「a N p」に関連した英語例文の一覧と使い方(134ページ目) - Weblio英語例文検索

If the fuel injection quantity is not more than the prescribed quantity P (Y of S16), the fuel injection quantity is compared with a prescribed quantity Q (S22), and if the fuel injection quantity is at least the prescribed quantity Q (N of S22), a fuel injection quantity at a second cycle is made equal to the fuel injection quantity at the first cycle (S24).例文帳に追加

燃料噴射量が所定量Ｐ以下である場合（Ｓ１６のＹ）、燃料噴射量を所定量Ｑと比較して（Ｓ２２）、燃料噴射量が所定量Ｑよりも大きければ（Ｓ２２のＮ）、２サイクル目の燃料噴射量を１サイクル目の燃料噴射量に等しくし（Ｓ２４）、燃料噴射量が所定量Ｑ以下であれば（Ｓ２２のＹ）、２サイクル目の燃料噴射量を１サイクル目の燃料噴射量よりも多くする（Ｓ２６）。 - 特許庁

The controller 7 contains control means 12-20 for selectively performing governor control for controlling the amount of fuel f* to be injected into the turbine 3 in response to the revolution (n) of the turbine 3 or load limit control for controlling the amount of fuel f* in response to the output (p), and a hunting detection means 11 for detecting frequency hunting in the system 2.例文帳に追加

制御装置（７）は、ガスタービン（３）のガスタービン回転数（ｎ）に応答してガスタービン（３）への燃料投入量（ｆ^＊）を制御するガバナ制御と、発電機出力（ｐ）に応答して燃料投入量（ｆ^＊）を制御するロードリミット制御とのいずれかを選択的に行う制御手段（１２〜２０）と、電力系統（２）の周波数ハンチングを検出するハンチング検出手段（１１）とを含む。 - 特許庁

The semiconductor element comprises second nitride semiconductor layers 31 containing no In between an active layer 12 and an n-type clad layer 25 and between a p-type clad layer 30 and the active layer 12 and first In-containing nitride semiconductor layers 32 between the first nitride semiconductor layers and the active layer, and the active layer composed of quantum wells has two well layers.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２５、ｐ型クラッド層３０と活性層１２との間に、Ｉｎを含まない窒化物半導体からなる第２の窒化物半導体層３１、さらに第１の窒化物半導体層と活性層との間にＩｎを含む窒化物半導体からなる第１の窒化物半導体層３２とをそれぞれ有し、さらに量子井戸からなる活性層の井戸層数を２とする。 - 特許庁

Thereby, if the shift lever retained in the main linear passage 76 is moved along a shift direction, the shift lever 16 can be moved to the R position, the D position and the N position, and if the shift lever is further alternately moved along the shift direction and the selection direction, the shift lever can be moved from on of the R position and the P position to the other via the RS position.例文帳に追加

これにより、主直線路７６内に保持されたシフトレバーをシフト方向に沿って移動させれば、シフトレバー１６をＲ位置、Ｄ位置及びＮ位置へ移動させることができ、またシフトレバーをシフト方向及びセレクト方向に沿って交互に移動させれば、シフトレバーを、ＲＳ位置を経由させてＲ位置及びＰ位置の一方から他方へ移動させることができる。 - 特許庁

The compound semiconductor light emitting element 100 includes: an Si-Al substrate 101; protection layers 120 formed on top and bottom surfaces of the Si-Al substrate 101; and a p-type semiconductor layer 104, an active layer 105, and an n-type semiconductor layer 106 which are sequentially stacked on the protection layer 120 formed on the top surface of the Si-Al substrate 101.例文帳に追加

、Ｓｉ−Ａｌ合金基板１０１と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面及び下面に設けられた保護層１２０と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面に設けられた保護層１２０上に順に積層されているｐ型半導体層１０４、活性層１０５及びｎ型半導体層１０６とを含む化合物半導体発光素子１００を提供する。 - 特許庁

The speed change operating device for automatic transmission comprises the shift lever subject to driver's selective operation power of speed change range, manual valves controlling oil pressure of the automatic transmission gear, and a link means to form the same port communication conditions of the manual valve at N and P ranges in the shift lever turn, by connecting the shift lever and the spool of the manual valve.例文帳に追加

運転者の変速レンジの選択操作力を受けるシフトレバーと、自動変速機の油圧を制御するマニュアルバルブと、前記シフトレバーとマニュアルバルブのスプールを連結して前記シフトレバーの回動に従って前記マニュアルバルブのスプールがＮレンジとＲレンジではマニュアルバルブのポート連通状態を同一に形成するようにするリンク手段とから構成されることを特徴とする。 - 特許庁

The optical guide G has a semiconductor lower guide layer 11 having an undoped first lower portion 11a adjoining the central area and an n-type doped second lower portion 11b adjoining the lower coating layer 1, and an upper semiconductor guide layer 12 having an undoped first upper portion 12a adjoining the central area and a p-type doped second upper portion 12b adjoining the upper coating layer 2.例文帳に追加

光学ガイドＧはさらに、中央領域に隣接するドープされていない第１の下方部分１１ａと、下方被覆層に隣接するｎ型のドープされた第２の下方部分１１ｂとを有する半導体下方ガイド層１１と、中央領域に隣接するドープされていない第１の上方部分１２ａと、上方被覆層に隣接するｐ型のドープされた第２の上方部分１２ｂとを有する半導体上方ガイド層１２とを有する。 - 特許庁

The optical modulator 10B includes a p-type first transparent semiconductor film 120 that is formed on the upper DBR 106 and that is optically transparent to the oscillation wavelength, an n-type second transparent semiconductor film 122 that is formed on the first transparent semiconductor film 120 and that is optically transparent to the oscillation wavelength, and a modulation electrode 130 electrically connected to the second transparent semiconductor film 122.例文帳に追加

光変調器１０Ｂは、上部ＤＢＲ１０６上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｐ型の第１の透明半導体膜１２０と、第１の透明半導体膜１２０上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｎ型の第２の透明半導体膜１２２と、第２の透明半導体膜１２２に電気的に接続された変調電極１３０とを含む。 - 特許庁

To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加

短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁

Furthermore, various materials for fabricating nanowires, thin films including p-type doping nanowires and n-type doping nanowires, nanowire heterostructures, light emitting nanowire heterostructures, flow masks for arranging nanowires on substrates, nanowire spraying techniques for forming nanowires as a film, techniques for reducing or eliminating phonon scattering of electrons in nanowires, and techniques for reducing surface levels in nanowires are described.例文帳に追加

さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted of at least two transistors of first and second field-effect transistors having different threshold voltages formed on a common substrate 31, and first and second gate junctions of p-n junctions J1 and J2 having different depths in impurity introducting regions 261 and 262 formed in gate parts of the first and second field-effect transistors respectively.例文帳に追加

共通の基板３１に、しきい値電圧を異にする少なくとも第１および第２の２つの電界効果トランジスタが形成されて成る半導体装置であって、第１および第２の電界効果トランジスタのゲート部に不純物導入領域２６１および２６２による深さを異にするそれぞれｐ−ｎ接合Ｊ_1 およびＪ_2 による第１および第２のゲート接合が形成されて成る構成とする。 - 特許庁

The Ni based heat resistant alloy has a composition containing one or two kinds of, by mass, 0.005 to 0.3% C and 0.002 to 0.2% N, ≤5% Si, ≤5% Mn, ≤0.04% P, ≤0.01%例文帳に追加

質量％で、Ｃ：０．００５〜０．３％およびＮ：０．００２〜０．２％の１種または２種、Ｓｉ：５％以下、Ｍｎ：５％以下、Ｐ：０．０４％以下、Ｓ：０．０１％以下、Ｃｒ：１０〜２５％、Ａｌ：１〜８％、Ｂ：０．０００１〜０．０３％を含み、かつＴｉ：０．０１〜０．５％、Ｚｒ：０．０２〜１％、Ｎｂ：０．０２〜１％、Ｈｆ：０．０４〜２％のうち少なくとも１種を含有し、下記式で示されるＦ値が０．５〜２であるＮｉ基耐熱合金。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises, on the overcoat layer, a photoelectric conversion layer having a p-type semiconductor film, an i-type semiconductor film, and an n-type semiconductor film; and one end portion of the photoelectric conversion layer is in contact with the first electrode, and an end portion of the color filter lies inside the other end portion of the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

絶縁表面上に、第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜及びｎ型半導体膜を有する光電変換層と、前記光電変換層の端部の一方は、前記第１の電極と接しており、前記カラーフィルタの端部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 - 特許庁

The crude polyoxyalkylene polyol is produced by using a compound having P=N bond as the catalyst and carrying out an addition polymerization of an active hydrogen compound with an epoxide compound and then brought into contact with a solid acid having 450-1,200 m2/g specific surface area and 40-1,000 Å mean pore diameter to control the remaining content of the catalyst in the polyoxyalkylene polyol to ≤150 ppm.例文帳に追加

Ｐ＝Ｎ結合を有する化合物を触媒として、活性水素化合物にエポキサイド化合物を付加重合して粗製ポリオキシアルキレンポリオールを製造し、次いで、粗製ポリオキシアルキレンポリオールと、比表面積が４５０〜１２００ｍ^2／ｇ、平均細孔直径が４０〜１００Åである固体酸とを接触させ、ポリオキシアルキレンポリオール中の触媒残存量を１５０ｐｐｍ以下に制御することを特徴とするポリオキシアルキレンポリオールの製造方法、及び、該ポリオール誘導体の製造方法。 - 特許庁

Then, a spin-on glass 7 is applied to the recessed and projecting surface of a first substrate 2, and a number of spherical Si consisting of an n-type layer 52 and a p-type part 51 are arranged.例文帳に追加

すなわち、球状または棒状の複数の半導体結晶を、周期的な凹凸構造を持つ第一の基板上に配置された構造を持たせ、該第一の基板に構成された周期的な凹凸構造上に第一の導電層を配置し、該第一の導電層に対し、上記球状または棒状の半導体結晶の一部を電気的に接触させ、該第一の導電層と接触した、球状または棒状の半導体結晶の一部とは異なる部分の半導体結晶の一部に電気的に接触した第二の導電層を配置した構成としている。 - 特許庁

This method also includes a fourth step of coating the single crystal obtained in the step 3 with the p- or n-type semiconductor material and baking the material.例文帳に追加

Ｂｉ、Ｔｅからなる原料を溶融する第１のステップと、該第１のステップで得られた溶融後の母材を粉砕することにより、粉末状のｐ型、若しくはｎ型半導体材料を得る第２のステップと、該第２ステップで得られたｐ型、若しくはｎ型半導体材料を加圧整形した後、溶融することにより単結晶を得る第３ステップと、該第３ステップで得られた単結晶をｐ型、若しくはｎ型半導体材料で被覆焼成する第４ステップと、からなることを特徴とする。 - 特許庁

Then, an n-channel transistor and a p-channel transistor are formed each having a <110> axis of the single crystal semiconductor layer in a channel length direction.例文帳に追加

（１１０）面を主表面に有する単結晶半導体基板において、主表面にイオンを照射して単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、単結晶半導体基板の主表面に絶縁層を形成し、絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、単結晶半導体基板を、脆化層において分離させることにより、絶縁表面を有する基板上に、（１１０）面を主表面とする単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の＜１１０＞軸方向がチャネル長方向となるように、ｎチャネル型のトランジスタとｐチャネル型のトランジスタを形成する。 - 特許庁

Then, the unit attaching/detaching part 2 is the part capable of attaching either of a fixing unit 4 for fixing the toner image formed on the sheet N on the sheet N and the projecting part cleaning unit 3 for removing the toner T' stuck to the top part of the projecting part P of the sheet S so as to be replaced with the other.例文帳に追加

普通受像シートＳ及び非定着式受像シートＮのいずれにでもトナー像を形成できるトナー像形成装置１と、ユニット着脱部２とを備えており、受像シートＳはトナーＴを受容できる凹部Ｒを形成した凹凸面ｓ２’を有し、凹部ＲにトナーＴを除去可能に付着させてトナー像を形成でき、凹凸面ｓ２’の凸部Ｐで凹部Ｒに付着したトナーＴを保護できる受像シートであり、ユニット着脱部２は受像シートＮに形成されるトナー像を受像シートＮに定着させる定着ユニット４及び受像シートＳの凸部Ｐの頂部に付着するトナーＴ’を除去する凸部クリーニングユニット３のうちいずれでも一方を他方と交換可能に装着できるユニット着脱部である画像形成装置Ａ。 - 特許庁

An activated p-type impurity is doped to a region underlying the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and the activated n-type impurity is doped to a region excluding an area underlying the gate electrode.例文帳に追加

本発明による多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置は、多結晶半導体層は上面に絶縁膜を介してゲート電極が形成されており、このゲート電極の一方の側の多結晶半導体層をドレイン領域、他方の側の多結晶半導体層をソース領域とするもので、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側の領域には活性化されたｐ型不純物が注入されており、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側以外の領域には活性化されたｎ型不純物が注入されているというものである。 - 特許庁

The martensitic stainless steel having excellent corrosion resistance has a steel composition comprising, by mass, 0.03 to 0.25% C, 0.25 to 0.60% Si, ≤2.00% Mn, ≤0.035% P, ≤0.01%例文帳に追加

質量％で、Ｃ：０．０３〜０．２５％、Ｓｉ：０．２５〜０．６０％、Ｍｎ:２．0０％以下、Ｐ：０．０３５％以下、Ｓ：０．０１%以下、Ｃｒ：１１．０〜１５．５％、Ｎｉ：０．６０％以下、Ｃｕ：０．８０％以下、Ｓｎ：０．０３〜０．１５％、Ｖ：０．０６０％以下、Ａｌ：０．０３％以下、Ｎ：０．０１〜０．０８％、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる鋼組成を有し、かつ、ＳｎとNの範囲が下記（Ａ）式を満たすと共に、焼入れ或いは焼入れ焼戻しにより硬度が３００〜６００HVであることを特徴とする耐食性に優れたマルテンサイト系ステンレス鋼。 - 特許庁

The ferritic stainless steel with excellent atmospheric corrosion resistance is characterized in that: it has a composition consisting of, by mass, ≤0.020% C, ≤0.020% N, 0.01 to 1.0% Si, 0.01 to 0.5% Mn, ≤0.04% P, ≤0.01%例文帳に追加

質量％で、Ｃ：０．０２０％以下、Ｎ：０．０２０％以下、Ｓｉ：０．０１〜１．０、Ｍｎ：０．０１〜０．５％、Ｐ：０．０４％以下、Ｓ：０．０１％以下、Ｃｒ：１６．０〜２３．０％、Ｍｏ：０．３０〜３．００％、Ｎｉ：０．３０〜３．００％、を含有し、さらに、Ｔｉ：０．０５〜０．２５％、Ｎｂ：０．０５〜０．４０％、のうちいずれか１種または２種を含有し、残部はＦｅおよび不可避的不純物からなり、流れさび指数ＲＩが下記（Ａ）式を満足し、かつ、孔食指数ＰＩが下記（Ｂ）式を満足することを特徴とする、耐流れさび性に優れるフェライト系ステンレス鋼。 - 特許庁

(i) providing for the lapsing of the application if such a direction is not complied with within a time specified in the regulations; and (ii) providing for the restoration of an application that has so lapsed; and (k) empowering the Commissioner to hear and determine the question whether a person is an interested person for the purpose of doing any act permitted to be done under this Act by an interested person; and (m) providing for appeals against decisions of the Commissioner made under the regulations; and (n) making provision for and in relation to the practice and procedure of prescribed courts in proceedings under this Act, including provision prescribing the time within which any proceeding may be started or anything else may be done, and providing for the extension of any such time; and (p) requiring persons to make statutory declarations in relation to patent applications or patents or in proceedings under this Act (not being court proceedings); and (q) making provision for and in relation to the making of a declaration, or the doing of an act, under this Act on behalf of a person who, because of infancy or physical or mental disability, is unable to make the declaration or do the act; and (r) for the control of the professional conduct of registered patent attorneys and the practice of the profession and, for that purpose, making provision for and in relation to all or any of the following: 例文帳に追加

(i) 規則に定められた期間内に，前記の指示に応じない場合は，その出願が失効する旨を規定すること，及び (ii) そのように失効した出願の回復について規定すること，及び (k) 局長に，ある者が，本法に基づき利害関係人が実行することが許可されている行為の実行の目的で利害関係人であるか否かの問題を聴聞し，決定する権限を付与すること，及び (m) 局長の決定に対し，規則に基づいてされる上訴について規定すること，及び (n) 本法に基づく訴訟に関し，所定の裁判所の実務及び手続についての及びそれに関連する規定を制定すること。これには，訴訟を開始することができる又はそれ以外のことを実行することができる期間について規定し，かつ当該期間の延長について定める規定を含む。及び(p) 特許出願又は特許又は本法に基づく手続(裁判所手続を除く)に関し，ある者に制定法上の宣言(司法手続外誓約)を要求すること，及び (q) 未成年又は身体的若しくは精神的障害のために宣言を行い又は行為を実行することができない者の代理として，本法に基づき宣言を行い又は行為を実行することについての及びそれに関連する規定を制定すること，及び (r) 登録特許弁護士の職業行動及び当該職業の業務を規制するために，及びその目的のために，次の事項の全部又は一部についての及びそれに関連する規定を制定すること - 特許庁