「bit array」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Data read through a main bit line MBL from a memory block 2 having a memory cell array constituted of a dynamic type storage element are amplified by a sense amplifier circuit and latched by a latch circuit 12, and only one of outputs from a plurality of tristate buffers 13 to receive the output of the latch circuit is set so as to become a state to be outputted.例文帳に追加

ダイナミック型記憶素子からなるメモリセルアレイを有するメモリブロック２からメインビット線ＭＢＬを通して読み出されるデータを、センスアンプ回路１１で増幅してラッチ回路１２でラッチし、ラッチ回路の出力を入力とする複数のトライステートバッファ１３からの出力のうち、一つのみを出力可能状態に設定する。 - 特許庁

The method includes the step of setting the first input of each full adder circuit to the same fixed value, the step of connecting each respective input bit of the set number of input bits to the second input of a respective one of the full adder circuits, and the step of using the output of the carry chain of the array of the full adder circuits as the result of the logic function.例文帳に追加

前記方法は、前記全加算回路のそれぞれの第１の入力を同じ固定値に設定する工程と、前記所定の数の入力ビットをそれぞれ前記全加算回路の第２の入力に接続する工程と、前記全加算回路のアレイからなる桁上げチェーンの出力を前記論理関数の結果として用いる工程とを備える。 - 特許庁

In this semiconductor memory, the sense amplifier circuit amplifying a potential of bit lines BL, /BL in a memory cell array is constituted of a current mirror type amplifier(C-AMP) and a latch type amplifier(L-AMP) connected to the next stage of the sense amplifier.例文帳に追加

一方、ラッチ型センスアンプ回路は、高速で低消費電流であるという利点を有するものの、ビット線対の微小振幅をラッチ回路１段で増幅するため、プロセスばらつきによりセンスアンプ回路を構成するＭＯＳＦＥＴの特性がばらついたり内部ノードの寄生容量がアンバランスになると、安定した動作特性が得られ難いという問題点があった。 - 特許庁

The flash memory device includes: a memory cell array having memory cells arrayed on word lines and bit lines; a voltage generating circuit constituted so as to generate a program voltage to be applied to a selected word line; a program voltage controller constituted so as to variably control a start level of the program voltage to be applied to remaining pages of each word line by a programming characteristic of the first page of each word line.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置はワードラインとビットラインに配列されたメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたワードラインに印加されるプログラム電圧を発生するよう構成される電圧発生回路と、各ワードラインの一番目のページのプログラム特性により、各ワードラインの残りのページに適用されるプログラム電圧の開始レベルを可変制御するよう構成されるプログラム電圧制御器を含む。 - 特許庁

An imaging array 100 comprises a plurality of pixels 131, 134 each comprising a photo-diode 112 comprising first and second terminals, a local reset circuit 101 for connecting the first terminal to a column reset line 158 and a buffer circuit 116 for selectively connecting the first terminal to a column bit line 118 in response to a word select signal 121, and a column reset circuit 60.例文帳に追加

イメージングアレイ１００は、第１、第２の端子を備えるフォトダイオード１１２と、第１の端子を列リセットライン１５８に接続するためのローカルリセット回路１０１と、第１の端子をワード選択信号１２１に応じて列ビットライン１１８に選択的に接続するためのバッファ回路１１６とを備える複数のピクセル１３１、１３４と、列リセット回路６０とを備える。 - 特許庁

A plurality of BLC generating circuits 4 are provided correspondingly to respective control areas CA of the memory cell array 1, each of BLC generating circuits inputs the potential of a cell source line CELSRC in a corresponding control area, then individually generates and outputs the bit line control signal BLC in each control area in accordance with input voltage of the cell source line CELSRC in each control area.例文帳に追加

ＢＬＣ発生回路４は、メモリセルアレイ１の各制御領域ＣＡに対応して複数設けられ、各ＢＬＣ発生回路が、対応する制御領域内のセルソース線ＣＥＬＳＲＣの電位をそれぞれ入力し、入力された各制御領域内のセルソース線ＣＥＬＳＲＣの電圧に応じて各制御領域内のビット線制御信号ＢＬＣを個別に生成し出力する。 - 特許庁

In the case of read-out processing of a specific word, a defective bit replacement processing circuit 104 outputs READ DATA for x bits except data on the defective cells from RAW READ DATA for x+y bits of the specific word in the memory cell array 102 based on FAIL DATA which is position information of the defective cells of the specific word in the position information storage part 103.例文帳に追加

指定ワードの読み出し処理の場合、不良ビット代替回路１０４は、位置情報記憶部１０３内の指定ワードの不良セルの位置情報であるＦＡＩＬ ＤＡＴＡに基づいて、メモリセルアレイ１０２内の指定ワードのｘ＋ｙビット分のＲＡＷ ＲＥＡＤ ＤＡＴＡから不良セルのデータを除いたｘビット分のＲＥＡＤ ＤＡＴＡを出力する。 - 特許庁

To prevent propagation of a soft error between adjoining column groups in a static random access memory comprising a semiconductor substrate on which a first conductivity type common well is formed, and a memory cell array consisting of memory cells arranged in matrix in the common well on the semiconductor substrate, so that a group of memory cells connected with a common bit line while being arranged in the column direction forms a memory cell column.例文帳に追加

第１の導電型の共通ウェルが形成された半導体基板と、前記半導体基板上の前記共通ウェルに行列状に配列されたメモリセルよりなり、列方向に整列して共通のビット線に接続される一群のメモリセルがメモリセルカラムを形成するメモリセルアレイからなるスタティックランダムアクセスメモリにおいて、隣接カラム群間のソフトエラーの伝搬を抑制する。 - 特許庁

In this extremely fine magnetic recording medium and its manufacturing method, non-oxidized regions enclosed by oxidized regions and oxidized regions enclosed by non-oxidized regions are arranged as an array by applying oxidation processing to the surface of a substrate which consists of magnetic material whose magnetic property is changed by oxidation by using an atomic force microscope under a wet atmosphere, and 1-bit information is made recordable in each region.例文帳に追加

酸化により磁気特性の変化する磁性材料からなる表面に対して、湿潤雰囲気下で原子間力顕微鏡を用いて酸化処理を施すことにより、酸化領域に囲まれた未酸化領域又は未酸化領域に囲まれた酸化領域をアレイ状に配し、前記各領域に１ｂｉｔの情報を記録可能とした、極微細な磁気記録媒体およびその製造方法。 - 特許庁

The charge trap type 3-level nonvolatile semiconductor memory and its driving method are provided with a memory array including a plurality of memory elements capable of storing data in at least two charge trap areas in a current moving direction, and a page buffer driven to map a set of first to third bit data in the threshold voltage groups of the two charge trap areas constituting a set.例文帳に追加

本発明の電荷トラップ型の３−レベル不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法は、それぞれが電流の移動方向に沿って少なくとも二つの電荷トラップ領域にデータを記憶することができる複数のメモリ素子を持つメモリアレイと、一組の第１〜第３ビットのデータを、一組をなす二つの前記電荷トラップ領域のスレショルド電圧グループにマッピングするように駆動されるページバッファーとを備える。 - 特許庁

Concerning the semiconductor integrated circuit having a memory cell array 1, plural word lines 2, plural bit lines 8, a selector circuit 3 and plural sense amplifiers 4, this circuit is provided with plural sense amplifier enable signal lines 5 respectively individually connected to the plural sense amplifiers and a sense amplifier activate signal generating circuit 6 for independently outputting a sense-amplifier-enable signal at arbitrary timing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１と、複数のワード線２と、複数のビット線８と、セレクタ回路３と、複数のセンスアンプ４とを有する半導体集積回路において、複数のセンスアンプのそれぞれに個別に接続される複数のセンスアンプイネーブル信号線５と、複数のセンスアンプイネーブル信号線５に接続されて、独立的に任意のタイミングでセンスアンプイネーブル信号を出力するセンスアンプ活性化信号発生回路６とを備える。 - 特許庁

An exemplary apparatus includes a window comparator 14 operative to generate an output signal having a first value if the input signal is within a desired voltage region; a sampling device 16 operative to sample the output signal; an event array counter 24 representing the number of sampled inputs within one or more desired time offsets and the desired voltage regions; and a trigger processing circuit 26 operative to generate a bit offset signal that controls the counting.例文帳に追加

装置は、入力信号が所望の電圧範囲内にあるときに最初の値をもつ出力信号を発生するウィンドウコンパレータと、前記出力信号をサンプリングするサンプリングデバイスと、１或いはそれ以上の所望の時間オフセットと所望の電圧範囲内でサンプリングされた入力の数を表す事象アレイカウンタと、該カウントを制御するビットオフセット信号を発生するトリガー処理回路を含む。 - 特許庁

The device includes a window comparator operative to generate an output signal having a first value if the input signal is within a desired voltage region; a sampling device operative to sample the output signal; an event array counter representing the number of sampled inputs within one or more desired time offsets and the desired voltage regions; and a trigger processing circuit operative to generate a bit offset signal that controls the counting.例文帳に追加

装置は、入力信号が所望の電圧範囲内にあるときに最初の値をもつ出力信号を発生するウィンドウコンパレータと、前記出力信号をサンプリングするサンプリングデバイスと、１或いはそれ以上の所望の時間オフセットと所望の電圧範囲内でサンプリングされた入力の数を表す事象アレイカウンタと、該カウンタを制御するビットオフセット信号を発生するトリガー処理回路を含む。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device for programming memory cells which have a first or a second logic status, and for deleting them in sector units in accordance with input data having a plurality of bit information, the memory cell transistors of cell array block and transistors of column decoder block have a plurality of sectors which are formed by sharing a bulk area, to provide a sector structure formed of the shared bulk.例文帳に追加

第１または第２論理状態を有するメモリセルを、複数のビット情報を有する入力データに応じてプログラムしセクタ単位に消去する不揮発性半導体メモリ装置において、セルアレイブロックのメモリセルトランジスタとコラムデコーダーブロックのトランジスタが一つのバルク領域を共有して形成されたセクタを複数有し、共有バルクで形成されたセクタ構造を有する半導体メモリ装置とした。 - 特許庁

This device is provided with plural word lines, plural bit lines, plural cells, a memory cell array consisting of plural cell blocks provided with plural cell power lines supplying power source voltage to the cells, plural row decoders, and plural cell power relieving circuit cutting off selectively only connection of a cell power line supplying power source line to the defective cell and a power source when a defective cell in which standby current failure occurs exists.例文帳に追加

複数個のワードラインと、複数個のビットラインと、複数個のセルと、前記セルに電源電圧を供給する複数個のセルパワーラインを具備した複数個のセルブロックとからなるメモリセルアレイと、複数個のローデコーダー回路と、スタンバイ電流不良が発生した不良セルが存在する場合、前記不良セルに電源電圧を供給するセルパワーラインと電源との間のみを選択的に遮断する複数個のセルパワー救済回路とを備える。 - 特許庁