「bit array」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, in an extended direction of bit line BL, arranging interval of memory cells MC in the memory cell array 110 to 116 can be narrowed, thereby providing a ferroelectric memory device with high density integration.例文帳に追加

従って、ビット線ＢＬの延在方向において、メモリセルアレイ１１０〜１１６におけるメモリセルＭＣの配置間隔を狭くすることができるので、集積度が高い強誘電体メモリ装置を提供することができる。 - 特許庁

NMOSFETs 49 and 50, which are used to connect a pair of complementary bit line 15 extending from a subarray 32 and a sense amplifier 24a, are arranged on the opposite side of a sub array 32, which is not from the input side of the sense amplifier 25Pa.例文帳に追加

サブアレイ３２から延びる一対の相補ビット線１５とセンスアンプ２５Ｐａとを接続するためのＮＭＯＳＦＥＴ４９，５０を、センスアンプ２５Ｐａの入力側よりもサブアレイ３２とは反対側に配置する。 - 特許庁

By this array structure, reading and writing speeds can be maintained even if the device is miniaturized by reading data from the bit line side and writing data by controlling the voltages of the source lines.例文帳に追加

このアレイ構造により、データの読み出しをビット線側から行ない、データの書き込みをソース線電圧の制御により行なうことにより、装置が微細化しても読み出し速度と書き込み速度を維持することができる。 - 特許庁

The MRAM includes a memory cell array having magnetic memory cells arranged in lines and columns at intersection of word, bit and digit lines, and a sense amplifier for sensing data stored in a selected magnetic memory cell.例文帳に追加

ＭＲＡＭは、ワードライン、ビットライン、及びデジットラインの交差点に行及び列に配列されたマグネチックメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたマグネチックメモリセルに貯蔵されたデータを感知する感知増幅器とを含む。 - 特許庁

Between a memory array 6 and a bias supply circuit 1, a load resistance changeover circuit 2 is arranged for the purpose of adjusting the differences in bit line load resistance dependent on the arranged positions of memory cells MCm, n so as to relax or equalize the differences.例文帳に追加

メモリアレイ６とバイアス供給回路１との間には、メモリセルＭＣｍ、ｎの配置位置に依存するビット線負荷抵抗の違いを緩和または同一にするように調整するために負荷抵抗切替回路２が設けられている。 - 特許庁

As a mask for forming the lamination gate of a memory cell array is used to perform an SAS etching process, another mask for the SAS etching process is unwanted and a process margin in a bit line contact region can be ensured.例文帳に追加

メモリセルアレーの積層ゲートを形成するためのマスクを用いてＳＡＳエッチング工程を行うので、別途のＳＡＳエッチング工程用のマスクを必要とせず、ビットラインコンタクト領域における工程マージンを確保することができる。 - 特許庁

The etching is continued to a microcrystallized region of an array region 30 of the substrate, and formed with a borderless contact opening between the gate stacks 12 corresponding to the line interconnection such as an opening of the bit line or the like.例文帳に追加

エッチングは、基板のアレイ領域３０における微細結晶化された領域まで連続されて、ライン相互結線、例えばビットラインなどの開口に対応したゲート・スタック１２の間において、ボーダレス・コンタクト用開口を形成している。 - 特許庁

To reduce the number (n) of transistors being connected in series and each deciding a resistance value in a current path and the number (m) of bank selecting lines per bit contact by changing constitution of a memory cell array in a NOR type cell for mask ROM.例文帳に追加

マスクROM用NOR型セルにおいて、メモリセルアレイの構成を変更することによって、それぞれ前記電流経路中の抵抗値を決める直列接続のトランジスターの数(n)とビットコンタクト当たりのバンク選択線の本数(m)を削減する。 - 特許庁

The semiconductor storage circuit 100 includes a memory cell array 110 that has plural multi-bit-type memory cells, multiplexers 120 including two multiplexers MUX0 and MUX1, and sense amplifiers 130 including two sense amplifiers SA0 and SA1.例文帳に追加

半導体記憶回路１００は、マルチビット型のメモリセルを複数備えたメモリセルアレイ１１０、ＭＵＸ０とＭＵＸ１の２つのマルチプレクサを含むマルチプレクサ１２０、ＳＡ０とＳＡ１の２つのセンスアンプを含むセンスアンプ１３０で構成される。 - 特許庁

A ferroelectric memory device is provided with a substrate, plural ferroelectric memory cells arranged like an array including plural columns on the substrate, and a bit line extended to the column direction to which the ferroelectric memory cells in the same column are connected.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、基板と、基板上で複数カラムを含むアレイ状に配置される複数の強誘電体メモリセルと、カラム方向に延び、同一カラム内にある強誘電体メモリセルが接続されるビット線とを備える。 - 特許庁

A ratio of a parity bit for user data written in a memory cell array 201 is reduced by making the number of bits of data input to the ECC circuit 205 exceed the number of bits of data input from the outside for writing.例文帳に追加

ＥＣＣ回路２０５に入力されるデータのビット数を、書き込みのため外部から入力されるデータのビット数よりも多くすることにより、メモリセルアレイ２０１に書き込まれるユーザデータに対するパリティビットの比率を低減させる。 - 特許庁

It is an object of the selection transistor to reduce total capacitance of the bit line or control gate line, or to reduce disturbing conditions to which a sub array in which cells are grouped may be subjected during programming and/or deleting.例文帳に追加

選択トランジスタの目的は、ビット線又はコントロールゲート線の全体的キャパシタンスを低減すること、又はセルをグループ化したサブアレーが、プログラム及び／又は消去の間に受けるうる擾乱条件を抑制することになるであろう。 - 特許庁

To provide a memory device in which data stored in a memory cell array are compared with test data stored in the memory device or inverted data of the test data to detect defect of the memory device and to provide a parallel bit test method of the memory device.例文帳に追加

メモリセルアレイに貯蔵されたデータをメモリ装置の内部に貯蔵されたテストデータまたはテストデータの反転データと比較してメモリ装置の不良を検出するメモリ装置及びこの装置の並列ビットテスト方法を提供する。 - 特許庁

A concealment and reading comparison circuit is connected between the detection circuit and the writing driver, and connects an error flag to the control logic circuit in response to comparison between a data bit in an input latch and a data out read from the memory array.例文帳に追加

隠し読出し比較回路は、検知回路と書込みドライバとの間に結合され、入力ラッチ内のデータビットとメモリアレイから読み出されたデータアウトとの間の比較に応答してエラーフラグを制御ロジック回路に結合する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡを備える。 - 特許庁

In this state, information is written in the recording medium by driving to properly open or close a lid 3 disposed on each minute aperture 2 according to the bit pattern of the information to be recorded while the array plate is irradiated with light from a light source.例文帳に追加

この状態で光源から光を照射しつつ、各微小開口２毎に設けられた蓋３を、記録しようとする情報のビットパターンに応じて適宜開閉駆動することにより、記録媒体５に情報を書き込む。 - 特許庁

The memory cell array 4 stores and holds data in a plurality of magnetoresistive elements connected to a word line WLy (y=0, 1, ..., 2n, 2n+1, ...), and a bit line BLix, and a source line SLix (i=0, 1, ..., m, ..., M; x=0, 1).例文帳に追加

メモリセルアレイ４は、それぞれワード線ＷＬｙ（ｙ＝０，１，…２ｎ，２ｎ＋１，…）、ビット線ＢＬｉｘ及びソース線ＳＬｉｘ（ｉ＝０，１，…，ｍ，…，Ｍ；ｘ＝０，１）に接続された複数の磁気抵抗素子に対してデータを記憶保持する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which enables to construct a hierarchical input/output line structure regardless of the number of sub-arrays, to reduce a chip size, and to retain the continuity among a memory cell array, a bit line sense amplifier, and a column decoder.例文帳に追加

サブアレイの数に関係なく階層型入出力ライン構造を構成でき、チップサイズを小さくすることができ、しかもメモリセルアレイ、ビットラインセンス増幅器およびカラムデコーダの連続性を保持できる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The selective transistor has a double-layer gate electrode structure composed of a charge store electrode 2 and a control electrode 4, the unit array of memory transistors is connected to source lines 12 and bit lines 7 via the memory transistors.例文帳に追加

メモリトランジスタと選択トランジスタとは、電荷蓄積電極２及び制御電極４からなる２層ゲート電極構造を有し、選択トランジスタを介してメモリトランジスタの単位列をソース線１２及びビット線７に接続している。 - 特許庁

The K-bit prefetch section decodes a column address in response to a second clock for accessing the memory cell array, and prefetches K data corresponding to the column address decoded from the memory cell connected to the activated word line.例文帳に追加

Ｋビットプリフェッチ部は、前記メモリセルアレイにアクセスするための第２クロックに応答してカラムアドレスをデコーディングして前記活性化されたワードラインに連結されたメモリセルから前記デコーディングされたカラムアドレスに対応するＫ個のデータをプリフェッチする。 - 特許庁

In a method for imaging the printing form 10 by using at least one controllable light source, a plurality of picture spots 20 are produced in a plurality of parts on the form in accordance with the bit array image data by a controlled effect of light with respect to the form.例文帳に追加

版に対する光の制御された作用によって、ビットアレイの画像データに従って版の複数の部位に複数の画点２０を生成する、少なくとも１つの制御可能な光源を用いて版１０に画像付けをする。 - 特許庁

In the semiconductor memory device which reserves the repair information while avoiding the memory cell of a defective bit and the driving method thereof, the semiconductor memory device comprises a memory array where a partial area is assigned to a repair information area and a data input/output part driven so as to read an information packet to be cooperated by a cooperated bit address of an information packet to be read.例文帳に追加

欠陥ビットのメモリセルを避けてリペアー情報を保存する半導体メモリ装置及びその駆動方法であって、この半導体メモリ装置は、一部領域がリペアー情報領域に割り当てられるメモリアレイと、読み出される情報パケットの連携ビットアドレスによって、連携される情報パケットを読み出すように駆動されるデータ入出力部とを含む。 - 特許庁

The printing system has a discriminating part for discriminating whether a drawing command array converted from an original by a host computer is a drawing command for a photograph and graphics part or a drawing command for the character part, and a bit map generation process part for forming a bit map by applying each optimum dithering in conformity with the discrimination result by the discriminating part.例文帳に追加

本発明のプリントシステムは、ホストコンピュータで原稿を変換した描画コマンド列が写真及びグラフィックス部の描画コマンドであるか、又は文字部の描画コマンドであるかを判別する判別部と、判別部による判別結果に応じた各々最適なディザを適応してビットマップを作成するビットマップ生成処理部とを有する。 - 特許庁

Upon receiving the interruption request signal 18a, the CPU 7 performs interruption processing once and transfers data corresponding to nozzles of lateral 8 bit × longitudinal 1 nozzle array from an image buffer 5C to the head data processing circuit 17 during the interruption processing.例文帳に追加

この割り込み要求信号１８ａを受けてＣＰＵ７は、１回の割り込み処理を行い、この１回の割り込み処理の中で、イメージバッファ５Ｃからヘッドデータ処理回路１７に、横８ビット×縦一ノズル列のノズル数分のデータをすべて転送する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes the sense amplifier, a plurality of memory cell arrays, a shared MOS transistor for connecting or disconnecting bit lines provided in the sense amplifier and the memory cell array, and a control circuit for controlling the operation of shared MOS transistor.例文帳に追加

半導体記憶装置は、センスアンプと、複数のメモリセルアレイと、センスアンプとメモリセルアレイが備えるビット線間を接続または切断するためのシェアードＭＯＳトランジスタと、シェアードＭＯＳトランジスタの動作を制御するための制御回路とを有する。 - 特許庁

The memory cell array of the non-volatile semiconductor memory comprises a plurality of gate electrodes arranged in rows, bit lines D1, D2, D3, and D4 and source lines S1, S2, S3, and S4 which are arranged in columns, and memory cells having a floating gate.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイは、行方向に配置された複数のゲート電極と、列方向に配置されたビット線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４とソース線Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と、フローティングゲートを有するメモリセルとを備えている。 - 特許庁

This method writes the same data in all or some of the memory cells in the memory cell array by applying the predetermined row voltage to the word lines WL0-3, and the predetermined column voltage to the bit lines BL0-3, respectively at the same time.例文帳に追加

複数のワード線ＷＬ０〜３に所定の行電圧を、複数のビット線ＢＬ０〜３に所定の列電圧を、夫々同時に印加することにより、メモリセルアレイ中の全てまたは一部の複数メモリセルに対して同じデータを同時に書き込む。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes word lines WLj and bit lines BLi which are formed to cross each other, and a memory cell array including memory cells MC disposed at crossing sections of these lines and configured by connecting diodes DI and variable resistors VR in series.例文帳に追加

互いに交差するように形成されたワード線ＷＬｊ及びビット線ＢＬｉと、これら配線の各交差部に配置され、ダイオードＤＩと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

Reference potential precharge of a memory cell array 1 is performed by selecting a bit line BL by turning on a reference potential control transistor SDT in which a gate is connected to the reference potential control line SDAL connected to a control circuit 3.例文帳に追加

メモリセルアレイ１の参照電位プリチャージは、制御回路３に接続される参照電位制御線ＳＤＡＬにゲートが接続される参照電位制御トランジスタＳＤＴのオンすることにより、ビットラインＢＬが選択され、実行される。 - 特許庁

The reference potential precharge of a memory cell array 2 is performed by selecting the bit line BL by turning on a reference potential control transistor SDT in which a gate is connected to the reference potential control line SDBL connected to a control circuit 3.例文帳に追加

メモリセルアレイ２の参照電位プリチャージは、制御回路３に接続される参照電位制御線ＳＤＢＬにゲートが接続される参照電位制御トランジスタＳＤＴのオンすることにより、ビットラインＢＬが選択され、実行される。 - 特許庁

A memory cell array comprises a plurality of pairs of bit lines BL1, ... and control lines CL1, ... formed parallel to a channel on a substrate.例文帳に追加

メモリセルアレイ部は、基板上においてチャネルと平行に形成された複数対のビット線ＢＬ１，・・・及び制御線ＣＬ１，・・・を有し、これらの各対のビット線ＢＬ１，・・・及び制御線ＣＬ１，・・・の間に、複数個の２トランジスタ構成のメモリセル１０，・・・がそれぞれ配置されている。 - 特許庁

Among them, M and N are natural numbers, and the second storage cells and the first transistors control whether the open circuit is formed between the corresponding bit line and sense amplifier, or not, and a write-in of a test result of the nonvolatile memory array is carried out by the second transistor and the enable line.例文帳に追加

その中で、ＭとＮは自然数であって、第２記憶セルと、第１トランジスタは、対応するビット線とセンス増幅器の間が開路であるか否かを制御し、第２トランジスタとエネイブル線とは、不揮発性メモリアレイのテスト結果を書き込む。 - 特許庁

Thus, when the signal lines for transmitting the data are arrayed similarly to the bit array of D4-D0, in the case that the respective signal lines are disconnected or short- circuited the start mark 31 and the end mark 35 can not be normally received on the sub substrate.例文帳に追加

よって、かかるデータを送信する信号線がＤ４〜Ｄ０のビット配列と同様に配列されていれば、各信号線に断線や短絡がある場合、サブ基板ではスタートマーク３１及びエンドマーク３５を正常に受信することができない。 - 特許庁

In a data storage table 11A, monitored data is added and stored time sequentially only when the monitored data is different from the preceding value, and in a management table 11B, whether the monitored data is the same as or different from the preceding value is stored with a bit array in each input cycle of the monitored data.例文帳に追加

データ格納表１１Ａには、監視データを時系列順で前回値と異なる場合のみ追加した格納をし、管理表１１Ｂは監視データの入力周期ごとに前回値と同じであるか異かをビット配列で格納する。 - 特許庁

Accordingly, in the case where the signal line for transmitting the data is arranged similarly to the bit array of D4 to D0, when breakage or short-circuit occurs in each signal line, the sub-board can't normally receive the start mark 31 and the end mark 35.例文帳に追加

よって、かかるデータを送信する信号線がＤ４〜Ｄ０のビット配列と同様に配列されていれば、各信号線に断線や短絡がある場合、サブ基板ではスタートマーク３１及びエンドマーク３５を正常に受信することができない。 - 特許庁

The two signal lines of the M/2 bit signal line bits are wired so that the number of the signal lines is reduced as the signal lines recede from the respective start points and the remaining signal lines are biassed along with this to be shifted closer to the array of the heater element.例文帳に追加

当該２つのＭ／２ビットの信号線ビットの信号線を、それぞれの始点から遠ざかるに従って数を減じて行き、これに伴って残余の信号線が偏倚して発熱素子の配列に近くづいてゆくよう配線する。 - 特許庁

This DRAM drives nodes N28, N29, namely, a pair of bit lines BL, /BL connected to a read-out column selection gate 23 by a power source voltage VDDS for array, and drives a read-out column selection line CSLR by a power source voltage VDDS for a peripheral circuit.例文帳に追加

このＤＲＡＭは、読出列選択ゲート２３に接続されるノードＮ２８，Ｎ２９すなわちビット線対ＢＬ，／ＢＬをアレイ用電源電圧ＶＤＤＳで駆動し、読出列選択線ＣＳＬＲを周辺回路用電源電圧ＶＤＤで駆動する。 - 特許庁

A memory cell array 1 has a plurality of memory cells that stores a plurality of bits in one memory cell by a difference in threshold voltage and is constituted by arranging the memory cells in matrix by word lines in row direction and bit lines in line direction.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、閾値電圧の差により１つのメモリセルに複数ビットを記憶することが可能な複数のメモリセルを持ち、前記メモリセルが行方向のワード線と列方向のビット線によりマトリクス状に配置されることで構成される。 - 特許庁

In a variable resistance memory, power source voltage and/or substrate bias of digit line drive circuits (3a, 3b), word line drive circuits (2a, 2b), and bit line drive circuits (4a, 4b) to a memory cell array (1) are varied in accordance with an operation mode.例文帳に追加

抵抗値可変型メモリにおいて、メモリセルアレイ（１）に対するデジット線駆動回路（３ａ，３ｂ）およびワード線駆動回路（２ａ，２ｂ）およびビット線駆動回路（４ａ，４ｂ）の電源電圧および／または基板バイアスを、動作モードに応じて変更する。 - 特許庁

A communication error detecting part 2 is provided with a header analysis part 3 for analyzing whether or not a specific bit array predetermined between a transmitter 4 and a receiver 1 for transmitting and receiving communication data with each other is included in a header part of the communication data.例文帳に追加

通信エラー検出部２は、互いに通信データの送受信を行う送信機４と受信機１との間で予め定められた特定のビット配列が、通信データのヘッダ部に含まれているか否かを解析するヘッダ解析部３を備えている。 - 特許庁

A data storage circuit is connected to the bit line, and when threshold voltage of 2^k pieces (k: natural number) are set to respective memory cells in the memory cell array, the data storage circuit has at least one static latch circuit storing write-in data and a plurality of dynamic latch circuits.例文帳に追加

データ記憶回路は、ビット線に接続され、メモリセルアレイ内の各メモリセルに２^ｋ個（ｋは自然数）の閾値電圧を設定する場合、書き込みデータを記憶する少なくとも１つのスタティックラッチ回路と、複数のダイナミックラッチ回路とを有している。 - 特許庁

A method of reading a flash memory device divides a plurality of page buffers connected to a memory cell array through a lot of bit lines into at least two groups, sequentially shifts a point in time to drive the page buffers on a group unit and reads the storage status of each cell.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の読出し方法は、多数のビットラインを介してメモリセルアレイに連結された複数のページバッファを少なくとも２つのグループに分割し、ページバッファをグループ単位で順次時点をずらして駆動し、各セルの記憶状態を読み出す。 - 特許庁

Consequently, the wiring length of a bit line in a memory array is shortened and load capacity is reduced, and at the same time, the current consumption can be made constant in data reading or writing from/to memory cells of a variety of addresses within the memory.例文帳に追加

このようにすることで、メモリアレイにおけるビット線の配線長を短縮し、負荷容量を軽減すると同時に、メモリ内のあらゆるアドレスのメモリセルに対するデータ読み出しもしくは書き込みにおいて、消費電流を一定にできる。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a memory cell array MA having memory cells MC arranged therein at respective intersections between bit lines BL and word lines WL, a plurality of memory blocks 1 in which the memory cell arrays MA are laminated, and a control circuit configured to apply a voltage to a selected memory cell MC positioned at an intersection between the selected bit line BL and the selected word line WL so that a certain potential difference is applied thereto.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルＭＣがビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、メモリセルアレイＭＡが積層された複数のメモリブロック１と、選択ビット線ＢＬ及び選択ワード線ＷＬの交差部に配置された選択メモリセルＭＣに所定の電位差がかかるよう電圧を印加する制御回路とを備える。 - 特許庁

A special array end structure and a method for manufacturing the same provided by the present invention allow most effectively backing three resistance layers including a diffusion bit line, a control gate, and a word gate polycrystalline silicon (here the control gate polycrystalline silicon may overlap on the diffusion bit line), using only a metal line of three layers while maintaining a minimum metal wiring pitch.例文帳に追加

本発明では、特別のアレー端構造体及びそれらの製作方法を提供することによって、拡散ビット線、コントロールゲート、及びワードゲート多結晶シリコンの３つの抵抗層（ここでコントロールゲート多結晶シリコンは、拡散ビット線と重なることができる）が、最小金属配線ピッチを維持しながら３層だけの金属線を使用して、最も効果的に裏打ちされる。 - 特許庁