を形成し、更にその上に、ＴｉＡｌＮ膜を２〜５μｍ形成し、更にその上にゾル・ゲル法でシリケート膜を形成した膜構造。 - 特許庁

When punching the plate material S after the pre-plating process, a part of plated layer M of the pre-plated part of the plate surface of the plate material S is dragged forcibly to (in a punching direction) a punched cut side surface part to be expanded, and the punched cut side surface part is also mechanically plated.例文帳に追加

しかも、当該先メッキ処理後の板材Ｓを打ち抜く際に、板材Ｓの板面先メッキ部分のメッキ層Ｍの一部を、打ち抜き切断側面部分へ（打ち抜き方向へ）強制的に引きずって押し広げ、当該打ち抜き切断側面部分にも機械的にメッキを施す。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device in which an Ni plated film 13a formed by electroless plating is formed on the side of one surface 100a of the semiconductor wafer 100 and the semiconductor wafer 100 is ground and thinned from the side of the other surface 100b of the semiconductor wafer 100, the process of thinning the semiconductor wafer 100 is executed before the process of forming the Ni plated film 13a.例文帳に追加

半導体ウェハ１００の一面１００ａ側に無電解メッキにより形成されたＮｉメッキ膜１３ａを形成するとともに、半導体ウェハ１００の他面１００ｂ側から半導体ウェハ１００を研削して薄肉化するようにした半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ１００を薄肉化する工程を、Ｎｉメッキ膜１３ａを形成する工程の前に行う。 - 特許庁