「TR on a」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A bus decoder 40 turns on/off a control TR 30 to control on/off of a setting TR 10, thereby checking an optimum state.例文帳に追加

バスデコーダ４０により制御トランジスタ３０をオンオフして、設定トランジスタ１０のオンオフを制御して、最適の状態を調べる。 - 特許庁

A groove TR is formed on the main surface of a semiconductor substrate SB.例文帳に追加

半導体基板ＳＢの主表面に溝ＴＲが形成される。 - 特許庁

A plurality of transistors Tr are arranged on the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板は、複数のトランジスタＴｒを面上に設置する。 - 特許庁

The semiconductor substrate has a plurality of transistors Tr provided on a surface.例文帳に追加

半導体基板は、複数のトランジスタＴｒを面上に設置する。 - 特許庁

A wheel speed sensor 2 is arranged on the respective tires TR of a vehicle 1.例文帳に追加

車両１の各タイヤＴＲには車輪速度センサ２が配設されている。 - 特許庁

A recess TR is formed on the surface of the insulating film II4.例文帳に追加

上記絶縁膜ＩＩ４の表面には凹部ＴＲが形成されている。 - 特許庁

On the other hand, at interruption of power, a TR Q6 is made nonconductive and the TR Q5 becomes also conductive.例文帳に追加

これに対して、電源オフ時は、トランジスタＱ６がオフ状態となり、トランジスタＱ５がオン状態になる。 - 特許庁

Furthermore, the capstan servo arithmetic section 71 obtains an SB phase error based on an SB No. and Tr No. and an SB phase error detected by a SYNC/ID detection section 22.例文帳に追加

また、キャプスタンサーボ演算部７１は、SYNC/ID検出部２２より検出されるSB No.とTr No.よりSB位相エラーを求める。 - 特許庁

To limit the current which flows to the base terminal of a drive transistor(TR), when the TR is turned on reversely.例文帳に追加

駆動用トランジスタが逆方向にオンされているときにベース端子へ流れる電流を制限する。 - 特許庁

Wireless apparatuses at a vehicle side select beacon slots 6 to 25 on the basis of a random access time Tr, a beacon synchronization correction wireless apparatus 10 selects beacon slots 26 to 30 on the basis of the random access time Tr, and a relation of road side Tr > vehicle side Tr holds.例文帳に追加

車両側の無線装置ではランダムアクセス遅延時間Ｔｒから６〜２５のビーコンスロットが選択され、ビーコン同期補正無線装置１０ではランダムアクセス遅延時間Ｔｒから２６〜３０のビーコンスロットが選択され、路側のＴｒ＞車両側のＴｒとなる。 - 特許庁

When a bit line BL_-2 is selected out of bit lines BL_-1, BL_-2, BL_-3 arranged in parallel in a SRAM, a transistor Tr_-2 is turned on and transistors Tr_-1, Tr_-3 are turned off based on column selecting signals CSL_-1, CSL_-2, CSL_-3.例文帳に追加

ＳＲＡＭにおいて、並行して配設されたビット線ＢＬ＿１，ＢＬ＿２，ＢＬ＿３のうち、ビット線ＢＬ＿２を選択する場合に、列選択信号ＣＳＬ＿１，ＣＳＬ＿２，ＣＳＬ＿３に基づいて、トランジスタＴｒ＿２をオン、トランジスタＴｒ＿１，Ｔｒ＿３をオフにする。 - 特許庁

With such a structure, since the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as TFT on the first interlayer insulating film 11 on the peripheral regions of the peripheral NMOS Tr 52 and the peripheral PMOS Tr 53, a dedicated deep N-well is dispensed with.例文帳に追加

かかる構成においては、負電圧NMOSTr50は、周辺NMOSTr52および周辺PMOSTr53の周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されているため、専用のディープNウェルが不要となる。 - 特許庁

The TR Q4 makes the TR Q3 conductive in the DVD mode, to turn on the TR Q1 on the basis of the A-Mute signal from the DVD player 5, so as to apply audio muting.例文帳に追加

トランジスタＱ４は、ＤＶＤモードのときトランジスタＱ３を導通させ、ＤＶＤプレーヤ５からのＡ−Ｍｕｔｅ信号に基いてトランジスタＱ１をオンし、音声ミュートをかける。 - 特許庁

A collector current IC2 of the TR P2 is equal to a base current of the TR Q2 and depends on a current amplification factor of the TR Q2 and a current I2 of a current source IS2.例文帳に追加

トランジスタＰ２のコレクタ電流Ｉ_C2はトランジスタＱ２のベース電流と等しく、トランジスタＱ２の電流増幅率および電流源ＩＳ２の電流Ｉ_2 で設定される。 - 特許庁

After that, when a switching regulator 3 is turned on, a voltage of 3.3 V is outputted from the switching regulator 3 through a TR 39, and then when a voltage of Vbe of the TR 33 is not 0.6 V, the TR 33 comes out of continuity.例文帳に追加

その後、スイッチングレギュレータ３が立ち上がると、スイッチングレギュレータ３からＴＲ３９を通じて3.3Vの電圧が出力され、それによりＴＲ３３のVbeが0.6Vでなくなると、ＴＲ３３は非導通になる。 - 特許庁

When each pixel makes an image pickup operation, a MOS transistor(TR) T1 is turned on and a MOS TR T5 is turned off to activate a MOS TR T2 in a sub-threshold area.例文帳に追加

各画素が撮像動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１をＯＮにするとともにＭＯＳトランジスタＴ５をＯＦＦにして、ＭＯＳトランジスタＴ２をサブスレッショルド領域で動作させる。 - 特許庁

When each pixel is reset, the MOS TR T1 is turned off and the MOS TR T5 is turned on to give a prescribed voltage to a gate and a drain of the MOS TR T2.例文帳に追加

各画素がリセット動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１をＯＦＦにするとともにＭＯＳトランジスタＴ５をＯＮにしてＭＯＳトランジスタＴ２のゲート及びドレインに一定電圧を与える。 - 特許庁

The tray Tr is put on a table 16 which can rise and fall, the trays Tr is piled up in order while parts are stored in the tray Tr, and a spacer is inserted in a middle.例文帳に追加

昇降可能なテーブル１６上にトレイＴｒを置き、該トレイＴｒに部品を収納しながら順次トレイＴｒを積み重ねるとともに、その途中にスペーサ５を介挿する。 - 特許庁

When the ON- resistance of a transistor(TR) Qn_1 or Qn_2 fluctuates caused by a manufacturing factor, an RC series circuit 2 or 3 controls the TR Qn_1 or Qn_2 to suppress fluctuations in the drive capability of the TR Qn_1 or Qn_2.例文帳に追加

ＲＣ直列回路２又は３は、製造要因によりトランジスタＱn1又はＱn2のオン抵抗が変動すると、駆動能力の変動分を抑えるように制御する。 - 特許庁

A target torque calculation part 71d calculates target torque Tr_t based on the maximum acceleration demand coefficient α_peak and torque difference between the target torque without assist Tr_non and the maximum assist target torque Tr_max.例文帳に追加

目標トルク演算部７１ｄは、アシスト無目標トルクＴｒ＿nonと最大アシスト目標トルクＴｒ＿maxとのトルク差ΔＴｒ及び最大加速要求係数α＿peakを基に、目標トルクＴｒ＿tを算出する。 - 特許庁

Thus, a transistor TR is turned on and a light emitting diode LED1 is lit on.例文帳に追加

これによりトランジスタＴＲがオンフになり、発光ダイオードＬＥＤ１が点灯する。 - 特許庁

A lamp display part 85 operates when the tableware 10 is mainly on a conveyance path TR of a conveyance part 20.例文帳に追加

ランプ表示部８５は、食器１０が主に搬送部２０の搬送路ＴＲ上にある際に動作する。 - 特許庁

At this time, the potential of a control line 20 becomes high and a third transistor Tr 3 becomes on state.例文帳に追加

このとき、制御線２０の電位がハイになり第３トランジスタＴｒ３がオン状態になる。 - 特許庁

Torque based on the requested torque Tr* can be output to a driving shaft for traveling as a matter of course.例文帳に追加

もとより、要求トルクＴｒ＊に基づくトルクを駆動軸に出力して走行することができる。 - 特許庁

Meanwhile, the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as a TFT on the first interlayer insulating film 11 of a peripheral region.例文帳に追加

一方、負電圧NMOSTr50は、周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されている。 - 特許庁

By oxidizing a wall surface of the groove TR, a first oxide film TO1a is formed on the wall surface.例文帳に追加

溝ＴＲの壁面を酸化することにより壁面に第１の酸化膜ＴＯ１ａが形成される。 - 特許庁

In a selection period, the Tr's 11, 12, and 13 turn on and a specified current value is written to the Tr11.例文帳に追加

選択期間では、Ｔｒ１１，１２，１３がオンになり、指定電流値がＴｒ１１に書き込まれる。 - 特許庁

The ROM cell transistor Tr is provided in a region on the surface of a substrate.例文帳に追加

ＲＯＭセルトランジスタＴｒは、基板表面の領域に設けられている。 - 特許庁

On the other hand, an inverter circuit is constituted by comprising a switching element Tr of semiconductor module.例文帳に追加

また、半導体モジュールによるスイッチ素子Ｔｒを含んでインバータ回路を構成する。 - 特許庁

On the other hand, each electronic display device 1 detects presence/absence of the beacon B in a predetermined detection cycle Tr.例文帳に追加

一方、各電子表示器１は、定められた検出周期ＴｒでビーコンＢの有無を検出する。 - 特許庁

The plurality of transistors Tr is divided into two groups, with transistors Tr belonging to a first group arranged on a first edge side that forms the semiconductor substrate, while transistors Tr belonging to a second group are arranged on a second edge side opposing the first edge of the semiconductor substrate.例文帳に追加

複数のトランジスタＴｒをふたつのグループに分割したときに、第１グループに属するトランジスタＴｒが、半導体基板を形成する第１辺の側に設置されつつ、第２グループに属するトランジスタＴｒが、半導体基板のうち、第１辺に対向した第２辺の側に設置される。 - 特許庁

When the plurality of transistors Tr are divided into two groups, transistors Tr belonging to a first group are arranged on a first side forming the semiconductor substrate and transistors Tr belonging to a second group are arranged on a second side opposing the first side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

複数のトランジスタＴｒをふたつのグループに分割したときに、第１グループに属するトランジスタＴｒが、半導体基板を形成する第１辺の側に設置されつつ、第２グループに属するトランジスタＴｒが、半導体基板のうち、第１辺に対向した第２辺の側に設置される。 - 特許庁

The on-resistance of a P-channel MOS TR TP and an N-channel MOS TR TN of the TR switch is controlled on the basis of signals A, B obtained by comparing a signal equivalent to an analog output signal OUT with an analog reference signal that is a target of the signal OUT.例文帳に追加

アナログ出力信号ＯＵＴと同等の信号を、該信号の目標とするアナログ値の基準信号と比較して得られた信号Ａ及びＢに基づいて、トランジスタ・スイッチのＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰやＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮのオン抵抗値を制御する。 - 特許庁

This system is provided with a power element TR (switching element) turning on and off electricity supply to the glow plug provided in a combustion chamber of a diesel engine, a control IC 31 (electricity supply control device) controlling operation of the power element TR, and a temperature transducer 32 (temperature detection means) detecting temperature of the power element TR.例文帳に追加

ディーゼル機関の燃焼室に設けられたグロープラグへの通電をオン・オフするパワー素子ＴＲ（スイッチング素子）と、パワー素子ＴＲの作動を制御する制御ＩＣ３１（通電制御装置）と、パワー素子ＴＲの温度を検出する感温素子３２（温度検出手段）と、を備える。 - 特許庁

In this case, a sense MOS TR 18 is subjected to OFF control at the same time, a level of a drain of the sense MOS TR 18 is pulled up, an output of a 2-input NAND circuit 11 goes to an 'L' level to apply ON control to an output MOS TR 5.例文帳に追加

このときセンスＭＯＳトランジスタ１８も同時にＯＦＦ制御され、センスＭＯＳトランジスタ１８のドレインの電位はプルアップされ、２入力ＮＡＮＤ回路１１の出力は“Ｌ”レベルになり、出力ＭＯＳトランジスタ５はＯＮ制御される。 - 特許庁

In this case, a sense MOS TR 16 is subjected to OFF control at the same time, a level of a drain of the sense MOS TR 16 is pulled down, an output of a 2-input NOR circuit 12 goes to an 'H' level to apply ON control to an output MOS TR 6.例文帳に追加

このときセンスＭＯＳトランジスタ１６も同時にＯＦＦ制御され、センスＭＯＳトランジスタ１６のドレインの電位はプルダウンされ、２入力ＮＯＲ回路１２の出力は“Ｈ”レベルになり、出力ＭＯＳトランジスタ６はＯＮ制御される。 - 特許庁

When the potential of the pad P is reduced less than the threshold of a TR T3, the TR T3 is turned on, power supply voltage VDD is supplied to the gate of a TR T13 through a switching element SW3 and the potential of the pad P is pulled out by the TRs T12, T13.例文帳に追加

Ｉ／ＯパッドＰの電位がトランジスタＴ３のしきい値よりも低くなるとトランジスタＴ３がＯＮし、スイッチング素子ＳＷ３を介して電源電圧Ｖ_DDがトランジスタＴ１３のゲートに供給され、Ｉ／ＯパッドＰの電位がトランジスタＴ１２，Ｔ１３により引き抜かれる。 - 特許庁

On a circuit board (6), each Tr chip is arranged adjacent to a D chip arranged on the same potential plane, and is arranged opposite to a D chip having an FD that is not on the plane and attached to the Tr chip.例文帳に追加

回路基板（６）上で、各Ｔｒチップを同電位面上に配置したＤチップに隣接配置すると共に、該面上になく且つＴｒチップに付属するＦＤを持つＤチップに対向配置する。 - 特許庁

This device comprises an on-train device 20 mounted in a traveling train TR on a railroad line composed of a series of closed sections T, T..., and an information giving device 30 in the train TR connected to the on-train device 20.例文帳に追加

本装置１０は、一連の閉塞区間Ｔ，Ｔ…からなる鉄道路線の走行列車ＴＲ内に搭載した車上装置２０と、これに接続した列車ＴＲ内の情報提供装置３０とからなる。 - 特許庁

In the case of allowing each pixel to execute reset operation, the signal ϕVPS to be applied to the MOS TR T1 is set up as 2nd voltage, the MOS TR T3 is turned on and a constant current is allowed to flow from a constant current source 9 into the MOS TR T1.例文帳に追加

各画素がリセット動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１に与える信号φＶPSを第２電圧にするとともにＭＯＳトランジスタＴ３をＯＮにしてＭＯＳトランジスタＴ１に定電流源９から定電流を流す。 - 特許庁

To manufacture a memory cell and a transistor(Tr) of the peripheral circuit of the memory cell in parallel without forming an MOS structure on the surface opposed to an element separation region 107 in the element region of the Tr, with no increase in the pattern area of the Tr.例文帳に追加

メモリセルの周辺回路のトランジスタ（Ｔｒ）のパターン面積を増大させずに、このＴｒの素子領域の素子分離領域１０７と対向する面にＭＯＳ構造を形成させること無く、メモリセルとこのＴｒを並行して製造する。 - 特許庁

When the charging voltage of a capacitor Cb exceeds an on-threshold voltage with a transistor Tr off, the transistor Tr is turned on and input voltage Vin is applied to primary winding Np on the primary side.例文帳に追加

トランジスタＴｒのＯＦＦ時にコンデンサＣｂの充電電圧がＯＮ閾値電圧を上回るとトランジスタＴｒがＯＮし、１次側の１次巻線Ｎｐに入力電圧Ｖｉｎが印加される。 - 特許庁

Extracting a current in response to an increase in the current flowing from the base to the emitter of the constant current transistor TR 3 from the resistor R3 when the constant current transistor TR 3 is saturated at the drop of the power supply voltage VCC ensures ON / OFF operations of the output transistor TR 6.例文帳に追加

電源電圧ＶＣＣの低下時において定電流トランジスタＴｒ３が飽和した際にそのベースからエミッタに抜ける電流の増加に応じた電流を抵抗Ｒ３から引き抜くことで、出力トランジスタＴｒ６のオンオフを確実の行う。 - 特許庁

To make slow the turn-on speed of a drive transistor(TR) which is to be turned on, while the other drive TR is turned on reversely.例文帳に追加

駆動用トランジスタの一方が逆方向にオンされている状態で他方の駆動用トランジスタをターンオンさせるとき、他方の駆動用トランジスタのターンオン速度を遅くする。 - 特許庁

A TR turned ON/OFF by an output of an inverter 14 is a TR T14 remoter from the ground terminal 6 in TRs 14, 15 connected in series between an output terminal 2 and the ground terminal 6 and a TR whose gate is connected to a reference voltage input terminal 4 is the TR 15 connected to the ground terminal 6.例文帳に追加

出力端子２と接地端子６との間に直列接続されるトランジスタＴ１４とＴ１５の内、インバータＩ４の出力によりオン／オフするトランジスタを接地端子６から遠い側のＴ１４とし、基準電圧入力端子４がゲートに接続されるトランジスタを接地端子６の側のＴ１５とする。 - 特許庁