「RF PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An RF bias is applied and a plasma 32 is generated inside the plasma chamber and a wafer is exposed to the plasma 32.例文帳に追加

ＲＦバイアスを印加し、プラズマチャンバ内にプラズマ３２を発生させてウェハをプラズマ３２に曝す。 - 特許庁

DEPOSITION OF TEOS OXIDE USING PULSE RF PLASMA例文帳に追加

パルスＲＦプラズマを用いたＴＥＯＳ酸化物の堆積 - 特許庁

A plasma processing system has a main rf electrode 1 and an annular secondary rf electrode 4.例文帳に追加

プラズマ処理装置は主ｒｆ電極１とリング状第２ｒｆ電極４を有する。 - 特許庁

The plasma source ionizes the fluorocarbon gas by applying RF plasma energy thereto, and the second plasma source applies a self-bias to the substrate in an RF frequency.例文帳に追加

プラズマ源はＲＦプラズマエネルギーを印加することによりフルオロカーボンガスをイオン化し、第２のプラズマ源はＲＦ周波数で基板にセルフバイアスを印加する。 - 特許庁

The RF power signal is generated in the chamber from the RF power supply without igniting plasma inside the chamber.例文帳に追加

ＲＦ電力信号は、チャンバ内のプラズマを点火することなくＲＦ電源からチャンバに生成される。 - 特許庁

RF power is supplied to the plasma container from the RF generator through the controlled impedance network.例文帳に追加

ＲＦパワーが、ＲＦ発生器から制御されたインピーダンス・ネットワークを通してプラズマ容器に供給される。 - 特許庁

AC-RF SEPARATION FILTER OF HIGH AC AND HIGH RF POWER FOR HEATING ELECTROSTATIC CHUCK OF PLASMA REACTOR例文帳に追加

プラズマリアクタの加熱静電チャックのための高ＡＣ電流、高ＲＦ電力なＡＣ−ＲＦ分離フィルタ - 特許庁

To provide an RF plasma source in which capacity coupling between a coil and plasma is reduced and corrosion of the surface in a plasma tube is sufficiently reduced.例文帳に追加

コイルとプラズマ間の容量結合を減らし、プラズマチューブ内表面の腐食を有意に減らすＲＦプラズマソースの提供。 - 特許庁

N pieces of RF sources respond respectively to a second RF power which includes feedback from the plasma chamber.例文帳に追加

Ｎ個のＲＦソースはプラズマ室からのフィードバックを含んでいる第２のＲＦ電力にそれぞれ応答する。 - 特許庁

To enhance in-plane uniformity of a plasma process in a wide RF frequency area and also in a wide RF power area.例文帳に追加

広いＲＦ周波数領域で、かつ広いＲＦパワー領域でプラズマプロセスの面内均一性を向上させること。 - 特許庁

This plasma coating apparatus comprises a vacuum vessel 1, a magnetic field generator 2, a current control device 3 for controlling magnetic flux density, and an RF application device 4.例文帳に追加

本発明は、真空容器1、磁場発生装置2、磁束密度制御用電流制御装置3、RF印加装置4からなる。 - 特許庁

The plasma chamber includes dual-frequency bias source that capacitively couples the RF energy to the plasma, and a single or dual frequency source that inductively couples the RF energy to the plasma.例文帳に追加

プラズマチャンバは、プラズマとＲＦエネルギーを容量結合させる二重周波数バイアス源と、プラズマとＲＦエネルギーを誘導結合させる単一周波数源又は二重周波数源とを備える。 - 特許庁

To minimize an effect of distortion to an RF feedback signal from a plasma chamber.例文帳に追加

ＲＦフィードバック信号に対するプラズマ室からの歪の影響を最小にする。 - 特許庁

PLASMA CONFINEMENT RINGS INCLUDING RF ABSORBING MATERIAL FOR REDUCING POLYMER DEPOSITION例文帳に追加

ポリマーの堆積を低減するためのＲＦ吸収材料を含むプラズマ閉じ込めリング - 特許庁

METHOD OF AND APPARATUS FOR CONTROLLING REACTIVE IMPEDANCE OF MATCHING NETWORK CONNECTED BETWEEN RF SOURCE AND RF PLASMA PROCESSOR例文帳に追加

ＲＦ源とＲＦプラズマ・プロセッサの間に接続された整合ネットワークのリアクタンス性インピーダンスを制御する方法および装置 - 特許庁

The plasma source power supply generates a first RF power for the first antenna and a second RF power for the second antenna.例文帳に追加

プラズマ源電源は、第１のアンテナへの第１のＲＦ電力と、第２のアンテナへの第２のＲＦ電力とを発生させる。 - 特許庁

A probe interface for an RF probe head comprises a conductor for transmitting RF power to a plasma chamber, and a sensing board for generating an analog signal based on the RF power.例文帳に追加

高周波プローブヘッド用プローブインタフェースは、高周波電力をプラズマチャンバーに伝える導体と、高周波電力に基づいてアナログ信号を生成させるセンシングボードを有する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETOOPTIC DISK BY INDUCTIVELY COUPLED RF PLASMA SUPPORTED MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ法における光磁気ディスクの製造方法 - 特許庁

To provide a novel branch RF antenna for use in plasma material processing operation.例文帳に追加

プラズマ材料処理動作で使用するための新規の分岐ＲＦアンテナを提供する。 - 特許庁

This plasma processing equipment has a doubly concentric rf electrode as an upper electrode.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は上部電極として二重同心ｒｆ電極を有する。 - 特許庁

The method further comprises a step for controlling the plasma ion density distribution by regulating the ratio of RF parameters at the frequencies f1 and f2, wherein the RF parameter is one of RF power, RF voltage and RF current.例文帳に追加

この方法は、ｆ１周波数でのＲＦパラメータ対ｆ２周波数でのＲＦパラメータの比を調整して、プラズマイオン密度分布を制御する工程であって、ＲＦパラメータが、ＲＦ電力、ＲＦ電圧又はＲＦ電流のうち１つである工程を含む。 - 特許庁

A dual-chamber plasma processing apparatus comprises two reaction spaces which are equipped with different gas inlet lines and different RF systems.例文帳に追加

デュアル反応チャンバプラズマ処理装置は、異なるガス流入ライン及び異なるRFシステムが取り付けられた２つの反応チャンバから成る。 - 特許庁

In this way, electromagnetic waves such as RF (Radio Frequency) waves are applied to form a plasma atmosphere 34 in which the gaseous starting material 32 is converted into plasma.例文帳に追加

これによりＲＦ波等の電磁波を照射して、原料ガス３２がプラズマ化したプラズマ雰囲気３４を形成する。 - 特許庁

Plasma is generated in a first buffer portion 310, which is defined by a gap between the RF electrode plate and an upper surface of the showerhead, by means of the electric power applied from the RF power source to the RF electrode plate.例文帳に追加

ＲＦ電極板に印加されるＲＦ電源により、ＲＦ電極板とシャワーヘッドの上面との間に区画された第１のバッファ部３１０でプラズマが発生する。 - 特許庁

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。 - 特許庁

An electric field is generated using low- and high-frequency RF power in order to generate plasma discharge in the reaction region for film vapor deposition.例文帳に追加

膜を蒸着するべく反応領域にプラズマ放電を生成するために低及び高周波RF電力を使って電場が生成される。 - 特許庁

The showerhead can efficiently perform capacitive-coupling of RF energy in plasma.例文帳に追加

前記シャワーヘッドはＲＦエネルギーを効率よくプラズマ中で容量的結合させることができる。 - 特許庁

In addition, the RF bias value when performing a plasma etching may be 1.2 W/cm^2 or larger.例文帳に追加

また、プラズマエッチングを行う場合のＲＦバイアス値は、１．２Ｗ／ｃｍ^２以上とするとよい。 - 特許庁

Additional RF electrodes and/or an ionizer enhance the plasma to increase the charging of the particles.例文帳に追加

追加のＲＦ電極および／またはイオナイザはプラズマを増強させて粒子の帯電を増加する。 - 特許庁

To provide a configuration in which the ignition of unconfined plasma can be prevented and an RF return path can be shortened.例文帳に追加

非閉じ込めプラズマの点火を防ぐと共に、ＲＦリターンパスを短くできる構成をとる。 - 特許庁

To provide an apparatus whose plasma processing performance is not decremented when first and second electrodes within a plasma chamber are connected respectively to a low-frequency RF power source and a high-frequency RF power source.例文帳に追加

プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。 - 特許庁

To achieve a high purity and a mass productivity at the same time, through solving the problem of low mass-productivity, in manufacture of a high-purity metal powder with the use of RF plasma.例文帳に追加

RFプラズマを利用した高純度金属粉の製造における量産性の低さを解消し、高純度化と量産性を同時に達成することである。 - 特許庁

Furthermore, an RF choke 102 is coupled to the RF power source and the gas source wherein the RF choke is adapted to attenuate a voltage difference between the RF power source and the gas source to prevent plasma formation in the gas tube during substrate processing.例文帳に追加

さらに、ＲＦチョーク１０２は該ＲＦ電源および該ガス源に結合されており、ＲＦチョークは、該ＲＦ電源と該ガス源間の電圧差を減衰して、基板処理中の該ガス管におけるプラズマ形成を防止するように適合されている。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus, capable of suppressing oxidation of an object to be treated during plasma processing and improving the processing rate, without increasing the RF power.例文帳に追加

プラズマ処理時に、被処理体の酸化を低減すると共に、ＲＦパワーを上げずに、処理レートを向上させることができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The plasma confinement rings include an RF lossy material which effectively enhances heating at portions of the rings.例文帳に追加

プラズマ閉じ込めリングは、リングの部分の加熱を効果的に向上させるＲＦ損失材料を含む。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR ACTIVELY CONTROLLING RF PEAK-TO- PEAK VOLTAGE OF INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ETCHING SYSTEM例文帳に追加

誘導結合型プラズマエッチング装置のＲＦピークトゥピーク電圧を能動的に制御する装置および方法 - 特許庁

A high frequency power source of 13.56 MHz for forming the plasma is supplied to the chamber 2 from a radio frequency (RF) power source 12 for plasma etching through an antenna coil 8.例文帳に追加

プラズマエッチングのためにＲＦ電源１２からプラズマ生成用の１３.５６ＭＨｚの高周波電源がアンテナコイル８からチャンバ２内に供給される。 - 特許庁

To freely and finely control plasma density distribution while sufficiently restraining a wavelength effect in an RF antenna of an inductively-coupled plasma processing device.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマ処理装置におてＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、プラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。 - 特許庁

This plasma treatment device is equipped with a vacuum chamber 1, the dielectric window 2 to introduce a high frequency wave by making it permeate while maintaining airtightness in the upper part of the vacuum chamber 1, and a RF plasma source 3 and a RF power supply 4 to supply the high frequency wave.例文帳に追加

真空チャンバ１と、真空チャンバ１の上部の気密を維持しつつ、高周波を透過導入する誘電体窓２と、高周波を供給するＲＦプラズマ源３及びＲＦ電源４を備える。 - 特許庁

The apparatus includes an RF generator 10 configured to generate an RF signal, an RF amplifier responsive to the RF signal to produce a VHF-RF signal having sufficient power to drive a plasma chamber load 16, and a VHF-band circulator 32 coupled to the amplifier and configured to isolate nonlinearities of the plasma chamber load 16 from the amplifier.例文帳に追加

ＲＦ信号を発生するように構成されたＲＦ発生器１０と、ＲＦ信号に応答し、プラズマチャンバ負荷１６を駆動するのに十分な電力を有するＶＨＦ・ＲＦ信号を生成するＲＦ増幅器と、増幅器に結合され、プラズマチャンバ負荷１６の非線形性を増幅器から分離するように構成されたＶＨＦ帯サーキュレータ３２とを含んでいる。 - 特許庁

The method is for examining a plasma processing system having a chamber, an RF (radio frequency) power supply, and a matching network.例文帳に追加

本発明の方法は、チャンバ、ＲＦ電源、及び整合ネットワークを有しているプラズマ処理システムを試験する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING INTERMETALLIC DIELECTRIC LAYER USING LOW-BIAS RF POWER IN DEPOSITION OF FSG BY HIGH- DENSITY PLASMA例文帳に追加

高密度プラズマでＦＳＧを堆積させる時に低バイアスＲＦパワーを使用する金属間誘電層製造方法 - 特許庁

The gas tube is adapted to carry a process gas and cleaning plasma from the gas source/remote plasma gas source to the substrate processing chamber and the RF power source is adapted to couple RF power to the substrate processing chamber.例文帳に追加

ガス管は、プロセスガスおよび洗浄プラズマを該ガス源／遠隔プラズマガス源から該基板処理チャンバに搬送するように適合されており、該ＲＦ電源は、ＲＦ電力を該基板処理チャンバに結合させるように適合されている。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing apparatus has an RF electrode part 5 provided with a plurality of divided RF electrodes 7 for controlling the density of whole plasma 11 by generating a plurality of partial plasmas 10 with electrically and mutually independent RF discharges.例文帳に追加

電気的に相互に独立したＲＦ放電により複数の部分プラズマ１０を発生させることで全体プラズマ１１の密度を制御するための複数の分割ＲＦ電極７を備えたＲＦ電極部５を有する。 - 特許庁

The plasma by a DC (Direct Current) process in place of an RF process is applied in manufacturing of the spherical glass powder by a plasma spheroidization process.例文帳に追加

プラズマ球状化法による球状ガラス粉末の製造において、ＲＦ法に替えてＤＣ(Direct Current)法によるプラズマを適用することにより上記の課題を達成する。 - 特許庁