「bit array」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

An intermediate data generation part 100 reads out elements in a prescribed order from a zero bit plane number RAM 20 storing 256 array elements with 8-bit addresses added thereto in the order of, for example, raster scan, and writes a minimum value for each 2^(2n) elements to tag plane nRAMs 11 to 15.例文帳に追加

中間データ生成部１００は、例えばラスタスキャン順に８ビットのアドレスが付され２５６個の配列要素が格納されたゼロビットプレーン数ＲＡＭ２０から所定の順序で各要素を読み出し、それぞれ２＾(２ｎ)個毎の最小値をタグプレーンｎＲＡＭ１１〜１５に書き込む。 - 特許庁

When the memory cell array U is accessed, the reference cell RCELLL is selected; when the potential of the bit line BITLn is reduced to an L level, a pre-charge signal PCGU becomes the L level, a read operation from the memory cell array U is stopped, and the next precharging is performed.例文帳に追加

メモリセルアレイＵがアクセスされるときには、リファレンスセルＲＣＥＬＬＬが選択され、ビット線ＢＩＴＬｎの電位がＬレベルに低下すると、プリチャージパルス信号ＰＣＧＵがＬレベルになり、メモリセルアレイＵからの読み出し動作が停止するとともに次のプリチャージが行われる。 - 特許庁

A semiconductor memory device 1 is equipped with a memory sub array 51 where memory cells 10 are arranged in a matrix form, a sense amplifier array 52 that has a plurality of sense amplifying circuits 20 for amplifying the potential of a pair of bit lines BL and BLX, and a selector 53, that selects the plurality of sense amplifying circuits 20.例文帳に追加

半導体メモリ装置１は、メモリセル１０が行列状に配置されてなるメモリサブアレイ５１と、ビット線対ＢＬ、ＢＬＸの電位を増幅する複数のセンスアンプ回路２０を有するセンスアンプアレイ５２と、複数のセンスアンプ回路２０を選択するセレクタ５３とを有している。 - 特許庁

The parallel bit test method includes a step in which the test data are stored in the test data storage section, a step in which the test data and the inverted data of the test data are written in the memory cell array and a step in which decision is made to determine whether the data read from the memory cell array are the same as the test data and their inverted data or not.例文帳に追加

並列ビットテスト方法は、テストデータ貯蔵部にテストデータを貯蔵する段階、メモリセルアレイにテストデータやその反転されたデータをライトする段階、メモリセルアレイから読取りしたリードデータが前記テストデータやその反転されたデータと同じであるかを判断する段階を含む。 - 特許庁

A memory device comprises a memory cell array 1 in which the resistance change type memory cells M are arranged in a matrix, word lines W_1 to W_m, bit lines B_1 to B_n, plate electrode lines P_1 to P_n, and a transistor T.例文帳に追加

メモリ装置は、抵抗変化型のメモリセルＭがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ１と、ワード線Ｗ_1〜Ｗ_mと、ビット線Ｂ_1〜Ｂ_nと、プレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nと、トランジスタＴとを有する。 - 特許庁

A data storage device including the resistive cross point array (10) of a memory cell (12), a plurality of wordlines (14), a plurality of bit lines (16) and the sense amplifier (24) using a cross couple latching sense circuit is disclosed.例文帳に追加

メモリセル（１２）の抵抗性クロスホ゜イントアレイ（１０）と、複数のワート゛線（１４）と、複数のヒ゛ット線（１６）と、クロスカッフ゜ルラッチ型センス回路を利用するセンス増幅器（２４）とを含むテ゛ータ記憶装置が開示される。 - 特許庁

When the switch element S1 is opened to start a sense amplifier 6, the data read from the memory cell M02 to be stored in the bit line BL102 of the bottom array block is output to the outside of a flash memory.例文帳に追加

スイッチ素子Ｓ１を開いてセンスアンプ６を起動すれば、メモリセルＭ０２から読み出されてボトムアレイブロックのビット線ＢＬ１０２に保持されているデータを、フラッシュメモリの外部に出力することができる。 - 特許庁

Since the source side local bit lines are coupled to a ground node at their both ends, the memory cell source resistance is reduced and the in-array positional dependency of the source resistance of the memory cell is reduced.例文帳に追加

ソース側ローカルビット線がその両端で接地ノードに結合されるため、メモリセルソース抵抗を低減することができまた、メモリセルのソース抵抗のアレイ内位置依存性を低減することができる。 - 特許庁

A NAND flash memory device includes an array of NAND flash memory cells; a plurality of word lines connected to the NAND flash memory cells; and a plurality of bit lines connected to the NAND flash memory cells.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置はＮＡＮＤフラッシュメモリセルアレイ、ＮＡＮＤフラッシュメモリセルに接続された複数のワードライン、そしてＮＡＮＤフラッシュメモリセルに接続された複数のビットラインを含む。 - 特許庁

A refresh-array activation signal (RFACT) is activated conforming to refresh-request (PHY) and a specific address bit (QAD<11> or QAD<11:10>) of a refresh-address (QAD<11:0>).例文帳に追加

リフレッシュ要求（ＰＨＹ）とリフレッシュアドレス（ＱＡＤ＜１１：０＞）の特定のアドレスビット（ＱＡＤ＜１１＞またはＱＡＤ＜１１：１０＞）とに従ってリフレッシュアレイ活性化信号（ＲＦＡＣＴ）を活性化する。 - 特許庁

An error correction circuit 8 carries out error correction processing using the check bit to data read from the memory array 2b, and the data which have been subjected to error correction processing are rewritten again in the memory arrays 2a, 2b.例文帳に追加

誤り訂正回路８は、メモリアレイ２ｂから読み出されたデータに対して検査ビットを用いて誤り訂正処理し、誤り訂正処理したデータを再びメモリアレイ２ａ，２ｂに再書き込みする。 - 特許庁

At the time of a multi-bit test, An I/O combiner 50 degenerates data of a plurality of bits read out to pairs of data buses TDB0-TDB3 from a memory cell array MA in parallel and outputs them to a pair of data bus RTDB.例文帳に追加

マルチビットテスト時、Ｉ／Ｏコンバイナ５０は、メモリセルアレイＭＡから並列にデータバス対ＴＤＢ０〜ＴＤＢ３に読出された複数ビットのデータを縮退してデータバス対ＲＴＤＢへ出力する。 - 特許庁

In the magnetic memory, a plurality of magnetic domains are formed, there is a memory track in which a data bit comprising the magnetic domain can be stored in an array, and the memory track is made of an amorphous soft magnetic substance.例文帳に追加

複数のマグネチックドメインが形成され、該マグネチックドメインからなるデータビットがアレイに保存されうるメモリトラックを具備し、該メモリトラックは、非晶質軟磁性物質からなることを特徴とする磁気メモリである。 - 特許庁

In the semiconductor memory device and method, a flash memory cell array fabricated in a well is included together with memory cells in the same column connected to each other in series and connected to respective bit lines.例文帳に追加

半導体メモリデバイス及び方法は、お互いに連続して接続され、それぞれのビット線に接続された同一の列におけるメモリセルとともに、ウェル内に形成されたフラッシュメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

Each memory segment 11 has a second data bus DQAn including a larger number of signal lines than the first data bus DQn wherein the signal lines are connected with respective bit lines of a memory sub-array 13.例文帳に追加

各メモリセグメント１１は第１のデータバスＤＱｎよりも信号線の本数が多い第２のデータバスＤＱＡｎを備え、この信号線はメモリサブアレイ１３のビット線とそれぞれ接続されている。 - 特許庁

Consequently, the top position of the header part can be easily specified by retrieving a marker value on which a bit array is not overlapped and the header part can be arranged on an optional position in the memory.例文帳に追加

これにより、ビット配列が重複していないマーカの値を検索することで、ヘッダ部の先頭位置を容易に特定することが可能となり、メモリ内の任意の位置にヘッダ部を配置することが可能となる。 - 特許庁

To provide a NAND type memory array in which a speed in the case of reading can be prevented from lowering by separating a well and a bit line, a reading method, a programming method and an erasing method using the same.例文帳に追加

ウェルとビットラインを分離させて読出時の速度遅延を防止することが可能なＮＡＮＤ型メモリアレイ及びこれを用いた読出方法、プログラム方法及び消去方法を提供すること。 - 特許庁

When converting a multi-level image (200) into a halftone image (300) using bit mask array (350-0 to 350-255), the halftone image (300) that suppresses the occurrence of a small isolated print region or no-print region is generated.例文帳に追加

ビットマスク配列（350-0から350-255まで）を使って、マルチレベル画像（200）をハーフトーン画像（300）に変換する際、孤立した小さな印刷領域や非印刷領域の発生を抑制するハーフトーン画像（300）が生成される。 - 特許庁

A DDR memory is constituted of a data input circuit 9 for DDR only, a data input circuit 10 for SDR only, a word line control circuit 21, a bit line control circuit 22, and a memory cell array 23.例文帳に追加

ＤＤＲメモリは、ＤＤＲ専用データ入力回路９、ＳＤＲ専用データ入力回路１０、ワード線制御回路２１、ビット線制御回路２２、及び、メモリセルアレイ２３で構成される。 - 特許庁

Each cell array includes a plurality of word lines WL, a plurality of bit lines BL disposed to cross these word lines WL, and cells in each of which a non-ohmic element SD and a variable resistance element VR are connected in series.例文帳に追加

セルアレイは、複数のワード線ＷＬと、ワード線ＷＬと交差する複数のビット線ＢＬと、非オーミック素子ＳＤと可変抵抗素子ＶＲが直列接続されたセルとを有する。 - 特許庁

To efficiently suppress a leak current between bit lines and between word lines in a semiconductor integrated circuit device of a virtual ground array in which non-volatile semiconductor storage elements are arranged in matrix.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶素子がマトリックス状に配置されている仮想グラウンドアレイの半導体集積回路装置において、ビット線間およびワード線間のリーク電流を効率よく抑制する。 - 特許庁

According to the mentioned RTL description, logic composition is performed while the code data are selectively compared to generate the logic circuit diagram excluding the logic gate by the unused bit array.例文帳に追加

比較処理の必要性の有無を示したＲＴＬ記述に基づいて、選択的にコードデータの比較処理を行いつつ論理合成し、使用しないビット列による論理ゲートを省いた論理回路図を生成する。 - 特許庁

This integrated circuit 200 has a memory array, of which memory cells 205, 206 are constituted so that a plurality of common bit lines 207 are used in common with many electrically insulated semiconductor regions.例文帳に追加

メモリアレイを有する集積回路２００であり、そのメモリセル２０５，２０６は、電気的に絶縁された多数の半導体領域で複数の共通ビット線２０７を共有するように構成されている。 - 特許庁

To further improve access speed in a semiconductor memory adopting a late select system to which a lower order bit selecting way of a memory cell array out of read-out addresses is inputted late.例文帳に追加

読出しアドレスのうちメモリセルアレイのウェイを選択する下位ビットが遅れて入力されるレイトセレクト方式を採用した半導体記憶装置において、アクセス速度のさらなる向上を図ることにある。 - 特許庁

At the same time, an equalized error vector is computed from the target signal derived from the binary bit array and the reproduced signal, and the inner product of the equalized error vector and the selected error vector is operated.例文帳に追加

また、評価ビット列に対応する目標信号と、２値化ビット列から生成される目標信号から得られるエラーベクトルを予め用意しておき、判定処理結果によってそれらを選択する。 - 特許庁

A multiplication array 3 in m * n bit configuration performs fixed point multiplication by inputting all the bits of first m bit fixed point data (D1) and the lower n bits of second m bit fixed point data (D2), and calculates two intermediate products N1 and N2 for acquiring the multiplication result of m+n-1 bits, and outputs those intermediate products N1 and N2.例文帳に追加

ｍ＊ｎビット構成の乗算アレイ３は、固定小数点乗算時に、第１のｍビット固定小数点データ（Ｄ１）の全ビットおよび第２のｍビット固定小数点データ（Ｄ２）の下位ｎビットを入力として乗算を行い、ｍ＋ｎ−１ビットの乗算結果を得るための２個の中間積Ｎ１およびＮ２を算出し、当該中間積Ｎ１およびＮ２を出力する。 - 特許庁

The memory array is provided with a plurality of writing lines operatively coupled to the memory cells for selectively writing the logical states of one or more memory cells in the memory array and a plurality of bit lines and word lines operatively coupled to the memory cells for selectively reading and writing the logical states of one or more memory cells in the memory array.例文帳に追加

メモリアレイは、さらに、メモリアレイ内の１つまたはそれ以上のメモリセルの論理状態を選択的に書き込むために、メモリセルに動作できるように結合している複数の書き込み線と、メモリアレイ内の１つまたはそれ以上のメモリセルの論理状態を選択的に読み出しおよび書き込むために、メモリセルに動作できるように結合している複数のビット線およびワード線を備える。 - 特許庁

The present invention includes a cell array 11a, a plurality of word lines WLi, a plurality of bit lines BLi, a plurality of switching circuits SWi for column selection whose end nodes are connected to the corresponding bit lines, respectively, and a leakage current compensating circuit 12 whose output node is connected to other ends of the switching circuits.例文帳に追加

セルアレイ11aと、複数のワード線WLiと、複数のビット線BLiと、各ビット線に対応して設けられ、各一端ノードが対応するビット線へ接続されたカラムセレクト用の複数のスイッチング回路SWiと、スイッチング回路の他端ノードに共通に出力ノードが接続されたリーク電流補償回路12とを具備する。 - 特許庁

The array further includes at least one global write digit line coupled to the common local write digit lines of a plurality of row groups, and at least one global write bit line coupled to the common local write bit lines of a plurality of column groups.例文帳に追加

本アレイは、更に、複数個の行グループの共通の局所的書込デジット線へ結合している少なくとも１本のグローバル書込デジット線を包含しており、且つ複数個の列グループの共通の局所的書込ビット線へ結合している少なくとも１本のグローバル書込ビット線を包含している。 - 特許庁

The playback apparatus detects data array section, showing silence from the one-bit audio signal of an original data and sums an analog data into which the data reversed from that in the detected section has been D/A converted, so that an analog data, into which the one-bit audio signal of the original data has been D/A converted, attenuate with the amplitude being a half.例文帳に追加

元データの１ビットオーディオ信号から無音を示すデータ配列区間を検出し、該検出された区間のデータを反転させたデジタルデータをＤＡ変換したアナログデータと、元データの１ビットオーディオ信号をそのままＤＡ変換したアナログデータとを加算し、振幅が１／２となるように減衰する。 - 特許庁

There are detected a first compression method with highest compression efficiency in compression methods X for compressing the data file in view of the array of bit patterns and a second compression method with highest compression efficiency in compression methods Y for compressing the data file in view of a frequency of generation of the bit patterns (S103).例文帳に追加

ビットパターンの配列に着目して圧縮を行う圧縮方式Ｘの中で最も圧縮効率の高い第１圧縮方式と、ビットパターンの発生頻度に着目して圧縮を行う圧縮方式Ｙの中で最も圧縮効率が高い第２圧縮方式をとを検出する（Ｓ１０３）。 - 特許庁

After values of respective samples are converted into predicted error values by linearly predicting the time-series signal consisting of a time-series sample array, high-order bits and low-order bits of the respective samples are separated; and high-order bit components are encoded with variable length and low-order bit components are encoded with fixed length to perform compression.例文帳に追加

時系列のサンプル列で構成される時系列信号に対して線形予測を行って、各サンプルの値を予測誤差値に変換した後、各サンプルの上位ビットと下位ビットを分離し、上位ビット成分は可変長で符号化し、下位ビット成分は固定長で符号化することにより、圧縮を行う。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes: a memory cell array MA in which the memory cells MC configured of a series connection of diodes Di and variable resistors VR are arranged at crossing parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL; and a control circuit for alternatively driving the bit line BL and the word line WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬを選択駆動する制御回路とを備える。 - 特許庁

A pair of bit lines are connected to a sense amplifier through an N channel type transistor, memory cells constituting a memory cell array are connected to the bit line pair, and the gate voltage of the N channel type transistor is set lower than a voltage obtained by adding the threshold value voltage amount of the N channel type transistor to the driving voltage of the memory cells.例文帳に追加

センスアンプは、センスアンプに一対のビット線対がＮチャネル型トランジスタ対を介して接続され、ビット線対には、メモリセルアレイを構成するメモリセルが接続され、Ｎチャネル型トランジスタのゲート電圧は、メモリセルの駆動電圧にＮチャネル型トランジスタのしきい値電圧分を加えた電圧よりは低い電圧に設定されている。 - 特許庁

Fixed data can be stored previously in a non-volatile region by constituting arbitrarily the number of transistors of a floating gate type for one bit by the number of contacts, the memory array can be also used for a mask ROM storing the loader program or the like, then the non-volatile memory array in which the chip area is reduced can be realized.例文帳に追加

１ビットに対するフローティングゲート型トランジスタ数をコンタクト数により任意に構成することによって、あらかじめ不揮発性領域内に固定データを格納することができ、ローダプログラム等を格納したマスクＲＯＭに兼用することができてチップ面積を削減した不揮発性メモリアレイを実現することができる。 - 特許庁

In each memory cell unit, a memory cell array consisting of a series connection in the array direction of a predetermined number of memory cell transistors MC capable of electrical writing and erasure of data has one end connected with a bit line BL through a first select gate transistor and the other end connected with a source line SL through a second select gate transistor SGS.例文帳に追加

各メモリセルユニットは、電気的なデータの書き込みおよび消去が可能な所定個のメモリセルトランジスタＭＣを列方向に直列に接続したメモリセル列の、その一端が第１の選択ゲートトランジスタを介してビット線ＢＬに接続され、他端が第２の選択ゲートトランジスタＳＧＳを介してソース線ＳＬに接続されている。 - 特許庁

When reduction of drain voltage is caused in the center of a memory cell array 101 due to voltage drop in bit lines B0 to B4, a voltage correcting circuit 102 correcting gate voltage applied to the memory cells 103a, 103b in accordance with a position of a memory cell is arranged between the memory cell array 101 and a word line driving circuit 104.例文帳に追加

ビット線Ｂ０〜Ｂ４における電圧降下によりメモリセルアレイ１０１の中央でドレイン電圧の低下が発生する場合、メモリセル１０３ａ，１０３ｂに印加するゲート電圧をメモリセル位置に応じて補正する電圧補正回路１０２を、メモリセルアレイ１０１とワード線駆動回路１０４との間に介在させる。 - 特許庁

This system comprises first resistance specification test circuits 108, 300, 400 which are connected to bit lines of a memory array 102, test resistance of each memory cell 310, 410 in the memory array 102, and decide whether the resistance is in a range of the highest limit and the lowest limit or not.例文帳に追加

メモリアレイ１０２のビット線に連結し、メモリアレイ１０２内の各メモリセル３１０、４１０の抵抗を試験し、その抵抗が所定の上限および下限内にあるか否かを決定する第１の抵抗仕様試験回路１０８、３００、４００を含んでいる磁気抵抗メモリアレイ集積回路用の組み込み自己試験システムを提供する。 - 特許庁

According to the bit array of a given command code, it is decided which of repetition, copy, and substitution of raw data exists and according to the result, the respective data lengths of the repetition, copy, and raw data are calculated.例文帳に追加

与えられたコマンドコードのビット列に基づき、該ビット列の繰り返し、複写、生データの置換とのいずれに該当するかを判定し、その結果に基づき、繰り返し、複写、生データそれぞれのデータ長さを算出する。 - 特許庁

The means for measuring the prescribed length mark signal detects a specified pattern containing the 2T mark from the bit array pattern of information data, and measures a 2T mark amplitude value only corresponding to the 2T mark contained in the specified pattern.例文帳に追加

所定長マーク信号測定手段は、２Ｔマークを含む特定パターンを情報データのビット配列パターンから検出して、特定パターンに含まれる２Ｔマークにのみ対応する２Ｔマーク振幅値を測定する。 - 特許庁

By increasing pitches of the word lines and the bit lines, adverse influence of the proximal effect can be reduced which is caused by the high density characteristics of the array contacting relatively open characteristics of the adjacent peripheral circuit.例文帳に追加

ワード線及びビット線のピッチの増加により、配列の稠密な特徴が隣接した周辺回路の比較的開放した特徴と接することが原因で生ずる近接効果の悪い結果を小さくすることが出来る。 - 特許庁

Since a laser printer is bad at drawing a halftone image consisting of a small isolated print region and non-print region, the bit mask array (350-0 to 350-255) is especially appropriate to be used on such laser printers (28 and 32).例文帳に追加

レーザープリンタは、孤立した小さな印刷領域や非印刷領域からなるハーフトーン画像を描画するのを不得手としており、このビットマスク配列（350-0から350-255まで）は特にそのようなレーザープリンタ（28, 32）の使用に適している。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a memory cell array on which a memory cell MC is disposed and a control circuit 104 for applying a voltage to a bit line 4 and a word line 3 so that a predetermined potential difference is given to the selection memory cell MC.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルＭＣが配置されたメモリセルアレイと、選択メモリセルＭＣに所定の電位差がかかるよう、ビット線４及びワード線３に電圧を印加する制御回路１０４とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage capable of reducing power consumption by charge/discharge currents, such as a bit line, and power consumption by the gate leak current of a memory cell in a unselective array.例文帳に追加

ビット線などの充放電電流による消費電力を低減させるとともに、非選択列におけるメモリセルのゲートリーク電流による消費電力を低減させることも可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Then a distance deciding table is read (112); the distance corresponding to the calculated error bit rate is decided from the read distance decision table; and the distance of the light transmitter to the LED array is measured (114).例文帳に追加

そして、距離決定テーブルを読み込み（１１２）、読み込んだ距離決定テーブルから、算出された誤りビット率に対応する距離を決定し、光送信装置のＬＥＤアレイまでの距離を計測する（１１４）。 - 特許庁