「Single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The impurity diffusion layer 17 immediately below the dielectric film 18 is insulated from a single crystal silicon layer 13 by a field oxidized film 2 and a buried oxidized film 12.例文帳に追加

誘電体膜１８直下の不純物拡散層１７は、フィ−ルド酸化膜２、埋め込み酸化膜１２により単結晶シリコン層１３から絶縁されている。 - 特許庁

To provide a flat cable which is inexpensive and excellent in flame resistance and heat resistance by directly fusing a pair of single layer polycarbonate films without the presence of an adhesion layer.例文帳に追加

接着層を存在させないで一対の単層ポリカーボネートフィルムを直接融着することにより、安価で難燃性、耐熱性に優れたフラットケーブルを提供する。 - 特許庁

The photo-semiconductor light emitting device comprises an n-GaAs substrate (1) consisting of semiconductor single crystal having an n-side electrode (6) at the rear surface and an n1-GaAsP layer (21) formed thereon as a growth layer.例文帳に追加

裏面にｎ側電極(6)を持つ半導体単結晶から成るｎ−ＧａＡｓ基板(1)、その上に成長層として形成されたｎ１−ＧａＡｓＰ層(21)を有する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a photoconductive layer comprising silicon-base non-single crystals and a surface layer containing magnesium fluoride as the principal component.例文帳に追加

本発明の電子写真感光体は、シリコンを主体とする非単結晶からなる光導電層を有し、表面層がフッ化マグネシウムを主成分として含有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element comprising a zinc oxide layer, having quality at least equivalent to that of a bulk single crystal formed on an annealed buffer layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

アニールされたバッファ層上に形成されたバルク単結晶と同等以上の品質を持つ酸化亜鉛層を具える半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13 can be suppressed to allow high-temperature growth and heat treatment of the InGaN semiconductor layer 13.例文帳に追加

ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制できるので、InGaN半導体層１３の高温での成長や熱処理が可能になる。 - 特許庁

The sheet material has a sheet material substrate of a film or paper sheet or the like and a single layer or multi-layer polymer releasable coating is adhered to the surface of the sheet material substrate.例文帳に追加

フィルム又は紙シート等のシート材料基板を有し、単一層及び多層のポリマー剥離コーティングが該シート材料基板の表面の上にしかれてに接着されている。 - 特許庁

In this optical semiconductor device, an N+ type buried layer 34 is formed between a P-type single crystal silicon substrate 24 and a first epitaxial layer 25 in the dummy photodiode 22.例文帳に追加

この光半導体装置では、ダミーホトダイオード２２におけるＰ型の単結晶シリコン基板２４と第１のエピタキシャル層２５との間にＮ^+型埋め込み層３４が形成される。 - 特許庁

A polycrystalline III nitride layer 28 is film-formed on a substrate 22 of polycrystal, in short, substantially not a single crystal, or amorphous, to constitute a semiconductor layer structure 20.例文帳に追加

多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである基板２２上に多結晶III族窒化物層２８を成膜し、半導体層状構造２０を構成する。 - 特許庁

In addition, a sheet laminating material is manufactured at least with single layer of ceramic green sheet 11 where the internal electrode pattern 20 and the stepping area absorbing layer 30 are formed.例文帳に追加

更に、内部電極パターン２０及び段差吸収層３０が形成されたセラミックグリーンシート１１を少なくとも一層備えたシート積層体を作製する。 - 特許庁

A single layer of ions is implanted into a film surface and the material between the surface and the ion implantation layer is etched away without annealing the substrate.例文帳に追加

本発明の方法はフィルムの表面内にイオンの単一層を注入し、基板をアニールすることなく、表面とイオンの注入層との間の材料をエッチングで除去する。 - 特許庁

A thin film layer made of a single crystal silicon or a silicon germanium is formed on a substrate 31 made of silicon with a porous layer 32 made of a porous silicon between them.例文帳に追加

シリコンからなる基板３１上に多孔質シリコンからなる多孔質層３２を介して例えば単結晶シリコンまたはシリコンゲルマニウムからなる薄膜層を形成する。 - 特許庁

A carrier 14 is moved into a metal sputtering chamber 13, a single layer of metal chromium is formed on the layer of chromium oxide, and a coating film for two layers of black matrix can be formed.例文帳に追加

キャリア１４を金属スパッタチャンバ１３に移動させて、酸化クロム層の上に金属クロム単層を形成し、２層のブラックマトリクス用被膜を形成することができる。 - 特許庁

This structure can be of a single or dual damascene type provided with high-density TDL (thin dielectric layer) between a metal barrier layer and the ULK dielectric.例文帳に追加

本構造は単一ダマシンまたはデュアル・ダマシン型であることができ、金属障壁層と超低Ｋ誘電体の間に高密度の薄膜誘電体層（ＴＤＬ）を備える。 - 特許庁

The embedded barrier layer includes a single/double pn junction or a bubble layer to block or remove slow photon generation carriers in a region with a low drift field.例文帳に追加

この埋込みバリヤ層は、ドリフト電界が低い領域で遅い光子発生キャリアをブロックまたは除去するために、単一または二重ｐｎ接合、あるいはバブル層を含む。 - 特許庁

This belt 12 of an air belt 10 is provided with a narrow-width single-layer part 12a composed of a belt, multi-layer part 12c formed into a flat hollow cylinder, and an intermediate part 12b.例文帳に追加

エアベルト１０のベルト１２は、１枚のベルトよりなる細幅の単層部１２ａと、平たい中空筒状となっている複層部１２ｃ及び中間部１２ｂとを有する。 - 特許庁

The reflection layer is specified to be a layer of a medium consisting of a single body or laminated structure of used material and having ≥30% reflectivity in air.例文帳に追加

ここで反射層とは、使用される材料単体もしくは積層構造からなる媒体の空気中での反射率が３０％以上の特性を有する層とする。 - 特許庁

In the ink jet recording method using an ink jet recording material wherein recording layers are provided on both surfaces of a support, printing is applied to the recording layer on the single surface of the support and, after a transparent resin protective layer is provided on the recording layer, printing is applied to the other recording layer.例文帳に追加

支持体の両面に記録層を有するインクジェット記録材料において、片面の記録層に印字後、該記録層に透明樹脂保護層を設けた後、もう一方の記録層に印字することを特徴とするインクジェット記録方法。 - 特許庁

As crystallinity of a series of layers (anti-ferromagnetic pinning layer 22 or the like) formed on this seed layer 30 is improved, comparing with the case in which the seed layer is constituted so as to have single layer structure of nickel chrome alloy, the GMR ratio is increased.例文帳に追加

このシード層３０上に形成される一連の層（反強磁性ピンニング層２２など）の結晶性が向上するため、ニッケルクロム合金の単層構造を有するようにシード層を構成した場合と比較して、ＧＭＲ比が増加する。 - 特許庁

Further, a single-layer soft magnetic backing layer made of a Ni-Fe film, Co-Zr-Nb film or Fe-Ta-C film, or an alternately laminated soft magnetic backing layer composed of Fe-Ta-C films and C films is formed between the nonmagnetic medium and the base layer.例文帳に追加

さらに、非磁性媒体と下地層の間にＮｉ−Ｆｅ膜、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ膜、またはＦｅ−Ｔａ−Ｃ膜の単層軟磁性裏打ち層またはＦｅ−Ｔａ−Ｃ膜とＣ膜とからなる交互積層の軟磁性裏打ち層等を設ける。 - 特許庁

The semiconductor having the low defective rate is obtained by a simple method for forming an aluminum layer on a single-crystal substrate 1 and growing a group III nitride crystal layer 3 on a porous alumina layer 2 obtained by anode-oxidizing the surface of the aluminum layer.例文帳に追加

単結晶基板１上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層２上にIII 族窒化物結晶層３を成長させるという簡単な方法により、低欠陥の半導体が得られる。 - 特許庁

Thus, the transition propagating through the first nitride semiconductor layer is shielded by the second protective film 18 so that the transition density of a second nitride semiconductor layer 20 is lower than the first nitride semiconductor layer 26 by a single layer.例文帳に追加

これにより、第１窒化物半導体層２６内を貫通して進行する転位を第２保護膜１８によって遮断して、第２窒化物半導体層２０の転位密度を、第１窒化物半導体層２６よりも一層低くすることができる。 - 特許庁

The thermoplastic resin multilayered laminated sheet is constituted by laminating propylene resin layers C on both surfaces of a gas barrier resin layer A through a polyolefinic adhesive resin layer B and further laminating a polyethylene resin layer E on at least the single surface thereof through a polyolefinic adhesive resin layer D.例文帳に追加

ガスバリア性樹脂Ａの両面にポリオレフィン系接着樹脂層Ｂを介してプロピレン系樹脂層Ｃが積層されてなり、更に、その少なくとも片面に、ポリオレフィン系接着樹脂層Ｄを介してポリエチレン樹脂層Ｅが積層されている。 - 特許庁

The organic light-emitting display device comprises a capacitor including: first electrode layers (21, 22) and a second electrode layer (26) facing each other; and a first insulating layer (25) interposed as a single layer between the first electrode layers and the second electrode layer.例文帳に追加

有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 - 特許庁

The belt protecting layer 12 is formed of a layer 5 covering an end 4a in the tire width direction of the belt layer 4, and a cord constituting the layer 5 is a single twist cord made of polyethylene-2,6-naphthalate with 900-1,200 dtex total fineness.例文帳に追加

前記ベルト保護層１２は、前記ベルト層４のタイヤ幅方向端部４ａを覆うレイヤー層５からなり、該レイヤー層５を構成するコードは、総繊度が９００〜１２００ｄｔｅｘで、ポリエチレン−２，６−ナフタレートからなる片撚りコードである。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for plastic surface protection which achieves physical properties of an adhesive layer and a hardening layer in the form of a single layer and exhibits good adhesion of the hardening layer to plastics and good abrasion resistance, and a resin sheet using the same.例文帳に追加

本発明は、プラスチックス表面の保護用途として,接着層と硬化層の物性を一層で実現し、硬化層とプラスチックスとの密着性と耐擦傷性が、良好な感光性樹脂組成物とそれを用いた樹脂シートを提供することである。 - 特許庁

In the semiconductor photodetector of the single-carrier traveling type, n+type area is formed in the neighborhood of the interface of a p+ type photoabsorption layer and an n-type carrier traveling layer, thereby suppressing the diffusion of p type impurities to the carrier traveling layer from the photoabsorption layer.例文帳に追加

単一キャリア走行型半導体受光装置において、ｐ^+型光吸収層とｎ^-型キャリア走行層との界面近傍に、ｎ^+型領域を形成し、もって光吸収層からキャリア走行層へのｐ型不純物の拡散を抑制する。 - 特許庁

In the oxide semiconductor light emitting element, an n-type MgZnO clad layer 103, a non-doped quantum well active layer 105, a p-type MgZnO second clad layer 109, and a p-type ZnO contact layer 110, are successively laminated upon an n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１上に、ｎ型ＭｇＺｎＯクラッド層１０３、ノンドープ量子井戸活性層１０５、ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０を順次積層する。 - 特許庁

A single-crystalline or epitaxial buffer layer 12 comprising Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3 is disposed on the surface of a single crystal substrate 10 and a single-crystalline or epitaxial electrically conductive or semiconductive thin film 14 having an ABO3 type perovskite phase structure is formed on the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

単結晶基板１０の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状のＰｂ_1-xＬａ_x（Ｚｒ_yＴｉ_1-y）_1-x/4Ｏ_3からなるバッファ層１２を設けた後に、該バッファ層１２の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状でありＡＢＯ_3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜１４を形成する。 - 特許庁

The keyboard includes a pressure sensing layer 2 built in a shape protection plate 1, rubber single keys 10 arrayed on the pressure sensing layer 2, the depressible key tops 20 supported on the rubber single keys 10, a frame 30 for exposing the rubber single keys 10, and guide mechanisms 40 disposed on the frame 30 to support the key tops 20 for vertical motion.例文帳に追加

形態保護プレート１に内蔵される押圧感知層２と、押圧感知層２上に配列されるラバー単キー１０と、ラバー単キー１０に支持される押圧操作用のキートップ２０と、ラバー単キー１０を露出させるフレーム３０と、フレーム３０に配設されてキートップ２０を昇降可能に支持する案内機構４０とを備える。 - 特許庁

An ingot of silicon single crystal is grown by Czochralski single crystal lift method and after a wafer is made by slicing that silicon single crystal ingot, surface layer of the wafer is annealed by means of a laser spike annealer for longer than 0.01 microseconds but shorter than 10 seconds under a temperature of 1,250-1,400°C at the wafer surface layer.例文帳に追加

チョクラルスキー単結晶引上法によりシリコン単結晶のインゴットを育成し、このシリコン単結晶インゴットをスライスしてウエハを作製した後、前記ウエハの表層をレーザースパイクアニール装置により、ウエハ表層部の温度が１２５０℃以上１４００℃以下で、０．０１マイクロ秒以上１０秒未満、アニールする。 - 特許庁

The metal-single crystal complex is constituted of a single crystal substrate composed of the principal constituent of a metal compound single crystal jointed to a metal substrate composed of the principal constituent of copper or a copper alloy through an intermediate layer composed of the principal constituent of an active metal.例文帳に追加

銅または銅合金を主成分とする金属基板に、活性金属を主成分とする中間層を介して金属化合物単結晶を主成分とする単結晶基板を接合してなる金属−単結晶複合体を用いる。 - 特許庁

A semiconductor laminate structure 10 is obtained by sequentially forming, in this order an insulating single crystal film 12 used as a ground, and a semiconductor single-crystal film 13, used as a channel layer on an insulating single crystal substrate 11, used as the base material.例文帳に追加

半導体積層構造１０は、基材となる絶縁性単結晶基板１１の上に、下地となる絶縁性単結晶膜１２と、チャネル層となる半導体単結晶膜１３とを、この記載順序で順次形成することにより得られている。 - 特許庁

To prevent the deterioration of characteristics of a single crystal Si thin film transistor formed by separating at an ion pouring layer by heating the single Si substrate after pouring hydrogen ion or He iron into the single crystal Si substrate.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板に水素イオン又はＨｅイオンを注入した後、単結晶Ｓｉ基板を加熱することによってイオン注入層にて剥離することによって形成する単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの特性劣化を防止する。 - 特許庁

A nearly quadrangular single crystal semiconductor substrate is formed from a nearly circular single crystal semiconductor wafer with a diameter of 300 to 450 mm, and cluster ion beams are injected from one surface of the single crystal semiconductor substrate to form a damaged layer.例文帳に追加

直径が３００ｍｍ乃至４５０ｍｍの略円形の単結晶半導体ウエハから略四辺形の単結晶半導体基板を形成し、クラスターイオンイオンビームを単結晶半導体基板の一面から注入して損傷層を形成する。 - 特許庁

To provide a single layer prism sheet that is a single layer crosslinked film prepared by imparting a prism pattern to the surface having a self-supporting property and that has little optical loss, excellent transparency, surface hardness and optical isotropy and gives a large effect of improving front luminance.例文帳に追加

自己支持性を有する表面にプリズム形状が賦与された単層架橋フイルムであって、光学的ロスが少なく、透明性、表面硬度、光学等方性に優れ、正面輝度向上効果が大きい単層プリズムシートを提供すること。 - 特許庁

To provide a single-layer carbon nanohorn adsorbent used as a novel functional material based on an SWNHs structure, not needing to be subjected to an activation treatment, and having a very high adsorption capacity, to provide a catalyst comprising single-layer carbon nanohorns, and to provide a catalyst carrier comprising the nanohorns.例文帳に追加

ＳＷＮＨｓの構造を基本とし、これまで未知の新しい機能材として、活性化処理が不要で、吸着容量の極めて大きな単層カーボンナノホーンの吸着材と、単層カーボンナノホーンの触媒および触媒担体を提供する。 - 特許庁

A photo mask comprises a first film which is patterned on one surface of a transparent substrate and made from a single layer or a plurality of layers; and a second film which is patterned on the opposite surface of the transparent substrate and made from a single layer or a plurality of layers.例文帳に追加

透明基板上の一方の面にパターニングされた単層または複数の層からなる第一の膜を備え、かつ前記透明基板の反対面にパターニングされた単層または複数の層からなる第二の膜を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of catalyst pellets 118 are arranged in a single layer in each of the first and second receiving members 110 and 112, and the both end surfaces of each single layer of the catalyst pellets 118 come into substantial contact with the first and second receiving members 110 and 112.例文帳に追加

第１及び第２受け部材１１０、１１２内には、複数の触媒ペレット１１８が単層に配設されるとともに、前記触媒ペレット１１８の両端面が前記第１及び第２受け部材１１０、１１２に略接触する。 - 特許庁

A single side resin-clad copper foil having an epoxy resin alone as an insulating layer is bonded to a double side copper clad plate having an epoxy prepreg as insulating layers and a single side copper clad foil having an epoxy prepreg as an insulating layer is further bonded to form a laminated substrate 1.例文帳に追加

エポキシプリプレグを絶縁層とする両面銅貼り板に，エポキシ樹脂単体を絶縁層とする片面樹脂付き銅箔を貼着し，さらにエポキシプリプレグを絶縁層とする片面銅貼り板を貼着して積層基板１を形成する。 - 特許庁

A LiNbO_3 single crystal substrate 12 with a greater electromechanical coupling coefficient to which hydrogen ions are impregnated is directly joined with a polycrystal diamond layer 11 formed on an Si (100) substrate 10 and a thin LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 is formed by separating the substrate by heat treatment.例文帳に追加

Si(100)基板１０上に形成した多結晶ダイアモンド層１１に、水素イオンを打ち込んだ電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶基板１２を直接接合し、熱処理により分離して、薄いLiNbO_3単結晶層１３を形成する。 - 特許庁

To provide an optical recording material which enables the attainment of an excellent recording signal characteristic even in high-speed recording and further excels in durability, in regard to a single-side one-layer recording medium and a single-side two-layer recording medium having first and second recording layers.例文帳に追加

片面１層記録媒体および、第１記録層及び第２記録層を有する片面２層記録媒体において、高速記録においても良好な記録信号特性が得られ、さらに耐久性に優れた光記録材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a single layer metal gasket allowing prevention of deformation of the single-layer metal gasket in the circumferences of bolt holes to stabilize seal bearing pressure between counter faces in the circumferences of bores, when fastening the gasket between the counter faces to be sealed with fastening bolts.例文帳に追加

締付けボルトによってシールすべき対向面間に締め付けるときに、ボルト孔周りにおいて単層金属製ガスケットの変形を防止して、ボア孔周りにおける対向面間のシールル面圧を安定させる単層金属製ガスケットを提供する。 - 特許庁

A plurality of vertical transfer electrodes 5A, constituting the vertical transfer electrode part 5, have a single-layer structure comprising metal material, and a plurality of horizontal transfer electrodes 6A, constituting the horizontal transfer electrode part 6, have a single-layer structure made of polycrystalline silicon.例文帳に追加

そして、垂直転送電極部５を構成する複数の垂直転送電極５Ａは、金属材料の単層構造とし、水平転送電極部６を構成する複数の水平転送電極６Ａは、多結晶シリコンの単層構造としている。 - 特許庁

After a blanket radiation process has selectively melted the amorphous silicon layer, a cooling condition is selected in such a way that a single- crystal silicon film is formed during a solidification process due to its contact with a single-crystal silicon substrate acting as a seed layer.例文帳に追加

ブランケット放射プロセスがアモルファス・シリコン層を選択的に溶融した後、シード層として働く単結晶シリコン基板への接触によって固化プロセス中に単結晶シリコン被膜が形成されるように冷却条件が選択される。 - 特許庁