「RF PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The pressure in the processing chamber is reduced, the flow of a process gas is started in the processing chamber, the impedance of an RF system including an electrode is controlled to match desired impedance, and uniformly dense plasma of ions is provided.例文帳に追加

処理チャンバ内の圧力は低減され、処理ガスのフローが処理チャンバに開始され、電極を含むＲＦシステムのインピーダンスを所望のインピーダンスに整合するよう制御され、イオンの均一な密度のプラズマが提供される。 - 特許庁

This is heated to eliminate gas in the interlayer insulation film 6 to quickly cool it down to a substrate holder temperature, and after impurities in the contact hole 6A are removed by RF plasma annealing, a wiring layer 7 is formed as a desirable pattern.例文帳に追加

これを加熱して層間絶縁膜６中のガス除去して基板ホルダ温度まで急速冷却し、ＲＦプラズマアニールによりコンタクトホール６Ａ中の不純物を除去した後配線層７を所望のパターンに形成する。 - 特許庁

In the plasma treatment system 1, a wave shape of an output signal of an RF reflection wave obtained through a matching box 30 is monitored, and it is detected whether a peak portion exceeding a predetermined threshold value established for the above wave shape does appear or not.例文帳に追加

プラズマ処理システム１では、マッチングボックス３０を介して取得したＲＦ反射波の出力信号の波形をモニタリングし、この波形に予め設定された所定の閾値を超えるピーク部分が現れたか否かを検出する。 - 特許庁

The method for processing a workpiece comprises a step for coupling the respective RF power supplies of VHF frequencies f1 and f2 with (a) respective electrodes or (b) one common electrode where the f1 is high enough to generate uneven plasma ion distribution of high center, and the f2 is low enough to generate uneven plasma ion distribution of low center.例文帳に追加

この方法は、各ＶＨＦ周波数ｆ１及びｆ２の各ＲＦ電源を、（ａ）電極の夫々か、（ｂ）電極の共通する１つに結合する工程であって、中心が高い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ１が十分に高く、中心が低い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ２が十分に低い工程を含む。 - 特許庁

The plasma source 200 includes a coil 202 having a first coil segment 204 and a second coil segment 206, an RF power source 208 connected to the coil 202, and an enclosure 210 which is arranged between the first coil segment 204 and the second coil segment 206.例文帳に追加

プラズマソース２００は、第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６を有するコイル２０２、コイル２０２に接続されたＲＦ電源２０８、および第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６間に配設されたエンクロージャ２１０を備える。 - 特許庁

An ionization chamber 3 keeps a potential to accelerate the cluster, and electrons from the RF plasma electron source 5 are irradiated to the cluster in the ionization chamber 3 from some of holes 3a (electron introducing openings) provided in the wall of the ionization chamber 3 to ionize the cluster.例文帳に追加

イオン化室３がクラスターを加速するための電位を保ち、イオン化室３の壁に設けられた穴３ａの一部（電子導入用開口）から、イオン化室３内のクラスターにＲＦプラズマ電子源５からの電子が照射され、クラスターをイオン化する。 - 特許庁

The movable ground ring 400 is configured to fit around a fixed ground ring 340 of the movable substrate support assembly 310 in capacitively-coupled plasma processing chamber 300 having an adjustable gap to provide an RF return path to the fixed ground ring 340.例文帳に追加

可動接地リング４００は、ギャップ調節可能な容量結合プラズマ処理チャンバ３００において、可動基板支持アセンブリ３１０の固定接地リング３４０の周囲に嵌合され、固定接地リング３４０に対するＲＦリターンパスを提供する。 - 特許庁

In one embodiment, a cluster tool suitable for process integration in manufacture of a photomask includes a vacuum transfer chamber having coupled thereto at least one hard mask deposition chamber jointly having three RF power sources and at least one plasma chamber configured so as to etch chromium.例文帳に追加

フォトマスク製造におけるプロセス集積に適したクラスターツールは、少なくとも１つの、３つのＲＦ電源を併せ持つハードマスク堆積チャンバと、クロムをエッチングするように構成された少なくとも１つのプラズマチャンバとを結合している真空移送チャンバを含んでいる。 - 特許庁

An ion source assembly main body 220 includes an ion source chamber 212 where ionization materials 116, 120 are supplied from solid materials 228, 232 in a region between a filament 204 and a reflection board 206 and arms of an RF antenna 128 and an ion plasma 214 is generated.例文帳に追加

イオン源アッセンブリ本体２２０は、フィラメント２０４と反射板２０６間の領域、及びＲＦアンテナ１２８のアーム間で、固体材料２２８、２３２からイオン化材料１１６及び１２０が供給され、イオン・プラズマ２１４を創り出すイオン源室２１２を備える。 - 特許庁

By using the RF plasma CVD apparatus that uses an organic metal material as a raw material, a transparent electrode film made up of a three-layers structure of an amorphous titanium oxide film, a crystalline titanium oxide film, and a crystalline zinc oxide film, is stacked on a transparent insulating substrate.例文帳に追加

有機金属材料を原料とする高周波プラズマＣＶＤ装置により、透明性絶縁基板の上に、非晶質酸化チタン膜と結晶質酸化チタン膜と結晶質酸化亜鉛膜の３層構造からなる透明電極膜を積層する。 - 特許庁

A resistor 35 with a short-circuit switch is inserted and connected halfway on the power supply rod 32 or behind a matcher in the matching unit 30 and then a value of load resistance viewed from the matcher is a value of plasma resistance plus a value of the resistor, so that RF power can be supplied to plasma in a stable region where the power transmission efficiency is high.例文帳に追加

給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、短絡スイッチ付き抵抗器３５が挿入接続されることにより、整合器から見た負荷抵抗の値はプラズマ抵抗の値に抵抗器の値を加え合わせたものになり、それによってパワー伝送効率の高い安定領域でプラズマにＲＦパワーを供給することができる。 - 特許庁

When the seed layer is formed by an ionization PVD process, the power for plasma formation and RF bias are adjusted, and an initial seed layer where the bottom of the opening is formed is resputtered for depositing onto the side wall of the opening, thus forming the seed layer with the superior side-wall step coverage characteristics.例文帳に追加

イオン化ＰＶＤ工程によるシード層の形成の時、プラズマ形成用の電力およびＲＦバイアスを調節してオープニングの底の形成される初期シード層をリスパッタリングしてオープニングの側壁に再蒸着して、側壁ステップカバレージ特性が優秀なシード層を形成できる。 - 特許庁

To provide an electric connector for a board support reducing electrical arcing in a plasma environment, passing an RF current in many processing cycles with high reliability, permitting the thermal expansion of a connector structure without losing electrical contacts, and further facilitating detachment and exchange.例文帳に追加

プラズマ環境下で電気アーキングを減らし、多数の処理サイクル中にＲＦ電流を信頼性良く通すことができ、また、電気的接触を失うことなく、コネクタ構造体の熱膨張を許容し、さらに、容易に取り外し、交換可能な基板支持体用電気コネクターを提供する。 - 特許庁

The seed layer is formed on the side wall of the opening where at least a barrier film is formed, and on the upper surface of the insulating film by an ionization PVD device having a chuck that is subjected to RF bias application for accelerating a target where power for plasma formation is applied and an ion.例文帳に追加

少なくともバリヤ膜が形成されたオープニングの側壁および絶縁膜の上部面にシード層を形成し、シード層はプラズマ形成用の電力が印加されるターゲットとイオンを加速するためのＲＦバイアス印加されるチャックを備えるイオン化ＰＶＤ装置を使用して形成する。 - 特許庁

A branch RF antenna characterized by having a plurality of main branches and subbranches brings about the improved coverage of a processing area, the reduced influence of standing wave, the improved uniformity of an induction coupled electromagnetic field, the generation of more uniform plasma, and a more homogeneous processing state in the entire processing area.例文帳に追加

複数の主分岐及び副分岐が特徴である分岐ＲＦアンテナは、改良された処理面積のカバレージ、減少された定在波の影響、改良された誘導結合電磁界の均一性、より均一なプラズマ生成、及び全処理面積中のより均質的な処理状態をもたらす。 - 特許庁

As for film forming conditions of the tensile stress silicon nitride film 55p and the compression stress silicon nitride film 55c, RF power is set within a range of 0.03-0.4W/cm^2, and film formation temperature is set within a range of 200-350°C, respectively using a parallel plate type plasma CVD device.例文帳に追加

これらの引張応力シリコン窒化膜５５ｐ及び圧縮応力シリコン窒化膜５５ｃの成膜条件は、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＲＦパワーは０．０３〜０．４Ｗ／ｃｍ^2の範囲で、成膜温度は２００〜３５０℃の範囲にそれぞれ設定される。 - 特許庁

A raw material gas, made by mixing tetrafluoroethylene and ethylene, is introduced in a form of shower from an inlet part 6 into a reaction chamber 1, having a valve 3 for adjusting the quantity of exhaust gas, an RF electrode 4, and a base 7 on which a substrate is placed, to form an amorphous carbon fluoride film by a plasma CVD method.例文帳に追加

四弗化エチレンとエチレンを混合した原料ガスを導入部６から排気量調整バルブ３、ＲＦ電極４、基板載置台７を備えた反応室１内にシャワー状に導入し、プラズマＣＶＤ法により、被処理基板８上に弗化アモルファス炭素膜を形成する。 - 特許庁

When the resist provided on the base substance to be treated having the insulating film consisting of the low dielectric constant material is removed, ashing treatment is performed on the base substance to be treated by oxygen gas plasma generated in a condition that oxygen gas pressure is 100 mTorr or lower and RF output is 250 W or less.例文帳に追加

低誘電率材料からなる絶縁膜を有する被処理基体上に設けられたレジストを除去する際に、酸素ガス圧１００ｍＴｏｒｒ以下、ＲＦ出力２５０Ｗ以下で発生させた酸素ガスプラズマにより被処理基体にアッシング処理を施す。 - 特許庁

Mixed gas 15 of He and O_2 is introduced to the inside of a line gun 13 and the terminal part 19 of the liquid crystal panel 18 placed on a stage 17 which is electrically grounded is superposed on a plasma part 16 generated at the tip part of the line gun by high frequency from an RF power source 14.例文帳に追加

ラインガン１３内部にＨｅとＯ_2の混合気体１５を導入し、ラインガン先端部にＲＦ電源１４からの高周波によって発生したプラズマ１６部分に電気的に設置したステージ１７上に乗せた液晶パネル１８の端子部分１９を重ねる。 - 特許庁

To provide a thin film forming method by a capacity coupling type RF plasma CVD method capable of forming a thin film of homogeneous film quality on the inside face of a cylindrical object to be treated composed of an electrically conductive material and capable of forming a thin film only on a specified part in the inside face.例文帳に追加

導電性材料からなる円筒状の被処理物の内側面に、均質な膜質で薄膜形成可能で、前記内側面の特定部分のみに薄膜形成可能な容量結合型のＲＦプラズマＣＶＤ法による薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

By periodically turning on and off a switch 34 inserted in series into a high frequency power source 30, a high frequency electric power RF is intermittently fed to the space between a supporting body 8 serving also as a high frequency electrode and a high frequency electrode 28 to intermittently generate plasma 20 on the space therebetween.例文帳に追加

高周波電源３０に直列に挿入したスイッチ３４を周期的にオンオフすることによって、高周波電極兼用の支持体８と高周波電極２８との間に高周波電力ＲＦを断続して供給して、両者間にプラズマ２０を断続して生成する。 - 特許庁

In the parallel plate plasma processing system not employing a magnetic field and applying RF to the lower electrode, microwaves are employed and the metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within a range of a specified area is placed between a microwave introduction window 26 and the wafer 16 mounted on the lower electrode 18.例文帳に追加

磁場を用いず、かつ下部電極にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置においては、マイクロ波を用い、マイクロ波導入窓２６と下部電極１８上に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。 - 特許庁

In the parallel plate plasma processing system applying RF to both an upper electrode 14 and a lower electrode 18, a metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within the range of a specified area is placed between the upper electrode 14 and a wafer 16 mounted on the lower electrode 18.例文帳に追加

上部電極１４と下部電極１８との両方にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置において、上部電極１４と下部電極１８に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。 - 特許庁

In the dry etching of an insulating film 10 containing silicon and carbon formed on a wafer 4 (substrate 9), a plasma 3 is generated from a gas mixture containing a first molecule gas containing carbon and fluorine and a second gas containing nitrogen, and RF bias of 2 MHz or lower is applied to an electrode 5 which installs the wafer 4.例文帳に追加

ウエハ４（基板９）上に形成された、シリコンと炭素とを含む絶縁膜１０のドライエッチングにおいて、炭素と弗素とを含む第１の分子ガスと窒素を含む第２の分子ガスとを含む混合ガスからプラズマ３を生成し、且つ、ウエハ４を設置する電極５に２ＭＨｚ以下のＲＦバイアスを印加する。 - 特許庁

The silicon substrate is cleaning-processed so as to be capable of being surface reconstructed, then on the cleaning-processed silicon substrate, a dissociated nitrogen atom flux and an excited nitrogen molecule flux generated by RF (high frequency) high brightness (HB) discharge of an inductively coupled plasma system are irradiated to epitaxially grow an Si_3N_4 single crystal film by a surface interfacial reaction.例文帳に追加

シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ_3Ｎ_4単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 - 特許庁

The apparatus comprises: the chamber 10; an RF power supply 51, or a filter arrangement 67 that passes at least one of the plasma excitation frequencies while excluding other frequencies; and central top and bottom electrodes 14 and 13 and a peripheral top 42 and/or bottom electrode arrangement(s) 34 connected to a reference potential by the filter arrangement 67.例文帳に追加

装置は、チャンバ１０、ＲＦて電力供給５１、またはプラズマ励起周波数のうちの少なくとも１つを他の周波数を除外して通過させるフィルタ構成６７、それに依って、て基準電位に接続される中央の頂部電極１４および底部電極１３ならびに周辺の頂部４２および／または底部電極３４、を含む構成である。 - 特許庁

In the substrate 10a, an electrode layer 11 to be applied with a DC voltage for attraction is embedded in a portion of the substrate, close to the attraction surface 10S, and a plurality of independent RF electrode layers 14, 15 to be respectively supplied with different radio frequencies RF1, RF2 for plasma control are embedded in portions of the substrate on the opposite side of the electrode layer 11 to the attraction surface 10S.例文帳に追加

この基板１０ａにおいて、吸着面１０Ｓの近傍の基板部分に、吸着用の直流電圧が印加される電極層１１が埋め込まれると共に、この電極層１１の吸着面１０Ｓと反対側の基板部分に、それぞれプラズマ制御用の異なる高周波ＲＦ１，ＲＦ２が給電される複数の独立した電極層１４，１５が埋め込まれている。 - 特許庁

The deposition method for the DLC membrane having the excellent biocompatibility comprises depositing the membrane by a plasma enhanced DVD process in a deposition time of ≥3 seconds by using a gaseous hydrocarbon containing at least carbon and hydrogen under pressure of 0.5 to 500 mTorr and using RF output of 30 to 3,000 W.例文帳に追加

このＤＬＣ膜の成膜方法は、優れた生体適合性を有するＤＬＣ膜の成膜方法であって、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力で３０Ｗ以上３０００Ｗ以下のＲＦ出力を用いて３秒以上の成膜時間でプラズマＣＶＤ法により成膜するものである。 - 特許庁

This film forming equipment 10 includes parallel plate electrodes 16, 22 provided in a reaction chamber 12, gas supply sources 20, 30 for introducing process gases containing SiH4, SiF4, and an oxygen source substance into the reaction chamber 12, valves 36, 38, 40, a gas mixing chamber 28 and a power source 44 for supplying RF power to generate plasma of the process gases.例文帳に追加

成膜装置１０は、反応チャンバ１２内に設けられた平行平板型電極１６、２２と、ＳｉＨ_4、ＳｉＦ_4および酸素ソース物質を含むプロセスガスを反応チャンバ１２内に導入するためのガス供給源２０、３２、３４、バルブ３６、３８、４０、およびガス混合室２８と、プロセスガスのプラズマを生成するためのＲＦ電力を供給する電力源４４と、を備える。 - 特許庁

In one embodiment, a method for forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer comprises: dynamically ramping up a silane gas supplied in a gas mixture to a surface of a substrate disposed in a processing chamber; dynamically ramping down an RF power applied in the gas mixture supplied to the processing chamber to form a plasma in the gas mixture; and forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer on the substrate.例文帳に追加

一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 - 特許庁