「RF PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma treatment device of an inductive coupling type capable of various and arbitrary controls not depending on process conditions or plasma states for a current distribution inside an RF antenna, with a burden made light of a high-frequency power feeding system.例文帳に追加

高周波給電系統の負担を軽くし、ＲＦアンテナ内の電流分布についてプロセス条件あるいはプラズマ状態に依存しない多様かつ任意な制御可能な誘導結合型のプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Discharges are induced by an RF system in a nitrogen-oxygen gas mixture to generate a low-temperature plasma of the gas mixture, and a base material comprising a biaxially oriented nylon film (Emblem ON, a product of Unitika Ltd.) is subjected to surface treatment with the low- temperature plasma.例文帳に追加

二軸延伸ナイロンフィルム（ユニチカ社：エンブレムＯＮ）を基材とし、まず、窒素−酸素混合ガス中でＲＦ方式で放電させて、上記ガスの低温プラズマを発生させ、この低温プラズマで上記基材を表面処理する。 - 特許庁

In an induction-coupled plasma processing apparatus, an RF antenna 54 provided on a dielectric window 52 to generate induction-coupled plasma is divided into an inner coil, an intermediate coil, and an outer coil 62 in the radial direction.例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル、中間コイルおよび外側コイル６２に分割されている。 - 特許庁

The bulb is located in the vicinity of the lamp body, inside which, a filler forming plasma when the RF power source is connected from the lamp body is sealed.例文帳に追加

電球は、ランプ本体に近接して位置し、その内部にランプ本体からＲＦ電源が連結されたときにプラズマを形成する充填物が封入してある。 - 特許庁

The method includes generating a nitrogen-containing plasma in a processing chamber via a smooth-varying modulated RF power source to reduce electron temperature spike.例文帳に追加

この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のＲＦ電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。 - 特許庁

After a polycrystalline silicon film 103 is formed, a natural oxide film 104 formed on the surface of the silicon film 103 is removed by subjecting the surface of the film 13 to RF plasma etching.例文帳に追加

多結晶シリコン膜１０３を形成した後、その表面をＲＦプラズマエッチング処理し、多結晶シリコン１０３表面の自然酸化膜１０４を除去する。 - 特許庁

An annular RF antenna 54 for generating inductively-coupling plasma in a chamber 10 is provided on a ceiling of the chamber 10 or on a dielectric window 52.例文帳に追加

チャンバ１０の天井または誘電体窓５２の上には、チャンバ１０内に誘導結合のプラズマを生成するための環状のＲＦアンテナ５４が設けられている。 - 特許庁

The hydrogen-permeable material is characterized by having a membrane selectively permeable to hydrogen, which membrane is composed of a silver-palladium alloy obtained by induction coupled rf plasma supporting magnetron sputtering.例文帳に追加

誘導結合ｒｆプラズマ支援マグネトロンスパッタリングによる銀−パラジウム合金からなる水素選択透過性膜を有することを特徴とする水素透過材料。 - 特許庁

The efficient inductive coupling of the RF energy is effective particularly for generating the spatially uniform and wide-range plasma for treating a substrate having a large area.例文帳に追加

ＲＦエネルギーの効率的な誘導結合は、大きな領域の基板の処理に対して空間的に均一で広範囲のプラズマを生成するために特に効果的である。 - 特許庁

Disclosed is a method for producing spherical titanium based powder where hydrogen-containing titanium based powder is passed through RF heat plasma flame, is subjected to spheroidizing treatment, and is thereafter subjected to dehydrogenation treatment.例文帳に追加

水素含有チタン系粉末を、ＲＦ熱プラズマ炎に通過させて球状化処理した後、脱水素処理を施す球状チタン系粉末の製造方法である。 - 特許庁

To prepare an amorphous Si thin film produced on a substrate by atmospheric plasma CVD capable of film deposition at a high speed ≥10 times that in the conventional film deposition methods such as an RF sputtering method and a plasma CVD method under the reduced pressure.例文帳に追加

ＲＦスパッタリング法、減圧下でのプラズマＣＶＤ法等の従来の成膜方法による成膜速度より１０倍以上の高速成膜が可能な大気圧プラズマＣＶＤによって基板上に作製したアモルファスＳｉＣ薄膜を提供する。 - 特許庁

A high-frequency power of the predetermined frequency (for example, 100 MHz) is supplied to a work setting board 2 as a lower electrode from a first RF power supply 10a in order to generate plasma of cleaning gas and remove the deposited aluminum substance with this plasma.例文帳に追加

そして、第１ＲＦ電源１０ａから、下部電極である載置台２に、所定周波数（例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力を供給し、クリーニングガスのプラズマを発生させ、このプラズマによってアルミニウム系の堆積物を除去する。 - 特許庁

As a result, higher the RF power representing plasma generation energy set to the device side is raised, from 700 W to 900 W or higher, when forming the plasma SiN film 22, the larger the amount of hydrogen leaving from the plasma SiN film 22 will be, at a low temperature processing during later sintering treatment, thereby making the sintering treatment sure.例文帳に追加

これによって、プラズマＳｉＮ膜２２の成膜時に装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを７００Ｗから９００Ｗさらにそれ以上に上げるほど、後のシンター処理時にプラズマＳｉＮ膜２２から低温で離脱する水素量が多くなってシンター処理が確実に行われる。 - 特許庁

When performing plasma ion implantation accelerating and applying positive ions within plasma to a treatment substrate provided on a holding base inside a treatment chamber wherein the plasma is excited, RF power having a frequency ≥4 MHz is impressed to the holding base and a self-bias voltage is generated on the surface of the treatment substrate for ion implantation.例文帳に追加

プラズマを励起された処理室内において、保持台上に設けられた処理基板へ前記プラズマ内の正イオンを加速して打ち込むプラズマイオン注入する際、前記保持台に、４ＭＨｚ以上の周波数を有するＲＦ電力を印加して処理基板表面にセルフバイアス電圧を発生させて、イオン注入を行う。 - 特許庁

Subsequently, (10,000 watt-seconds)/(500 W)=20 s is calculated while keeping the output power of RF power supply as it is, and then the plasma treatment time of 20 s is stored in the internal memory.例文帳に追加

次に、ＲＦ電源出力パワーはそのままとし、１００００Ｗ秒÷５００Ｗ＝２０秒間を算出し、プラズマ処理時間を２０秒間として内部メモリに保存する。 - 特許庁

The lower and upper electrode parts 11, 12 are used as a cathode and an anode (a grounding potential), RF electric power is applied, and the etching gas EG which is introduced is changed into a plasma etching gas PEG.例文帳に追加

下部及び上部電極部１１，１２はそれぞれ陰極及び陽極（接地電位）としてＲＦ電力が印加され、導入されてくるエッチングガスＥＧはプラズマエッチングガスＰＥＧになる。 - 特許庁

To provide a thin film forming device capable of forming a thin film having a uniform film thickness on the surface of the object to be treated regardless of the surface properties of the object to be treated by an RF plasma CVD method.例文帳に追加

被処理物の表面に、ＲＦプラズマＣＶＤ法により、被処理物の表面形状にかかわらず均一な膜厚で薄膜形成可能な薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step of forming a DLC film from gas mixture of CH_4 and H_2 by a parallel plate type plasma CVD using an RF power source 16.例文帳に追加

本発明の製造方法は、ＲＦ電源１６を用いた平行平板型プラズマＣＶＤによりＣＨ_４とＨ_２との混合ガスからＤＬＣ膜を形成する工程を包含する。 - 特許庁

The system includes: a plasma treatment chamber 10; a vacuum pump, a substrate support 12; a dielectric member 20 facing the substrate support; a gas injector 22; an RF energy source 19; an antenna 18 or the like.例文帳に追加

本システムは、プラズマ処理チャンバ１０、真空ポンプ、基板支持体１２、前記基板支持体に対面する誘電体部材２０、ガス噴射器２２、ＲＦ源１９、アンテナ１８、等で構成される。 - 特許庁

A mount table 11 and a gas supply head 12 in the reaction chamber 10 serve as an upper electrode and a lower electrode which are used for generating plasma by using a high frequency power source RF.例文帳に追加

反応チャンバ１０の内部の載置台１１及びガス供給ヘッド１２は、それぞれ高周波電源ＲＦによるプラズマ発生のための上部電極、下部電極を兼ねる。 - 特許庁

The one or more capacitors can reduce or eliminate the coupling of high frequency RF output to any plasma outside the region directly between the two electrodes 12 and 20.例文帳に追加

１つ以上のコンデンサによって、高周波ＲＦ出力が、２電極１２、２０間すぐの領域の外側にあるいかなるプラズマとも結合することが減少または排除される。 - 特許庁

To provide plasma treatment systems and methods by which RF power with improved input impedance at higher operating frequencies is more uniformly distributed to a plurality of electrodes.例文帳に追加

プラズマ処理システム及び方法が、より高い動作周波数で向上した入力インピーダンスを有するＲＦ電力を複数の電極に、より均一に分配するように提供される。 - 特許庁

Thereby, the plasma having comparatively high density is formed, by increasing RF power of a high-frequency wave impressing apparatus 70, and a surface of the build-up substrate W can be treated comparatively quickly.例文帳に追加

これにより、高周波印加装置７０のＲＦパワーを増大させて比較的高密度のプラズマを形成し、ビルドアップ基板Ｗの表面を比較的迅速に処理することができる。 - 特許庁

The voltage for generating plasma applied to the electrode (6) comprises a pulsed alternating current with RF (Radio Frequency) (22) in which alternating voltage is continued with a frequency in a radio frequency RF band for a predetermined period of time, a pulsed direct current having positive voltage (21), and a pulsed direct current having negative voltage (23).例文帳に追加

電極（６）に印加されるプラズマ発生用電圧は，ＲＦ（Radio Frequency）帯の周波数の交流電圧が所定の時間継続されるＲＦ交流パルス（２２）と，正電圧を有する正電圧直流パルス（２１）と，負電圧を有する負電圧直流パルス（２３）とを含んで構成されている。 - 特許庁

A processing gas is introduced into the vacuum chamber 10, plasma is generated by an electric field between the RF electrode 30 and the grounding electrode 12, and the translucent member 22 charged to a negative auto-bias potential Vf is cleaned by ions in the plasma.例文帳に追加

真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 - 特許庁

The inductively coupled plasma mass analyzer includes a control unit 70 for combining the amount of liquid droplets in the aerosol supplied to a plasma torch 20, the flow rates of the carrier gases 76A and 76B in the aerosol, the RF output of a high frequency power supply 80 and the distance Z between the plasma torch 20 and sampling interfaces 15 and 16 to control them.例文帳に追加

誘導結合プラズマ質量分析装置は、プラズマトーチ２０に供給されるエアロゾル中の液滴の量、当該エアロゾル中のキャリアガス７６Ａ、７６Ｂの流量、高周波電源８０のＲＦ出力、及びプラズマトーチ２０とサンプリング用インタフェース１５、１６との間の距離Ｚの全ての因子を合わせて制御する制御装置７０を備える。 - 特許庁

The SiNxOyCz film is formed by using a CVD method in which a raw material gas including organic metals is decomposed using an inductively-coupled plasma (ICP) by applying RF bias to a base material 2 to be film-deposited and applying ICP output to a one-turn coil 6 to generate the inductively-coupled plasma.例文帳に追加

被成膜基材２にＲＦバイアスを印加し、１ターンのコイル６にＩＣＰ出力を印加して誘導結合プラズマを発生させ、誘導結合プラズマによって有機金属を含む原料ガスを分解するＣＶＤ法を用いることによりＳｉＮxＯyＣz膜を形成する。 - 特許庁

When the output power of RF power supply of "500 (W)" and the plasma treatment time of "25 (seconds)" are input, the personal computer 15 calculates 500 W×25 s=12,500 watt-seconds, decides that the limitation of plasma treatment of 10,000 watt-seconds is exceeded and then displays the fact on a monitor 17.例文帳に追加

ＲＦ電源出力パワーを「５００（Ｗ）」と入力して、プラズマ処理時間を「２５（秒間）」と入力すると、パソコン１５は５００Ｗ×２５秒＝１２５００Ｗ秒と算出して、プラズマ処理制限の１００００Ｗ秒を超えたと判定して、超えた旨をモニター１７に表示させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin film solar cell includes a step of forming a photoelectric conversion layer 230 on a substrate 200 using a plasma CVD method by introducing a reactive gas into a reaction chamber 100 and applying a high frequency to an RF electrode 120 to generate plasma.例文帳に追加

この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室１００内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極１２０に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマＣＶＤ法を用いて基板２００に光電変換層２３０を形成する工程を備える。 - 特許庁

In the induction coupling type plasma processing apparatus, an RF antenna 54 provided on a dielectric window 52 is divided into an inside coil 58, an intermediate coil 60, and an outside coil 62, along the radial direction.例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。 - 特許庁

An RF coil 21 for constituting the source 43 is spirally disposed on the outer periphery of the upper surface of the container 2, and an annular plasma 27 is generated on the inner periphery of the upper surface of the container 2.例文帳に追加

誘導結合型プラズマ源４３を構成するＲＦコイル２１は、内容器２上部の外周上にうず巻き状に配設し、内容器２上部の内周上に環状のプラズマ２７を生成する。 - 特許庁

The apparatus includes a magnetic shield cavity conductor 70 for shielding magnetism with an opening end downward on the RF antenna 54 in equalizing the plasma density distribution in the vicinity of the susceptor 12 in a diameter direction.例文帳に追加

そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の上で開口端を下に向けて磁気を遮蔽する磁気シールド空洞導体７０を備えている。 - 特許庁

The system, further, gives a first RF power to an electrode in the plasma chamber by a frequency respectively within the one frequency interval which is allocated the M pieces of predetermined frequency intervals.例文帳に追加

システムはさらにＭ個の予め定められた周波数インターバルの割当てられたそれぞれ１つの周波数インターバル内の周波数でプラズマ室内の電極へ第１のＲＦ電力をそれぞれ与える。 - 特許庁

An etching chamber 10 includes the mounting table 11 of a semiconductor wafer W and a gas feeding head 12 to be used as an upper electrode and a lower electrode for plasma induction by a high frequency power source RF in common inside.例文帳に追加

エッチングチャンバ１０は、内部に高周波電源ＲＦによるプラズマ誘導のための上部電極及び下部電極を兼ねる半導体ウェハＷの載置台１１及びガス供給ヘッド１２を含む。 - 特許庁

After fullerene molecules are vapor deposited, the deposited film 4A is irradiated with electromagnetic waves 10 such as RF (radio frequency) plasma in order to polymerize the above fullerene molecules to form a fullerene polymer film 4.例文帳に追加

フラーレン分子を蒸着した後、この蒸着膜４Ａに、ＲＦプラズマ等の電磁波１０を照射することによって、前記フラーレン分子を重合体化してフラーレン重合体膜４を生成する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a process chamber having a substrate holder supporting a procesing substrate, a dielectric tube installed at the upper part of the process chamber so as to be communicated with the interior of the process chamber, a helical coil wound around the dielectric tube, and an RF power source for feeding RF power to the helical coil.例文帳に追加

処理基板を支持する基板ホルダーを有する工程チャンバーと、工程チャンバーの内部と連通されるように工程チャンバーの上部に設置される誘電体管と、誘電体管の周りに巻かれた螺旋コイルと、螺旋コイルにＲＦ電力を供給するためのＲＦ電源と、を備えるプラズマ処理装置である。 - 特許庁

The gas is introduced into the external electrode by the gas-introducing means and the RF output is supplied by the RF power source via the matching box to the external electrode to produce plasma between the internal electrode and the external electrode, by which the thin film adhering to the internal electrode can be decomposed and removed.例文帳に追加

ガス導入手段によりガスが外部電極内に導入され、高周波電源によりマッチングボックスを介して外部電極に高周波出力が供給され、内部電極と外部電極の間にプラズマを発生させることにより、内部電極に付着した薄膜を分解して除去する。 - 特許庁

There are provided a reaction chamber the inside of which is kept vacuum, an antenna system disposed at an upper portion in the reaction chamber for inducing an electric field for ionizing reaction gas injected into the reaction chamber to produce plasma, and at least one RF power supply coupled to the antenna system for supplying RF power to the antenna system.例文帳に追加

内部が真空状態に保持される反応チャンバと、反応チャンバの上部に設けられて反応チャンバ内部に注入された反応ガスをイオン化してプラズマを生成する電場を誘導するアンテナシステムと、アンテナシステムに連結されてアンテナシステムにＲＦパワーを供給する少なくとも１つのＲＦ電源とを備える。 - 特許庁

In order to radially equalize the plasma density distribution near the susceptor 12, electromagnetic field correction is applied to an RF magnetic field, generated by the RF antenna 54, by a correction coil 70 while the conduction duty ratio of the correction coil 70 is variable by a switching mechanism 110 according to the process conditions.例文帳に追加

そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界に対して補正リング７０により電磁界的な補正をかけるとともに、プロセス条件に応じてスイッチング機構１１０により補正コイル７０の通電デューティ・レシオを可変するようにしている。 - 特許庁

The method for processing a workpiece comprises a step for coupling the RF power with plasma at a first VHF frequency f1 through one electrode of a chamber, and a step for providing an RF current flowing directly between a ceiling electrode and a workpiece support electrode with a grounded center return path at the frequency f1.例文帳に追加

この方法は、チャンバの電極の１つを介して、第１のＶＨＦ周波数ｆ１でＲＦ電力を、プラズマに結合する工程と、周波数ｆ１について、天井電極とワークピースサポート電極の間を直接流れるＲＦ電流に、中心接地リターンパスを提供する工程とを含む。 - 特許庁

The spatial distribution of RF energy inductively coupled from the inductive element to the plasma may be adjusted by varying the pores of the porous deposition shields, the structure of the inductive element or the shape or thickness of the slot bath.例文帳に追加

プラズマに誘導素子から誘導的に結合されるＲＦエネルギーの空間的分布は、有孔のデポジション・シールドの孔、誘導素子の構成、若しくは溝槽の形状又は厚さの変更により調整されてよい。 - 特許庁

In another method, an electrode for generating the activated free radical and ion in the plasma concentrated closely to the surface of the substrate is formed by using a shower head (298) for gas dispersion to which bias is impressed by RF (radiofrequency) energy.例文帳に追加

他の方法では、ＲＦエネルギによりバイアスが印加されたガス分散シャワーヘッド（２９８）を用いて、基板表面に近接して集中するプラズマ中の活性化ラジカル及びイオンを発生する電極を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching device, configured so that a substrate can be processed at relatively low cost while suppressing abnormal electrical discharge in application of a winding vacuum treatment device to a plasma processing device using RF power.例文帳に追加

巻取り式の真空処理装置をＲＦ電力を用いるプラズマ加工装置に適用するに際し、異常放電の発生を抑え、しかも比較的低コストで基板を処理できるようにしたエッチング装置を提供する。 - 特許庁

An organic material (residue) stuck on the surface of the seed layer 103 in an opening area of the resist pattern 104 is removed by the irradiation with O_2 plasma (RF power:100W) for 6 min.例文帳に追加

Ｏ_2プラズマ（ＲＦパワー：１００Ｗ）による照射処理を６分間行うことで、レジストパターン１０４の開口領域におけるシード層１０３の表面に付着している有機物（残渣）が除去された状態とする。 - 特許庁