「RF PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The irradiation of an electromagnetic wave such as an RF wave plasmatizes the source material 32 to form a plasma atmosphere 34.例文帳に追加

これによりＲＦ波等の電磁波を照射して、原料ガス３２がプラズマ化したプラズマ雰囲気３４を形成する。 - 特許庁

A power source of the plasma generation is preferably AC of RF frequency, VHF frequency or microwave frequency.例文帳に追加

プラズマ発生用の電源は、ＲＦ周波数、ＶＨＦ周波数またはマイクロ波周波数の交流であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a plasma etching device capable of reducing dust in the case of trigger discharge in an etching process for generating a high frequency plasma (RF plasma) by using a trigger discharging system.例文帳に追加

トリガー放電方式を用いて高周波プラズマ（ＲＦプラズマ）を発生させるエッチング工程において、トリガー放電の際の発塵を低減し得る半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The improved capacity is given by lowering the working temperature of an RF coil used in a plasma reinforced PVD system or by carefully smoothening the outer side of the RF coil.例文帳に追加

改善された性能は、プラズマ強化ＰＶＤシステムで使用するＲＦコイルの作動温度を低くすることにより、またＲＦコイルの外面を注意深く滑らかにすることにより与えられる。 - 特許庁

To detect abnormal conditions within an RF-powered plasma process chamber, by detecting whether the frequency of a variable-frequency RF power supply has moved to the outside of established lower and upper limits.例文帳に追加

ＲＦ駆動プラズマプロセスチャンバ内の異常状態を、可変周波数ＲＦ電源の周波数が設定した上下限外に移動したかどうかを検出することにより、検出する。 - 特許庁

Here, in order to increase the plasma density, the method of forming the films in a vacuum includes using a microwave having higher frequency than an RF (13.56 MHz) as a frequency to be applied for generating plasma, instead of using the RF which is widely used as an industrial frequency.例文帳に追加

ここで、プラズマ密度を増加するため、プラズマ発生用の印加周波数に工業用周波数として幅広く用いられているＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を用いず、より周波数の高いマイクロ波を用いて真空成膜を行う。 - 特許庁

To optimize a plasma process for various requirements of microfabrication by enhancing the controllability of an RF bias function.例文帳に追加

ＲＦバイアス機能の制御性を向上させて、微細加工の様々な要求条件に対してプラズマプロセスの最適化を実現する。 - 特許庁

The deflecting electrodes can be operated with RF bias for a short time, to ensure dissipation of the enhanced plasma.例文帳に追加

偏向電極は、短時間の間、ＲＦバイアスで動作させられて、それにより増強されたプラズマを確実に消失させる。 - 特許庁

To provide a radio frequency (RF) generator apparatus for a plasma processing system that is resistant to nonlinear load mismatch conditions.例文帳に追加

非線形負荷不整合状態に抵抗力のあるプラズマ処理システム用無線周波数（ＲＦ）発生器装置を提供する。 - 特許庁

In a plasma nitride silicon film forming step, a plasma nitride silicon film (plasma SiN film 22) is formed on a wiring layer 19, which is a patterned metal layer located above a photodiode 12, by a plasma CVD method for setting RF power representing plasma generation energy, set on a device side, to be 700-1,500 W.例文帳に追加

フォトダイオード１２の上方で、パターニングされた金属層である配線層１９上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを７００Ｗ〜１５００Ｗに設定するプラズマＣＶＤ法によりプラズマ窒化シリコン膜（プラズマＳｉＮ膜２２）を成膜するプラズマ窒化シリコン膜成膜工程を有している。 - 特許庁

In order to radially and arbitrarily control the plasma density distribution near the susceptor 12, a floating coil 70 with a capacitor exhibits a passive effect or a positive effect on an RF magnetic field generated by the RF antenna 54, and consequently, on the plasma density distribution of the doughnut-shaped plasma generated in a chamber 10.例文帳に追加

そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で任意に制御するために、コンデンサ付きのフローティングコイル７０が、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界ひいてはチャンバ１０内で生成されるドーナツ状のプラズマのプラズマ密度分布に対して消極的な作用もしくは積極的な作用を奏する。 - 特許庁

A high-frequency power is applied to an RF power supply 7 for generating plasma and an RF power supply 24 for regulating incident energy of plasma ion to generate plasma, the reductive gas is radicalized, and oxygen atom captured by the exposure in a light-shield layer of the photomask is extracted by an oxidation-reduction reaction to remove an oxide layer.例文帳に追加

プラズマ生成用のＲＦ電源７及びプラズマイオンの入射エネルギ調整用のＲＦ電源２４に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、還元性ガスをラジカル化し、露光によりフォトマスクの遮光層に取り込まれた酸素原子を、酸化還元反応によって引き出すことにより、酸化層を除去する。 - 特許庁

In a plasma deposition device for depositing a sputtered target material on a substrate, capacitance in an impedance-matching box for an RF coil is varied during the deposition process in such a manner that heating of the RF coil and the substrate and the film deposition become more uniform according to "time-averaging" of the RF voltage distribution along the RF coil.例文帳に追加

スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキャパシタンスを、堆積プロセス中に、ＲＦコイルと基板の加熱、及び薄膜の堆積が、ＲＦコイルに沿ったＲＦ電圧分布の「時間平均」によってより均一になるように、変化させる。 - 特許庁

To freely and precisely control plasma density distribution by using a simple magnetic shielding member without requiring special revision to an RF antenna for plasma generation or a high frequency power supply system.例文帳に追加

プラズマ生成用のＲＦアンテナや高周波給電系統に特別な細工を必要とせずに、簡易な磁気シールド部材を用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。 - 特許庁

To easily enable a plasma process which is uniform in the circumferential direction as well as the radial direction in an induction-coupled plasma processing apparatus, while sufficiently suppressing a wavelength effect in a radio frequency (RF) antenna.例文帳に追加

誘導結合型プラズマ処理装置において、ＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現すること。 - 特許庁

Each channel is surrounded by RF coils 54 and 56, to which electric power is independently supplied, and plasma density is made to be variable in each channel 38 and 44 of the plasma source 16.例文帳に追加

各チャネルは、個別に給電されるＲＦコイル５４，５６により囲まれて、プラズマ源１６の各チャネル３８，４４内でプラズマ密度を可変することができるようになっている。 - 特許庁

An indium recovering apparatus is provided with: a plasma furnace 5 which receives and heats a residue Rf after removal of organic materials in the waste W1, and gasifies the indium in the residue Rf in reduction atmosphere; and a splash condenser 7 with which the gaseous indium discharged from the plasma furnace 5 is condensed.例文帳に追加

廃棄物Ｗ１中の有機物を除去した後の残渣Ｒｆを受け入れて加熱し、残渣Ｒｆにインジウムを還元雰囲気の中で気化させるプラズマ炉５と、プラズマ炉５から排出された気体状のインジウムを凝縮させるスプラッシュコンデンサー７とを備える。 - 特許庁

To provide an RF power source system which remarkably reduces user costs, also improves reliability and satisfies different applications, technical processes and the like, and to provide a plasma chamber using the RF power source system.例文帳に追加

ユーザーのコストを大幅に節減すると共に、信頼性も高まり、異なるアプリケーションや技術工程を満足させるＲＦパワーソースシステムと該ＲＦパワーソースシステムを使用するプラズマチェンバーの提供。 - 特許庁

In an arrangement of coupling RF energy for an induction coupling plasma chamber 200, an RF coil 215 or an RF radiator is built in a groove formed in the ceiling 220 of the chamber 200, and an insulation filler covers a coil in the groove.例文帳に追加

誘電結合プラズマチャンバー２００のためにＲＦエネルギーを結合するための配置であり、ＲＦコイル２１５又はＲＦ放射体は、チャンバー２００のシーリング２２０に形成された溝の内部に組み込まれており、絶縁フィラーは、溝内のコイルを覆っている。 - 特許庁

To provide an inductively coupled plasma reactor having etching rate uniformity improved through strengthening of RF control of an ICP source.例文帳に追加

ＩＣＰソースのＲＦ制御の強化を通して、改善されたエッチング速度均一性を有する誘導結合プラズマリアクタを提供する。 - 特許庁

An apparatus for providing a fixed impedance conversion circuit network for driving the plasma chamber includes a pre-matched circuit network 308 adapted to couple an active RF matching circuit network 306 to a plasma chamber load 320 associated with the plasma chamber.例文帳に追加

プラズマチャンバーを駆動する固定インピーダンス変換回路網を設けるための装置には、能動ＲＦ整合回路網３０６とプラズマチャンバーに関連したプラズマチャンバーロード３２０とを連結するように適合された予備整合回路網３０８を含む。 - 特許庁

In order to uniformly generate an electromagnetic field by a bias RF which is a cause of plasma damages, a wiring member which is substantially symmetric on the flat face of an electrostatic chuck unit between an RF introduction rod and the electrostatic chuck unit is connected to the front end of the RF introduction rod.例文帳に追加

プラズマダメージの原因となるバイアスＲＦによる電磁界の発生を均一にするために、ＲＦ導入棒と静電チャックユニットとの間に、静電チャックユニットの平面上において実質的に対称となるような配線部材をＲＦ導入棒の先端に接続する。 - 特許庁

The RF antenna 54 for generating plasma of inductive coupling inside a chamber is provided at a ceiling or on a dielectric window of the chamber.例文帳に追加

チャンバの天井または誘電体窓の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。 - 特許庁

The antenna inductively couples energy from the RF energy source with a treatment gas through the dielectric member to form a plasma state and to treat a substrate.例文帳に追加

アンテナはＲＦ源からのエネルギを、前記誘電体部材を通して処理ガスに誘導結合させ、プラズマ状態にして基板を処理する。 - 特許庁

The doubly concentric rf electrode is used for generation of the plasma by the capacitive coupling-mechanism or the capacitive and the inductive coupling mechanism.例文帳に追加

二重同心ｒｆ電極は、容量的結合機構または容量的および誘導的な結合機構によるプラズマの生成に用いられる。 - 特許庁

An RF antenna 54 for generating induction-coupled plasma in a chamber is provided on a ceiling of the chamber or a dielectric window 52.例文帳に追加

チャンバの天井または誘電体窓５２の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。 - 特許庁

To provide an electrode assembly coupled with an RF power supply in order to provide a reaction gas as plasma gas used to process a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板を加工するための反応ガスをプラズマ状態にするためのＲＦ電源が連結される電極組立体を提供する。 - 特許庁

To easily enable a plasma process which is uniform in the circumferential direction as well as the radial direction, while sufficiently suppressing a wavelength effect in a radio frequency (RF) antenna.例文帳に追加

ＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現する。 - 特許庁

An inductively coupled plasma processing apparatus is configured such that inductively coupled plasma is generated so as to have a doughnut shape under a dielectric window 52 close to an RF antenna 54 and the doughnut-shaped plasma is dispersed in a large processing space so as to level the plasma density near a susceptor 12 (namely, on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁

The inductive coupling type plasma etching apparatus is configured to generate inductive coupling plasma like a donut under a dielectric window 52 in proximity to an RF antenna 54, and distribute the donut-like plasma in a wide processing space to equalize the density of the plasma in the vicinity of a susceptor 12 (i.e. on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁

To improve stability and reproducibility of a plasma process by stably and smoothly performing a matching operation of a matcher even when RF power fed to plasma is varied over a wide range (in particular, when a lower power range is selected) or when impedance of the plasma varies large.例文帳に追加

プラズマに投入するＲＦパワーを広範囲に変えても（特に低パワー領域を選択したときでも）、あるいはプラズマのインピーダンスが大きく変動しても、整合器のマッチング動作を安定かつスムースに行い、プラズマプロセスの安定性・再現性を向上させる。 - 特許庁

In the deposit film forming method, the cylindrical substrate 105 are arranged in the above-mentioned positions and the deposit film is formed by the RF plasma CVD method.例文帳に追加

及び、このような位置に円筒状基体１０５を配置して、高周波プラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成する堆積膜形成方法。 - 特許庁

The table 11 and the head 12 are respectively used as an upper electrode and a lower electrode for plasma induction by a high-frequency power source RF in common.例文帳に追加

載置台１１及びガス供給ヘッド１２は、それぞれ高周波電源ＲＦによるプラズマ誘導のための上部電極、下部電極を兼ねる。 - 特許庁

To provide a device of an RF matching circuit network and a matching method for reducing reflection due to a variable impedance load in a plasma treatment chamber.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバにおける可変インピーダンス負荷による反射を減少させるためのＲＦ整合回路網の装置および整合方法の提供。 - 特許庁

A gas cluster ion beam 18 is generated by ionizing the cluster of neutral particles by a RF plasma electron source 5 which generates electrons by ionizing a gas.例文帳に追加

ガスを電離して電子を生成するＲＦプラズマ電子源５によって中性粒子のクラスターをイオン化してガスクラスターイオンビーム１８を発生させる。 - 特許庁

Consequently, the chamber can improve plasma processing performance by concentrating more of the RF output in the region between the two electrodes.例文帳に追加

結果的に、発明は２電極間の領域にＲＦ出力をより集中させることによって、プラズマ処理能力を向上することが可能である。 - 特許庁

Then an oxygen-containing gaseous mixture is introduced into the space, and the gaseous mixture is excited together with RF energy in order to form oxygen-containing plasma.例文帳に追加

酸素を含有する混合ガスが、その後、処理空間へ導入され、酸素含有プラズマを形成するために混合ガスがＲＦエネルギとともに起される。 - 特許庁

An Si wafer W is placed in the suscepter 5 provided in a CVD unit 1, and the wafer W is plasma processed by applying an RF power.例文帳に追加

ＣＶＤ装置１に備わるサセプタ５にＳｉウェハＷを載置し、ＲＦ電力の印加によりＳｉウェハＷに対してプラズマ処理を施す。 - 特許庁

The target, the substrate, and a sputtering gas can be contained in a chamber, and power of a first RF source can be applied so as to maintain a plasma in the chamber.例文帳に追加

ターゲット、基板及びスパッタリング・ガスをチャンバー内に収容し、第１のＲＦ電源の電力がチャンバー内のプラズマを維持するために加えられる。 - 特許庁

An interaction between an ultra-high density plasma (10^14/cm^3) generated by laser ablation and a plasma (10^14/cm^3) generated using SiH_4, H_2 gas, etc., using RF, VHF, UHF, etc., is utilized.例文帳に追加

レーザーアブレーションによる超高密度プラズマ（１０^１４／ｃｍ^３）とＲＦ、ＶＨＦ、ＵＨＦ等を用いたＳｉＨ_４、Ｈ_２ガス等を用いて生成されるプラズマ（１０^１４／ｃｍ^３）との相互作用を利用する。 - 特許庁

Then, after a second Al film is formed to 10 Å in thickness on the first Al-O barrier film 3, the second Al film is plasma-oxidized with an RF plasma in the oxygen atmosphere of 50 Torr.例文帳に追加

その後、第１のＡｌ−Ｏバリア膜３の上に第２のＡｌ膜を１０Åの膜厚で成膜した後、５０Ｔｏｒｒの酸素雰囲気下において、ＲＦプラズマにより第２のＡｌ膜をプラズマ酸化する。 - 特許庁

The hot switching circuit is coupled through a controlled impedance network including an RF switch for switching a predetermined impedance between an RF generator output and a plasma chamber input for matching impedances.例文帳に追加

本発明のホット・スイッチング回路は、インピーダンスを整合するためのＲＦ発生器出力とプラズマ容器との間を、予め定められたインピーダンスをスイッチするためのＲＦスイッチを備えた制御されたインピーダンス・ネットワークが結合する。 - 特許庁

In these hot switching method and device, a controlled impedance network provided with an RF switch for switching predetermined impedance couples an RF generator output for matching impedance and a plasma container.例文帳に追加

本発明のホット・スイッチング法および回路は、インピーダンスを整合するためのＲＦ発生器出力とプラズマ容器との間を、予め定められたインピーダンスをスイッチするためのＲＦスイッチを備えた制御されたインピーダンス・ネットワークが結合する。 - 特許庁

An RF coil 23 is arranged between a target 11 and a workpiece W, and sputtered particles scattered from the target 11 toward the workpiece W are ionized, so as to be plasma ions by feeding high frequency power to the RF coil 23.例文帳に追加

ターゲット１１とワークＷとの間には、ＲＦコイル２３が配され、ターゲット１１からワークＷに向けて飛散するスパッタ粒子は、ＲＦコイル２３に高周波電力が供給されるとによってプラスイオンにイオン化される。 - 特許庁

The provision of a current supply means for supplying power to each of the divided RF electrodes 7 generates a plurality of partial plasma 10 having density corresponding to the power supplied to the divided RF electrodes 7.例文帳に追加

その各々の分割ＲＦ電極７に、別々に電力を供給する電力供給手段を有することにより、分割ＲＦ電極７に供給された電力に応じた密度を有する複数の部分プラズマ１０が発生する。 - 特許庁