「PS w」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an inexpensive sheet repasting device with a simple structure, capable of pasting a second sheet S on one surface of an adherend W having a first sheet PS pasted on the other surface and then peeling the first sheet PS from the adherend W.例文帳に追加

一方の面に第１シートＰＳが貼付された被着体Ｗの他方の面に第２シートＳを貼付すると共に、被着体Ｗから第１シートＰＳを剥離することのできる簡単な構造で安価なシート貼り換え装置を提供する。 - 特許庁

In the apparatus for processing the substrate, the substrate W is supported by flat surfaces of four substrate supporting parts PS disposed on the upper surface of a conveying arm bm4.例文帳に追加

基板Ｗは搬送アームｂｍ４の上面に配置された４個の基板支持部ＰＳの平面により支持されている。 - 特許庁

Pulse width W of the damping pulse Ps is set so as to obtain a current Is corresponding to the impulse equal to the momentum of the trough 8 because oscillation width of the damping pulse Ps is a preset fixed value.例文帳に追加

制振パルスＰｓの振幅は予め定められた一定値であるため、トラフ８の運動量に等しい力積に相当する電流Ｉｓが得られるように、制振パルスＰｓのパルス幅Ｗを設定する。 - 特許庁

The fine differential pressure sensor PS detects the pressure of an air stream exhausted through the pressure measuring pipe 5 from a space surrounded by a substrate W and the upper surface of the temperature control plate 2.例文帳に追加

微差圧センサＰＳは、基板Ｗと温調プレート２の上面により囲まれる空間から圧力測定管５を通じて排気される気流の圧力を検出する。 - 特許庁

A GSM modem 7 having a GSM L1 FW 9 and a GSM PS11 is mounted in a controller 15 having a control software 19 and a W-CDME PS 17.例文帳に追加

ＧＳＭ Ｌ１ ＦＷ９とＧＳＭ ＰＳ１１を有するＧＳＭモデム部７を、制御ソフトウェア１９とＷ−ＣＤＭＡ ＰＳ１７を有する制御部１５に実装する。 - 特許庁

A sticking unit 24 is configured to peel the adhesive sheet S1 in a plane shape corresponding to the semiconductor wafer W from a peeling sheet PS and to stick the adhesive sheet on the semiconductor wafer W, wherein the adhesive sheet S1 can be stuck on the semiconductor wafer W while simultaneously feeding the adhesive sheet S1, pressing the adhesive sheet S1 and peeling the adhesive sheet S1 from the peeling sheet PS.例文帳に追加

半導体ウエハＷに対応した平面形状の接着シートＳ１を剥離シートＰＳから剥離して半導体ウエハＷに貼付する貼付ユニット２４であって、接着シートＳ１の繰り出しと、接着シートＳ１の押圧と、接着シートＳ１の剥離シートＰＳからの剥離とを同時に行いながら当該接着シートＳ１を半導体ウエハＷに貼付可能に設けられている。 - 特許庁

The sheet repasting device includes a sheet pasting means 40 for pasting the second sheet on the adherend W in a state wherein the adherend W is adhered to a tape 11 for conveyance with the first sheet PS interposed, and a guide means 50 for folding back the tape 11 for conveyance.例文帳に追加

被着体Ｗを第１シートＰＳを介して搬送用テープ１１に接着させた状態で、被着体Ｗに第２シートＳを貼付するシート貼付手段４０と、搬送用テープ１１を折り返すガイド手段５０とを備える。 - 特許庁

The extra oil supplied from the flow priority valve spool 22 is pressurized higher by a given pressure value than the load pressure PS, and then supplied to the hydraulic working machine W by the bleed-off valve spool 20.例文帳に追加

フロープライオリティバルブスプール２２から供給された余剰油はブリードオフ弁スプール２０によって負荷圧ＰＳより所定圧だけ高い油圧にされ油圧作業機Ｗへ供給される。 - 特許庁

This substrate treatment method is provided to discharge mixed fluid acquired by mixing oxygen with nitrogen gas from a cooling nozzle 3 as a cooling medium, and to move the cooling nozzle 3 from a stand-by position Ps to a rotation center position Pc of a substrate W.例文帳に追加

冷却ノズル３から窒素ガスに酸素を混合させた混合流体を冷媒として吐出させながら冷却ノズル３を待機位置Ｐｓから基板Ｗの回転中心位置Ｐｃに移動させる。 - 特許庁

The light entering the rods 25 makes multiple reflection on the sidewalls of the interiors of the square pole-shaped light guide rods 25 and is emitted from the lower ends of the rods 25 toward substrates W in the space PS.例文帳に追加

導光ロッド２５に入射した光は、四角柱形状の導光ロッド２５内部の側壁において多重に反射を繰り返し、その下端面から処理空間ＰＳ内の基板Ｗに向けて出射する。 - 特許庁

The device cuts or polishes a wafer W affixed to a dicing tape DT or a protective sheet PS each having an ultraviolet curing adhesive layer US into pieces; and includes a table 11 supporting the wafer W, a rotary cutter 13 that cuts or a grinder 50 that polishes the wafer W, and a ultraviolet irradiating device 15 juxtaposed therewith.例文帳に追加

紫外線線硬化型の接着剤層ＵＳを有するダイシングテープＤＴ又は保護シートＰＳに貼付されたウエハＷを切削若しくは研削して個片化する装置であり、同装置は、ウエハＷを支持するテーブル１１と、ウエハＷを切削するロータリーカッター１３若しくは研削するグラインダー５０と、これに併設された紫外線照射装置１５とを含む。 - 特許庁

After a rolled material LS, where a heat-sensitive adhesive sheet S has been laminated onto a stripping sheet PS, is stuck to a semiconductor wafer W, the sheet stripper 50 cuts the rolled material along the outer circumference of the semiconductor wafer, to separate the stripping sheet PS located on the semiconductor wafer from the rolled material part S1 located on the outer circumferential side of the semiconductor wafer.例文帳に追加

剥離シートＰＳに感熱接着性の接着シートＳが積層された原反ＬＳを半導体ウエハＷに貼付した後に、半導体ウエハの外周に沿って原反を切断し、半導体ウエハ上に位置する剥離シートＰＳ部分と半導体ウエハ回りの外周側に位置する原反部分Ｓ１を剥離するシート剥離装置５０。 - 特許庁

The position of an end mill to the working surface W1a of a work W is transferred in order to an approach pass S1 adjacent to the working surface W1a, a shape pass PS 2 along the working surface W1a and a retreat pass PS3 separated from the working surface W1a to machine the working surface W1a of the work W.例文帳に追加

ワークＷの加工面Ｗ１ａに対するエンドミルの位置を、加工面Ｗ１ａに接近するアプローチパスＰＳ１、加工面Ｗ１ａに沿った形状パスＰＳ２、及び加工面Ｗ１ａから離間する退避パスＰＳ３に順に移行させて、ワークＷの加工面Ｗ１ａを加工する。 - 特許庁

To obtain (i) a polar solvent-type emulsion in an oil PS1/O, (ii) a polar solvent-type composite emulsion in water and an oil PS1/O/W and (iii) a polar solvent-type composite emulsion in a polar solvent and an oil PS1/O/PS.例文帳に追加

（i）油中極性溶媒型のエマルションＰＳ_1／Ｏ、（ii）水中油中極性溶媒型の複合エマルションＰＳ_1／Ｏ／Ｗ、及び（iii）極性溶媒中油中極性溶媒型の複合エマルションＰＳ_1／Ｏ／ＰＳの提供。 - 特許庁

The start position Ps is determined to place any boundary of the scanning region As in a gap region Av on the basis of the prescribed width w and the gap end distance La and the gap width Ld of the gap region Av.例文帳に追加

開始位置Ｐｓは、所定幅ｗ、並びに、間隙領域Ａｖの間隙端距離Ｌａ及び間隙幅Ｌｄに基づいて、走査領域Ａｓの境界のいずれかが間隙領域Ａｖに位置するように決定される。 - 特許庁

In a nitrogen atmosphere of 100 Torr, boron nitride as the target is irradiated with a laser beam with a wave length of 1.064 μm, a pulse width of 60 ps, a pulse repetition rate of 2×10^5 pulse/sec, and intensity of 2.7×10^11 W/cm^2.例文帳に追加

１００Ｔｏｒｒの窒素雰囲気中で、波長１．０６４μｍ、パルス幅６０ｐｓ、繰り返し回数２×１０^５パルス／秒、強度２．７×１０^１１Ｗ／ｃｍ^２のレーザー光を、ターゲットとしての窒化ホウ素に照射する。 - 特許庁

A control device 24 finds an actually passing power value Ps of actually passing laser beam passing the polarized beam splitter 15 with which the work W to be machined is irradiated, every time of laser irradiation based on a detection signal SG1 from the first light receiving element S1.例文帳に追加

制御装置２４は、第１受光素子Ｓ１からの検知信号ＳＧ１に基づいて、その時々の偏光ビームスプリッター１５を通過し加工対象物Ｗに照射される実通過レーザ光の実通過パワー値Ｐｓを求める。 - 特許庁

The projection optical system PS has the first lens group GR1 made immobile and has the second lens group GR2 moved from a reduction side to the enlargement side when being zoomed from a wide angle end (W) to a telephoto end (T).例文帳に追加

その上、かかる投影光学系ＰＳは、広角端（Ｗ）から望遠端（Ｔ）までのズーミングにおいて、第１レンズ群ＧＲ１を不動にさせる一方、第２レンズ群ＧＲ２を縮小側から拡大側へと移動させている。 - 特許庁

A state determination processing section 63 calculates a reflectance R at the prescribed surface position Ps based on the intensity of the reflected light L1 detected by the detection section 62, and determines the state of a substrate W from the calculated reflectance R.例文帳に追加

そして、状態判定処理部６３が、検出部６２により検出された反射光Ｌ１の強度に基づいて規定表面位置Ｐｓの反射率Ｒを算出し、算出された反射率Ｒから基板Ｗの状態を判定する。 - 特許庁

The aluminum nitride sintered compact is characterized in that, in defect analysis in positron annihilation method, the ratio of positrons annihilated within 180 ps (picosecond) in aluminum nitride crystals is ≥90%, and preferably has thermal conductivity of ≥200 W/mK.例文帳に追加

本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、180ps(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が90%以上であることを特徴とし、好ましくは200W／ｍK以上の熱伝導率を有する。 - 特許庁

The vibrational energy in a floor and an underfloor space Ps is not transmitted to a building frame such as the floor slab, and can be released from the clearance by forming the clearance S between the floor structure 7 and the skeleton wall W of the building by the spacer 51.例文帳に追加

スペーサ５１で床構造体７と建物の躯体壁Ｗとの間にスキマＳを形成することにより、床と床下空間Ｐｓにおける振動エネルギーを、床スラブ等の建物躯体に伝えず、上記スキマから逃がすことができる。 - 特許庁

The pulling means 16 starts performing peeling at a small angle where a peeling angle θ is close to 0 degree as much as possible, by giving a peeling force Fr to the peeling sheet PS outward along the surface of the wafer W, when a peeling of the adhesive sheet S starts.例文帳に追加

引張手段１６は、前記接着シートＳの剥離を開始する時に、ウエハＷの面に沿う外側に向かって剥離用シートＰＳに引張力Ｆｒを付与することにより、剥離角度θが限りなく０度に近い小さな角度で剥離を開始する。 - 特許庁

A first set (inside) and a second set (outside) coils CL_A, CL_B for a coil device 64 are conducted to form a clockwise or a counterclockwise magnetic field [B] in a surface (horizontal surface) horizontal to the treated surface of a semiconductor wafer W in a treating space PS in a chamber 10.例文帳に追加

コイル装置６４の第１組（内側）および第２組（外側）のコイルＣＬ_Ａ，ＣＬ_Ｂが通電してチャンバ１０内の処理空間ＰＳに半導体ウエハＷの被処理面に水平な面内（水平面内）で右回り方向または左回り方向の磁場［Ｂ］を形成する。 - 特許庁

A thin-wire optical waveguide or photonic crystal optical waveguide is so constituted that the cross section of a core is ≤1 μm^2, the refractive index difference between the core and a clad is ≥1, and an incidence pulse has peak power of hundreds of W and a ≤10 ps pulse width, thereby increasing nonlinear optical effect for supercontinum light generation.例文帳に追加

細線光導波路またはフォトニック結晶光導波路について、コアの断面積を１μｍ^2以下、コアとクラッドとの屈折率差を１以上とし、入射光パルスについて、ピークパワーが数百Ｗ以上、パルス幅が１０ｐｓ以下として、スーパーコンチュウム光生成のための非線形光学効果を高める。 - 特許庁

An indication determination part 22 periodically acquires a light receiving amount in a light receiving element 132 when a work W passes through a detection position Ps to determine whether or not there is an indication of an abnormality in a detection sensor 12 based on comparison between a acquisition waveform to be generated based on the acquisition result and a reference waveform to be stored in a reference storage part 20.例文帳に追加

兆候判定部２２は、検出位置ＰｓをワークＷが通過する場合における受光素子１３２での受光量を周期的に取得して該取得結果に基づき生成される取得波形と、基準記憶部２０に記憶される基準波形との比較に基づき、検出センサ１２に異常の兆候があるか否かを判定する。 - 特許庁

The pattern drawing apparatus carries out exposure scanning along a main scanning direction covering each of a plurality of scanning regions As defined by each prescribed width w from a start position Ps on a substrate 9 along a sub scanning direction, by relatively moving a plurality of exposure heads in the main scanning direction and the sub scanning direction with respect to the substrate.例文帳に追加

パターン描画装置では、複数の露光ヘッドを基板に対して主走査方向と副走査方向とに相対移動させることで、基板９上の開始位置Ｐｓから副走査方向に所定幅ｗごとに規定される複数の走査領域Ａｓのそれぞれを担当する主走査方向に沿った露光走査が行われる。 - 特許庁