「Single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, a silicon oxide film 210 is formed around an arrival peak position of the oxygen ions 400 in the single-crystal silicon substrate 200 and a thin 1st single-crystal semiconductor layer 220 is left on the top layer side of the silicon oxide film 210.例文帳に追加

その結果、単結晶シリコン基板２００中には、酸素イオン４００の到達ピーク位置を中心にシリコン酸化膜２１０が形成され、このシリコン酸化膜２１０の上層側には、薄い第１の単結晶半導体層２２０が残る。 - 特許庁

The dislocation layer 12 is formed under the condition that dislocation is generated in the surface region of the single crystal silicon substrate 11 where the gallium nitride layer 14 is formed and no dislocation is generated on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

転位層１２は、窒化ガリウム層１４が形成された単結晶シリコン基板１４の表層領域に転位が発生し且つ単結晶シリコン基板１１の最表面には転位が発生しない条件下でイオン注入することにより形成される。 - 特許庁

The first single crystal semiconductor layer is epitaxially grown to form a second single crystal semiconductor layer with the plasma chemical vapor deposition method using the silane system gas and hydrogen of 50 times or more in the flow rate ratio for the silane system gas as the raw material gas.例文帳に追加

シラン系ガスとシラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素とを原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により第１単結晶半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

In the laminated film, a syndiotactic polystyrene single resin is used at least on either side of the outermost layer thereof and the intermediate layer thereof is constituted of a thermoplastic resin other than the syndiotactic polystyrene single resin or a thermosetting resin.例文帳に追加

最外層の少なくとも片側にシンジオタクチックポリスチレン単体樹脂を使用し、その中間層は前記シンジオタクチックポリスチレン樹脂以外の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる樹脂で構成したことを特徴とする積層フィルム。 - 特許庁

At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 - 特許庁

Forming an interfacial reaction suppression layer 12 for suppressing an interfacial reaction between the oxide and the nitride between a ZnO single crystal substrate 11 as the oxide and an InGaN semiconductor layer 13 as the nitride can suppress the interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, thereby suppressing the formation of the reaction layer (Al_2ZnO_4) at the interface.例文帳に追加

酸化物であるZnO単結晶基板１１と窒化物であるInGaN半導体層１３との間に、酸化物と窒化物との界面反応を抑制するための界面反応抑制層１２を形成しているので、ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制でき、その界面に反応層（Al_2ZnO_4）が形成されるのを抑制できる。 - 特許庁

Since the supporting holes 21, 22 are formed in the single crystal epitaxial layer 19, the supporter 26 can closely contact the first silicon layer 16a being single crystal, and thus, even if a cavity 29 is formed below the first silicon layer 16a due to etching, the first silicon layer 16a can be supported by the supporter 26.例文帳に追加

支持体穴２１，２２を単結晶エピタキシャル領域１９に形成することにより、支持体２６と単結晶である第１シリコン層１６ａとを密着させることができ、エッチングにより第１シリコン層１６ａの下側に空洞部２９ができたとしても、支持体２６によって第１シリコン層１６ａを支持することが可能となる。 - 特許庁

Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加

デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

In the multilayer structure type optical recording medium wherein a single layer or more for recording/reproducing a signal by light or heat and a single light transmission layer or more exist, the light transmission layer is characterized in that the layer is made of a thermoplastic resin and the thermoplastic resin contains an infrared ray absorption agent.例文帳に追加

光や熱により信号を記録・再生する層の単層または複数層と光透過層の単層または複数層が存在する多層構造型光記録媒体において、前記光透過層が熱可塑性樹脂から成り、且つ該熱可塑生樹脂中に赤外線吸収剤を含有していることを特徴とする多層構造型光記録媒体。 - 特許庁

The method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate includes steps of: forming a ZnO layer 23 on a base substrate 21; forming a low-temperature nitride buffer layer 24 using dimethyl hydrazine (DMHy) as an N source on the ZnO layer; growing a nitride single crystal 25 on the low-temperature nitride buffer layer; and separating the nitride single crystal from the base substrate by chemically eliminating the ZnO layer.例文帳に追加

窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板２１上にＺｎＯ層２３を形成する段階と、上記ＺｎＯ層上にＮソースとしてジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙＤＭＨｙ）を使用して低温窒化物バッファ層２４を形成する段階と、上記低温窒化物バッファ層上に窒化物単結晶２５を成長させる段階と、上記ＺｎＯ層を化学的に除去することにより上記母基板から上記窒化物単結晶を分離させる段階とを含む。 - 特許庁

Also, compared to the single layer film of only the layer 14b of the smaller Pb composition amount, since the layer 14a of the larger Pb composition amount is included, the decline of a manufacture margin is prevented as well and an excellent piezoelectric performance is achieved.例文帳に追加

また、Ｐｂ組成量の少ない層１４ｂだけの単層膜と比較して、Ｐｂ組成量の多い層１４ａを含むので、製造マージンの低下も防ぐことができ、良好な圧電性能が実現できる。 - 特許庁

An Al_2O_3 bottom barrier layer 4, an Al rich Al_2+xO_3 charge storage layer 5, and an Al_2O_3 top barrier layer 6, an n-type polysilicon gate 7 are deposited in succession on an upper surface of a p-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の単結晶シリコンン基板１の上面にＡｌ_2Ｏ_3のボトム障壁層４、ＡｌリッチのＡｌ_2+xＯ_3の電荷蓄積層５、Ａｌ_2Ｏ_3のトップ障壁層６、ｎ型ポリシリコンゲート７を順次堆積して形成する。 - 特許庁

The light transmissive resin beads are formed into a single layer on the surface of the transparent basic material layer, and this light diffusion sheet 1 has a light transmissive binder resin layer on a light outgoing face 12 side of the light transmissive resin beads 5.例文帳に追加

光透過性樹脂ビーズが透明基材層表面に単層に形成され、光透過性樹脂ビーズ５の光出射面１２側に光透過性バインダー樹脂層を有していることを特徴とする。 - 特許庁

The first insulating layer 3 has a function to control the flow rate of heat that is transferred to the thermal conductive layer 2, and a single-crystal semiconductor film 3 is formed on the first insulating layer 3 taking advantage of a temperature distribution difference on the substrate 1.例文帳に追加

第１の絶縁層３は熱伝導層２への熱の流出速度を制御する機能を有し、基板１上の温度分布の差を利用して第１の絶縁層３上に単結晶半導体膜を形成する。 - 特許庁

The auxiliary magnetic layer 2 having such a structure obtains a larger saturated magnetic flux density as compared with the case wherein the auxiliary magnetic layer is constituted with a single layer of the soft magnetic film, and has high magnetic permeability even in a high-frequency band.例文帳に追加

かかる構造を有する補助磁性層２は、軟磁性膜単層で補助磁性層を構成した場合よりも大きな飽和磁束密度が得られるとともに、高周波帯域においても高い透磁率を有する。 - 特許庁

To provide a diffusion layer having a fine protective layer, which effectively protects a function of the diffusion layer and extending its use lifetime, wherein a single fuel cell can have an electrolytic function as well as the function; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

拡散層の機能を効果的に保護し、使用寿命を延長させられ、またこれにより単一の燃料電池は電解機能を兼備可能となる微保護層を備える拡散層及びその製法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device consists of an organic semiconductor layer which has a laminated structure, wherein at least the upper organic semiconductor layer has polycrystallinity or single crystallinity and the lower organic semiconductor layer is composed of a material which functions as a channel.例文帳に追加

有機半導体層を積層構造とし、少なくとも上層の有機半導体層は多結晶状態、又は単結晶状態を有し、下層の有機半導体層はチャネルとして機能する材料からなる。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51A and an N-type epitaxial silicon layer 51B are laminated, and P-type well area 52C is formed in the N-type epitaxial silicon layer 51B.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板上５０に、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１ＡとＮ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂとを積層し、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂの中にＰ型ウエル領域５２Ｃを設ける。 - 特許庁

A silicon substrate 31 having an upper surface(111) is prepared, a buffer layer 34 composed of Si_xGe_1-x layer(0<x≤1) is formed on the silicon substrate 31, and a nitride single crystal 35 is formed on the buffer layer 34.例文帳に追加

上面に（１１１）面を有するシリコン基板３１を用意し、シリコン基板３１の上面にＳｉ_xＧｅ_1-x層（０＜ｘ≦１）から成るバッファ層３４を形成し、バッファ層３４上に窒化物単結晶３５を形成する。 - 特許庁

To suppress the medium noise originated in a magnetic wall by making a magnetic wall not to be introduced into the soft magnetic layer in a magnetic layer in a magnetic recording medium and making the structure of a magnetic domain of a soft magnetic layer a stable single magnetic domain.例文帳に追加

磁気記録媒体内の軟磁性層内に極力磁壁が導入されないようにし、軟磁性層の磁区構造を安定した単磁区構造とすることにより、磁壁由来の媒体ノイズを抑えることにある。 - 特許庁

When single layer films of Au and Pt are formed and etched using an aqua regia based solution, etching rate of Au employed in the upper layer was about 100 nm/min and etching rate of Pt employed in the lower layer was about 80 nm/min.例文帳に追加

ＡｕとＰｔのそれぞれ単層膜を形成し、王水系の溶液を用いてエッチングしたところ、上層に用いたＡｕはエッチングレートが約１００ｎｍ／分で、下層に用いたＰｔは８０ｎｍ／分であった。 - 特許庁

To provide optical and electro-optical elements which are used for an optical retarder of a liquid crystal displays having an alignment layer on a single substrate, and a crosslinked liquid crystal monomer layer brought into contact with the alignment layer.例文帳に追加

単一の支持体上に配向層と、その配向層と接触する、架橋液晶モノマー層とを有する,液晶ディスプレーの光学リターダーに用いられる光学的及び電気−光学的要素を提供する。 - 特許庁

The thermal head 10 has a thermal storage layer 12 over a supporting substrate 11, and the single heater comprised of a first electrode 14a, a heating resistor layer 13 and a second electrode 14b over the thermal storage layer 12.例文帳に追加

サーマルヘッド１０では、支持基板１１上に蓄熱層１２が形成され、蓄熱層１２上に、第１の電極１４ａ、発熱抵抗体層１３および第２の電極１４ｂからなる単一ヒータが形成される。 - 特許庁

When the GaN layer 15 is grown, the protective film 12 prevents the ZnO single crystal substrate 11 from being destroyed by ammonia, and mixing of Zn or O to the InGaN layer or the GaN layer can be controlled.例文帳に追加

ＧａＮ層１５を成長する際に、ＺｎＯ単結晶基板１１がアンモニアによって破壊されるのを保護膜１２により抑制でき、ＩｎＧａＮ層やＧａＮ層へのＺｎ，Ｏの混入を抑制できる。 - 特許庁

On a single crystal silicon substrate 101, formed are an Al_2O_3 layer 102 composed of aluminum oxide, an AlN layer 104 composed of aluminum nitride, and an Al_2O_3 cap layer 105 composed of aluminum oxide.例文帳に追加

単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１の上に，酸化アルミニウムからなるＡｌ_2Ｏ_3層１０２，窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層１０４，及び酸化アルミニウムからなるＡｌ_2Ｏ_3キャップ層１０５を備えるようにしたものである。 - 特許庁

After a wetting layer is formed on topography by the ion metal plasma deposition method, nearly the entire portion of a bulk metal layer is formed on the wetting layer, in a single deposition chamber by the sputter deposition method.例文帳に追加

トポグラフィ上にウェッティング層をイオン金属プラズマ蒸着法によって形成した後、単一のディポジション・チャンバ内で該ウェッティング層上にバルク金属層のほぼ全体をスパッタ蒸着法により形成する。 - 特許庁

The cement-coated particles are each composed of a core 2 comprising a single particle of a specified particle, a cement coating layer 3 which covers the core 2, and a polymer layer 4 prepared by coating the cement coating layer 3 with a polymer dispersion.例文帳に追加

特定の粒状物の単粒子で成る核２と、これを被覆するセメント被覆層３と、このセメント被覆層３をポリマーディスパージョンを用いて被覆したポリマー層４とからセメント被覆粒状物を構成する。 - 特許庁

In the outer frame part of the CF substrate, a single-layer coloring layer 15b consisting of at least two colors of the coloring layer 15a of a display part is arranged by an arbitrary arrangement with an arbitrary surface ratio independent of that in the display part.例文帳に追加

ＣＦ基板の外枠部に、表示部着色層１５ａのうちの少なくとも２色からなる単層の着色層１５ｂを表示部とは独立した任意の面積比で任意の配列により設ける。 - 特許庁

The insulated wire includes: a conductor; and a single- or multi-layer insulating layer, which covers the conductor, wherein at least one of the insulating layers is a resin layer made by coating and baking the polyamideimide vanish.例文帳に追加

導体及び該導体を被覆する単層又は多層の絶縁層を有する絶縁層であって、前記絶縁層の少なくとも一層は、上記ポリアミドイミドワニスを塗布、焼付けして形成された樹脂層である絶縁電線。 - 特許庁

Also, fiber ribbons 13 forming the divided sub-units are coated with the covering layer 12 of the thin layer and therefore, the coated fiber ribbons can be easily separated to the single core optical fibers 11 by removing the covering layer 12.例文帳に追加

また、分割されたサブユニットを形成するテープ心線１３は薄層の被覆層１２で被覆されているので、被覆層１２を除去することにより容易に単心の光ファイバ１１に分離することができる。 - 特許庁

A single-axis barrel for an extrusion molding machine is equipped with a cylindrical body portion 12, an intermediate layer 13 covering the inner peripheral face of the body portion, and a surface coating layer 14 covering the inner peripheral face of the intermediate layer.例文帳に追加

本発明に基づく押出成形機用の単軸バレルは、円筒状の本体部分１２、その内周面上を覆う中間層１３、この中間層の内周面上を覆う表面被覆層１４を備える。 - 特許庁

Since the layer retaining the particle 2a of the hydrogen storage alloy is a single layer, and the resin layer 3b stretches as the expansion is caused when the particle 2a of the hydrogen storage alloy stores hydrogen, sliding between the particles 2a is prevented.例文帳に追加

水素吸蔵合金の粒子２ａの層が一層で、水素吸蔵合金の粒子２ａの水素吸蔵による膨張によって樹脂層３ｂが伸びるので、粒子２ａ間には相互の摺動は発生しない。 - 特許庁

The photodetector 10 is obtained by forming an underlying layer 2 and a functional layer 3 consisting of a group III nitride on a template substrate 1 according to MOCVD wherein the template substrate 1 having an AlN layer 1b on a sapphire single crystal base 1a.例文帳に追加

サファイア単結晶基材１ａの上にＡｌＮ層１ｂを有するテンプレート基板１上に、III族窒化物によって下地層２と機能層３とをＭＯＣＶＤにて形成することで受光素子１０を得る。 - 特許庁

Furthermore, the surface layer part of the joint silicon single crystal thin film 5, stuck on the first substrate 7, is etched back upto an etch-stop layer 6' that is formed based on the ion implantation layer 6, through this peeling operation.例文帳に追加

そして、この剥離により第一基板７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

The metal aluminum layer 12 and the protective oxide film 11 are caused to react each other to form an alumina preliminary layer 13 of the single crystal oxide thin film by heating them in vacuum after the deposition of the metal aluminum layer 12.例文帳に追加

金属アルミ層１２堆積後に真空中で加熱することにより、金属アルミ層１２と保護酸化膜１１とを反応させて単結晶の酸化物薄膜であるアルミナ予備層１３を形成する。 - 特許庁

The distorted silicon wafer has an epitaxial SiGe layer having lattice mismatching properties, a nitride-film layer having a nitrogen concentration of 1×10^19 atoms/cc or more, and a distorted Si layer on a single-crystal silicon substrate.例文帳に追加

本歪みシリコンウェーハは、単結晶シリコン基板上に格子不整合性のあるエピタキシャルＳｉＧｅ層と、窒素濃度が１×１０^１９atoms／cc以上の窒化膜層と、歪みＳｉ層とを備えたことを特徴としている。 - 特許庁

A heavy metal element is ion-implanted to the semiconductor silicon single crystal wafer from the front or rear surface to form a heavy metal-existing layer, and the heavy metal-existing layer is used as a gettering layer.例文帳に追加

半導体シリコン単結晶ウェーハに表面あるいは裏面から重金属元素をイオンインプランテーションして重金属存在層を形成するとともに前記重金属存在層をゲッタリング層としたことを特徴とする。 - 特許庁

A tubular body 101 of the present invention is a single-layer body 121 containing polyimide resin, fluorinated polyimide resin, and fluororesin particles; or a laminated body of two or more layers having the layer as the outermost layer 121.例文帳に追加

ポリイミド樹脂とフッ素化ポリイミド樹脂とフッ素樹脂粒子とを含む層の単層体で構成、又は当該層を最外層１２１として有する２層以上の積層体で構成された管状体１０１である。 - 特許庁

The single-screw barrel of an extrusion molding machine is equipped with a cylindrical main body part 12, the decarburization layer 13 formed on the inner peripheral surface thereof and the surface coating layer 14 bonded to the decarburization layer.例文帳に追加

本発明に基づく押出成形機用の単軸バレルは、円筒状の本体部分１２、その内周面の表層部に形成された脱炭層１３、この脱炭層の上を接合された表面被覆層１４を備える。 - 特許庁

To provide a process for improving the oxidation resistance of a single MCrAlY layer as an adhesive layer without causing embrittlement by increasing the content of Al in the MCrAlY layer.例文帳に追加

本発明の課題は、ＭＣｒＡｌＹ層のＡｌ含有量を高めることによって、脆化を生じることなく接着層としての単一ＭＣｒＡｌＹ層の耐酸化性を改善する方法を明示することである。 - 特許庁

To make the characteristics of an element excellent by enabling a group III nitride semiconductor layer to be an excellent crystal layer in providing the group III nitride semiconductor layer using a silicon single crystal as substrate.例文帳に追加

珪素単結晶を基板としてIII族窒化物半導体層を設けるのに際し、そのIII族窒化物半導体層を良質な結晶層とすることができ、素子特性を優れたものとすることができるようにする。 - 特許庁

A metal panel 2 for a can is provided with a coated layer to which a crystallizable polyester resin single layer film 9 is adhered through a heat hardening adhesive layer 8, and the metal panel 2 is formed into a tube shape body 5 having a bottom.例文帳に追加

結晶性ポリエステル樹脂の単層フィルム９が金属板２に熱硬化型接着剤層８を介して接着した被覆層１を備える缶用金属板２を有底筒状体５に成形する。 - 特許庁

Thereafter, the surface layer section of the thin bonded single-crystal silicon film 5, laminated on the base wafer 7 when the thin 5 is peeled from the wafer 1, is etched back to an etching stopper layer 6', formed based on the ion-implanted layer 6 for stopping etching.例文帳に追加

そして、この剥離によりベースウェーハ７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single crystal SiC substrate, capable of obtaining an SiC layer having good crystallinity by uniforming an interface between an SiC layer and an embedded insulation layer such as SiO_2, at low cost and with excellent productivity.例文帳に追加

ＳｉＣ層とＳｉＯ_２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態にして結晶性のよいＳｉＣ層が得られ、しかも低コストで生産性のよい単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a second growth process, subsequent to the heat treatment process, since the first single-crystal semiconductor layer 12 as a base is relieved in stress, a second single-crystal semiconductor layer 18, having different lattice constant and/or thermal expansion coefficient from those of the first single-crystal semiconductor layer 12, is applied with stress; and a high-quality strain semiconductor substrate is obtained.例文帳に追加

この熱処理工程の後に実施される第２成長工程において、下地となる第１単結晶半導体層１２はその応力が緩和されているので、第１単結晶半導体層１２とは格子定数及び／又は熱膨張率が異なる第２単結晶半導体層１８に応力が加わり、良質な歪み半導体基板を得ることができる。 - 特許庁