「Single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The thickness in a longitudinal direction of the sleeve for the fixing section of a single layer having a heat resistant resin layer or multilayered structure is made gradually larger or smaller from the central part toward both ends.例文帳に追加

耐熱性樹脂層を有する単層または多層構造の定着部用スリーブにおいて、長さ方向における肉厚を中央部から両端部に向けて漸増もしくは漸減させる。 - 特許庁

To provide an evaluation method for accurate and simple measurement of lifetime of a silicon single-crystal wafer having an ion implantation layer or a diffusion layer formed, which has been conventionally considered to be impossible.例文帳に追加

従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of ink layers Y, M, C and Bk, which can be transferred onto a card C, and a single clear layer CL, wherein a transfer layer is not built up, are sequentially and repeatedly arranged in an ink ribbon R.例文帳に追加

インクリボンＲは、カードＣに転写可能な複数のインク層Ｙ、Ｍ、Ｃ、Ｂｋと、転写層を層成しない単一のクリア層ＣＬとが順次繰り返して配置されている。 - 特許庁

A single layer carbon nanohorn aggregation having a specific structure and a considerably large surface area is used as a carbon composite electrode which serves as a polarizable electrode of an electric double layer capacitor.例文帳に追加

電気二重層コンデンサの分極性電極として用いられる炭素複合電極に、特異な構造非常に大きな表面積有する単層カーボンナノホーン集合体を用いる。 - 特許庁

This deposition material for a protective film for an FPD is formed of a polycrystal 11, a sintered body or a single crystal having a surface covered with a sulfated substance layer and/or sulfide layer 12.例文帳に追加

ＦＰＤの保護膜用蒸着材は、表面が硫酸化物層および／または硫化物層１２で覆われた多結晶体１１，焼結体または単結晶体により形成される。 - 特許庁

This substrate for embroidery used for forming the embroidery by the single yarn embroidery-sewing machine is characterized by laminating or impregnating a base cloth layer with a resin layer.例文帳に追加

一本糸刺繍ミシンにより刺繍を形成するために用いる刺繍用基材であって、基布層に樹脂層が積層又は含浸されてなることを特徴とする刺繍用基材による。 - 特許庁

To provide a film forming method, which is capable of forming a high-quality single crystal β-FeSi2 epitaxial layer on an Si substrate and enhancing the β-FeSi2 epitaxial layer in thickness.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に高品質な単結晶のβ−ＦｅＳｉ_2のエピタキシャル層を形成するとともに、β−ＦｅＳｉ_2の厚膜化を可能とする成膜方法を提供する。 - 特許庁

To form a (nondefective) III-V compound semiconductor layer without dislocations, and further a silicon layer on a silicon single-crystal substrate.例文帳に追加

本発明は、半導体装置に関し、シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半導体層、更にはシリコン層を形成することを目的とする。 - 特許庁

Thus, laser beams are irradiated to an optical disk having no surface layer formed therein so that all the laser beams are condensed on a recording layer are focused at substantially a single point.例文帳に追加

このため、表面層が形成されていない光ディスクに対しては、記録層に集光する全てのレーザー光の焦点がほぼ一点になるようにレーザー光が照射される。 - 特許庁

An epitaxial base layer 24 comprising a p-type single crystal semiconductor is formed in an island shape on a substrate region 17 of a semiconductor layer 2 surrounded by a shallow trench 3 and a deep trench 6.例文帳に追加

シャロートレンチ３、ディープトレンチ６に囲まれた半導体層２の基板領域１７に、ｐ型の単結晶半導体からなるエピタキシャル・ベース層２４が島状に形成される。 - 特許庁

One embodiment of this invention has a temperature sensor 100 having in its temperature-sensing part 10 an aggregate of single-layer carbon nanotubes (SWCNT), formed in a thin layer shape.例文帳に追加

本発明のある態様においては、薄層状に形成されている単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）の集合体を感温部１０に備える温度センサー１００が提供される。 - 特許庁

On a second plane of the hydrogen-permeable metal layer, the electrolyte layer 21 and a cathode 25 are formed one after another, and on the cathode 25, an in-single-cell oxidation gas channel 32 is formed.例文帳に追加

水素透過性金属層２２の第２の面上には、電解質層２１，カソード電極２５が順次形成され、カソード電極２５上には、単セル内酸化ガス流路３２が形成される。 - 特許庁

To manufacture a gas barrier laminate which has a polymer layer being an essentially single layer and exhibiting excellent gas barrier property and has more improved characteristics without passing through a complicated immersing step.例文帳に追加

本質的に単層で良好なガスバリア性を示す重合体層を有し、より一層特性の改善されたガスバリア性積層体を、繁雑な浸漬工程を経ることなく製造する。 - 特許庁

A top gate transistor having a semiconductor layer of single-crystal and a bottom gate transistor having a semiconductor layer of amorphous silicon (or microcrystalline silicon) are formed over the same substrate.例文帳に追加

単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。 - 特許庁

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板１上に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 1, a core forming layer 3 and a magnetic layer 4 consisting of a Co alloy having uniaxial crystal magnetic anisotropy are successively layered on a single crystal substrate 2.例文帳に追加

磁気記録媒体１において、単結晶基板２の上に核生成層３および一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金から成る磁性層４を順次積層している。 - 特許庁

Hydrogen ions are injected in a layer from the uneven surface of an N-type single-crystal silicon to a depth of 100 nm, then the uneven surface is stuck to an electrode layer 3 on a glass substrate 2.例文帳に追加

Ｎ型単結晶シリコンの凹凸面から１００nmの深さまで水素イオンを層状にイオン注入した後、ガラス基板(2) 上の電極層(3) に前記凹凸面を固着する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage element having a sectional structure having a polysilicon layer as a single layer contains mutually insulated and isolated memory cell section (a), data erasing section (b) and control gate section (c).例文帳に追加

単層のポリシリコン層を有する断面構造を有する不揮発性半導体記憶素子は、互いに絶縁分離されるメモリセル部ａ、データ消去部ｂ、及びコントロールゲート部ｃを含む。 - 特許庁

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００の製造に際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

The top layer 4 is applied not by direct coating, but by forming beforehand a film composed of a single substance or a mixture of urethane resin or polyester resin and adhering the film to the under layer 3.例文帳に追加

トップ層は、ダイレクトコーティングせずに、ウレタン樹脂もしくはポリエステル樹脂の単独物または混合物で予めフィルムを形成させ、それをアンダー層に貼り付けることにより形成させる。 - 特許庁

The wet layer 24 is a sub single-layer of an appropriate III nitride such as AlN or GaN, etc., comprising nucleation action for the crystallite of the III nitride semiconductor formed over it.例文帳に追加

湿層２４は例えばＡｌＮまたはＧａＮ等の適切なIII族窒化物のサブ単層であり、その上に形成されるIII族窒化物半導体の晶子の核形成の作用を有する。 - 特許庁

To form a diffusion layer of oxygen and carbon on the surface of a titanium-based material without forming a layer of titanium oxide, by a single operation, without using a plasma vacuum furnace.例文帳に追加

プラズマ真空炉を使用することなく、単一の操作により、チタン系材料の表面に、チタン酸化物の層を形成することなく、酸素及び炭素の拡散層を形成する。 - 特許庁

The buffer layer 2 has first and second amorphous semiconductor layers 2a, 2c and a single crystal semiconductor layer 2b locating between the first and the second amorphous semiconductor layers 2a, 2c.例文帳に追加

バッファ層２は第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃと、第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃ間に介在する単結晶半導体層２ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a non-halogen-based flame-retardant adhesive composition excellent in an anti-migration property even in a copper-clad laminate plate of not only a single layer plate structure but also a multi-layer plate structure made to high density.例文帳に追加

単層板構造のみならず、高密度化された多層板構造の銅張積層板等においても耐マイグレーション性に優れる非ハロゲン系難燃性接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

Openings 14 in a prescribed shape are formed in a single conductive layer 12 or a conductive layer 12 which is formed by a vapor deposition operation or the like on a board constituted of a resin or the like.例文帳に追加

単一の導電層１２あるいは樹脂等で構成された基板上に蒸着等により形成された導電層１２に、所定の形状の開口１４を形成する。 - 特許庁

To provide a GaN single-crystal mass and its manufacturing method regarding which crack occurrence is controlled, when making the GaN single-crystal mass grow and processing the grown GaN semiconductor device into a substrate, etc., and to provide a semiconductor device and its manufacturing method, when forming at least a single-layer semiconductor layer on the substrate-like GaN single-crystal mass and manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The printed circuit board comprises passive elements which includes a single layer or more layers of insulating layer and wiring layer and comprises any one or more passive elements among the capacitor, a resistance element, and an inductor in at least one layer of insulating layers, the insulating layer comprising passive elements is formed of a porous insulating material.例文帳に追加

１層またはそれ以上の絶縁層と配線層を有し、そのうち少なくとも１層の絶縁層にコンデンサ、抵抗素子、インダクタのうちいずれか１つ以上の受動素子を内蔵した受動素子内蔵プリント配線板において、該受動素子が内蔵されている絶縁層を多孔質の絶縁材料より構成する。 - 特許庁

In the control method of magnetic anisotropy, a heterostructure is prepared on a single crystal ferroelectric layer by epitaxially growing a ferromagnetic layer, and the magnetic anisotropy of the ferromagnetic is changed by a distortion occurring on the junction interface of the ferroelectric layer and the ferromagnetic layer by applying a voltage to the ferroelectric layer.例文帳に追加

単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。 - 特許庁

The top coat material (the film) comprises a single-layer film of a layer based on PA6/12 or comprises a multi-layer film having at least one layer based on PA6/12, with the layer based on PA6/12 containing at least one of polyamide homopolymers selected from the group consisting of PA6, PA12, PA610 and/or PA612.例文帳に追加

当該上塗材は、ＰＡ６／１２を基礎とする層の単層フィルムまたはＰＡ６／１２を基礎とする少なくとも一つの層を有する多層フィルムからなり、ＰＡ６／１２を基礎とする層はまたＰＡ６、ＰＡ１２、ＰＡ６１０、および／またはＰＡ６１２のグループより選択される少なくとも一つのポリアミド・ホモポリマーを含む。 - 特許庁

The semiconductor substrate has: a junction layer forming a junction surface between a support substrate and a single-crystal semiconductor layer; a barrier layer formed by an insulating material containing nitrogen; a relaxing layer formed by an insulating material containing 1-20 atom% hydrogen while nitrogen concentration is less than 20 atom%; and an insulation layer containing halogen.例文帳に追加

半導体基板は、支持基板と単結晶半導体層の間に接合面を形成する接合層、窒素含有絶縁材料で形成されるバリア層、窒素濃度が２０原子％未満であって水素を１〜２０原子％含む絶縁材料で形成される緩和層、ハロゲンを含有する絶縁層を有する。 - 特許庁

The charging roller is provided with an elastic layer B on an outer circumference of a conductive substrate A and a coated layer C provided on the elastic layer B and having a single or a plurality of layers, wherein at least the topmost layer E in the coated layer C contains hydrocarbon-based wax with a melting point of 110°C or higher and 170°C or lower.例文帳に追加

導電性基体Ａの外周上に、弾性層Ｂと、該弾性層Ｂ上に、単一又は複数の層からなる被覆層Ｃと、を有する帯電ローラにおいて、該被覆層Ｃの少なくとも最表面層Ｅが、融点が１１０℃以上、１７０℃以下である炭化水素系ワックスを含有する帯電ローラ。 - 特許庁

The heat-sensitive recording layer is obtained by laminating a high-temperature color developing layer and a low-temperature color developing layer or of a single layer type obtained by coating at least one type of two or more types of electron donative dye precursors, with a color developing adjusting layer obtained by addition polymerizing a vinyl monomer.例文帳に追加

多色感熱記録層は、高温発色層と低温発色層を積層したもの、二種以上の電子供与性染料前駆体のうち、少なくとも一種が、ビニル単量体を付加重合することにより得られる発色調節層で被覆されてなる単層タイプであることを特徴とする。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element having a pair of electrodes, a photoelectric conversion layer sandwiched between the pair of electrodes, and the electric charge blocking layer formed between at least one of the pair of electrodes and the photoelectric conversion layer, the electric charge blocking layer is a single layer containing two kinds of metal oxides.例文帳に追加

一対の電極と、一対の電極の間に挟まれた光電変換層と、一対の電極の少なくとも一方と前記光電変換層との間に設けられた電荷ブロッキング層とを備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が、２種の金属酸化物を含む単一の層である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which, in the case where an InP-based device is formed with a sacrificial layer in between, is capable of obtaining better device characteristics than those in the case where an AlAs single layer is used as the sacrificial layer, and which avoids the risk that the device layer is etched during etching of the sacrificial layer.例文帳に追加

犠牲層を介してＩｎＰ系のデバイスを形成したときに、犠牲層としてＡｌＡｓ単層を用いたときのデバイス特性よりも良好なデバイス特性を得ることができ、かつ、犠牲層をエッチングする際に、デバイス層もエッチングされてしまう虞のない半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

Between a first semiconductor layer to be a drift layer being a layer in which a component of a semiconductor device will be built and a foundation substrate comprising a silicon carbide single crystal wafer, a buffer layer comprising two or more semiconductor layers of the same conductive type as the drift layer is provided by epitaxial growing.例文帳に追加

半導体装置の構成要素が作りこまれるための層であるドリフト層となる第１の半導体層と，炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板の間に，ドリフト層と同一伝導型の２層以上の半導体層によって構成されるバッファ層をエピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

The connection part has a first connection layer 51c1 and a second connection layer 51c2 where the insulating layers 103' and 104 are formed on both sides of a single conductor layer 101' respectively and which are separate from each other in a laminating direction.例文帳に追加

接続部は、それぞれ単一の導体層１０１′の両面に絶縁層１０３′，１０４が形成され、積層方向において互いに分離した第１の接続層５１ｃ１および第２の接続層５１ｃ２を有する。 - 特許庁

The cross section of the single mode optical fiber comprises the core 51 formed by the VAD technique, the inner side clad layer 52 formed by the VAD technique, the layer formed by the MCVD technique 53 and the drawn clad layer 54 formed from optically inactive tube.例文帳に追加

本発明の方法は、ＶＡＤ法により生成されたコアロッドとこのコアロッドの上でＭＣＶＤ法により生成されたチューブをコラップッスすることにより光プリフォームを形成し、この光プリフォームから光ファイバを引き抜く。 - 特許庁

A fire-retardant polyolefin molded article is constituted of a base material layer wherein 100-200 pts.wt. of an inorg. material is added to 100 pts.wt. of polyolefin and the polyolefin surface layer formed at least to the single surface of the base material layer.例文帳に追加

ポリオレフィン１００重量部に対して無機材を１００〜２００重量部含有させた基材層と、この基材層の少なくとも片面に形成されたポリオレフィンの表面層とで難燃性ポリオレフィン成形体を構成する。 - 特許庁

A single crystalline Si-Ge intrinsic base 18 and a base layer 7 are connected with each other in a self alignment manner, by thickening a low-concentration collector layer 16 in the vicinity of an external base layer.例文帳に追加

外部ベース層周辺の低濃度コレクタ層１６を厚くすることにより、単結晶Ｓｉ−Ｇｅの真性ベース１８とベース引き出し層７を、多結晶Ｓｉ−Ｇｅの外部ベース層１７によって自己整合的に接続する。 - 特許庁

The decorative sheet includes: a base material sheet 1; a functional layer 10 consisting of a single layer or two or more layers arranged at a surface side of the material sheet 1; and a backer layer 9 consisting of a synthetic resin and arranged at a rear side of the base material sheet 1.例文帳に追加

基材シート１と、この基材シート１の表面側に配設される単一層または複数層からなる機能層１０と、前記基材シート１の裏面側に配設される合成樹脂からなるバッカー層９とを備える。 - 特許庁

When assuming that the basis weight of the release layer is a basis weight A [g/m^2] and the basis weight of a release agent single body layer of the release layer which is not impregnated into the paper base material is a basis weight B [g/m^2], the mass ratio B/A is from 0.20 to 0.80.例文帳に追加

剥離層の坪量を坪量Ａ［ｇ／ｍ^２］とし、紙基材に含浸されていない剥離層の剥離剤単体層の坪量を坪量Ｂ［ｇ／ｍ^２］とした場合、質量比率Ｂ／Ａは０．２０〜０．８０である。 - 特許庁

A carbide film layer is formed on the surface layer of the (0001)silicon surface of the silicon carbide seed crystal, and the surface side of the carbide film layer of the seed crystal is adhered to a supporting member, and the silicon carbide single crystal is grown.例文帳に追加

炭化珪素種結晶の（０００１）シリコン面表層に炭化膜層を形成し、前記炭化膜層を形成した前記種結晶を前記炭化膜層の面側を支持部材に接着し、炭化珪素単結晶を成長する。 - 特許庁

A thermal stress reducing layer which reduces the thermal stress due to the difference in the coefficients of linear expansion between the single-crystal substrate 1 and the device layer 3 on the basis of its dislocation introducing deformation is provided in the buffer layer 2.例文帳に追加

そして、バッファ層２内には、単結晶基板１と素子層３との線膨張係数差に起因して生ずる熱応力を自身の転位導入変形に基づいて緩和する熱応力緩和層が設けられている。 - 特許庁

In the positive electrification single layer photoreceptor, the charge generating layer of the photosensitive layer contains a phthalocyanine pigment and one kind of compound expressed by general formula (1), (2) or (3) and a terphenyl compound expressed by general formula (4) as an electron transfer agent.例文帳に追加

感光層の電荷発生層がフタロシアニン系顔料、電子輸送剤として一般式（１）、（２）又は（３）で示される化合物のＩ種及び一般式（４）で示されるターフェニル化合物を含有した正帯電単層型感光体 - 特許庁