「a drift」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

At a bottom portion of the gate trench 38, a diffusion domain of a first conductivity type is not formed which has its periphery surrounded with a drift region 18, and at a bottom portion of the termination trench 22, a floating region 20 of the first conductivity type is formed which has its periphery surrounded with the drift region 18.例文帳に追加

ゲートトレンチ３８の底部には、その周囲がドリフト領域１８によって囲まれている第１導電型の拡散領域が形成されておらず、終端トレンチ２２の底部には、その周囲がドリフト領域１８によって囲まれている第１導電型の拡散領域２０が形成されている。 - 特許庁

To improve avalanche resistance in a super junction semiconductor device having such a parallel pn structure that a drift layer is formed by bonding alternately and repeatedly a drift area formed of an n-type semiconductor area with higher impurity concentration and a partitioning area formed of a p-type semiconductor area.例文帳に追加

ドリフト層を、不純物濃度を高めたｎ型半導体領域よりなるドリフト領域とｐ型半導体領域よりなる仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列ｐｎ構造とした超接合半導体素子において、アバランシェ耐量を向上させること。 - 特許庁

After forming such a trench (groove) 5 as to reach a drift layer 2 on a silicon-carbide substrate comprising a substrate 1, the drift layer 2, a first gate layer 3, and a source layer 4, an n-type channel layer 6 is formed on the surface of the inner wall of the trench 5.例文帳に追加

基板１およびドリフト層２、そして第１のゲート層３、並びにソース層４からなる炭化珪素基板に、ドリフト層２に達するようなトレンチ（溝）５を形成した後、このトレンチ５の内壁面にＮ型のチャネル層６を形成する。 - 特許庁

This causes a depletion layer at a PN junction between p^+-type deep layer 9 and an n^-type drift layer 2 to greatly extend toward the n^-type drift layer 2, which makes it difficult for a high voltage generated as a result of the effect of a drain voltage to enter a gate oxide film 6.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型ディープ層９とｎ^-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ^-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜６に入り込み難くなる。 - 特許庁

An N-type first impurity diffusion region that includes a drain region 12 and a drain-side drift region 7 and an N-type second impurity diffusion region that includes a source region 13 and a source-side drift region 8 are formed on a P-type well 10, with a channel region ch interposed therebetween.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０上に、チャネル領域ｃｈを隔てて、ドレイン領域１２及びドレイン側ドリフト領域７を含むＮ型の第一不純物拡散領域と、ソース領域１２及びそース側ドリフト領域８を含むＮ型の第二不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

To solve the problems of a conventional fluid rate gyro wherein, since an electrode part and a detection part are arranged in a sensing channel, a drift is generated in fluid jet by a nonuniform electric field distribution resulting from a potential difference between the electrode part and the detection part, and the drift exerts an influence on detection of angular velocity.例文帳に追加

従来の流体レートジャイロは、電極部と検出部とをセンシング流路内に配置しているので、これら電極部と検出部との間の電位差に伴う非一様な電界分布によって流体ジェットに偏流が生じてしまい、この偏流が角速度の検出に影響を及ぼしてしまう。 - 特許庁

A base region 13 is formed in a surface region of a drift region 11, a source region 14 is formed in a surface region of the base region 13, and an oxide film 20, a gate electrode 30 and an interlayer insulating film 40 are formed on the drift region 11.例文帳に追加

ドリフト領域１１の表面領域にはベース領域１３が形成され、ベース領域１３の表面領域にはソース電極１４が形成され、ドリフト領域１１上には、酸化膜２０、ゲート電極３０、及び、層間絶縁膜４０が形成されている。 - 特許庁

To provide a method, etc. of updating a search range capable of shortening a duration time of a state of a reception frequency deviating from the search range due to drift variation during position measurement, while limiting expansion of the search range by using the drift calculated by using a reference frequency.例文帳に追加

参照周波数を使用して算出したドリフトを利用することによってサーチレンジが広くなることを制限しつつ、測位の間におけるドリフト変動によって受信周波数がサーチレンジを外れる状態の継続時間を短縮化することができるサーチレンジの更新方法等を提供すること。 - 特許庁

To reduce a temperature drift in detection sensitivity by preventing the detection sensitivity form being affected by the temperature drift of a reference voltage supplied from a reference voltage source to a driving circuit, while using the reference voltage source for controlling a driving level.例文帳に追加

駆動レベル制御用の基準電圧源を使用しつつ、この基準電圧源から駆動回路に供給される基準電圧値の温度ドリフトが検出感度へと影響するのを防止することにより、検出感度の温度ドリフトを一層低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a display device capable of realizing a high-definition image through reducing of color drift by making magnetic resistance small at the center part of top and bottom faces of an inner magnetic shield as reducing means of beam drift volume due to an external magnetic field in a tube axis direction, in a display device using a cathode-ray tube.例文帳に追加

陰極線管を用いる表示装置において、管軸方向の外部磁界によるビームずれ量の低減手段として内部磁気シールド上下面中央部の磁気抵抗を小さくすることにより、従来に比べて色ずれを低減し、格段に高画質を実現できる表示装置を提供する。 - 特許庁

In the case a cavity resonator 33 is a fundamental wave hollow, a distance d2 from the center of a drift tube 32 to the outer peripheral wall 41 of the cavity resonator 33 has a relation of becoming 1.2 to 1.6 fold against the distance d1 from the center of the drift tube 32 to the inner peripheral wall 40 of the cavity resonator 33.例文帳に追加

空胴共振器33が、基本波空胴である場合、ドリフト管32の中心から空胴共振器33の外周壁41までの距離d2が、ドリフト管32の中心から空胴共振器33の内周壁40までの距離d1に対して１．２〜１．６倍となる関係を有する。 - 特許庁

A nitriding treatment is conducted on the surface of a drift layer 10 in a gas atmosphere containing NO or N_2O in a semiconductor device body 20, and the gate insulating film 5 is deposited on the surface of the drift layer 10 by a chemical or physical vapor-growth method.例文帳に追加

半導体装置本体２０に、ＮＯもしくはＮ_2Ｏを含んだガス雰囲気でドリフト層１０表面に窒化処理を行った後、化学的もしくは物理的気相成長法によって、ドリフト層１０表面にゲート絶縁膜５を堆積する。 - 特許庁

A trench is formed in an n^- type drift layer (1) and embedded by crystal growth, by forming a p-type surf layer (4) by ion injection from oblique direction, and thus a 2nd n^- drift layer (5) is formed to form a longitudinal resurf structure, thereby forming a power MOSFET having low ON- resistance.例文帳に追加

ｎ^−型ドリフト層（１）にトレンチを形成し、斜め方向からのイオン注入によりｐ型リサーフ層（４）を形成し、トレンチを結晶成長により埋め込むことで第２のｎ^−ドリフト層（５）を形成することにより縦型リサーフ構造を形成し、低オン抵抗のパワーＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

In the device, a high-field drift layer 6 is formed on the surface side of an n-type silicon substrate 1 that is a conductive substrate, a field alleviating layer 9 consisting of silicon nitride film is formed on the high-field drift layer 6 and a surface electrode 7 consisting of a thin metal film is formed on the field alleviating layer 9.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に強電界ドリフト層６を形成し、強電界ドリフト層６上に窒化シリコン膜よりなる電界緩和層９を形成し、電界緩和層９上に金薄膜よりなる表面電極７を形成している。 - 特許庁

Further, a lead-out region (NSD 19) of a drift region formed over a source region (second base region 14) and a drift region 12 of the PMOSFET 30 is connected to a lead-out region (PSD 20) of the source region of the PMOSFET 30.例文帳に追加

また、ＰＭＯＳＦＥＴ３０のソース領域（第２のベース領域１４）とドリフト領域１２とにまたがって形成されたドリフト領域の取り出し領域（ＮＳＤ１９）が、ＰＭＯＳＦＥＴ３０のソース領域の取り出し領域（ＰＳＤ２０）と導電膜により接続されている。 - 特許庁

A lower wiring 12a a part of which constitutes a lower electrode and an intense-field drift layer 6 are fomed in order on one surface side of an insulating substrate 11, and an insulating layer 8 with an opening formed for the portion corresponding to the forming planned part of a surface electrode 7 is formed on the intense-field drift layer 6 (fig.(a)).例文帳に追加

絶縁性基板１１の一表面側に一部が下部電極を構成する下部配線１２ａ、電子通過層たる強電界ドリフト層６を順次形成し、強電界ドリフト層６上に表面電極７の形成予定部位に対応した部分が開孔された絶縁層８を形成する（図１（ａ））。 - 特許庁

A p-type base layer 5, a n-type source layer 6, a gate insulating film 7, and a gate electrode 8 constituting a MOSFET structure are formed in the region, where n-type drift layers 2, barrier insulating films 3, and p-type drift layers 4 are arranged alternately and repeatedly.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２、バリア絶縁膜３、ｐ型ドリフト層４が交互に繰り返して配列された領域内に、ＭＯＳＦＥＴ構造を構成するｐ型ベース層５、ｎ型ソース層６、ゲート絶縁膜７およびゲート電極８を設ける。 - 特許庁

A MOSFET 1 comprises: a silicon carbide substrate 11; a drift layer 12 that has a surface (primary surface 12A) having an off-angle of 50° or more to 65° or less to the {0001} plane and is composed of silicon carbide; and a gate oxide film 21 that is formed in contact with the primary surface 12A of the drift layer 12.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、炭化珪素基板１１と、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である表面（主面１２Ａ）を有し、炭化珪素からなるドリフト層１２と、ドリフト層１２の主面１２Ａ上に接触して形成されたゲート酸化膜２１とを備えている。 - 特許庁

The junction barrier region includes: a first silicon carbide region having a first doping concentration in the drift region of the diode; and a second silicon carbide region disposed between the first silicon carbide region and a Schottky contact of the Schottky diode, in the drift region.例文帳に追加

この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。 - 特許庁

Electrons injected from a conductive board into a porous polysilicon layer 6 quickly thermally oxidized as a strong electric field drift layer drift towards the surface in the porous polysilicon layer 6 and are emitted through a metallic thin film formed on the porous polysilicon layer 6.例文帳に追加

導電性基板から強電界ドリフト層たる急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６に注入された電子は、多孔質ポリシリコン層６内を表面に向かってドリフトし多孔質ポリシリコン層６上に形成された金属薄膜をトンネルして放出される。 - 特許庁

In the high-voltage semiconductor device and the method of manufacturing the high-voltage semiconductor device, a plurality of drift regions having a first depth is formed in a semiconductor substrate by doping first impurities such that the drift regions are spaced apart from each other to define a channel region.例文帳に追加

高電圧半導体装置及びその製造方法において、第１深さを有する複数のドリフト領域は、半導体基板に第１不純物をドーピングして、それぞれ互いに離隔してチャンネル領域を限定するように形成される。 - 特許庁

According to this structure, a depletion layer at the PN junction between the p-type deep layer 10 and an n^--type drift layer 2 is significantly extended to the side of the n^--type drift layer 2 and thereby a high voltage caused by a drain voltage is hardly input into a gate oxide film 8.例文帳に追加

このような構造によれば、ｐ型ディープ層１０とｎ^-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ^-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜８に入り込み難くなる。 - 特許庁

To provide an optical modulator including a thin plate of ≤150 μm in thickness and a reinforcing plate bonded to the reverse surface of the thin plate, the optical modulator being characterized in that reliability is improved more in terms of a temperature drift and a DC drift by effectively removing an influence of pyroelectric effect.例文帳に追加

厚みが１５０μｍ以下の薄板と、該薄板の裏面に接着された補強板とを含む光変調器において、焦電効果の影響を効果的に除去することにより温度ドリフトやＤＣドリフトの点で信頼性を一層向上させた光変調器を提供すること。 - 特許庁

Although a direction indicated by the G1 is to be unchanged all the time when a drift phenomenon is not generated, the direction is changed gradually in an actual situation by the drift phenomenon with the lapse of time, when a moving body attached with the acceleration sensor is moved on a coordinate axis.例文帳に追加

このＧ１が示す方向は、前記のようなドリフト現象が生じなければ、常に不変であるはずだが、実際は、座標軸上で加速度センサを取り付けた移動体が移動すると、経時的にドリフト現象により徐々にその方向が変わってきてしまう。 - 特許庁

When the image forming device has a plurality of image forming units for forming images by scanning with a beam and the beam-scanning direction varies with each of the image forming units, the color shift in the transport direction is detected by a piece of the color drift detecting sensor 10, arranged other than at the center and the color drift correction, is performed by calculating a correction value.例文帳に追加

ビームを走査して画像を形成する画像形成部を複数持ち、画像形成部ごとにビーム走査方向が異なっているとき、中央以外に配置されている１個の色ずれ検知センサ１０で搬送方向の色ずれを検知し、補正値を計算し、色ずれ補正を行う。 - 特許庁

A distance f from the backside of the guard ring 10 to the backside of the drift layer is longer than a distance from the backside of the body region to the backside of the drift layer, and a thickness h of the collector layer in the peripheral region is smaller than a thickness d of the collector layer in the active region.例文帳に追加

ガードリング１０の裏面からドリフト層裏面までの距離ｆがボディ領域の裏面からドリフト層の裏面までの距離よりも長く、周辺領域のコレクタ層の厚みｈが、活性領域のコレクタ層の厚みｄよりも薄い。 - 特許庁

To provide a display device using a cathode-ray tube capable of realizing excellent high definition by restraining the variation of electron beam start caused by external magnetic field in a tube axis direction by improving magnetic shield effect, reducing electron beam drift, and reducing color drift compared to a conventional display device.例文帳に追加

陰極線管を用いる表示装置において、磁気遮蔽効果を高めて管軸方向の外部磁界による電子ビーム起動の変化を抑制し、電子ビームずれを低減し、従来に比べて色ずれを低減し、格段に高画質を実現する。 - 特許庁

A strong field drift layer 6 formed of an oxidized porous polycrystalline silicon layer is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1 as a conductive substrate, and a surface electrode 7 formed of a conductive thin film is formed on the strong field drift layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化された多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に導電性薄膜よりなる表面電極７が形成されている。 - 特許庁

In the power semiconductor device comprising a gate electrode 11 buried in a groove via a gate insulating film, a p-type depletion region enlargement layer 4 is provided between two n-type drift layers 3 and 5, and the groove is formed to reach the n-type drift layer 3.例文帳に追加

溝の中にゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極１１を備えた電力用半導体装置において、二つのｎ型ドリフト層３、５の間にｐ型空乏領域拡大層４を挟み、前記溝は、前記ｎ型ドリフト層３に達するように形成される。 - 特許庁

The IGBT has an n-type emitter region, a p-type body region, an n-type drift region, a p-type collector region, and a gate electrode opposed to the body region, within a range wherein the emitter region and drift region are isolated, with an insulating film interposed.例文帳に追加

ＩＧＢＴは、ｎ型のエミッタ領域と、ｐ型のボディ領域と、ｎ型のドリフト領域と、ｐ型のコレクタ領域と、エミッタ領域とドリフト領域を分離している範囲のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極を有している。 - 特許庁

Trenches 16a and 16b are formed on the entire surface of a wafer between an n^+ emitter region 6a and a p^+ collector region 12a, and the inside thereof is filled with a trench embedding insulating film 17, thereby bending a drift region for carrying breakdown voltage to increase an effective drift length.例文帳に追加

ｎ^+エミッタ領域６ａとｐ^+コレクタ領域１２ａとの間のウェハ全面にトレンチ１６ａ，１６ｂを形成し、その中をトレンチ埋め込み絶縁膜１７で埋めることによって、耐圧を担持するドリフト領域を折り曲げて、実効的なドリフト長を長くする。 - 特許庁

To provide a plug connector in which a large drift between a pair of printed wiring boards to be connected can be absorbed, a flexible conductor absorbing the drift in connector fitting is not locally deformed in excess, and highly reliable conduction can be secured.例文帳に追加

接続する一対のプリント配線板間の大きなずれを吸収でき、コネクタ嵌合時にずれを吸収する可撓導体が局部的に過度に変形することがなく、信頼性の高い導通を確保できるプラグコネクタを提供する。 - 特許庁

On an n^+ SiC substrate 5, an n^- SiC epitaxial layer 8 is formed which has a body region 12, a drift region 13 and a source region 14, and a gate trench 15 is formed which passes through the source region 14 and the body region 12 and reaches the drift region 13.例文帳に追加

ｎ^＋型のＳｉＣ基板５上に、ボディ領域１２、ドリフト領域１３およびソース領域１４を有するｎ^−型のＳｉＣエピタキシャル層８を形成し、ソース領域１４およびボディ領域１２を貫通し、ドリフト領域１３に達するゲートトレンチ１５を形成する。 - 特許庁

A first electrode 4 in contact with a hetero semiconductor region 3 is formed of a metal material which is so selected that the difference in work function between the first electrode 4 and a drift region 2 is larger than at least the difference in work function between the hetero semiconductor region 3 and the drift region 2.例文帳に追加

ヘテロ半導体領域３に接する第１の電極４は、第１の電極４とドリフト領域２の仕事関数差が少なくともヘテロ半導体領域３とドリフト領域２の仕事関数差よりも大きくなるように選択された金属材料により形成されている。 - 特許庁

Consequently, the hearts of the gokenin gradually began to drift further and further away from the bakufu; these actions by the Tokuso provoked a smoldering dissatisfaction among the gokenin and among all warriors. 例文帳に追加

御家人の心は次第に幕府から離れていくようになり、御家人達武士全体の不満がくすぶる結果となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

At a test-ride event, children saw 15 constellations and other stars drift by and cried, "It's beautiful! This is really great!" 例文帳に追加

試乗会では，子どもたちが15の星座やほかの星が流れていくのを見て，｢きれい。すごいすごい。｣と歓声をあげた。 - 浜島書店 Catch a Wave

The device includes a drain-drift region extending from the bottom of the trench to the N-epitaxial layer.例文帳に追加

一実施例では、デバイスは、トレンチ底部からＮエピタキシャル層まで延びるドレイン・ドリフト領域を含む。 - 特許庁

Source/drain regions having a second depth, which is shallower than the first depth, are formed in the drift regions by doping second impurities.例文帳に追加

第１深さに対して浅い第２深さを有するソース／ドレイン領域は、ドリフト領域に第２不純物をドーピングして形成される。 - 特許庁

A strong field drift layer 6' is formed by electrochemically oxidizing the porous polycrystalline silicon layer 4.例文帳に追加

その後、多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層６’を形成する。 - 特許庁

A DCT coefficient operation part 7 performs watermark data embedding processing or drift compensation processing to the extracted DCT coefficient.例文帳に追加

ＤＣＴ係数操作部７は、前記抽出されたＤＣＴ係数に透かしデータ埋め込み処理またはドリフト補償処理を行う。 - 特許庁

After that, the porous polycrystal silicon layer 4 is electrochemically oxidized to form a strong field drift layer 6.例文帳に追加

その後、多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化することで強電界ドリフト層６を形成する。 - 特許庁

With the He-Cd laser, the shallow region of the strong field drift layer is excited, and with argon ion laser, a deeper region is excited.例文帳に追加

Ｈｅ−Ｃｄレーザでは強電界ドリフト層の浅い領域が励起され、アルゴンイオンレーザではより深い領域まで励起される。 - 特許庁

The buffer monitor sends the buffer occupied amount reports to a clock drift detection and recovery component on the host device.例文帳に追加

バッファモニタは、バッファ占有量レポートをホストデバイス上のクロックドリフト検出および復旧コンポーネントに送信する。 - 特許庁

A field plate FP extends over the gate electrode GE and the drift region DR and is electrically connected to the gate electrode GE.例文帳に追加

フィールドプレートＦＰは、ゲート電極ＧＥおよびドリフト領域ＤＲ上を延在し、かつゲート電極ＧＥに電気的に接続されている。 - 特許庁