「SELF ALIGN」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, gap walls are made at the sidewalls of the conductor layer and the polishing terminating layer, and a self align metallize process is proceeded.例文帳に追加

その後、導体層及び研磨終止層の側壁にギャップウォールを形成し、並びにセルフアラインメタライズ工程を進行する。 - 特許庁

Each lug part 30 is separated by a distance larger than thickness of the cushion 24 so as to self-align the cushion 24 within the bracket 22.例文帳に追加

各耳部（３０）は、クッション（２４）をブラケット（２２）内で自動調心しうるよう、クッション（２４）の厚さよりも大である距離だけ分離される。 - 特許庁

To provide a self-align patterning method for forming patterns capable of forming fine pitch patterns by overcoming the resolution limit of a photolithography process.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程での解像限界を克服し微細ピッチのパターンを実現可能なパターン形成のためのセルフアラインパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which contacts are surely separated with high insulation resistance even when using a self-align contact process.例文帳に追加

セルフアラインコンタクトプロセスを用いても、高い絶縁耐性でコンタクト間の分離を確実に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming simply and conveniently a first wiring pattern including patterns of less than resolution limit in a first wiring pattern formation region and a second wiring pattern comprised of usual patterns of more than or equal to resolution limit in a second wiring pattern formation region, by using an SADP method (Self Align Double Patterning) through two-time lithography steps is used to form.例文帳に追加

２回のリソグラフィ工程によるＳＡＤＰ法（Self Align Double Patterning）を用いて、第１配線パターン形成領域には解像限界未満のパターンを含む第１配線パターンを形成し、第２配線パターン形成領域には解像限界以上の通常パターンからなる第２配線パターンを簡便に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To accurately align a tire assembling drum moved through a plurality of work stations of an automatic tire assembling system to the work station by an AGV moving in a self-advancing method.例文帳に追加

自己推進式に移動するＡＧＶによって自動タイヤ組立システムの複数のワークステーショを通って移動させられるタイヤ組立ドラムを各ワークステーションに正確に揃える。 - 特許庁

The floating gates FG1 and FG2 and the control gate CG can be easily formed without using a self-align process, with a technical problem, in the direction of columns.例文帳に追加

フローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２及びコントロールゲートＣＧは、技術的課題のあるコラム方向におけるセルフアラインプロセスを用いずに簡単に形成することができる。 - 特許庁

To self-align to the gate structure of a field effect transistor, and prevent the occurrence of electric short-circuiting when a conductive stud is formed in a drain or source region.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート構造に自己整合し、ドレイン領域またはソース領域に導電スタッドを形成する際に電気的短絡が発生するのを防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state imaging device capable of enlarging the dimension of an in-layer lens by forming the lens in self align for the base, and to provide the solid-state imaging device and a camera.例文帳に追加

下地に対してセルフアラインで形成でき、層内レンズの寸法の拡大を図ることができる固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置およびカメラを提供する。 - 特許庁

To improve the reliability by retaining the protective performance of a gate insulating film through a sidewall insulating film when self align-contact structure is applied between lamination gate electrodes.例文帳に追加

積層ゲート電極間に自己整合的なコンタクト構造を適用した場合に、側壁絶縁膜によるゲート絶縁膜の保護性能を保持して信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

To prevent the resistance of source wiring and gate wiring from being increased, related to a method for manufacturing a semiconductor storage device such as a flash memory using a self-align source structure.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を用いたフラッシュメモリ等の半導体記憶装置の製造方法において、ソース配線及びゲート配線の高抵抗化を防止した製造方法を提供する。 - 特許庁

With the gate electrode 106 as a mask for impurity ion implantation, a plurality of doped regions which self-align in correspondence with the group of slits 107 are formed in a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極１０６を不純物イオンの注入マスクとして、半導体基板１中に、スリット群１０７に対応して自己整合する複数の不純物注入領域を形成する。 - 特許庁

To provide an image sensor capable of executing a self-align process and preventing a reduction in yield regardless of the structure of a charge transfer electrode, and to provide a method of manufacturing the image sensor.例文帳に追加

電荷転送電極の構造にかかわらず、セルフアラインプロセスを実行することができ、歩留まりの低下をぼうしできる撮像素子及び撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the drilling and internally threading, the first beam 7 and the second beam 9 perform fine turning operations according to force received by the tool 25 of the tool unit 3 during machining to self-align the tool 25.例文帳に追加

穴加工やめねじ切り加工においては、加工中にツールユニット３の工具２５が受ける力に応じて第１ビーム７と第２ビーム９とが微細な旋回動作をし、工具２５を自動調心する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such that, when a self-align contact is formed, a contact never comes into contact with parts where silicide is not formed in an extension region and a source drain region.例文帳に追加

セルフアラインコンタクトを形成する際に、エクステンション領域及びソースドレイン領域におけるシリサイド化されていない部分とコンタクトとが接触することがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor of self-align structure where reliability of the thin film transistor can be improved by reducing defects caused by an interlayer insulating film, and to provide a display device with this thin film transistor.例文帳に追加

層間絶縁膜に起因する不良を抑え、セルフアライン構造の薄膜トランジスタの信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide dense contact hole pattern formation technique of a semiconductor device by using self-align double patterning technology so as to form a high-density hole pattern which is twice or three times higher than that formed by lithography technology.例文帳に追加

半導体装置の密集コンタクトホールパターン形成技術において、セルフアラインダブルパターニング技術を用いて、リソグラフィ技術で形成したパターンの２倍、あるいは３倍の密度のホールパターンを高精度で形成する。 - 特許庁

In this method for manufacturing a semiconductor device, the mask pattern of a first layer and the mask pattern of a second layer can be formed as mask patterns whose shapes are similar, and whose dimensions are different by self-align only in single photo-lithograph process.例文帳に追加

本発明の作製方法によれば、１回のフォトリソグラフ工程のみで第１層のマスクパターン及び第２層のマスクパターンをセルフアラインで、かつ、相似形で寸法の異なるマスクパターンとして形成できる。 - 特許庁

To prevent short-circuiting between a bit line and a capacitor contact without using a self-align contact (SAC) process for forming a hard mask film on the upper surface of the bit line and providing a sidewall by etching back a nitride film on the sidewall of the bit line.例文帳に追加

ビット線の上面にハードマスク膜を形成し、ビット線の側壁に窒化膜をエッチバックして形成したサイドウォールを設けるＳＡＣ（セルフアラインコンタクト）プロセスを用いることなくビット線と容量コンタクトとの間の短絡を防止する。 - 特許庁

In a self align contact(SAC) process, the bores of contact holes 12 and 13 are widened by covering the top of a gate electrode 7 with a silicon nitride film 8, and covering the top and flank of the gate electrode 7 with a silicon nitride film 10.例文帳に追加

セルフアライン・コンタクト（ＳＡＣ）プロセスにおいて、ゲート電極７の上部を窒化シリコン膜８で覆い、ゲート電極７の上部および側面を酸化シリコン膜１０で覆うことによってコンタクトホール１２、１３の径を広くする。 - 特許庁

To suppress a leak current from an impurity diffusion layer connected to a plug when the mutual positions of the plug and an opening part for bit line are deviated, concerning a producing method for a semiconductor device having a self-align contact structure to be used for DRAM or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等に使用されるセルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置の製造方法に関し、プラグとビット線用開口部の互いの位置にずれが生じた場合にプラグに繋がる不純物拡散層からのリーク電流を抑制すること。 - 特許庁

An air gap to reduce the coupling capacity and signal delay by forming a carrier track TB with width of B2, which is smaller than the width B1 of the conductive track 4, is formed under the conductive track 4 along its side wall using a self-align technology.例文帳に追加

導体トラック４の幅Ｂ１よりも小さい幅Ｂ２のキャリアトラックＴＢを形成することにより、結合容量と信号遅延を低減するためのエアギャップが、導体トラック４の下にその側面に沿ってセルフアライン技術により形成される。 - 特許庁

The spherical structure body 3 is volumetrically expanded by application of heat to a size as large as the diameter of the opening 12 in the opening 12 to thereby align the first junction part 1 and the second junction part 2 in a self-aligning manner.例文帳に追加

加熱により、前記球状構造体３を前記開口１２内で前記開口１２の径の大きさまで体積膨張させることによって、前記第１の接合部１と前記第２の接合部２とを自己整合的に位置あわせする。 - 特許庁

After a second interlayer insulating film 35 is formed, by causing the second interlayer insulating film 35 to self-align with the bit lines 29 and the insulating spacer 33, a fourth opening 37 for exposing the surface of the second pad layer 25b' is formed, and by filling the opening 37 with a conductive material, a storage electrode 39 is formed thereon.例文帳に追加

第２層間絶縁膜３５を形成した後、ビットライン２９と絶縁性スペーサ３３に自己整合させて、第２パッド層２５ｂ’の表面を露出させるまでの第４開口部３７を形成して、これを導電性物質で埋立て、その上にストレージ電極３９を形成する。 - 特許庁

A slurry composition for chemical mechanical polishing for the polycrystalline silicon and the semiconductor element utilizing it are formed, by a method wherein a trench element separation film is ground with the slurry having the grinding selection ratio with respect to the polycrystalline silicon, which is higher compared with the element separation oxide film of an etching prevention film, to form the self aligned floating gate of the flash memory element.例文帳に追加

本発明は、多結晶シリコン用化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）のためのスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法に関し、より詳しくはエッチング防止膜の素子分離酸化膜に比べて多結晶シリコンに対し高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜を研磨し、フラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲート（Self Align Floating Gate）を形成する半導体素子の形成方法に関する。 - 特許庁

To consistently align paper sheets and to enhance the quality of paper sheets to be post-processed by preventing deviation of the paper sheets caused by jumping of the paper sheets generated when the paper sheets are stacked and stopped in an intermediate stacker to store a plurality of paper sheets which are successively conveyed from an image forming device and drop by the self weight.例文帳に追加

画像形成装置から順次搬送されて自重で落下する複数枚の用紙を収容する中間スタッカにおいて、用紙をスタックして停止させる際に生じる用紙の跳ね上がりによる用紙のずれを防止し、用紙揃えの安定化と、後処理される用紙の品質の向上とを達成する。 - 特許庁

Linewidth on an active layer is set so as to be Li in the mask pattern of the first layer, and set so as to be L' in the mask pattern of the second layer, and anisotropic etching using the mask pattern of the second layer and anisotropic etching using the mask pattern of the first layer are successively carried out so that a hat shape gate can be formed by self-align.例文帳に追加

活性層上における線幅を、第１層のマスクパターンではＬｉ、第２層のマスクパターンではＬ’となるように設定し、第２層のマスクパターンを用いた異方性エッチング、第１層のマスクパターンを用いた異方性エッチングを順に行うことにより、ハットシェープゲートをセルフアラインで形成できる。 - 特許庁

To provide a hand-held tonometer with a system of no solid contact with an eye, which provides portability and low cost, enables to align with a hand-held system and to recognize measurement results easily, besides gives alignment guidance in the case of self-measurement, and available at home and general clinics or the like other than skilled medical institutions.例文帳に追加

携帯性があり、手持ち式による位置合わせができ、低コストで、測定結果を容易に認識でき、更に自己測定の場合には位置合わせのガイドも行う、家庭や、一般診療所等の高度専門医療機関以外での測定にも利用できる手持ち式の非接触トノメータを提供する。 - 特許庁

Related to the method for manufacturing a semiconductor storage device having a self-align source structure, a process in which an almost linear element separation region, passing through the source region and the gate region, is formed on a silicon substrate, comprises a process in which the width of element separation region of the source region is formed narrower than that of the gate region.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を有する半導体記憶装置の製造方法において、シリコン基板上にソース領域とゲート領域とを通る略直線状の素子分離領域を形成する分離領域形成工程が、ソース領域の素子分離領域の幅を、ゲート領域の素子分離領域の幅より狭く形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices that enables easy removal of dust in liquid that may cause mounting failure in manufacturing semiconductor devices by flowing the above liquid with scattered semiconductor devices 001 on the surface of the first base substrate 101, where multiple recesses engaging the above semiconductor devices 001 have been formed to self-align the above semiconductor devices 001 on the above base substrate 101.例文帳に追加

複数の半導体素子００１を分散させた液体を、前記半導体素子００１と嵌合する複数のリセスを形成した第１の基体１０１表面に流すことにより、前記半導体素子００１を前記第１の基体１０１に自己整合的に配置する半導体装置の製造方法において、実装不良を引き起こす前記液体中に発生したダストを容易に除去可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁