「Ti system」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Particularly, in V or Ti-V-Mn system, Ti-V-Cr system alloy, having high V concentration, the remarkable improving effect can be obtained.例文帳に追加

特に、Ｖ濃度の高いＶまたはＴｉ−Ｖ−Ｍｎ系もしくはＴｉ−Ｖ−Ｃｒ系の合金で顕著な改善効果が得られる。 - 特許庁

In this case, concentration of Ti in V-Ti system alloy is within a range of 1at%∼40at%, concentration of Ti in V-Ti-B system alloy is within a range of 1at%∼40at%, and concentration of B is 20at% or less.例文帳に追加

この際、Ｖ−Ｔｉ系合金を、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内とし、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金は、Ｔｉの濃度が１ａｔ％〜４０ａｔ％の範囲内、Ｂの濃度が２０ａｔ％以下とする。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND Ti-W MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM例文帳に追加

半導体素子の製造方法およびマグネトロンスパッタリング装置用Ｔｉ−Ｗ材 - 特許庁

The permanent magnets are made of plastic permanent magnets of a samarium-iron system, composed, for example, of an Sm8.2-Fe75.6-Ti2.3-B0.9-N13 bonded magnet and the like, of which the composition is added with Ti and B.例文帳に追加

永久磁石は、組成にTiとBが添加されている例えばSm_8.2-Fe_75.6-Ti_2.3-B_0.9-N_13ボンド磁石等のサマリウム−鉄系のプラスチック永久磁石である。 - 特許庁

When ultraelastic material of a Ni-Ti binary alloy system is used, the shape memorizable heat treatment is executed at a temperature of 510°C to 540°C for ≥15 minutes.例文帳に追加

またNi-Ti二元系の超弾性材を用いるものについては形状記憶熱処理を５１０℃以上５４０℃以下で１５分以上行う。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF Ti MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM例文帳に追加

半導体素子の製造方法およびマグネトロンスパッタリング装置用Ｔｉ材の製造方法 - 特許庁

MOCVD SYSTEM OF Ti BASED BARRIER METAL THIN FILM USING TETRAX (METHYL ETHYL AMINO) TITANIUM ALONG WITH OCTANE例文帳に追加

オクタンとともにテトラキス（メチルエチルアミノ）チタニウムを用いるＴｉベースバリアメタル薄膜のＭＯＣＶＤ法 - 特許庁

Examples are given in the Zr-Ti-Cu-Ni-Be alloy bulk glass forming system with added niobium.例文帳に追加

Ｚｒ-Ｔｉ-Ｃｕ-Ｎi-Ｂｅ合金バルクガラス形成系にニオブを添加した例が提示されている。 - 特許庁

This bolt is made out of bidirectional shape-memory alloy of Cu-An system, Cu-Al-Ni system or Fe-Ni-Co-Ti system.例文帳に追加

ボルトはＣｕ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｔｉ系の２方向性の形状記憶合金をからなる。 - 特許庁

Also, the non-magnetic foundation layer is a layer comprising V-Ti system alloy or V-Ti-B system alloy, and a Cr layer or a layer comprising Cr alloy layer consisting of one kind or two kinds or more selected from Cr and Ti, Mo, Al, Ta, W, Ni, B, Si, and V.例文帳に追加

また、非磁性下地層を、Ｖ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含む層と、Ｃｒ層、または、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層を含む層とする。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

This magnetic recording medium has at least a non-magnetic substrate, a non-magnetic base layer, a magnetic layer, and a protective layer in this order, and the medium has such constitution that the nonmagnetic base layer comprises V-Ti system alloy or V-Ti-B system alloy.例文帳に追加

少なくとも非磁性基板、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体であって、非磁性下地層をＶ−Ｔｉ系合金、または、Ｖ−Ｔｉ−Ｂ系合金を含む構成とする。 - 特許庁

To provide an MOCVD system of a Ti based barrier metal thin film using tetrax (methyl ethyl amino) titanium along with octane.例文帳に追加

オクタンとともにテトラキス（メチルエチルアミノ）チタニウムを用いるＴｉベースバリアメタル薄膜のＭＯＣＶＤ法を提供すること。 - 特許庁

Then, the response signal is returned from a tire sensor 30 mounted on the tire Ti, and control as a tire air pressure monitoring system is executed by the monitoring ECU 10 and the tire sensor 30 of the tire Ti after that.例文帳に追加

すると、タイヤＴｉに取り付けられたタイヤセンサ３０から応答信号が返送され、以後、監視ＥＣＵ１０とタイヤＴｉのタイヤセンサ３０とで、タイヤ空気圧監視システムとしての制御が実行される。 - 特許庁

A system 1 or forming the film comprises a chamber 10 for forming the Ti thin film on a semiconductor wafer W by PVD and heat-treating the Ti thin film, and chambers 20, 30 for successively forming a barrier layer and a metal wiring layer on the heat-treated Ti thin film.例文帳に追加

成膜システム１は、半導体ウェハＷ上にＰＶＤ法によりＴｉ薄膜を成膜し且つそのＴｉ薄膜を加熱処理するためのチャンバ１０と、加熱処理されたＴｉ薄膜上に、順次バリア層及び金属配線層を形成するためのチャンバ２０，３０を備えるものである。 - 特許庁

To restrain cracks, in porcelain to be fired at a low temperature obtained by embedding metallic films in Ba-Ti-Zn-O system, Ba-Nd-Ti-Bi-O system or Ba-Al-Si-O system porcelain, from developing nearly in parallel to metallic film between the adjacent metallic films and on the outsides of the metallic films.例文帳に追加

Ｂａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ系、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系の磁器中に金属膜を埋設した低温焼成磁器において、隣接する金属膜の間、金属膜の外側に、金属膜と略平行に進展するクラックを抑制する。 - 特許庁

To provide a low-temperature calcination porcelain by burying metal films in porcelain of Ba-Ti-Zn-O system, or of Ba-Nd-Ti-Bi-O system, or of Ba-Al-Si-O system, which inhibits cracking developed between adjacent metal films or outside of a metal film in almost parallel with metal films.例文帳に追加

Ｂａ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏ系、Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系の磁器中に金属膜を埋設した低温焼成磁器において、隣接する金属膜の間、金属膜の外側に、金属膜と略平行に進展するクラックを抑制する。 - 特許庁

An orifice 25 is bored by means of oxygen plasma 33 using a helicon wave etching system and O2 gas for processing and a Ti oxide film 32-2 is formed, as a hydrophilic region 28, on the surface of the Ti film 32.例文帳に追加

ヘリコン波エッチング装置と処理用Ｏ_2 ガスを用い、酸素プラズマ３３によるオリフィス２５の孔空けを行なうと共にＴｉ膜３２表面に酸化Ｔｉ膜３２−２を形成し、これを親水性領域２８とする。 - 特許庁

To promote self-propagation high temperature synthesis reaction by allowing sulfur powder to exist in a reaction system, and to synthesize a (Ti, Nb, Zr)-C-S- or (Ti, Nb, Zr)-S-based inorganic compound in a short time.例文帳に追加

反応系に硫黄粉末を存在させることにより、自己伝播高温合成反応を促進させ（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系無機化合物を短時間で合成する。 - 特許庁

In a photoelectric transducer 9, a Ti system or Si system layer 3 is formed on an insulation resin film 2 which is glued onto a metal substrate 1, and a reverse face metal electrode layer 4, a lower transparent conductive film layer 5, a photoelectric transducer layer 6 and an upper transparent conductive film layer 7 are formed on the Ti system or Si system layer 3.例文帳に追加

金属基板１の上に接着させた絶縁性樹脂フィルム２の上にＴｉ系あるいはＳｉ系層３を形成し、そのＴｉ系あるいはＳｉ系層３の上に裏面金属電極層４、下部透明導電膜層５、光電変換層６及び上部透明導電膜層７を形成した光電変換素子９。 - 特許庁

(The note of the Ti in Sojo, Ichikotsucho and Taishikicho tone is a semi-tone lower than the equivalent major scale of the Western system (being equivalent to the Mixolydian mode)). 例文帳に追加

（双調、壱越調、太食調は対応する洋音階の長音階と比べてシに相当する音が半音低い（ミクソリディア旋法と同様）） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In order to create the crystal nuclei (PTO nuclei) of a multielement metal oxide thin film (PZT film), a crystal nucleus material gas (Pb, Ti) is supplied from a first gas supply system to a film deposition system.例文帳に追加

多元系金属酸化物薄膜（ＰＺＴ膜）の結晶核（ＰＴＯ核）を生成するために、結晶核原料ガス（Ｐｂ，Ｔｉ）を第１のガス供給系により成膜装置に供給する。 - 特許庁

This method for producing the cyclododecatriene comprises a reaction characterized by adding zeolite in an amount of 1-500 times based on a Ti compound and expressed in terms of weight into a reactional system when the butadiene is trimerized in the presence of a catalyst containing the Ti compound and an organoaluminum compound.例文帳に追加

Ｔｉ化合物及び有機Ａｌ化合物を含む触媒の存在下でブタジエンを三量化する際に、反応系中に該Ｔｉ化合物に対して重量で１〜５００倍のゼオライトを添加することを特徴とする反応によって解決することができる。 - 特許庁

To provide spherical barium titanate particulate powder having 0.05-0.5 μm average particle diameter, a fine tetragonal system and a Ba to Ti ratio of 0.99-1.01.例文帳に追加

本発明は、平均粒子径が０．０５〜０．５μｍの微細な正方晶であって、Ｂａ／Ｔｉ比が０．９９〜１．０１である球状チタン酸バリウム粒子粉末を提供する。 - 特許庁

When the spectacles frame is manufactured by subjecting the ultraelastic material of a Ni-Ti-Co ternally alloy system to cold working, to molding into a prescribed spectacles frame shape and then to a shape memorizable heat treatment in a state holding the molded shape, the shape memorizable heat treatment is executed at a temperature of 400°C to 440°C for ≥15 minutes.例文帳に追加

Ni-Ti-Co三元系の超弾性材を冷間加工した後所定の眼鏡フレーム形状に成形し、成形形状を保持した状態で形状記憶熱処理を施して眼鏡フレームを製造するに際し、形状記憶熱処理を４００℃以上４４０℃以下で１５分以上行う。 - 特許庁

To provide a heat-resistant titanium alloy for a member of an exhaust system, which has a high-temperature strength comparable to a Ti-3Al-2.5 V alloy and is superior in cold workability; a manufacturing method therefor; and the member of the exhaust system using the alloy.例文帳に追加

Ｔｉ−３Ａｌ−２．５Ｖ合金に比較しうる高温強度を有し、かつ冷間加工性に優れる排気装置部材用耐熱チタン合金およびその製造方法ならびに該合金を用いた排気装置部材を提供する。 - 特許庁

In order to grow the multielement metal oxide thin film epitaxially on the crystal nuclei, a plurality of thin film material gases (Pb, Zr, Ti) becoming the material of crystal are supplied from a second gas supply system to the film deposition system.例文帳に追加

結晶核上に多元系金属酸化物薄膜の結晶を成長させるために、結晶の原料となる複数の薄膜原料ガス（Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉ）を第２のガス供給系により成膜装置に供給する。 - 特許庁

These contact parts are constituted of three layer structures of a first aluminum/silicon layer (Al/Si layer (13)), a titanium (Ti) system barrier metal layer (14), and a second aluminum/silicon layer (Al/Si layer (15)).例文帳に追加

これらのコンタクト部は第１のアルミニウムーシリコン層（Ａｌ−Ｓｉ層（１３））、チタン（Ｔｉ）系のバリアメタル層（１４）、第２のアルミニウムーシリコン層（Ａｌ−Ｓｉ層（１５））の３層構造から成る。 - 特許庁

The solid oxide fuel cell includes an air electrode, an electrolyte, a fuel electrode, and an interconnector and has a dense oxidation resistant ceramic layer between the air electrode and the interconnector, and the interconnector contains a lanthanum chromite system perovskite oxide as a main component, and furthermore contains Ti and Ni.例文帳に追加

本発明では、空気極と、電解質と、燃料極と、インターコネクターとを備え、空気極とインターコネクターの間に緻密質耐酸化セラミックス層を有する固体酸化物形燃料電池セルにおいて、インターコネクターがランタンクロマイト系ペロブスカイト型酸化物を主成分とし、さらに、Ti元素と、Ni元素とが、含まれていることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, it is possible to improve the growth property of the zirconium boride titanium layer 2 to the substrate 1, and the growth boride of a gallium nitride system compound semiconductor to the zirconium boride titanium layer 2 by interposing titanium (Ti).例文帳に追加

チタン（Ｔｉ）が介在することにより、基板１への硼化ジルコニウム・チタン層２の成長性および硼化ジルコニウム・チタン層２への窒化ガリウム系化合物半導体の成長性が改善される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing variation in the resistance value of a polycrystalline silicon resistance layer due to the dispersion of hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer by a Ti system metal film, even if a difference occurs in the cover rate of the polycrystalline silicon resistance layer by the Ti system metal film formed above the polycrystalline silicon resistance layer of a thin film resistance element, and to provided the manufacture method.例文帳に追加

薄膜抵抗素子の多結晶シリコン抵抗層上方に形成されたＴｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層のカバー率に差異が生じる場合であっても、Ｔｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層からの水素吸収のバラツキに起因する多結晶シリコン抵抗層の抵抗値の変動を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This system further comprises an inlet temperature detection means7 for detecting the coolant temperature Ti at the inlet of the fuel cell 1, and an outlet temperature detection means 8 for detecting the coolant temperature To at the outlet of the fuel cell 1.例文帳に追加

また、燃料電池１の入口の冷却液温度Ｔｉを検出する入口温度検出手段７と、燃料電池１の出口の冷却液温度Ｔｏを検出する出口温度検出手段８を備える。 - 特許庁

This system is provided with a in-cylinder torque computing means computing indicated torque Ti(k) (in-cylinder torque) due to combustion in the cylinder based on information in relation to crank angle, a discrimination means discriminating combustion state in the cylinder or fuel properties based on indicated torque Ti(k), and a control means controlling the internal combustion engine based on the combustion state or the fuel properties.例文帳に追加

クランク角に関する情報に基づいて筒内での燃焼に起因する図示トルクＴ_ｉ（ｋ）（筒内トルク）を算出する筒内トルク算出手段と、図示トルクＴ_ｉ（ｋ）に基づいて筒内の燃焼状態又は燃料の性状を判別する判別手段と、燃焼状態又は燃料の性状に基づいて内燃機関を制御する制御手段と、を備える。 - 特許庁

The titanium alloy is composed of a component composition of Ti-Si system containing a specific amount of Si and regulated in Al to improve the high temperature oxidation resistance at a higher temperature exceeding 800°C of the titanium alloy used for the engine exhaust pipe and the like.例文帳に追加

チタン合金として、Ｓｉを特定量含むとともに、Ａｌを規制したＴｉ−Ｓｉ系の成分組成とし、エンジン排気管などに用いるチタン合金の８００℃を越える、より高温での耐高温酸化性を向上させる。 - 特許庁

To provide piezoelectric ceramic materials based on the system Pb(Zr, Ti)O_3, i.e., lead zirconate titanate PbTiO_3, characterized by having very good dielectric and electromechanical properties that can be adapted for different uses by modifying the composition.例文帳に追加

組成を変性することにより種々の使用に適合できる、きわめて良好な誘電特性および電気機械的特性を有するＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３系、すなわちジルコン酸鉛ＰｂＴｉＯ_３を基礎とする圧電セラミック材料。 - 特許庁

Since hydrogen included in the polycrystalline silicon resistance layer 14a is uniformly absorbed by the Ti films 18a and 18b, the dispersion of the resistance value of the polycrystalline silicon resistance layer 14a due to hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer 14a by a Ti system barrier metal film 26c formed on a second interlayer insulating film 24 above the polycrystalline silicon resistance layer 14a does not occur.例文帳に追加

従って、Ｔｉ膜１８ａ、１８ｂにより多結晶シリコン抵抗層１４ａに含有される水素は均一に吸収されるため、多結晶シリコン抵抗層１４ａ上方の第２層間絶縁膜２４上に形成されているＴｉ系バリヤメタル膜２６ｃによる多結晶シリコン抵抗層１４ａからの水素吸収に起因する多結晶シリコン抵抗層１４ａの抵抗値の変動は生じない。 - 特許庁

An ultraelastic material of an Ni-Ti-X ternary system containing one or more kinds selected from among Co, Fe, V and Cr as the third component X is used, wherein the As transformation point in the solution-treated material is -45 to -25°C.例文帳に追加

第３成分ＸとしてＣｏ，Ｆｅ，Ｖ，Ｃｒの何れか１種又は２種以上を含有するＮｉ−Ｔｉ−Ｘ３元系の超弾性材を用い且つこの３元系の超弾性材は溶体化処理材におけるＡｓ変態点が−４５〜−２５℃のものとする。 - 特許庁

In the ink jet head of an electrostatic or piezo system, an ink-resistant thin film of Ti is formed at least on the Si surface on the pressure chamber side of a vibrating plate which constitutes a pressure chamber for discharging ink by applying pressure thereto.例文帳に追加

静電方式インクジェットヘッド又はピエゾ方式インクジェットヘッドにおいて、少なくとも、インクに圧力を与えて吐出するための圧力室を構成している振動板の圧力室側Ｓｉ表面に、Ｔｉからなる耐インク性薄膜が形成される。 - 特許庁

The titanium oxide system dielectric film 32 is formed by LTO (LaTiO) containing lanthanum (La) which is not included in the first and second titanium oxide films 31a, 31b, in addition to titanium (Ti) which is included in the first and second titanium oxide films 31a, 31b.例文帳に追加

酸化チタン系誘電体膜３２は、第１の酸化チタン膜３１ａ及び第２の酸化チタン膜３１ｂに含まれているチタン（Ｔｉ）に加えて、第１の酸化チタン膜３１ａ及び第２の酸化チタン膜３１ｂに含まれていないランタナム（Ｌａ）を含んだＬＴＯ（ＬａＴｉＯ）で形成されている。 - 特許庁

The chemical conversion treatment method for forming the film on the surface of the aluminum material by subjecting the material to chemical conversion treatment comprises using a composite treating liquid prepared by dispersing TiO_2 particles into a phytic acid-Ti-system chemical conversion treating liquid and subjecting the aluminum material to cathode electrolyte treatment during the chemical conversion treatment.例文帳に追加

アルミニウム材を化成処理して表面に皮膜を形成する化成処理方法において、化成処理液として、フィチン酸−Ｔｉ系化成処理液にＴｉＯ_2粒子を分散させた複合処理液を用いるとともに、前記化成処理中にカソード電解処理を実施する。 - 特許庁

The film formation device is provided with: a vacuum tank 11 having an N2 gas introduction means; hearths 31, 31 for M (M denotes Ti or Cr) or for Al; hollow cathode-shaped electron guns 20, 20; an electron beam source; a bias source for workpieces W, W, ...; a mass analyzer 50; and a compositional ratio control system.例文帳に追加

Ｎ2 ガスの導入手段を有する真空槽１１と、Ｍ（Ｍは、Ｔi またはＣr ）用、Ａl 用のハース３１、３１と、ホローカソード形の電子銃２０、２０と、電子ビーム電源と、ワークＷ、Ｗ…用のバイアス電源と、質量分析計５０と、組成比制御系とを設ける。 - 特許庁

In a solid electrolyte film of zirconia (ZrO2) system, etc., a high conductivity solid electrolyte film is made to include at least one of Si, Na, Ba, Al, Nd, Ce, Pr, Ti, Sm, Fe elements and also to include one of La, Mn, Co, Sr, Ca, Ni elements.例文帳に追加

ジルコニア（ＺｒＯ_2）系などの固体電解質膜において、Ｓｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｉ、Ｓｍ、Ｆｅ元素の内、少なくとも１種類以上の元素を含ませることにより高導電性固体電解質膜とし、更にＬａ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎｉ元素の内の１種類の元素を含ませる。 - 特許庁

This exhaust particulate purifying device comprises fuel additive supply means 17, 18, 19 provided in a fuel supply system for an engine 10 for supplying an additive of solution containing Ba or Sr and Ti dissolved in organic solvent into fuel to be supplied to the engine and an exhaust particulate static charge trapping reactor 20 provided in an exhaust system for the engine for trapping exhaust particulates in exhaust gas using static charges and incinerating them.例文帳に追加

エンジン（１０）の燃料供給系に設けられエンジンに供給される燃料にＢａまたはＳｒとＴｉとを有機溶剤に溶かした溶液の添加剤を加える燃料添加剤供給手段（１７，１８，１９）と、エンジンの排気系に設けられ排気ガス中に含まれる排気微粒子を静電気を利用して捕集し焼却する排気微粒子静電捕集リアクター（２０）とを備える。 - 特許庁

The capacitor comprises a diffusion stop film 20 that is formed on a substrate 10 and is comprised of the elements of ternary system including ruthenium (Ru), titanium (Ti), and oxygen (O), a lower electrode 30 formed on the diffusion stop film, a dielectric 40 formed on the lower electrode, and an upper electrode 50 formed on the dielectric 40.例文帳に追加

キャパシタは、基板１０上に形成されたルテニウム（Ｒｕ）、チタニウム（Ｔｉ）及び酸素（０）の三元系元素から構成された拡散防止膜２０と、前記拡散防止膜上に形成された下部電極３０、前記下部電極上に形成された誘電体４０及び前記誘電体上に形成された上部電極５０とから構成される。 - 特許庁

This method for forming an ohmic layer comprises a first step of forming injecting hydrogen or argon gas with a semiconductor substrate stored in the plasma chamber of a chemical vapor deposition system, a second step of injecting a Ti-containing source gas into the a plasma chamber, and a third step of forming a RF plasma in the plasma chamber to deposit a titanium film.例文帳に追加

半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第１工程と、前記プラズマチャンバーにＴｉを含んだソースガスを注入する第２工程と、前記プラズマチャンバーにＲＦプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第３工程とを備えることを特徴とするＰＣＶＤによるオーミック層形成方法。 - 特許庁