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a driftの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2120



例文

A first conductivity-type drain drift layer 101 is formed on a surface of a first conductivity-type semiconductor substrate 100, a second conductivity-type well layer 102 is formed on a surface of the drift layer 101 sequentially, and a trench 106 including an insulating film 107 on an inner wall is formed from a surface of the well layer 102 to the drift layer 101.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板100表面に第一導電型のドレインドリフト層101、ドリフト層101表面に第二導電型のウェル層102を順次形成し、ウェル層102表面からドリフト層101に至るまで内壁に絶縁膜107を有するトレンチ106を形成する。 - 特許庁

The LCD driver chip includes a first conductivity well formed in a substrate, a second conductivity drift region formed in the first conductivity well, a first element isolation film formed in the second conductivity drift region, a gate formed at a first side of the first element isolation film, and a second conductivity first ion implantation region formed in the second conductivity drift region between the first element isolation film and the gate.例文帳に追加

基板に形成された第1導電型ウェルと、前記第1導電型ウェルに形成された第2導電型ドリフト領域と、前記第2導電型ドリフト領域内に形成された第1素子分離膜と、前記第1素子分離膜の一側に形成されたゲートと、前記第1素子分離膜と前記ゲートの間の第2導電型ドリフト領域内に形成された第2導電型第1イオン注入領域を含む。 - 特許庁

A semiconductor device has a drift layer 14 made of a gallium nitride and having a first surface and a second surface opposing the first surface, a Schottky electrode 16 formed on the first surface of the drift layer 14, and an ohmic electrode 15 electrically connected to the second surface of the drift layer 14 via a contact layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、窒化ガリウムからなり、第1の面及び該第1の面と対向する第2の面を有するドリフト層14と、ドリフト層14の第1の面上に形成されたショットキ電極16と、ドリフト層14の第2の面とコンタクト層13を介して電気的に接続されたオーミック電極15とを有している。 - 特許庁

The dissimilar material junction-type diode includes: a semiconductor substrate 1; a first conductivity type drift region 2 formed on the semiconductor substrate 1; the anode electrode 6 joined to a main surface of the drift region 2 and comprising a material of type different from that of a material of the drift region 2; and a cathode electrode 7 connected to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

異種材料接合型ダイオードは、半導体基体1と、半導体基体1の上に形成された第1導電型のドリフト領域2と、ドリフト領域2の主表面に接合された、ドリフト領域2とは異なる種類の材料からなるアノード電極6と、半導体基体1に接続されたカソード電極7とを備える。 - 特許庁

例文

A correction voltage calculation part 82 calculates a drift voltage corresponding to a change amount of the inclination angle of the mirror due to the drift and corrects a drive voltage in accordance with the drift voltage based on the inclination angle of the mirror when the drive voltage and the disturbance voltage are supplied to the electrode countervailing to the mirror by a drive voltage supplying section 61 and a disturbance voltage supplying section 62.例文帳に追加

補正電圧算出部82は、駆動電圧供給部61および摂動電圧供給部62により駆動電圧および摂動電圧がミラーに対向する電極に供給されたときのミラーの傾斜角に基づいて、ドリフトによるミラーの傾斜角の変化量に対応するドリフト電圧を算出し、このドリフト電圧に基づいて駆動電圧を補正する。 - 特許庁


例文

An IGBT 100 includes a body region 4 formed on the surface layer of a drift layer 16 in an active region, a guard ring 10 formed on the surface layer of the drift layer 16 in the peripheral region to encircle the body region 4, and a collector layer 20 on a backside of the drift layer 16 ranging over the active region and the peripheral region.例文帳に追加

IGBT100は、活性領域におけるドリフト層16の表層に形成されているボディ領域4と、周辺領域におけるドリフト層16の表層に形成されており、ボディ領域4を囲んでいるガードリング10と、ドリフト層16の裏面側に形成されており、活性領域と周辺領域に拡がっているコレクタ層20を備えている。 - 特許庁

From the hypothesis of calculating a probability density function based on the statistic output distribution and a statistic drift amount distribution, the known probability theory can be used for estimating a drift of a sensor, the drift can be highly accurately estimated by the established probability theory, and judgment of whether a correction or exchange of the sensor is necessary can be made rationally.例文帳に追加

統計的出力分布と統計的ドリフト量分布に基づいて確率密度関数を算出する仮説により、センサのドリフトの推定のために既知の確率理論を利用することができ、確立された確率理論によりより高精度にドリフトを推定することができ、センサの校正と交換の要否判定を合理的に実行することができる。 - 特許庁

The ionic mobility spectrometer comprises an inlet for introducing a sample molecule in itself, a drift part installed separately from the inlet, a capturing electrode purposing to capture ionized molecules moving inside the drift part, and a reaction chamber having an electronic means installed between the inlet and the drift part, purposing to generate an ionic plasma of thermal neutron from the sample molecule.例文帳に追加

サンプル分子をイオントラップ移動度スペクトロメータに導入するための入口と、該入口と離間して設けられたドリフト部を、該ドリフト部中を移動するイオン化された分子を捕集するための捕集電極と、前記入口とドリフト部との間に設けられ、サンプル分子から熱中性子化されたイオンのプラズマを電子的に発生させるための手段を有する反応室とからなることを特徴とする。 - 特許庁

A drift is corrected in each of the plurality of positioning data Xani detected by the plurality of positioning sensors 1-N, in position control for a ship or a floating body, and weight-averaging processing is carried out in response to a dispersion of each time-serial data in drift-corrected positioning data Xcni after drift-corrected, so as to obtain position data Xci for the position control.例文帳に追加

船舶又は浮体の位置制御において、複数の測位センサ1〜Nで検出される複数の測位データXaniに対して、それぞれドリフト補正を行い、該ドリフト補正を行った後のドリフト補正後測位データXcniに対して、それぞれの時系列データのバラツキに応じた加重平均処理を行って、位置制御のための位置データXciを得る。 - 特許庁

例文

A semiconductor apparatus includes: an n+ type semiconductor substrate 1; an n- type drift region 2 formed on the upper surface of the n+ type semiconductor substrate 1; an anode electrode 3 formed on the upper surface of the n- type drift region 2 and forming a Schottky junction A with the n- type drift region 2; and a cathode electrode 4 electrically connected to the n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、n+型半導体基板1と、n+型半導体基板1の上面上に設けられたn−型ドリフト領域2と、n−型ドリフト領域2の上面上に設けられ、n−型ドリフト領域2とショットキー接合Aを形成するアノード電極3と、n+型半導体基板1に電気的に接続されたカソード電極4とを備える。 - 特許庁

例文

To correct a drift of a focusing point position at a high speed in a scanning electron microscope having a function to observe featured objects on a sample.例文帳に追加

試料上の特徴物を観察する機能を有する走査型電子顕微鏡において、合焦点位置のずれを高速に補正する。 - 特許庁

To measure a one-side-drift amount of a vehicle on a bench test machine in a short time without damaging a body and a tire.例文帳に追加

車両の片流れ量を台上試験機上で車体やタイヤに傷を付けることなく短時間で計測できるようにする。 - 特許庁

To restrain a drift of a vehicle and improve a linear traveling property by increasing a residual cornering force in a required direction of a pneumatic tire.例文帳に追加

空気入りタイヤの必要な方向の残留コーナリングフォースを増大させ、車両の横流れを抑制して直進走行性を向上させる。 - 特許庁

Then, a plurality of base station controllers, when the serving base station controller is shifted to a drift base station controller in a state where the drift base station controller relay-transfers the data communication between the radio base station device with which the radio terminal is connected and the serving base station controller, notifies the correspondence information from the serving base station controller to the drift base station controller.例文帳に追加

そして、複数の基地局制御装置は、無線端末が接続している無線基地局装置とサービング基地局制御装置との間でドリフト基地局制御装置がデータ通信を中継転送するようになった状態で、サービング基地局制御装置をドリフト基地局制御装置に移行するとき、サービング基地局制御装置から対応付け情報をドリフト基地局制御装置に通知する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device suppressing an occurrence of a black silicon in a trench and forming a drift region along the trench.例文帳に追加

トレンチ内のブラックシリコンの発生を抑制し、トレンチに沿ってドリフト領域が形成される半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A measurement part 81a of a search setting part 81 measures a drift quantity of a mirror 230 at a sampling time interval.例文帳に追加

探索設定部81の測定部81aは、サンプリング時間間隔でミラー230のドリフト量を測定する。 - 特許庁

To provide a waveguide device capable of suppressing occurrence of a DC drift by a simple configuration and to provide a driving method of a waveguide element.例文帳に追加

簡易な構成でDCドリフトの発生を抑制可能な導波路装置及び導波路素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

A silicon-drift type X-ray detector held by a sample holding member 31 is assembled in a tip portion of a sample holder SH of a side-entry type.例文帳に追加

サイドエントリー型の試料ホルダSHの先端部に試料台支持部材31で支持されたシリコンドリフト型X線検出器を組み込む。 - 特許庁

A drift region 12 provided between a well region 56 and a body region 26 includes a first layer 30 and a second layer 40.例文帳に追加

ウェル領域56とボディ領域26との間に設けられているドリフト領域12は、第1層30と第2層40とを有している。 - 特許庁

To provide a magnetostatic wave element in which a drift in a filtering band due to a temperature change or the like can be corrected, and to provide a disturbance-wave eliminator.例文帳に追加

温度変化等によるフィルタリング帯域のドリフトを補正することができる静磁波素子および妨害波除去装置を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that it is difficult to form a column region to a position that is sufficiently deep in a drift region in a conventional semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

従来の半導体装置の製造方法においては、ドリフト領域中の充分に深い位置までコラム領域を形成するのが困難である。 - 特許庁

To provide a container for a display device of a high display quality and a high strength by prevention of position drift and buckling of a spacer.例文帳に追加

スペーサの位置ずれと挫屈を防ぐことにより、高表示品質で高強度な表示装置用容器を提供する。 - 特許庁

The high voltage element includes drift regions formed inside a substrate, an element separation film formed inside the substrate to be deeper than the drift region, a gate electrode formed over the substrate and source and drain regions formed inside the drift regions on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

本発明の高電圧素子は、基板内に形成されたドリフト領域と、前記基板内に前記ドリフト領域よりも深く形成された素子分離膜と、前記基板の上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側の前記ドリフト領域内に形成されたソース領域及びドレイン領域とを備える。 - 特許庁

An IGBT 10 comprises an n^+type emitter region 34, an n^-type drift region 26, a (p) type body region 28 formed between the emitter region 34 and the drift region 26, a trench gate 40 extending in the body region 28 from the emitter region 34 toward the drift region 26, and an insulator protrusion 60.例文帳に追加

IGBT10は、n^+型のエミッタ領域34と、n^−型のドリフト領域26と、エミッタ領域34とドリフト領域26を隔てているp型のボディ領域28と、エミッタ領域34からドリフト領域26に向けてボディ領域28内を伸びているトレンチゲート40と、絶縁体の突出部60を備えている。 - 特許庁

To provide a wavelength tunable semiconductor laser element, and a control device and a control method which prevent a wavelength drift.例文帳に追加

波長ドリフトを防止する波長可変半導体レーザ素子及びその制御装置、制御方法を提供する。 - 特許庁

The power transistor device further includes a first region, a drift region that adjoins a top surface of the buffer layer, and a body region.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスはさらに、第1の領域と、バッファ層の上面に隣接するドリフト領域と、ボディ領域とを含む。 - 特許庁

A PIN diode includes an n- drift layer 6, a p anode layer 8, an n buffer layer 12, an n+ layer 16, a front surface electrode and a rear surface electrode.例文帳に追加

PINダイオードは、n-ドリフト層6、pアノード層8、nバッファ層12、n+層16、表面電極および裏面電極を備えている。 - 特許庁

As a semiconductor device, the IGBT 10 has a semiconductor region 25 between a collector region 22 and a drift region 28.例文帳に追加

IGBT10は、コレクタ領域22とドリフト領域28の間に、半導体領域25を備えている。 - 特許庁

A rotation/standstill detection circuit removes a low-frequency component contained in a gyro output signal by using an HPF 152, and a drift component is removed.例文帳に追加

回転/静止検知回路がジャイロ出力信号に含まれる低周波成分をHPF152にて除去することにより、ドリフト成分を除去する。 - 特許庁

To provide a differential scan calorimeter which achieves excellent response with a limited drift by performing a calorimetric compensation using a stable temperature difference output.例文帳に追加

安定した温度差出力を用いて、熱量補償を行ない、ドリフトが小さく応答性に優れた示差走査熱量計を提供すること。 - 特許庁

A gate electrode GE is formed on a region in between a source region and a drift region DR via an insulation layer FO.例文帳に追加

ゲート電極GEは、ソース領域およびドリフト領域DRに挟まれる領域上に絶縁層FOを介在して形成されている。 - 特許庁

To provide a mooring system without breaking a mooring rope, allowing a hull to drift or damaging the other object when attacked by a tsunami.例文帳に追加

津波が襲来した際に、係留索が破断したり、船体が漂流したり、他の物体に損害を与えることがない係留システムを提供する。 - 特許庁

A dummy oxide film 12 is formed in a trench 4 extending from a surface of a P type body layer 3 to the inside of an N type drift layer 2.例文帳に追加

P型ボディ層3の表面からN型ドリフト層2内に延在するトレンチ4にダミー酸化膜12を形成する。 - 特許庁

To provide a charge compensation component having a drift path and a method of production thereof which can reduce a breakdown voltage variation.例文帳に追加

ブレークダウン電圧変動を抑えることができる、ドリフト経路を有する電荷補償部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To ensure the withstand pressure of a semiconductor element that contains a parallel pn structure fabricated by a trench-embedded method as a drift portion.例文帳に追加

トレンチ埋め込み法により作製された並列pn構造をドリフト部とする半導体素子の耐圧を確保すること。 - 特許庁

A trench 3 penetrating the base region and reaching a drift region 1 is formed on a front surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のおもて面に、ベース領域を貫通し、ドリフト領域1まで達するトレンチ3を形成する。 - 特許庁

To provide a drift prevention device capable of exerting a function only in inundation without making a construction cost and a maintenance cost excessive.例文帳に追加

施工費用や保守費用を過大とすることなく、浸水時にのみ機能を発揮することのできる漂流物防止装置の提供。 - 特許庁

To provide a rolling bearing device for a wheel capable of further enhancing reliability of a sensor by preventing the occurrence of a temperature drift.例文帳に追加

温度ドリフトの発生を防止して、センサの信頼性をさらに高めることができる車輪用転がり軸受装置を提供する。 - 特許庁

A high-level acceleration signal and a low-level signal from which a drift component of a low frequency is removed are obtained at the same time by this manner.例文帳に追加

これにより、大レベル加速度信号と低周波のドリフト成分を除去した小レベル信号とを同時に得ることができる - 特許庁

A drift layer 3 has a thickness direction through which a current penetrates and has an impurity concentration N_1d of a first conductivity type.例文帳に追加

ドリフト層3は、電流が貫通する厚さ方向を有し、第1導電型の不純物濃度N_1dを有する。 - 特許庁

To compensate a color drift of halftone by reducing a prediction error in a color two-by-two printer model applied to a xerographic printer.例文帳に追加

ゼログラフプリンタに適用されるカラー2×2プリンタモデルにおいて、予測誤差を少なくしてハーフトーンの色ドリフトの補正を行う。 - 特許庁

To certainly prevent mud water from flowing out of a peripheral surface of a level-driving machine in the case of drilling a drift in a natural ground.例文帳に追加

地山に横坑道を掘削する場合の掘進機周面から流出する泥水の止水を確実にする。 - 特許庁

A concentration of a first conductivity type impurity contained in the base layer is lower than a concentration of a first conductivity type impurity contained in the drift layer.例文帳に追加

ベース層に含まれる第1導電型の不純物濃度は、ドリフト層に含まれる第1導電型の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

To secure the voltage resistance of a semiconductor element which has a parallel pn structure constructed by a trench padding method as a drift.例文帳に追加

トレンチ埋め込み法により作製された並列pn構造をドリフト部とする半導体素子の耐圧を確保すること。 - 特許庁

To provide a technique for ameliorating a color drift of a reproduced color using a method other than the method for directly calibrating an RGB-CMYK color conversion table.例文帳に追加

RGB−CMYK色変換テーブルを直接較正する方法以外の方法によって再現色の色ズレを改善する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle application device that prevents a drift from being generated owing to a temperature difference between the charged particle application device and a sample holder.例文帳に追加

荷電粒子応用装置と試料ホルダの温度が異なることによるドリフトの発生を防止できる荷電粒子応用装置を提供する。 - 特許庁

To develop a mask material for a flat tube which has a small amount of thermal drift when assembled into a cathode-ray tube.例文帳に追加

ブラウン管に組み立てた状態でサーマルドリフト量が小さいフラット管用マスク材料の開発。 - 特許庁

To obtain a structure at a lower cost which hinders a drift of a refrigerant flowing inside while evenly cooling air.例文帳に追加

空気を均一に冷却すると共に、内部を流れる冷媒の偏流を生じにくくする構造を安価に実現する。 - 特許庁

To provide a correction device for a sensor capable of correcting properly a temperature drift by simple constitution, and capable of reducing a manufacturing cost.例文帳に追加

簡素な構成で適切に温度ドリフトを補正することができ、製造コストを低減することができるセンサ用補正装置の提供。 - 特許庁

例文

To provide a method and a device which detect rotation drift of a mirror element in a MENS inclined mirror array used in an optical cross connection device.例文帳に追加

光学交差接続装置内で用いられるMEMS傾斜ミラー列内のミラー素子の回転ドリフトを検出する装置と方法を提供する。 - 特許庁

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